一種基于透明陶瓷基板的led燈絲的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED技術(shù)的不斷成熟，傳統(tǒng)白熾燈將逐漸被LED燈絲燈所取代。為了增加出光面積和角度，LED燈絲燈通常由多條LED燈絲相互拼接組成。現(xiàn)有技術(shù)中，LED燈絲通常采用金屬基板等非透光基板，只能單面透光，其單根LED燈絲的出光角度最多只能為180°，這大大限制了 LED的發(fā)光效果。同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)中，LED燈絲上的LED芯片通常采用已封裝好的LED燈珠焊接在基板上，不僅增加了 LED燈絲的尺寸，同時(shí)增加了 LED燈絲制備工藝的復(fù)雜度。另外，LED燈絲上的電阻元件通常采用貼片電阻以焊接的方式固定在LED燈絲上，貼片電阻的一致性和穩(wěn)定性存在無(wú)法得到保證，尤其在LED燈絲長(zhǎng)時(shí)間使用的情況下，會(huì)極大影響LED燈絲的壽命，同時(shí)也增加了 LED燈絲制備工藝的復(fù)雜度。
[0003]故，針對(duì)目前現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，實(shí)有必要進(jìn)行研究，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于LED燈絲并使其實(shí)現(xiàn)360°出光的基于透明陶瓷基板的LED燈絲。
[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:
[0006]一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設(shè)置一層ΙΤ0薄膜層，在所述ΙΤ0薄膜層上通過(guò)刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個(gè)固晶區(qū)，多個(gè)倒裝LED裸芯片設(shè)置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個(gè)倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設(shè)有熒光層；在所述線路層的端部設(shè)有電極，所述電極用于與外接驅(qū)動(dòng)電源相連接；在所述線路層設(shè)有電阻圖形并通過(guò)濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻。
[0007]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層通過(guò)濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0008]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層通過(guò)噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0009]優(yōu)選地，根據(jù)所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應(yīng)量的ΙΤ0材料，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)置不同阻值的電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述透明陶瓷基板為長(zhǎng)條形，所述電極設(shè)置在長(zhǎng)條形透明陶瓷基板的兩端。
[0011]優(yōu)選地，所述倒裝LED裸芯片通過(guò)固晶膠固定在所述固晶區(qū)。
[0012]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層為35 μ m?280 μ m。
[0013]優(yōu)選地，所述線路層在所述固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設(shè)有電極焊點(diǎn)，所述倒裝LED裸芯片上設(shè)有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點(diǎn)電氣連接。
[0014]優(yōu)選地，所示電極焊點(diǎn)上涂覆銀膠。
[0015]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實(shí)現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了 LED燈絲的尺寸，與正裝LED裸芯片相比，采用倒裝LED裸芯片省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時(shí)也避免了金線對(duì)LED出射光線的阻礙，提高了發(fā)光效率。同時(shí)導(dǎo)電層采用ΙΤ0材料，其電阻率遠(yuǎn)大于銅等金屬，故可在線路層上直接沉積ΙΤ0材料形成電阻，從而不需要焊接電阻元件，并保證了電阻元件的一致性和穩(wěn)定性，從而延長(zhǎng)LED燈絲的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本實(shí)用新型并不限于這些實(shí)施例。
[0019]為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，請(qǐng)參閱圖1，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括透明陶瓷基板1，透明陶瓷基板1是一塊薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95%以上。該透明陶瓷基板1上設(shè)置一層ΙΤ0薄膜層，一層ΙΤ0 (氧化銦錫)薄膜層，ΙΤ0薄膜層是通過(guò)濺射工藝或者通過(guò)噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板1上，其厚度為35μπι?280 μπι。材料ΙΤ0(氧化銦錫)同時(shí)具有優(yōu)良電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的特性，作為透明傳導(dǎo)鍍膜應(yīng)用廣泛。由于采用透明陶瓷基板，從而使LED燈絲真正實(shí)現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果。
[0020]在透明陶瓷基板1上設(shè)置ΙΤ0薄膜層作為導(dǎo)電層，其作用類似于現(xiàn)有技術(shù)中的銅箔層。通過(guò)光刻膠掩膜蝕刻工藝可將電路圖形印制在ΙΤ0薄膜層上，也即在ΙΤ0薄膜層上通過(guò)刻蝕工藝形成線路層2，同時(shí)通過(guò)刻蝕工藝在透明陶瓷基板1上形成固晶區(qū)3，固晶區(qū)3用于設(shè)置倒裝LED裸芯片4，多個(gè)倒裝LED裸芯片4通過(guò)固晶膠設(shè)置在所述固晶區(qū)3內(nèi)，由于倒裝LED裸芯片的P極和N極設(shè)置在裸芯片的底端，能夠直接以焊接的方式串接在所述線路層2中，省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時(shí)也避免了金線對(duì)LED出射光線的阻礙，提高了發(fā)光效率。在透明陶瓷基板1的正面和反面分別設(shè)置由熒光材料形成的熒光層，由于透明陶瓷基板具有反向透光性，通過(guò)調(diào)節(jié)透明陶瓷基板1正面和反面的熒光材料配方，從而達(dá)到正反面均勻的立體發(fā)光LED燈絲。在所述線路層2的端部設(shè)有電極6，所述電極6用于與外接驅(qū)動(dòng)電源相連接；在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，透明陶瓷基板1為長(zhǎng)條形，電極6設(shè)置在長(zhǎng)條形透明陶瓷基板1的兩端。
[0021]在所述線路層2設(shè)有電阻圖形并通過(guò)濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻5。由于ΙΤ0材料的電阻率遠(yuǎn)大于銅等金屬，故可以在ΙΤ0薄膜層上直接設(shè)置電阻5。即在電路圖形的電阻元件位置，根據(jù)電阻5的阻值控制在所述線路層2相對(duì)應(yīng)的電阻圖形以及在其上沉積相應(yīng)量的ITO材料，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)置不同阻值的電阻。根據(jù)其阻值的大小由電阻圖形的大小以及所沉積ITO材料的厚度決定，可以根據(jù)ITO材料的電阻率計(jì)算得出。由于在ITO薄膜層上直接形成電阻5，大大提升了電阻元件的一致性和穩(wěn)定性，同時(shí)不需要焊接電阻元件，大大提升LED燈絲的性能和使用壽命。
[0022]在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，透明陶瓷基板1包括α -Α1203陶瓷粉、碳化硅以及四方相氧化鋯。α -Α1203陶瓷粉主要用于增加絕緣層的導(dǎo)熱率，其純度大于等于99.9%且均勻分散在透明樹(shù)脂混合劑中，α-Α1203陶瓷粉的含量應(yīng)當(dāng)適量。當(dāng)α-Α1 203陶瓷粉的含量較低時(shí)，無(wú)法滿足LED燈絲的散熱要求。當(dāng)α_Α1203陶瓷粉的含量較高時(shí)，導(dǎo)熱率雖然會(huì)有較大程度的增加，但耐壓性降低，無(wú)法滿足LED燈具的耐壓性要求。四方相氧化鋯(t-Zr02)占比較低，用于提高透明陶瓷基板1的韌性及與鋁基板的結(jié)合力。
[0023]參見(jiàn)圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的平面結(jié)構(gòu)示意圖，線路層2在固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設(shè)有電極焊點(diǎn)7，所述倒裝LED裸芯片4上設(shè)有P極和N極，倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點(diǎn)電氣連接。
[0024]在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，電極焊點(diǎn)上涂覆銀膠，增強(qiáng)LED燈絲的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能。
[0025]以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設(shè)置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過(guò)刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個(gè)固晶區(qū)，多個(gè)倒裝LED裸芯片設(shè)置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個(gè)倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設(shè)有熒光層；在所述線路層的端部設(shè)有電極，所述電極用于與外接驅(qū)動(dòng)電源相連接；在所述線路層設(shè)有電阻圖形并通過(guò)濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。2.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過(guò)濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。3.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過(guò)噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。4.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，根據(jù)所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應(yīng)量的ITO材料，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)置不同阻值的電阻。5.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述透明陶瓷基板為長(zhǎng)條形，所述電極設(shè)置在長(zhǎng)條形透明陶瓷基板的兩端。6.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述倒裝LED裸芯片通過(guò)固晶膠固定在所述固晶區(qū)。7.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層為35 μ m ~ 280 μ m。8.如權(quán)利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述線路層在所述固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設(shè)有電極焊點(diǎn)，所述倒裝LED裸芯片上設(shè)有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點(diǎn)電氣連接。9.如權(quán)利要求8所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所示電極焊點(diǎn)上涂覆銀膠。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設(shè)置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過(guò)刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個(gè)固晶區(qū)，多個(gè)倒裝LED裸芯片設(shè)置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個(gè)倒裝LED裸芯片以焊接的方式串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設(shè)有熒光層；在所述線路層設(shè)有電阻圖形并通過(guò)濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實(shí)現(xiàn)360°出光，大大提升了LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了LED燈絲的尺寸，也簡(jiǎn)化了LED封裝工藝。
【IPC分類】H01L33/62, H01L25/075, H01L33/56, H01L33/48
【公開(kāi)號(hào)】CN205140968
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520862616
【發(fā)明人】計(jì)志峰
【申請(qǐng)人】嘉興市上村電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月31日