一種芯片的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體芯片加工技術領域，具體涉及一種芯片。
【背景技術】
[0002]半導體芯片廣泛用于各種電器，電源的整流，二極管、三極管、整流器及超快恢復線路都有使用，現(xiàn)有技術是，芯片制作工藝是在芯片上均勻的刻出溝道，邊緣晶粒的溝道與中心位置晶粒溝道尺寸一致，在低電壓測試時漏電小，當用1200V電壓測試時，漏電遠遠大于工藝參數(shù)，這是現(xiàn)有技術的不足之處。

【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有技術的不足，提供了一種通過改變芯片邊沿晶粒溝道設置，大大提高了產品的合格率的一種芯片。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為:一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于:在所述芯片本體的邊沿溝道的外側增加設置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。
[0005]本實用新型的進一步改進有，所述刻痕設置在不完整的所述晶粒上面。這樣保證芯片的所有晶粒都是完整的。
[0006]本實用新型的進一步改進還有，所述刻痕與所述芯片本體的邊沿溝道間距為L，L為 250μηι-400μηιο
[0007]本實用新型的進一步改進還有，所述刻痕與所述溝道的尺寸一致。
[0008]說明書中沒有描述的結構屬于現(xiàn)有技術。
[0009]本方案的有益效果可根據對上述方案的敘述得知，做一次光刻時，通過改變光刻版的圖形，在晶片邊沿的溝道處外側增加了一條溝道，并確保開溝時溝道與圖形一致，然后溝道里填滿玻璃，解決邊緣漏電，保證邊緣一周的晶粒符合工藝參數(shù)，提高良率，降低成本。由原來的90%提高到現(xiàn)在的97%，并在下一步工序中，節(jié)省時間50%，大大地提高了工作效率，并保證了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面節(jié)約了8%。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結構示意圖，圖2為圖1的A局部放大結構示意圖。圖中:1_芯片本體，2_晶粒，3_溝道，4_刻痕。
【具體實施方式】
[0011 ]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細說明。
[0012]通過附圖可以看出，一種芯片，由縱橫溝道3間隔組成晶粒2的芯片本體I，其特征在于:在所述芯片本體I的邊沿溝道3的外側增加設置一條刻痕4，并在所述刻痕4里填充玻璃。所述刻痕4設置在不完整的所述晶粒2上面。所述刻痕4與所述芯片本體I的邊沿溝道間距為L，L為250μηι-400μηι。所述刻痕4與所述溝道3的尺寸一致。
[0013]當然，上述說明并非對本實用新型的限制，本實用新型也不僅限于上述舉例，本技術領域的普通技術人員在本實用新型的實質范圍內所做出的變化、改型、添加或替換，也屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于:在所述芯片本體的邊沿溝道的外側增加設置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。2.根據權利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕設置在不完整的所述晶粒上面。3.根據權利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕與所述芯片本體的邊沿溝道間距為 L，L 為 250μηι-400μηι。4.根據權利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕與所述溝道的尺寸一致。
【專利摘要】本實用新型公開了一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于：在所述芯片本體的邊沿溝道的外側增加設置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。本方案的有益效果是：做一次光刻時，通過改變光刻版的圖形，在晶片邊沿的溝道處外側增加了一條溝道，并確保開溝時溝道與圖形一致，然后溝道里填滿玻璃，解決邊緣漏電，保證邊緣一周的晶粒符合工藝參數(shù)，提高良率，降低成本。由原來的90%提高到現(xiàn)在的97%，并在下一步工序中，節(jié)省時間50%，大大地提高了工作效率，并保證了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面節(jié)約了8%。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/29
【公開號】CN205211726
【申請?zhí)枴緾N201520869113
【發(fā)明人】王大勇, 孫者利
【申請人】濟南卓微電子有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年11月3日