帶緩沖的肖特基二極管的制作方法
【專利說明】
[0001 ] 技術(shù)領(lǐng)域:
[0002]本實用新型涉及一種帶緩沖的肖特基二極管。
[0003]【背景技術(shù)】:
[0004]近年來，具有耐高壓、大電流、低通態(tài)電阻、低功耗特性的肖特基二極管以其獨特的性能優(yōu)勢越來越引人注目，常規(guī)肖特基二極管中，歐姆接觸電極位于襯底底部，電流沿垂直方向輸運，耗盡層也在垂直方向承受反向電壓。同條件下與橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)相比，縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)更高的擊穿電壓。并且縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)便于實現(xiàn)多個器件單元的并聯(lián)封裝、提高散熱性能，實現(xiàn)大電流;但是其導(dǎo)通電阻高。
[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
[0006]本實用新型的目的是提供一種帶緩沖的肖特基二極管。
[0007]上述的目的通過以下的技術(shù)方案實現(xiàn):
[0008]—種帶緩沖的肖特基二極管，其組成包括:襯底，所述的襯底上方設(shè)置有過度外延層，所述的過度外延層上方設(shè)置有外延層，所述的外延層的上方設(shè)置有緩沖層，所述的緩沖層上方設(shè)置有氮化物半導(dǎo)體層，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有A金屬陽極以及B金屬陽極，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有絕緣層，所述的襯底下方設(shè)置有陰極。
[0009]本實用新型的有益效果:
[0010]1.本實用新型采用復(fù)合陽極，包括第A金屬陽極電極和B金屬陽極電極，A金屬陽極電極和B金屬陽極電極位于氮化物半導(dǎo)體層上表面，并與氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸;B金屬陽極電極位于A金屬陽極電極內(nèi)表面并同時延伸至氮化物半導(dǎo)體層上表面;B金屬陽極電極與氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸，并且與氮化物半導(dǎo)體層形成的肖特基勢皇高于A金屬陽極電極與氮化物半導(dǎo)體層形成的肖特基勢皇;對復(fù)合陽極外加正偏壓時，則肖特基勢皇的高度相對低的A金屬陽極電極立即工作，然后，在外加電壓升高的過程中B金屬陽極電極工作。由于順方向的電流升高加快，使通態(tài)電阻降低，并且可使通態(tài)電壓接近O ；另一方面，如果進行外加反偏壓時，則在位于B金屬陽極電極下方的氮化物半導(dǎo)體層擴展耗盡層，夾斷電流路徑，遮斷電流;B金屬陽極電極的寬度小于氮化物半導(dǎo)體層的寬度;A金屬陽極電極和B金屬陽極電極所采用的材料可以為常用的各種，只需滿足B金屬陽極電極與氮化物半導(dǎo)體層形成的肖特基勢皇高于所述A金屬陽極電極與氮化物半導(dǎo)體層形成的肖特基勢皇即可，A金屬陽極電極優(yōu)選使用能與氮化物半導(dǎo)體層形成肖特基接觸的金屬或合金，具體可以選自鈦膜、鎢膜、銀膜、鋁膜、鉭膜中的一種或多種。
[0011]本實用新型具有橫向二維電子氣導(dǎo)電溝道高濃度、高電子迀移率的特點，降低了通態(tài)電阻;又具有縱向的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了電流的縱向輸運，便于實現(xiàn)多個器件單元的并聯(lián)封裝。
[0012]【附圖說明】:
[0013]附圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]【具體實施方式】:
[0015]實施例1:
[0016]—種帶緩沖的肖特基二極管，其組成包括:襯底I，所述的襯底上方設(shè)置有過度外延層2，所述的過度外延層上方設(shè)置有外延層3，所述的外延層的上方設(shè)置有緩沖層4，所述的緩沖層上方設(shè)置有氮化物半導(dǎo)體層5，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有A金屬陽極6以及B金屬陽極7，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有絕緣層8，所述的襯底下方設(shè)置有陰極9。
【主權(quán)項】
1.一種帶緩沖的肖特基二極管，其組成包括:襯底，其特征是:所述的襯底上方設(shè)置有過度外延層，所述的過度外延層上方設(shè)置有外延層，所述的外延層的上方設(shè)置有緩沖層，所述的緩沖層上方設(shè)置有氮化物半導(dǎo)體層，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有A金屬陽極以及B金屬陽極，所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有絕緣層，所述的襯底下方設(shè)置有陰極。
【專利摘要】<b>本實用新型涉及一種帶緩沖的肖特基二極管。目前規(guī)肖特基二極管中，歐姆接觸電極位于襯底底部，電流沿垂直方向輸運，耗盡層也在垂直方向承受反向電壓，同條件下與橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)相比，縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)更高的擊穿電壓。本實用新型組成包括：襯底（</b><b>1</b><b>），所述的襯底上方設(shè)置有過度外延層（</b><b>2</b><b>），所述的過度外延層上方設(shè)置有外延層（</b><b>3</b><b>），所述的外延層的上方設(shè)置有緩沖層（</b><b>4</b><b>），所述的緩沖層上方設(shè)置有氮化物半導(dǎo)體層（</b><b>5</b><b>），所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有</b><b>A</b><b>金屬陽極（</b><b>6</b><b>）以及</b><b>B</b><b>金屬陽極（</b><b>7</b><b>），所述的氮化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置有絕緣層（</b><b>8</b><b>），所述的襯底下方設(shè)置有陰極（</b><b>9</b><b>）。本實用新型應(yīng)用于。</b>
【IPC分類】H01L29/872, H01L29/06
【公開號】CN205231073
【申請?zhí)枴緾N201521044276
【發(fā)明人】洪旭峰, 王錳
【申請人】上海芯石微電子有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月15日