一種led發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域，具體涉及一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]LED發(fā)光芯片具有體積小、能耗低、壽命長(zhǎng)以及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。LED芯片具有正裝和倒裝兩種結(jié)構(gòu)，其主體是一個(gè)發(fā)光PN結(jié)，主要由N型半導(dǎo)體、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體組成，所述N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體分別連接金屬電極?，F(xiàn)有的倒裝LED芯片一般在發(fā)光PN結(jié)外覆蓋一層鈍化層(S12層)，起保護(hù)作用，鈍化層外再設(shè)置一層光阻層。由于現(xiàn)有的倒裝LED芯片在制作過(guò)程中需要分別添加鈍化層和光阻層，之后還需對(duì)金屬電極上方的光阻層和鈍化層分別進(jìn)行蝕刻，工序繁瑣，制作麻煩，增加成本;此外，由于S12是硬性材料，抗沖擊、抗壓的能力較差，使鈍化層不能很好起到保護(hù)作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，利用軟性材料的光刻膠取代鈍化層對(duì)LED芯片的主體進(jìn)行保護(hù)，簡(jiǎn)化芯片結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型為解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是:
[0005]—種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，包括襯底，所述襯底下表面設(shè)置有由上至下依次排列的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，所述發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層上通過(guò)蝕刻形成暴露出N型半導(dǎo)體層的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導(dǎo)體層表面設(shè)置有由透明絕緣的光刻膠通過(guò)曝光形成的光阻層，所述光阻層上設(shè)置有暴露N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層的缺口，所述N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層通過(guò)缺口分別連接金屬電極。
[0006]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述金屬電極包括與P型半導(dǎo)體層相連接的P電極，以及與N型半導(dǎo)體層相連接的N電極。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0008]本實(shí)用新型的倒裝結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光芯片，采用透明絕緣的光阻層代替S12鈍化層，簡(jiǎn)化LED芯片的結(jié)構(gòu)；由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優(yōu)秀，能更好的起到保護(hù)作用；光阻層取代鈍化層還減少了設(shè)置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
【附圖說(shuō)明】
[0009]以下結(jié)合附圖和實(shí)例作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0010]圖1是本實(shí)用新型的倒裝結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型提供的一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，包括襯底10，所述襯底10下表面設(shè)置有由上至下依次排列的N型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30和P型半導(dǎo)體層40，所述發(fā)光層30和P型半導(dǎo)體層40上通過(guò)蝕刻形成暴露出N型半導(dǎo)體層20的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導(dǎo)體層40表面設(shè)置有由透明絕緣的光刻膠通過(guò)曝光形成的光阻層50，所述光阻層50上設(shè)置有暴露N型半導(dǎo)體層20和P型半導(dǎo)體層40的缺口，所述N型半導(dǎo)體層20和P型半導(dǎo)體層40通過(guò)缺口分別連接金屬電極。所述金屬電極包括與P型半導(dǎo)體層40相連接的P電極61，以及與N型半導(dǎo)體層20相連接的N電極62。
[0012]—種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)制備方法，包括以下步驟:S1、準(zhǔn)備一襯底10，在襯底10上設(shè)置N型半導(dǎo)體層20，在N型半導(dǎo)體層20上方設(shè)置發(fā)光層30，在發(fā)光層30上設(shè)置P型半導(dǎo)體層40;S2、對(duì)P型半導(dǎo)體層40及其下的發(fā)光層30進(jìn)行刻蝕，直至暴露出N型半導(dǎo)體層20;S3、在步驟S2中通過(guò)刻蝕得到的孔槽內(nèi)和P型半導(dǎo)體層40表面涂抹透明絕緣的光刻膠，并通過(guò)曝光形成光阻層50; S4、采用顯影液蝕刻孔槽內(nèi)以及P型半導(dǎo)體層40表面的部分光阻層50，形成使N型半導(dǎo)體層20和P型半導(dǎo)體層40暴露的缺口 ； S5、通過(guò)蒸鍍?cè)诠庾鑼?0的缺口內(nèi)分別形成金屬塞，同時(shí)在光阻層50表面形成P電極61和N電極62，其中P電極61通過(guò)金屬塞連接P型半導(dǎo)體層40，N電極62通過(guò)金屬塞連接N型半導(dǎo)體層20。
[0013]本實(shí)用新型的倒裝結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光芯片，采用透明絕緣的光阻層代替S12鈍化層，簡(jiǎn)化LED芯片的結(jié)構(gòu)；由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優(yōu)秀，能更好的起到保護(hù)作用；光阻層取代鈍化層還減少了設(shè)置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
[0014]以上所述，只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施方式，只要其以相同的手段達(dá)到本實(shí)用新型的技術(shù)效果，都應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括襯底(10)，所述襯底(10)下表面設(shè)置有由上至下依次排列的N型半導(dǎo)體層(20)、發(fā)光層(30)和P型半導(dǎo)體層(40)，所述發(fā)光層(30)和P型半導(dǎo)體層(40)上通過(guò)蝕刻形成暴露出N型半導(dǎo)體層(20)的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導(dǎo)體層(40)表面設(shè)置有由透明絕緣的光刻膠通過(guò)曝光形成的光阻層(50)，所述光阻層(50)上設(shè)置有暴露N型半導(dǎo)體層(20)和P型半導(dǎo)體層(40)的缺口，所述N型半導(dǎo)體層(20)和P型半導(dǎo)體層(40)通過(guò)缺口分別連接金屬電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬電極包括與P型半導(dǎo)體層(40)相連接的P電極(61)，以及與N型半導(dǎo)體層(20)相連接的N電極(62)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結(jié)構(gòu)，包括襯底，所述襯底下表面設(shè)置有N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層上設(shè)置有暴露出N型半導(dǎo)體層的孔槽，孔槽內(nèi)部和P型半導(dǎo)體層表面設(shè)置有光阻層，光阻層上設(shè)置有缺口，N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層通過(guò)缺口分別連接金屬電極。上述LED發(fā)光芯片采用光阻層代替SiO2鈍化層，簡(jiǎn)化LED芯片的結(jié)構(gòu)；光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的SiO2更為優(yōu)秀，能更好的起到保護(hù)作用；此外，還減少了設(shè)置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
【IPC分類】H01L33/56
【公開號(hào)】CN205231114
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520984278
【發(fā)明人】郝銳, 易翰翔, 劉洋, 許徳裕
【申請(qǐng)人】廣東德力光電有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2015年11月30日