一種等離子體刻蝕設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實用新型涉及一種等離子體刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體元件加工過程中，常采用等離子體刻蝕法對襯底進(jìn)行刻蝕以制備圖形化襯底，或者對晶圓進(jìn)行刻蝕，以制備所需圖案的晶圓。等離子體刻蝕法通常采用等離子體刻蝕設(shè)備進(jìn)行刻蝕。
[0003]目前，常見的等離子刻蝕設(shè)備通常包括3個腔體:放置載盤的第一腔體，傳送載盤的第二腔體和刻蝕載盤上基片的第三腔體。在設(shè)備運(yùn)作過程中，第一腔體為非真空環(huán)境，而第三腔體必須通過抽真空系統(tǒng)形成真空環(huán)境，因此當(dāng)?shù)诙惑w作為傳送腔時，需要在真空環(huán)境和非真空環(huán)境下進(jìn)行切換。當(dāng)?shù)诙惑w由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換時，氣體通過進(jìn)氣孔進(jìn)入第二腔體內(nèi)進(jìn)行破氣，目前破氣時等離子體刻蝕設(shè)備的進(jìn)氣孔靠近載盤位置，破氣時造成氣流擾動，產(chǎn)生揚(yáng)塵，易對載盤上的基片污染；同時載盤上方無任何保護(hù)裝置，氣體中的顆粒等雜質(zhì)掉落基片上也易對其造成污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決現(xiàn)有等離子體刻蝕設(shè)備的不足，本實用新型提供一種改進(jìn)的等離子體刻蝕設(shè)備，通過在第二腔體內(nèi)增加遮罩裝置對載盤上的基片進(jìn)行保護(hù)，防止載盤上的基片在第二腔體破氣時氣體中臟污對其的污染，提高基片的刻蝕良率。具體技術(shù)方案如下:
[0005]—種等離子體刻蝕設(shè)備，用于對基片進(jìn)行等離子體刻蝕，至少包括:承載復(fù)數(shù)個基片的載盤、放置復(fù)數(shù)個載盤的第一腔體、傳送所述載盤的第二腔體、以及刻蝕所述基片的第三腔體，所述第一腔體、第二腔體和第三腔體分別通過自由開關(guān)的隔板連接，通過控制所述隔板開關(guān)狀態(tài)，實現(xiàn)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體的連通或隔離;所述第二腔體內(nèi)設(shè)置有傳送裝置，用于在第一腔體和第三腔體之間傳送所述載盤;第一腔體為非真空腔體、第三腔體為真空腔體、而第二腔體在真空腔體和非真空腔體之間切換;其特征在于:所述第二腔體內(nèi)于所述載盤上方還設(shè)置一遮罩裝置，當(dāng)所述遮罩裝置罩于所述載盤上時，保護(hù)所述載盤上的基片免受污染。
[0006]優(yōu)選的，所述遮罩裝置包括一驅(qū)動機(jī)構(gòu)、一伸縮連桿、一遮罩，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)和遮罩連接于所述伸縮連桿的兩端，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)通過所述伸縮連桿驅(qū)動所述遮罩的升降。
[0007]優(yōu)選的，所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周邊向下延伸的側(cè)板。
[0008]優(yōu)選的，所述側(cè)板上具有復(fù)數(shù)個供氣體進(jìn)出以平衡所述遮罩內(nèi)外壓強(qiáng)的篩孔。
[0009]優(yōu)選的，所述篩孔均勻分布或者不均勻分布。
[0010]優(yōu)選的，所述遮罩的大小與所述載盤匹配。
[0011]優(yōu)選的，所述第二腔體內(nèi)具有供氣體進(jìn)出的進(jìn)氣孔和出氣孔。
[0012]優(yōu)選的，所述氣孔遠(yuǎn)離所述載盤位置，并且所述進(jìn)氣孔上方具有柵網(wǎng)。
[0013]優(yōu)選的，所述第一腔體內(nèi)設(shè)置復(fù)數(shù)個用于放置所述載盤的載盤架。
[0014]優(yōu)選的，所述傳送裝置為機(jī)械手。
[0015]本實用新型至少具有以下有益效果:
[0016]通過在第二腔體內(nèi)增設(shè)遮罩裝置，當(dāng)?shù)诙惑w由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換破氣時，遮罩裝置中的遮罩下降并恰好罩于載盤上，保護(hù)載盤上的基片，防止破氣時進(jìn)入腔體的氣體以及腔體中的臟污對載盤上基片的污染；另外，將第二腔體的進(jìn)氣孔設(shè)置于遠(yuǎn)離載盤的位置，并在進(jìn)氣孔上方增設(shè)柵網(wǎng)，同樣防止揚(yáng)塵產(chǎn)生，避免破氣時對基片的污染。
【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型之等離子體刻蝕設(shè)備俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2為本實用新型之第一腔體側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3為本實用新型之第二腔體側(cè)示結(jié)構(gòu)意視圖。
[0020]圖4為本實用新型之遮罩立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]附圖標(biāo)注:
[0022]10.第一腔體；11.載盤；12.載盤架；20.第二腔體；21.傳送裝置；22.遮罩裝置；221.驅(qū)動機(jī)構(gòu)；222.伸縮連桿；223.遮罩;2231.遮板；2232.側(cè)板；22320.篩孔；23.進(jìn)氣孔；231.柵網(wǎng)；24.出氣孔;25.真空系統(tǒng);30.第三腔體;40.擋板。
【具體實施方式】
[0023]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。需說明的是，本實用新型的附圖均采用非常簡化的非精準(zhǔn)比例，僅用以方便、明晰的輔助說明本實用新型。
[0024]參看附圖1，本實用新型提供一種等離子體刻蝕設(shè)備，用于對基片進(jìn)行等離子體刻蝕，至少包括:第一腔體10、第二腔體20和第三腔體30，其中第一腔體10和第二腔體20、以及第二腔體20和第三腔體30分別通過自由開關(guān)的隔板40連接，通過控制隔板40的開關(guān)狀態(tài)使第一腔體10、第二腔體20和第三腔體30連通或者隔離。第一腔體10內(nèi)放置復(fù)數(shù)個承載基片的載盤11，第二腔體20內(nèi)設(shè)置有傳送裝置21，用于在第一腔體10和第三腔體30之間傳送載盤11，本實施例中優(yōu)選傳送裝置21為機(jī)械手，第三腔體30則對基片進(jìn)行刻蝕。其中第一腔體10為非真空腔體，第三腔體30為真空腔體，而第二腔體20在真空腔體和非真空腔體之間切換，即當(dāng)?shù)谝磺惑w10和第二腔體20之間的隔板40打開時，第二腔體20為非真空腔體，而當(dāng)?shù)诙惑w20和第三腔體30之間的隔板40打開時，第二腔體20則切換為真空腔體。
[0025]參看附圖2，第一腔體10內(nèi)設(shè)置復(fù)數(shù)個用于放置載盤11的載盤架12，載盤架12平行排列，每一載盤架12上放置一個載盤11。本實施例中，優(yōu)選設(shè)置5個載盤架21，并且從上至下分別編號為A、B、C、D和E，以便識別。
[0026]參看附圖3，在第二腔體20內(nèi)于載盤11上方還設(shè)置一遮罩裝置22，當(dāng)?shù)诙惑w20由真空腔體向非真空腔體切換時，遮罩裝置22罩于載盤11上，防止氣體及腔體中的臟污掉落到基片表面，保護(hù)基片免受臟污污染。遮罩裝置22包括一驅(qū)動機(jī)構(gòu)221、一伸縮連桿222、一遮罩223，驅(qū)動機(jī)構(gòu)221和遮罩223連接于伸縮連桿222的兩端，驅(qū)動機(jī)構(gòu)221通過伸縮連桿222驅(qū)動遮罩223的升降。遮罩223與載盤11匹配，便于恰好罩于載盤11上，本實施例中載盤11和遮罩223的形狀可為圓形、方形或其他不規(guī)則形，本實施例中兩者均優(yōu)選為圓形;遮罩223的材料可選用金屬、塑料等。為了實現(xiàn)第二腔體20在真空腔體和非真空腔體之間的切換，第二腔體20的底部具有供氣體進(jìn)出的進(jìn)氣孔23和出氣孔24，進(jìn)氣孔23與氮氣等氣體供應(yīng)系統(tǒng)(圖中未示出)連接，出氣孔24與真空系統(tǒng)25連接。當(dāng)?shù)诙惑w20需真空環(huán)境時，真空系統(tǒng)25將第二腔體20內(nèi)氣體抽走，使第二腔體20形成真空腔體;而當(dāng)?shù)诙惑w20需非真空環(huán)境時，氣體供應(yīng)系統(tǒng)將氮氣等(如圖3中箭頭所示)通過進(jìn)氣孔23注入第二腔體20內(nèi)，使第二腔體20破氣，由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換，形成非真空腔體。由于傳統(tǒng)的進(jìn)氣孔23靠近載盤11，當(dāng)?shù)诙惑w20破氣時，氣體直接吹向載盤11，產(chǎn)生較強(qiáng)的氣流，進(jìn)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，使揚(yáng)塵中的臟污污染基片。因此，本實施例中，將進(jìn)氣孔23設(shè)置于遠(yuǎn)離載盤11的位置，并且在進(jìn)氣孔23的上方增設(shè)柵網(wǎng)231，從而實現(xiàn)在破氣時減小氣流，防止揚(yáng)塵，保護(hù)基片的目的。
[0027]參看附圖4，遮罩223包括遮板2231和沿遮板2231周邊向下延伸的側(cè)板2232。側(cè)板2232上具有復(fù)數(shù)個供氣體進(jìn)出以平衡遮罩223內(nèi)外壓強(qiáng)的篩孔22320。篩孔22320均勻分布或者不均勻分布，本實施例中優(yōu)選篩孔22320均勻分布于側(cè)板2232上。篩孔22320的直徑盡可能小，防止較大顆粒的臟污進(jìn)入。氣體通過篩孔22320進(jìn)入遮罩223內(nèi)，使遮罩223內(nèi)外的氣壓平衡，防止隨后遮罩223無法移動。
[0028]本實用新型通過在第二腔體內(nèi)增設(shè)遮罩裝置，當(dāng)?shù)诙惑w由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換破氣時，遮罩裝置中的遮罩下降并恰好罩于載盤上，保護(hù)載盤上的基片，防止破氣時進(jìn)入腔體的氣體中的臟污對載盤上基片的污染；另外，將第二腔體的進(jìn)氣孔設(shè)置于遠(yuǎn)離載盤的位置，并在進(jìn)氣孔上方增設(shè)柵網(wǎng)，同樣防止揚(yáng)塵產(chǎn)生，避免破氣時對基片的污染。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實施方案為本實用新型的優(yōu)選實施例，本實用新型的范圍不限于該實施例，凡依本實用新型所做的任何變更，皆屬本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種等離子體刻蝕設(shè)備，用于對基片進(jìn)行等離子體刻蝕，至少包括:承載復(fù)數(shù)個基片的載盤、放置復(fù)數(shù)個載盤的第一腔體、傳送所述載盤的第二腔體、以及刻蝕所述基片的第三腔體，所述第一腔體、第二腔體和第三腔體分別通過自由開關(guān)的隔板連接，通過控制所述隔板開關(guān)狀態(tài)，實現(xiàn)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體的連通或隔離;所述第二腔體內(nèi)設(shè)置有傳送裝置，用于在第一腔體和第三腔體之間傳送所述載盤;第一腔體為非真空腔體、第三腔體為真空腔體、而第二腔體在真空腔體和非真空腔體之間切換;其特征在于:所述第二腔體內(nèi)于所述載盤上方還設(shè)置一遮罩裝置，當(dāng)所述遮罩裝置罩于所述載盤上時，保護(hù)所述載盤上的基片免受污染。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述遮罩裝置包括一驅(qū)動機(jī)構(gòu)、一伸縮連桿、一遮罩，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)和遮罩連接于所述伸縮連桿的兩端，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)通過所述伸縮連桿驅(qū)動所述遮罩的升降。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周邊向下延伸的側(cè)板。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述側(cè)板上具有復(fù)數(shù)個供氣體進(jìn)出以平衡所述遮罩內(nèi)外壓強(qiáng)的篩孔。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述篩孔均勻分布或者不均勻分布。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述遮罩的大小與所述載盤匹配。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述第二腔體內(nèi)具有供氣體進(jìn)出的進(jìn)氣孔和出氣孔。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述進(jìn)氣孔遠(yuǎn)離所述載盤位置，并且所述進(jìn)氣孔上方具有柵網(wǎng)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述第一腔體內(nèi)設(shè)置復(fù)數(shù)個用于放置所述載盤的載盤架。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其特征在于:所述傳送裝置為機(jī)械手。
【專利摘要】一種等離子體刻蝕設(shè)備,用于對基片進(jìn)行等離子體刻蝕，至少包括：放置載盤的非真空第一腔體、傳送載盤的第二腔體、刻蝕載盤上基片的真空第三腔體，本實用新型通過在第二腔體內(nèi)增設(shè)遮罩裝置，當(dāng)?shù)诙惑w由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換破氣時，遮罩裝置中的遮罩下降并恰好罩于載盤上，保護(hù)載盤上的基片，防止破氣時進(jìn)入腔體的氣體中的臟污對載盤上基片的污染；另外，將第二腔體的進(jìn)氣孔設(shè)置于遠(yuǎn)離載盤的位置，并在進(jìn)氣孔上方增設(shè)柵網(wǎng)，同樣防止揚(yáng)塵產(chǎn)生,避免破氣時對基片的污染。
【IPC分類】H01J37/32
【公開號】CN205248232
【申請?zhí)枴緾N201521101500
【發(fā)明人】魏永吉, 徐翊翔, 劉加云, 劉超超
【申請人】安徽三安光電有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月28日