一種新型多晶硅片清洗機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明屬于光伏機(jī)械領(lǐng)域，具體涉及一種新型多晶硅片清洗機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]光伏產(chǎn)業(yè)的新興帶動了很多相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，其中多晶硅片的生產(chǎn)加工為最基礎(chǔ)的一部分。通常的多晶硅在切片后需要進(jìn)行清洗，并在清洗后旋轉(zhuǎn)脫水，清洗之前需要人工將多晶硅片整理碼放，清洗后還需要重新碼放，因多晶硅片質(zhì)量要求較高，因此人為操作容易對多晶硅片產(chǎn)生損傷，而且浪費人力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述問題，本發(fā)明公開了一種新型多晶硅片清洗機(jī)，以用來解決人力資源浪費及多晶硅片易損的問題。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]—種新型多晶硅片清洗機(jī)，包括清洗倉、瀝水倉和干燥倉，所述清洗倉內(nèi)中間橫向設(shè)置軌道一，所述軌道一兩側(cè)設(shè)置噴霧噴頭，噴霧噴頭之間設(shè)置超聲波發(fā)射器，所述瀝水倉位于清洗倉右側(cè)，瀝水倉內(nèi)設(shè)置軌道二，瀝水倉內(nèi)左側(cè)上方設(shè)置干燥空氣入口，所述軌道二與軌道一寬度相同，軌道二與軌道一交界處設(shè)置PVC軟簾，軌道二延伸至干燥倉出口，軌道二在瀝水倉及干燥倉內(nèi)為上下彎折設(shè)置，所述干燥倉位于瀝水倉右側(cè)，干燥倉與瀝水倉尺寸相同，干燥倉左側(cè)下方設(shè)置干燥空氣入口二，干燥倉與瀝水倉中間設(shè)置擋板，所述擋板在軌道二通過處開有通道。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述噴霧噴頭可設(shè)置5?8組。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述軌道一為鏤空。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述清洗倉內(nèi)噴霧噴頭溫度為50°C~65°C。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述干燥空氣溫度為60°C~70°C。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述軌道二在瀝水倉中的長度小于干燥倉。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述軌道二上設(shè)置半月形鏈片式網(wǎng)帶。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:
[0013]本發(fā)明所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，通過軌道一和軌道二的運作，將碼放整齊的多晶硅片在清洗倉內(nèi)清洗完成運送至瀝水倉，瀝水倉內(nèi)設(shè)置干燥空氣入口一，在自然瀝水過程中加速水分蒸發(fā)，在干燥倉內(nèi)設(shè)置干燥空氣入口二，降低空氣含水量，提高干燥速度，整個過程自動化完成，節(jié)約人力，減少人為的損壞。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記列表:
[0016]1.清洗倉，2.瀝水倉，3.干燥倉，4.噴霧噴頭，5.超聲波發(fā)射器，6.軌道一，7.PVC軟簾，8.軌道二，9.擋板，10.通道，11.出口，12.干燥空氣入口一，13干燥空氣入口二。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0018]如圖所示，一種新型多晶硅片清洗機(jī)，包括清洗倉1、瀝水倉2和干燥倉3，所述清洗倉I內(nèi)中間橫向設(shè)置軌道一6，所述軌道一6兩側(cè)設(shè)置噴霧噴頭4，噴霧噴頭4之間設(shè)置超聲波發(fā)射器5，所述清洗倉I內(nèi)噴霧噴頭4溫度為50°C~65°C，在整個機(jī)器內(nèi)設(shè)置不同的倉位，可以實現(xiàn)多晶硅片清洗干燥一體，噴霧噴頭4內(nèi)的是由蒸餾水混合硅片清洗劑，并將水溫控制在50°C~65°C，使清洗劑達(dá)到最大的活性而且超聲效果好，利用軌道一 6的運作將碼放好的多晶硅片清洗干凈，運送至瀝水倉2內(nèi)。
[0019]如圖所示，所述瀝水倉2位于清洗倉I右側(cè)，瀝水倉2內(nèi)設(shè)置軌道二8，瀝水倉2內(nèi)左側(cè)上方設(shè)置干燥空氣入口一 12，在多晶硅片自然瀝水的過程中利用干燥空氣，加速多晶硅片的水分蒸發(fā)，實現(xiàn)干燥的目的，所述軌道二8與軌道一6寬度相同，便于多晶硅片順利從清洗倉I進(jìn)入瀝水倉2，軌道二8延伸至干燥倉3出口 11，軌道二8在瀝水倉2及干燥倉3內(nèi)為上下彎折設(shè)置，延長多晶硅片在瀝水倉2及干燥倉3的時間，實現(xiàn)干燥多晶硅片的目的，所述干燥倉3位于瀝水倉2右側(cè)，干燥倉3與瀝水倉2尺寸相同，干燥倉3左側(cè)下方設(shè)置干燥空氣入口二13，降低干燥倉3內(nèi)空氣的干燥量，干燥倉3與瀝水倉2中間設(shè)置擋板9，分隔干燥倉3與瀝水倉2，防止潮濕空氣流動過大，影響干燥程度，所述擋板9在軌道二 8通過處開有通道10，方便軌道二 8的運作。
[0020]如圖所示，軌道二 8與軌道一 6交界處設(shè)置PVC軟簾7，既可以在沒有多晶硅片通過時分隔清洗倉I與瀝水倉2，防止水霧直接進(jìn)入瀝水倉2內(nèi)，也可以防止多晶硅片通過時損壞多晶娃片。
[0021]如圖所示，所述噴霧噴頭4可設(shè)置5?8組，以適應(yīng)軌道一6的長度及多晶硅片的清洗程度。
[0022]如圖所示，所述軌道一6為鏤空，方便沖洗下來的雜質(zhì)順利和水一起流走。
[0023]如圖所示，所述干燥空氣溫度為60°C~70°C，干燥空氣溫度高于清洗液體的溫度，更利于多晶硅片的干燥，提高干燥速度。
[0024]如圖所示，所述軌道二8在瀝水倉2中的長度小于干燥倉3，干燥倉3內(nèi)的空氣干燥程度大于瀝水倉2，多晶硅片在干燥倉3內(nèi)時間長于瀝水倉2，更利于多晶硅片的干燥。
[0025]如圖所示，所述軌道二8上設(shè)置半月形鏈片式網(wǎng)帶，方便軌道二 8在瀝水倉2和干燥倉3內(nèi)轉(zhuǎn)換方向，增加了軌道二 8的長度，節(jié)約了整個清洗機(jī)所要占用的面積。
[0026]本發(fā)明方案所公開的技術(shù)手段不僅限于上述實施方式所公開的技術(shù)手段，還包括由以上技術(shù)特征任意組合所組成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:包括清洗倉、瀝水倉和干燥倉，所述清洗倉內(nèi)中間橫向設(shè)置軌道一，所述軌道一兩側(cè)設(shè)置噴霧噴頭，噴霧噴頭之間設(shè)置超聲波發(fā)射器，所述瀝水倉位于清洗倉右側(cè)，瀝水倉內(nèi)設(shè)置軌道二，瀝水倉內(nèi)左側(cè)上方設(shè)置干燥空氣入口，所述軌道二與軌道一寬度相同，軌道二與軌道一交界處設(shè)置PVC軟簾，軌道二延伸至干燥倉出口，軌道二在瀝水倉及干燥倉內(nèi)為上下彎折設(shè)置，所述干燥倉位于瀝水倉右側(cè)，干燥倉與瀝水倉尺寸相同，干燥倉左側(cè)下方設(shè)置干燥空氣入口二，干燥倉與瀝水倉中間設(shè)置擋板，所述擋板在軌道二通過處開有通道。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述噴霧噴頭可設(shè)置5?8組。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述軌道一為鏤空。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述清洗倉內(nèi)噴霧噴頭溫度為50°C~65°C。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述干燥空氣溫度為60。070。。。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述軌道二在瀝水倉中的長度小于干燥倉。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型多晶硅片清洗機(jī)，其特征在于:所述軌道二上設(shè)置半月形鏈片式網(wǎng)帶。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型多晶硅片清洗機(jī)，包括清洗倉、瀝水倉和干燥倉，清洗倉內(nèi)中間橫向設(shè)置軌道一，所述軌道一兩側(cè)設(shè)置噴霧噴頭，噴霧噴頭之間設(shè)置超聲波發(fā)射器，瀝水倉內(nèi)設(shè)置軌道二，瀝水倉內(nèi)左側(cè)上方設(shè)置干燥空氣入口，干燥倉與瀝水倉尺寸相同，干燥倉左側(cè)下方設(shè)置干燥空氣入口二，干燥倉與瀝水倉中間設(shè)置擋板，所述擋板在軌道二通過處開有通道，本實用新型所述的新型多晶硅片清洗機(jī)，通過軌道一和軌道二的運作，將碼放整齊的多晶硅片在清洗倉內(nèi)清洗完成運送至瀝水倉，瀝水倉內(nèi)設(shè)置干燥空氣入口一，在自然瀝水過程中加速水分蒸發(fā)，在干燥倉內(nèi)設(shè)置干燥空氣入口二，降低空氣含水量，提高干燥速度，整個過程自動化完成，節(jié)約人力，減少人為的損壞。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/677
【公開號】CN205248239
【申請?zhí)枴緾N201520925971
【發(fā)明人】郭長明, 王瀟, 趙海洋, 張立, 許春杰, 謝保衛(wèi)
【申請人】江蘇潤麗光能科技發(fā)展有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年11月19日