一種低電阻導(dǎo)電薄膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電薄膜，特別涉及一種低電阻導(dǎo)電薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]在透明的PET等有機(jī)薄膜的基底上沉積一層ITO導(dǎo)電層，形成的柔性導(dǎo)電膜是一種在電子信息產(chǎn)品制造中廣泛使用的材料，其電阻一般在100-400歐姆之間。該薄膜電阻高，不能實(shí)現(xiàn)在大尺寸電容觸摸屏上應(yīng)用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種低電阻導(dǎo)電薄膜。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0005]—種低電阻導(dǎo)電薄膜，包括基底層，其特征在于，所述基底層表面磁控濺射鍍有CuO導(dǎo)電層。
[0006]所述CuO導(dǎo)電層厚度為150-200nm。
[0007]所述基底層選自PET或者PC有機(jī)薄膜材料。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果包括:本薄膜的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制備過程簡(jiǎn)單，且導(dǎo)電層的電阻非常低只有0.2-0.5歐姆，可以應(yīng)用于大尺寸網(wǎng)格式電容觸摸屏中，增加經(jīng)濟(jì)效益。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中低電阻導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]附圖標(biāo)記
[0011]1-導(dǎo)電層;2-基底層。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所不，本實(shí)用新型的廣品的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0013]實(shí)施例1
[0014]基底層2選擇PET薄膜材料或者PC薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對(duì)基底層2表面進(jìn)行表面處理。再在處理后的的薄膜表面進(jìn)行磁控濺射一層ITO導(dǎo)電層I。所述ITO導(dǎo)電層的厚度151nm，電阻202歐姆。
[0015]實(shí)施例2
[0016]基底層2選擇PET薄膜材料或者PC薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對(duì)基底層2表面進(jìn)行表面處理。再在處理后的的薄膜表面進(jìn)行磁控濺射一層CuO導(dǎo)電層I。所述CuO導(dǎo)電層的厚度150歷，電阻0.5歐姆。
[0017]實(shí)施例3
[0018]基底層2選擇PET薄膜材料或者PC薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對(duì)基底層2表面進(jìn)行表面處理。再在處理后的的薄膜表面進(jìn)行磁控濺射一層CuO導(dǎo)電層I。所述CuO導(dǎo)電層的厚度168歷，電阻0.42歐姆。
[0019]實(shí)施例4
[0020]基底層2選擇PET薄膜材料或者PC薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對(duì)基底層2表面進(jìn)行表面處理。再在處理后的的薄膜表面進(jìn)行磁控濺射一層CuO導(dǎo)電層I。所述CuO導(dǎo)電層的厚度180歷，電阻0.35歐姆。
[0021]實(shí)施例5
[0022]基底層2選擇PET薄膜材料或者PC薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對(duì)基底層2表面進(jìn)行表面處理。再在處理后的的薄膜表面進(jìn)行磁控濺射一層CuO導(dǎo)電層I。所述CuO導(dǎo)電層的厚度198歷，電阻0.21歐姆。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低電阻導(dǎo)電薄膜，包括基底層，其特征在于，所述基底層表面磁控濺射鍍有CuO導(dǎo)電層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻導(dǎo)電薄膜，其特征在于所述CuO導(dǎo)電層厚度為150-200nmo3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻導(dǎo)電薄膜，其特征在于所述基底層選自PET或者PC有機(jī)薄膜材料。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種低電阻導(dǎo)電薄膜，包括基底層，所述基底層表面磁控濺射鍍有CuO導(dǎo)電層，所述CuO導(dǎo)電層厚度為150-200nm，所述基底層選自PET或者PC有機(jī)薄膜材料。本實(shí)用新型低電阻薄膜的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制備過程簡(jiǎn)單，且導(dǎo)電層的電阻非常低只有0.2-0.5歐姆，可以應(yīng)用于大尺寸網(wǎng)格式電容觸摸屏中，增加經(jīng)濟(jì)效益。
【IPC分類】H01B5/14, H01B1/08
【公開號(hào)】CN205264360
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520964994
【發(fā)明人】王振東, 何萬能
【申請(qǐng)人】蘇州諾耀光電科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年11月27日