一種高密度idf型sot23-6引線框架結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種集成電路封裝引線框結(jié) 構(gòu)，具體涉及一種高密度IDF型S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路封裝時(shí)必須用到引線框結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有的8排S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)，由于 受之前的技術(shù)所限，一片S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)上最多可以封裝288只產(chǎn)品，注塑流道兩 邊每次各注塑1顆產(chǎn)品，按每模最多封8片來(lái)計(jì)算，這樣每模最多可以封裝的IC數(shù)量為2304 只，其生產(chǎn)效率仍有提升空間。由于芯片封裝已經(jīng)趨于微利化，因此如何提高封裝效率、節(jié) 約成本已經(jīng)成為封裝企業(yè)必須重視的問(wèn)題。現(xiàn)有的8排S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)已經(jīng)不能滿 足需求，急需改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝結(jié)構(gòu)存在著效率低而浪費(fèi)材料的 技術(shù)問(wèn)題，提供一種在提高材料利用率的同時(shí)提升封裝效率并且節(jié)約生產(chǎn)成本的高密度 IDF型S0T23-6多排引線框架。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：
[0005] -種高密度IDF型S0T23-6引線框架結(jié)構(gòu)，包括基板、引線框單元，所述基板上設(shè)有 引線框單元，所述引線框單元之間設(shè)有注塑流道。
[0006] 更進(jìn)一步的，所述引線框單元按27排60列呈矩陣形式分布在所述基板上。
[0007] 更進(jìn)一步的，在所述基板的Y軸方向，上下相鄰的兩個(gè)引線框單元的管腳彼此交叉 錯(cuò)開(kāi)，形成IDF結(jié)構(gòu)。
[0008] 更進(jìn)一步的，在所述基板上的X軸方向，每隔4列引線框單元在其對(duì)稱中心處設(shè)置 一條注塑流道，共設(shè)置15條注塑流道，注塑流道兩側(cè)每次各注塑2顆產(chǎn)品。
[0009] 本實(shí)用新型的有益效果是:采用IDF結(jié)構(gòu)，引線框架利用率更高;注塑流道更少，塑 封料利用率更高;單位面積排布的引線框單元更多，生產(chǎn)效率大大提高，從而大大降低了生 產(chǎn)成本，因而技術(shù)效果明顯。下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型所述高密度IDF型S0T23-6引線框架的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是圖1所述高密度IDF型S0T23-6引線框架的局部放大圖。
[0012] 圖3是圖2所述局部放大圖A部分中引線框單元組的細(xì)節(jié)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0014] 高密度IDF型S0T23-6引線框結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，最主要就是要解決多排電路之間的排列 問(wèn)題，既要盡可能減少電路分散造成的有效面積浪費(fèi)，從而節(jié)省封裝材料，又要考慮到整條 電路封裝時(shí)的可靠性。本實(shí)用新型所述的高密度IDF型S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)如圖1和圖2 所示，包括一塊矩形的基板1，以及排布于基板1上的若干引線框單元2。且由圖1清楚可見(jiàn)， 引線框單元2每27個(gè)為一列，每4列為一組，共15組，每組在其對(duì)稱中心處設(shè)置一條注塑流道 3。為了使附圖的結(jié)構(gòu)清晰可見(jiàn)，圖2采用了省略法。圖3為圖2中每組引線框單元2的細(xì)節(jié)示 意圖。
[0015] 如圖1所示，本實(shí)用新型所述的高密度IDF型S0T23-6引線框架，包括一塊長(zhǎng)度為 300 · 00 ±0 · 102mm、寬度為100 · 00±0 · 051mm的矩形基板1;基板1上設(shè)有1620個(gè)引線框單元 2,所有的引線框單元2排成27行60列的IDF矩陣式結(jié)構(gòu);所有的引線框單元2沿基板1的寬度 方向排成27行、沿基板1的長(zhǎng)度方向排成60列;從第一列引線框單元2開(kāi)始，沿基板1的Y軸方 向，上下相鄰的兩個(gè)引線框單元的管腳彼此交叉錯(cuò)開(kāi)，形成所謂的IDF結(jié)構(gòu);沿基板1的X軸 方向，每隔4列引線框單元，就在其對(duì)稱中心處設(shè)置一條注塑流道，共設(shè)置15條流道，流道左 右兩邊一次各注塑2顆產(chǎn)品，直到流道兩側(cè)的所有單元都被塑封料填滿。
[0016] 本設(shè)計(jì)的IDF型引線框架與目前普通的8排的引線框架尺寸對(duì)比，如表1所示：
[0017] 表1本實(shí)用新型引線框架與目前普通的8排引線框架尺寸對(duì)比
[0019] 從表1可以看出，與現(xiàn)有的8排S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)相比，本設(shè)計(jì)所述的引線框 架，每條上的引線框單元2數(shù)量增加了462.5%，平均每只引線框單元面積減少54.02%，節(jié)省 了原材料。
[0020] 本設(shè)計(jì)的一條S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)的引線框單元2共計(jì)1620個(gè)，可裝1620只電 路。以每?？僧a(chǎn)出8條S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)來(lái)計(jì)算，可封裝電路數(shù)達(dá)到12960只。
[0021] 本實(shí)用新型引線框架與普通8排引線框架的生產(chǎn)效率對(duì)比如表2所示。從表2可以 看出，相比現(xiàn)有的8排結(jié)構(gòu)的S0T23-6封裝引線框結(jié)構(gòu)，采用本設(shè)計(jì)的引線框架時(shí)，生產(chǎn)效率 可以提高462.5%，從而大大降低了人工成本，同進(jìn)也能夠有效降低用電量以及樹(shù)脂的用量， 因而技術(shù)效果明顯。
[0022] 表2本實(shí)用新型引線框架與現(xiàn)有8排引線框架生產(chǎn)效率對(duì)比
[0024]本實(shí)用新型提供的引線框架結(jié)構(gòu)新穎獨(dú)特、簡(jiǎn)單合理，每模的產(chǎn)出數(shù)大幅增加，原 材料利用率也有顯著增加，對(duì)于降低產(chǎn)品的封裝成本，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力有非常大的幫助。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高密度IDF型S0T23-6引線框架結(jié)構(gòu)，包括基板、引線框單元，其特征是:所述基 板上設(shè)有引線框單元，所述引線框單元之間設(shè)有注塑流道。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度IDF型S0T23-6引線框架結(jié)構(gòu)，其特征是:所述引線 框單元按27排60列呈矩陣形式分布在所述基板上。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度IDF型SOT23-6引線框架結(jié)構(gòu)，其特征是:在所述基 板的Y軸方向，上下相鄰的兩個(gè)引線框單元的管腳彼此交叉錯(cuò)開(kāi)，形成IDF結(jié)構(gòu)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度IDF型SOT23-6引線框架結(jié)構(gòu)，其特征是:在所述基 板上的X軸方向，每隔4列引線框單元在其對(duì)稱中心處設(shè)置一條注塑流道，共設(shè)置15條注塑 流道，注塑流道兩側(cè)每次各注塑2顆產(chǎn)品。
【專利摘要】本實(shí)用新型的目的是提供一種在提高材料利用率的同時(shí)提升封裝效率并且節(jié)約生產(chǎn)成本的高密度IDF型SOT23-6引線框架結(jié)構(gòu)。包括塊基板、引線框單元和注塑流道，所述基板上設(shè)有引線框單元，所述引線框單元之間設(shè)有注塑流道。本實(shí)用新型塑封料利用率更高；單位面積排布的引線框單元更多，生產(chǎn)效率大大提高，從而大大降低了生產(chǎn)成本，適用于芯片封裝領(lǐng)域中應(yīng)用。
【IPC分類】H01L23/495
【公開(kāi)號(hào)】CN205264693
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521008909
【發(fā)明人】劉興波, 宋波, 石艷
【申請(qǐng)人】廣東氣派科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月8日