制朝向ESD保護(hù)電路1A的光的入射，也可以是非透過性的絕緣層。
[0042]在該開口 22A、22B以及該開口 22A、22B的周邊區(qū)域形成有Ti/Cu/Ti電極23、24。11/Cu/Ti電極23、24由與Si基板10的表面對置的平面部分的電極(以下稱為布線電極231、241。)和形成于樹脂層22的開口 22A、22B的電極(以下稱為層間連接導(dǎo)體232、242。)形成。層間連接導(dǎo)體232、242在制造工序時在中央部產(chǎn)生凹陷。布線電極231、241在該凹陷的周圍部分與層間連接導(dǎo)體232、242連接。而且，布線電極231、241經(jīng)由層間連接導(dǎo)體232、242與焊盤P1、P2導(dǎo)通。
[0043]在Ti/Cu/Ti電極23、24的布線電極231、241形成有由六11/祖構(gòu)成的外部電極25八、25B。對形成外部電極25A、25B的布線電極231、241的部分進(jìn)行蝕刻而使Cu露出，外部電極25A、25B是對露出的Cu部分進(jìn)行電鍍而形成的。該外部電極25A、25B是ESD保護(hù)器件I的輸入輸出端子用的端子電極。
[0044]再布線層20包括進(jìn)一步形成于樹脂層22的樹脂層26。樹脂層26是透光性樹脂，例如是能夠確保高絕緣性的感光性環(huán)氧樹脂(感光性樹脂)。在該樹脂層26形成有開口(通孔)26A、26B。開口 26A、26B使外部電極25A、25B的一部分露出。
[0045]由于樹脂層26是透光性樹脂，所以例如能夠從樹脂層26的上方照射紅外線來確認(rèn)Ti/Cu/Ti電極23、24的布線電極231、241或者層間連接導(dǎo)體232、242尤其是它們的接合部分的斷線的有無。通過確認(rèn)斷線的有無，能夠辨別ESD保護(hù)器件I的良或不良。
[0046]圖5A是表示有布線電極231與層間連接導(dǎo)體232的接合部分的斷線的情況的圖，圖5B是表示沒有布線電極231與層間連接導(dǎo)體232的接合部分的斷線的情況的圖。在圖5A以及圖5B中示出Ti /Cu/Ti電極23的主視圖以及俯視圖。應(yīng)予說明，以下，在圖5A以及圖5B表現(xiàn)布線電極231和層間連接導(dǎo)體232進(jìn)行說明，但也能夠同樣地說明布線電極241和層間連接導(dǎo)體242。
[0047]Ti/Cu/Ti電極23是在通過濺射而成膜后被濕式蝕刻而形成的。由于該制造工序，在層間連接導(dǎo)體232的中央部形成凹陷232A。而且，在欲使Ti/Cu/Ti電極23更薄的情況下，與焊盤Pl連接的層間連接導(dǎo)體232的下部(焊盤Pl側(cè))變厚，上部(布線電極231側(cè))變薄。因此，由于層間連接導(dǎo)體232的上部變薄，所以存在布線電極231與層間連接導(dǎo)體232的接合部分?jǐn)嗑€的情況。如圖5A所示，在接合部分產(chǎn)生斷線部232B。另一方面，在布線電極241與層間連接導(dǎo)體232的接合部分未斷線的情況下，如圖5B所示，在接合部分不產(chǎn)生斷線部232B。
[0048]像這樣，由于樹脂層26是透光性樹脂，所以容易從外觀確認(rèn)圖5A所示的斷線部232B的有無，能夠辨別ESD保護(hù)器件I的良或不良。
[0049]返回至圖1，在與形成有再布線層20的面相反的一側(cè)的Si基板10的背面進(jìn)一步形成有樹脂層27。樹脂層27通過環(huán)氧類(或者聚酰亞胺類)阻焊劑的旋涂而形成。通過在Si基板10的背面形成樹脂層27，能夠抑制由Si基板10和再布線層20的環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數(shù)的差異引起的Si基板10的彎曲。
[0050]應(yīng)予說明，在本實(shí)施方式中，示出了在Si基板10形成齊納二極管Dz等來構(gòu)成ESD保護(hù)電路1A的例子，但例如也可以將PNP型半導(dǎo)體、或者NPN型半導(dǎo)體形成于Si基板10，構(gòu)成對其進(jìn)行了使用的電路。
[0051 ]以下，對本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)器件的連接例以及動作原理進(jìn)行說明。
[0052]圖6A以及圖6B是表示本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)器件I的連接例的圖。ESD保護(hù)器件I被搭載于電子設(shè)備。作為電子設(shè)備的例子，能夠列舉筆記本PC、平板型終端裝置、移動電話機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器等。
[0053]在圖6A中示出將ESD保護(hù)器件I連接在信號線與GND之間的例子，其中，信號線對I/O端口 100和應(yīng)保護(hù)的IClOl進(jìn)行連接。I/O端口 100例如是連接天線的端口。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)器件I是雙向型的，第一輸入輸出端以及第二輸入輸出端的任意一端都可以是輸入側(cè)。例如在將第一輸入輸出端作為輸入側(cè)的情況下，在信號線連接第一輸入輸出端，第二輸入輸出端與GND連接。
[0054]若被從信號線施加超過ESD保護(hù)器件I的齊納二極管Dz的齊納電壓的浪涌電壓，則浪涌電流(ESD電流)被從ESD保護(hù)器件I放電至地線。能夠確認(rèn)ESD保護(hù)器件I的作為浪涌電流的電流路徑的Ti/Cu/Ti電極23、24的斷線的有無。因此，在假設(shè)Ti/Cu/Ti電極23、24斷線的情況下，浪涌電流不流向ESD保護(hù)器件1，ESD保護(hù)器件I不正常地發(fā)揮功能。在本實(shí)施方式中，由于容易確認(rèn)Ti/Cu/Ti電極23、24的斷線的有無，能夠識別ESD保護(hù)器件I的不良，所以ESD保護(hù)器件I能夠可靠地將浪涌電流放電至地線。
[0055]在圖6A中示出將ESD保護(hù)器件I連接在信號線與GND線之間的例子，其中，信號線對連接器102和IClOl進(jìn)行連接。該例的信號線例如是高速傳輸線路(差動傳輸線路)，在多個信號線的每一個信號線與GND線之間連接有ESD保護(hù)器件I。
[0056]圖7以及圖8是用于說明本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)器件I的動作原理的圖。ESD保護(hù)器件I將外部電極25A、25B作為第一輸入輸出端以及第二輸入輸出端，ESD保護(hù)器件I連接在信號線與GND線之間。該信號線是與從靜電放電的電壓來應(yīng)予保護(hù)的IC(未圖示)的輸入輸出端子相連的線。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)器件是雙向型的，第一輸入輸出端以及第二輸入輸出端的任意一端都可以是輸入側(cè)。例如在將第一輸入輸出端作為輸入側(cè)的情況下，在信號線連接第一輸入輸出端，第二輸入輸出端與GND線連接。
[0057]圖7是用于說明電流從與第一輸入輸出端(外部電極23A)相連的焊盤Pl流向與第二輸入輸出端(外部電極23B)相連的焊盤P2的情況的圖。若被施加超過齊納二極管Dz的齊納電壓的浪涌電壓，則如圖中虛線所示那樣，從第一輸入端進(jìn)入的浪涌電流從焊盤Pl流經(jīng)二極管Dl、齊納二極管Dz以及二極管D4的路徑，并從焊盤P2放電至地線。
[0058]圖8是用于說明電流從與第二輸入輸出端(外部電極23B)相連的焊盤P2流向與第一輸入輸出端(外部電極23A)相連的焊盤Pl的情況的圖。在該情況下，如圖中虛線所示那樣，從第二輸入端進(jìn)入的浪涌電流從焊盤P2流經(jīng)二極管D3、齊納二極管Dz以及二極管D2的路徑，并從焊盤Pl朝向放電至地線。
[0059]以下，對ESD保護(hù)器件I的制造工序進(jìn)行說明。圖9是表示ESD保護(hù)器件I的制造工序的圖。通過以下的工序來制造ESD保護(hù)器件I。
[0060](A)首先，在形成了ESD保護(hù)電路1A的Si基板10上通過光刻法形成與ESD保護(hù)電路1A導(dǎo)通的焊盤Pl、P2。另外，在基板表面濺射保護(hù)膜21，并通過蝕刻來形成開口 21A、21B。
[0061]應(yīng)予說明，通過使焊盤P1、P2的面積減小，能夠使形成在焊盤P1、P2與對置的基板(ESD保護(hù)電路10A)之間的寄生電容減小。通過使該寄生電容減小，能夠抑制阻抗的偏差，其結(jié)果，能夠減少信號線中的損失。
[0062](B)接下來，在Si基板10上通過環(huán)氧類阻焊劑的旋涂來形成樹脂層22，之后形成開口 22A、22B。應(yīng)予說明，與樹脂層26相同，該樹脂層22也可以為透光性樹脂。在該情況下，能夠在制造中途從樹脂層22的上方確認(rèn)形成有樹脂層22的Si基板10、或者焊盤P1、P2的破損。
[0063](0在樹脂層22的表面通過濺射以約0.仏111/1.(^111/0.仏111的厚度成膜1^/(:11/1^后進(jìn)行濕式蝕刻來形成Ti/Cu/Ti電極23、24。
[0064](D)對Ti/Cu/Ti電極23、24的表面的一部分進(jìn)行蝕刻，使Cu露出，并在該露出的Cu部分通過電解電鍍(電鍍)以約0.1μπι/3.0μπι的厚度成膜Au/Ni的外部電極25A、25B。對于該外部電極25A、2