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一種打火桿燒球的氮氣保護裝置的制造方法

文檔序號:10402096閱讀:324來源:國知局
一種打火桿燒球的氮氣保護裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種防氧化保護裝置,尤其涉及應(yīng)用于合金絲焊接技術(shù)中的一種打火桿燒球的氮氣保護裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的封裝工藝中,需要從集成電路芯片中引線到框架引腳,由于特性問題,其中引線、焊線一般為純金絲,大部分是通過金絲球焊機來完成金線與芯片、引腳的焊接工作,銀合金絲取代金絲的球焊技術(shù),是一項近一到兩年才開始研究的新興的技術(shù)。銀合金絲的成本約為金絲的1/3到1/4,銀合金絲以它的低成本,有望在不遠的幾年中取代占據(jù)50年統(tǒng)治地位的金絲的趨勢。
[0003]金絲在形成球的過程中,幾乎不與空氣形成氧化層。然后與集成電路芯片上的壓焊點,在超聲波和壓力以及適當?shù)臏囟认?,才能形成可靠的焊接。但是銀合金絲在球焊的過程中,由于銀的組分高達90%,在高壓放電時,在形成球的過程中會產(chǎn)生氧化層。這種氧化層會影響球焊的可焊性,從而影響產(chǎn)品的成品率和可靠性。為了解決這個問題,在ESEC金絲球焊機上需要加裝一個稱為EFO KI T(打火桿燒球的氮氣保護裝置)的裝置。
[0004]目前在ESEC3100,ESEC3200系列的金絲球焊機上有兩種EFO KI T.一種原配EFOKI T是陶瓷材料,另一種是由合金絲供應(yīng)商提供的是耐高溫的聚酯型的,請參閱圖1,這兩種EFO KI T,都包括一氮氣嘴固定架V和一氮氣嘴2、區(qū)別在于氮氣嘴固定架V的材質(zhì)不同,氮氣嘴固定架f為長方體結(jié)構(gòu),氮氣嘴固定架f的底部向上開設(shè)一前后貫通的凹槽Il7,凹槽IV的槽底為圓弧形,氮氣嘴固定架V的一側(cè)橫向開設(shè)一與凹槽If的一側(cè)的槽壁貫通的孔12',氮氣嘴2'安裝在孔12'內(nèi)且其一端延伸至嘴固定架V的外部方便與供氮裝置相連,在使用時,氮氣嘴2'通過導(dǎo)氣管3與供氮裝置4相連,氮氣嘴2'對金絲球焊機上銀合金絲焊線進行高溫?zé)驎r的焊線燒球區(qū)域5即打火點位置吹氮氣而使之與空氣中的氧氣隔離,從而實現(xiàn)防氧化保護。
[0005]這兩種EFOKI T,都要進入特殊的銅線工作模式.安裝和使用都很麻煩.原裝的還經(jīng)常由于壓板的誤動而損壞陶瓷材料的打火桿燒球的氮氣保護裝置,而且只從一側(cè)吹氮氣對焊線燒球區(qū)域進行防氧化保護,使得合金絲對集成電路芯片上的壓焊點經(jīng)常有一部分焊接質(zhì)量不達標,影響焊接產(chǎn)品的成品率和可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷而提供一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,通過二個相對的氮氣嘴對金絲球焊機上銀合金絲焊線進行高溫?zé)驎r的焊線燒球區(qū)域即打火點位置吹氮氣而使之與空氣隔離,可以進一步提高焊接產(chǎn)品的成品率和可靠性。它將比原有的一個氮氣嘴,以及二個垂直分布的氮氣嘴,對燒球時的保護作用更好。
[0007]實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,包括氮氣嘴固定架、第一氮氣嘴和第二氮氣嘴,其中:
[0008]所述氮氣嘴固定架為長方體結(jié)構(gòu),所述氮氣嘴固定架的底部向上開設(shè)一前后貫通的凹槽,所述凹槽的槽底為圓弧形,所述氮氣嘴固定架的左側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的左側(cè)的槽壁貫通的第一孔,所述氮氣嘴固定架的右側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的右側(cè)的槽壁貫通的第二孔,所述第一孔與第二孔位于同一條水平直線上;
[0009]所述第一氮氣嘴安裝在所述第一孔內(nèi)且其左端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部;
[0010]所述第二氮氣嘴安裝在所述第二孔內(nèi)且其右端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部;[0011 ]所述第一氮氣嘴和第二氮氣嘴相對設(shè)置。
[0012]上述的一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,其中,所述第一孔的孔徑和第二孔的孔徑相同。
[0013]上述的一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,其中,所述氮氣嘴固定架采用聚酯耐高溫材質(zhì)或陶瓷材質(zhì)。
[0014]本實用新型的打火桿燒球的氮氣保護裝置,在現(xiàn)有技術(shù)中的EFOKI T上加裝一個吹氣嘴,通過兩個氮氣嘴對金絲球焊機上銀合金絲焊線進行高溫?zé)驎r的焊線燒球區(qū)域即打火點位置吹氮氣而使之與空氣隔離,從而實現(xiàn)更好的更為有效的防氧化保護的目的,進一步提尚廣品的成品率和可靠性。
【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的打火桿燒球的氮氣保護裝置的剖面圖;
[0016]圖2是本實用新型的打火桿燒球的氮氣保護裝置的剖面圖。
【具體實施方式】
[0017]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能更好地理解本實用新型的技術(shù)方案,下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0018]請參閱圖2,本實用新型的實施例,一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,包括氮氣嘴固定架1、第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22。氮氣嘴固定架I為長方體結(jié)構(gòu),氮氣嘴固定架I的底部向上開設(shè)一前后貫通的凹槽11,凹槽11的槽底為圓弧形,氮氣嘴固定架I的左側(cè)橫向開設(shè)一與凹槽11的左側(cè)的槽壁貫通的第一孔12,氮氣嘴固定架I的右側(cè)橫向開設(shè)一與凹槽11的右側(cè)的槽壁貫通的第二孔13,第一孔12與第二孔13位于同一條水平直線上;第一氮氣嘴21安裝在第一孔12內(nèi)且其左端延伸至氮氣嘴固定架I的外部;第二氮氣嘴22安裝在第二孔13內(nèi)且其右端延伸至氮氣嘴固定架I的外部;第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22相對設(shè)置。第一孔12的孔徑和第二孔13的孔徑相同,第一孔12的軸線的延長線和第二孔13的軸線的的延長線相交于凹槽11內(nèi),在安裝時,該交點與焊線燒球區(qū)域5重合,從而可以保證第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22吹出的氮氣均對準焊線燒球區(qū)域5。氮氣嘴固定架I可采用聚酯耐高溫材質(zhì)或陶瓷材質(zhì)。第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22米用金屬材質(zhì)。
[0019]本實用新型的打火桿燒球的氮氣保護裝置,在使用時,第一氮氣嘴21的延伸至氮氣嘴固定架I的外部的左端和第二氮氣嘴22的延伸至氮氣嘴固定架I的外部的右端分別通過導(dǎo)氣管與供氮裝置相連,第一氮氣嘴的右端和第二氮氣嘴的左端吹出的氮氣分別對準焊線燒球區(qū)域5,供氮裝置為第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22提供高純氮氣,第一氮氣嘴21和第二氮氣嘴22分別對焊線燒球區(qū)域5吹氮氣而使銀合金絲形成的燒球與空氣更好地隔離,從而實現(xiàn)防氧化保護的目的,進一步提尚廣品的成品率和可靠性。
[0020]以上實施例僅供說明本實用新型之用,而非對本實用新型的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下,還可以作出各種變換或變型,因此所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本實用新型的范疇,應(yīng)由各權(quán)利要求所限定。
【主權(quán)項】
1.一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,其特征在于,包括氮氣嘴固定架、第一氮氣嘴和第二氮氣嘴,其中: 所述氮氣嘴固定架為長方體結(jié)構(gòu),所述氮氣嘴固定架的底部向上開設(shè)一前后貫通的凹槽,所述凹槽的槽底為圓弧形,所述氮氣嘴固定架的左側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的左側(cè)的槽壁貫通的第一孔,所述氮氣嘴固定架的右側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的右側(cè)的槽壁貫通的第二孔,所述第一孔與第二孔位于同一條水平直線上; 所述第一氮氣嘴安裝在所述第一孔內(nèi)且其左端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部; 所述第二氮氣嘴安裝在所述第二孔內(nèi)且其右端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部; 所述第一氮氣嘴和第二氮氣嘴相對設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,其特征在于,所述第一孔的孔徑和第二孔的孔徑相同。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,其特征在于,所述氮氣嘴固定架采用聚酯耐高溫材質(zhì)或陶瓷材質(zhì)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種打火桿燒球的氮氣保護裝置,包括氮氣嘴固定架、第一氮氣嘴和第二氮氣嘴,所述氮氣嘴固定架為長方體結(jié)構(gòu),所述氮氣嘴固定架的底部向上開設(shè)一前后貫通的凹槽,所述氮氣嘴固定架的左側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的左側(cè)的槽壁貫通的第一孔,所述氮氣嘴固定架的右側(cè)橫向開設(shè)一與所述凹槽的右側(cè)的槽壁貫通的第二孔;所述第一氮氣嘴安裝在所述第一孔內(nèi)且其左端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部;所述第二氮氣嘴安裝在所述第二孔內(nèi)且其右端延伸至所述氮氣嘴固定架的外部;所述第一氮氣嘴和第二氮氣嘴相對設(shè)置。本實用新型的打火桿燒球的氮氣保護裝置,具有防氧化功能,可以提高焊接產(chǎn)品的成品率和可靠性。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號】CN205319126
【申請?zhí)枴緾N201521078174
【發(fā)明人】周宗濤
【申請人】諾得卡(上海)微電子有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2015年12月22日
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