一種離子注入設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實用新型的實施例提供一種離子注入設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可在離子注入中斷后，僅對未注入部分進行補注入。該離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺，所述基板承載臺用于承載待注入基板；所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時阻擋對所述待注入基板的已注入部分進行注入。用于離子注入。
【專利說明】
一種禹子注入設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有LTPS TFT (Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)或半導(dǎo)體器件工藝制成中，一般都需要對基板進行多次注入，在注入過程中會發(fā)生由于離子注入設(shè)備自身故障，氣體供應(yīng)等問題導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)報警，導(dǎo)致注入過程中斷，使得正在進行工藝的基板被分成已注入部分和未注入部分。
[0003]在此情況下，由于目前離子注入設(shè)備無法實現(xiàn)只對未注入部分進行注入，而只能重新全部注入，在這樣的情況下，已注入部分就會被重新注入，導(dǎo)致注入劑量過多，大于工藝需求劑量，使TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性受到影響，甚至影響產(chǎn)品良率。
[0004]例如，如圖1(a)，對于P型絕緣柵型場效應(yīng)管，在Vth等于0.1V的情況下，從圖中可以明顯看出，過量注入時，其反饋電壓明顯大于正常工藝需求劑量時的反饋電壓，已超出其正常規(guī)格，無法滿足生產(chǎn)需求。如圖1(b)所示，對于N型絕緣柵型場效應(yīng)管，在Vth等于0.1V的情況下，從圖中可以明顯看出，過量注入時，其反饋電壓也大于正常工藝需求劑量時的反饋電壓。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的實施例提供一種離子注入設(shè)備，可在離子注入中斷后，僅對未注入部分進行補注入。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]提供一種離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺，所述基板承載臺用于承載待注入基板;所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時阻擋對所述待注入基板的已注入部分進行注入。
[0008]可選的，所述擋板設(shè)置在所述離子束入口的邊緣側(cè)，用于遮擋所述離子束入口；其中，所述擋板的尺寸大于等于所述離子束入口的尺寸。
[0009]進一步可選的，所述離子注入設(shè)備還包括與所述擋板連接的擋板轉(zhuǎn)軸，通過所述擋板轉(zhuǎn)軸，所述擋板相對所述離子束入口轉(zhuǎn)動。
[0010]可選的，所述擋板設(shè)置在所述待注入基板面向所述離子束入口的一側(cè)，用于遮擋所述待注入基板的所述已注入部分。
[0011]進一步可選的，所述離子注入設(shè)備還包括擋板傳輸裝置和基板傳輸裝置，所述擋板設(shè)置在所述擋板傳輸裝置上，所述基板承載臺設(shè)置在所述基板傳輸裝置上;其中，所述擋板傳輸裝置的傳輸方向與所述基板傳輸裝置的傳輸方向一致。
[0012]進一步優(yōu)選的，所述擋板傳輸裝置和所述基板傳輸裝置共用。
[0013]基于上述，優(yōu)選的，所述擋板為折疊式擋板。
[0014]優(yōu)選的，所述擋板為石墨碳板。
[0015]本實用新型實施例提供了一種離子注入設(shè)備，通過設(shè)置擋板，可在待注入基板還未移動至出現(xiàn)中斷的位置時，阻擋對已注入部分的再次注入，在待注入基板移動至出現(xiàn)中斷的位置時，擋板取消阻擋作用，從而可對未注入部分進行補注入。由于在注入中斷后，可僅對未注入部分進行補注入，因此可避免再對已注入部分進行離子注入而導(dǎo)致對TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性的影響，保證了注入劑量，因而保證了產(chǎn)品良率。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種P型絕緣柵型場效應(yīng)管在注入量不同時的電學(xué)性能變化曲線；
[0018]圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種N型絕緣柵型場效應(yīng)管在注入量不同時的電學(xué)性能變化曲線；
[0019]圖2(a)為本實用新型實施例提供的一種離子注入設(shè)備的俯視示意圖；
[0020]圖2(b)為一種針對圖2(a)的離子注入設(shè)備中離子注入腔室的俯視示意圖；
[0021]圖3(a)為本實用新型實施例提供的另一種離子注入設(shè)備的俯視示意圖；
[0022]圖3(b)為一種針對圖3(a)中的離子注入設(shè)備中離子注入腔室內(nèi)部分結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0023]圖3(c)為一種針對圖3(a)的離子注入設(shè)備中離子注入腔室的俯視示意圖；
[0024]圖4(a)為本實用新型實施例提供的一種折疊式擋板的示意圖；
[0025]圖4(b)為本實用新型實施例提供的一種折疊式擋板展開后的示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]10-離子注入腔室；20-離子束入口 ； 30-基板承載臺；40-待注入基板;401-已注入部分;402-未注入部分；50-擋板;60-離子源；70-分析磁場;80-傳遞腔室；90-基板傳輸裝置;100-擋板轉(zhuǎn)軸;110-擋板傳輸裝置。
【具體實施方式】
[0028]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0029]本實用新型實施例提供一種離子注入設(shè)備，如圖2(a)、2(b)和圖3(a)、3(b)、3(c)所示，包括離子注入腔室10，該離子注入腔室10包括離子束入口 20以及基板承載臺30，基板承載臺30用于承載待注入基板40，所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在離子注入腔室內(nèi)10的擋板50，該擋板50用于在離子注入時阻擋對待注入基板40的已注入部分401進行注入。
[0030]此外，參考圖2(a)和3(a)所示，離子注入設(shè)備還包括離子源60、分析磁場70、傳遞腔室80等。離子源60用于發(fā)出離子束;分析磁場70用于使離子源60發(fā)出的離子束射向離子注入腔室10的離子束入口 20;傳遞腔室80用于傳送待注入基板40。
[0031]當(dāng)然，參考圖2(a)、2(b)和圖3(a)、3(b)、3(c)所示，離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在離子注入腔室10內(nèi)的基板傳輸裝置90以及用于驅(qū)動基板傳輸裝置90的驅(qū)動裝置(圖中均未示出)，基板承載臺30設(shè)置在基板傳輸裝置90上，通過驅(qū)動裝置驅(qū)動基板傳輸裝置90運動，可帶動基板承載臺30移動，從而可完成對整個待注入基板40離子注入。
[0032]對于驅(qū)動裝置，其具有記憶功能，當(dāng)離子注入設(shè)備出現(xiàn)離子注入中斷后，通過驅(qū)動裝置記憶的信息以及離子束入口 20的尺寸，可計算出已注入部分401的尺寸，因而，也就可區(qū)分出已注入部分401和未注入部分402。在此基礎(chǔ)上，當(dāng)對出現(xiàn)注入中斷的基板進行補注入時，即對待注入基板40中除已注入部分401外的未注入部分402進行補注入時，通過驅(qū)動裝置的記憶功能，當(dāng)其驅(qū)動基板傳輸裝置90，并帶動待注入基板40未移動至出現(xiàn)中斷的位置時，通過擋板50可阻擋對已注入部分401的再次注入，當(dāng)待注入基板40移動至出現(xiàn)中斷的位置時，擋板50取消阻擋作用，從而可對未注入部分402進行補注入。
[0033]本實用新型實施例中，在離子注入腔室10中，待注入基板40的離子注入側(cè)，面相離子束入口 20設(shè)置，這樣在離子束通過離子注入腔室10的離子束入口 20后，便可直接對待注入基板40進行離子注入操作。
[0034]需要說明的是，第一，上述離子注入設(shè)備并不限于只對包括已注入部分401的待注入基板40進行離子注入，也可以對未發(fā)生離子注入異常(即未發(fā)生注入過程中斷異常)的待注入基板40進行離子注入。本實用新型實施例的附圖中以待注入基板40包括已注入部分401和未注入部分402進行示意。
[0035]當(dāng)待注入基板40包括已注入部分401時，通過擋板50，可避免對待注入基板40的已注入部分401進行注入；當(dāng)待注入基板40未發(fā)生離子注入異常時，擋板50不參與該離子注入設(shè)備的離子注入過程。
[0036]第二，在離子注入腔室10中，可設(shè)置一個、兩個及以上的基板承載臺30。當(dāng)設(shè)置兩個及以上的基板承載臺30時，需設(shè)置一一對應(yīng)的基板傳輸裝置90以及驅(qū)動裝置;其中，多個基板承載臺30可沿離子束在離子注入腔室10中的運動方向設(shè)置。基板傳輸裝置90例如可以是傳輸導(dǎo)軌、傳輸皮帶等;驅(qū)動裝置例如可以是馬達(dá)。
[0037]基于此，通過驅(qū)動裝置控制與多個基板承載臺30—一對應(yīng)的基板傳輸裝置90，當(dāng)位于其中一個基板承載臺30上的待注入基板40完成補注入后，便可將其移動至其他位置，之后接著對下一個基板承載臺30上的待注入基板40進行離子注入。
[0038]其中，待注入基板40例如可通過夾子與基板承載臺30固定，具體固定方式在此不做限定。
[0039]第三，擋板50需能完全遮擋離子而不使其透過。
[0040]本實用新型實施例提供了一種離子注入設(shè)備，通過設(shè)置擋板50，可在基板傳輸裝置90還未將待注入基板40移動至出現(xiàn)中斷的位置時，阻擋對已注入部分401的再次注入，在基板傳輸裝置90將待注入基板40移動至出現(xiàn)中斷的位置時，擋板50取消阻擋作用，從而可對未注入部分402進行補注入。由于在注入中斷后，可僅對未注入部分402進行補注入，因此可避免再對已注入部分401進行離子注入而導(dǎo)致對TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性的影響，保證了注入劑量，因而保證了產(chǎn)品良率。
[0041]可選的，參考圖2(b)所示，擋板50設(shè)置在離子束入口20的邊緣側(cè)，用于遮擋離子束入口 20;其中，所述擋板50的尺寸大于等于離子束入口 20的尺寸。
[0042]S卩，在需要對待注入基板40的未注入部分402進行補注入時，可先將擋板50遮擋在離子束入口 20處，以使離子束無法通過離子束入口 20，而避免對待注入基板40的已注入部分401進行再次注入。與此同時，基板傳輸裝置90—直運送待注入基板40向出現(xiàn)中斷的位置移動，直到基板傳輸裝置90將待注入基板40移動至出現(xiàn)中斷的位置時，可使擋板50不遮擋離子束入口 20，以使離子束通過離子束入口 20，而對待注入基板40的未注入部分402進行補注入。
[0043]需要說明的是，在將擋板50遮擋在離子束入口20處之前，可先對離子束的參數(shù)進行確定，其參數(shù)例如包括離子束能量、密度等。當(dāng)參數(shù)確認(rèn)正常后，可將擋板50遮擋在離子束入口 20處。
[0044]進一步可選的，參考圖2(b)所示，所述離子注入設(shè)備還包括與擋板50連接的擋板轉(zhuǎn)軸100，通過擋板轉(zhuǎn)軸100，擋板50可相對離子束入口 20轉(zhuǎn)動。
[0045]進一步的還可以包括與擋板轉(zhuǎn)軸100連接的馬達(dá)，可在需要遮擋住離子束入口20時，通過馬達(dá)的控制將擋板50轉(zhuǎn)動到離子束入口 20。在不需要遮擋住離子束入口 20時，通過馬達(dá)的控制將擋板50轉(zhuǎn)動到離子束入口 20的邊緣側(cè)，以撤銷對離子束入口 20的遮擋。
[0046]需要說明的是，對于擋板50，并不限于通過擋板轉(zhuǎn)軸100來使其轉(zhuǎn)動。例如還可以通過在離子束入口 20兩側(cè)設(shè)置導(dǎo)軌，擋板50固定在導(dǎo)軌上，來實現(xiàn)擋板50對離子束入口 20的遮擋。對于該方式，也可設(shè)置馬達(dá)，通過馬達(dá)的驅(qū)動，可使擋板50在軌道上滑動，從而在需要對離子束入口 20進行遮擋時，將擋板50滑動到離子束入口 20處。
[0047]可選的，參考圖3(b)和3(c)所示，擋板50可以設(shè)置在待注入基板40面向離子束入口 20的一側(cè)，用于遮擋待注入基板40的已注入部分401。
[0048]S卩，在需要對待注入基板40的未注入部分402進行補注入時，可將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401，而避免對已注入部分401進行再次注入。
[0049]需要說明的是，在將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401之前，可先對離子束的參數(shù)進行確定，其參數(shù)例如包括離子束能量、密度等。當(dāng)參數(shù)確認(rèn)正常后，進行此次補注入過程。
[0050]進一步可選的，參考圖3(b)所示，所述離子注入設(shè)備還包括擋板傳輸裝置110，擋板50設(shè)置在擋板傳輸裝置110上;其中，擋板傳輸裝置110的傳輸方向與基板傳輸裝置90的傳輸方向一致。
[0051]其中，擋板傳輸裝置110也由相應(yīng)的驅(qū)動裝置例如馬達(dá)進行驅(qū)動。
[0052]具體的，由于當(dāng)離子注入設(shè)備出現(xiàn)離子注入中斷后，通過驅(qū)動基板傳輸裝置90的驅(qū)動裝置記憶的信息以及離子束入口 20的尺寸，可計算出已注入部分401的尺寸，因此在進行補注入時，可先將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401，然后通過相應(yīng)的驅(qū)動裝置控制擋板傳輸裝置110和基板傳輸裝置90同步移動，直到使待注入基板40移動至出現(xiàn)中斷的位置時，開始對未注入部分402進行補注入。
[0053]進一步優(yōu)選的，如圖3(c)所示，擋板傳輸裝置110和基板傳輸裝置90共用。
[0054]S卩，將擋板50和基板承載臺30設(shè)置在同一個傳輸裝置上，由一個驅(qū)動裝置進行驅(qū)動。
[0055]這樣可降低對離子注入腔室10的空間要求，也可節(jié)省成本。
[0056]基于上述，如圖4(a)所示，優(yōu)選的，擋板50為折疊式擋板。
[0057]需要說明的是，當(dāng)展開所述折疊式擋板的任一部分后，需使其形狀保持同一形狀，只是尺寸發(fā)生變化。例如，折疊式擋板展開后，形狀可以為如圖4(b)所示的矩形。
[0058]本實用新型實施例中，通過將擋板50設(shè)置為折疊式擋板，可以隨意打開任何尺寸，以適用對不同待注入基板40的已注入部分401的遮擋，而且占用空間少。
[0059]考慮到在離子注入設(shè)備中，各腔室基本都采用石墨碳板作為防護板，且石墨碳板即廉價又不會污染腔體，而且拆卸方便，易于保養(yǎng)，因此，優(yōu)選的，擋板50為石墨碳板。
[0060]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺，所述基板承載臺用于承載待注入基板;其特征在于， 所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時阻擋對所述待注入基板的已注入部分進行注入。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板設(shè)置在所述離子束入口的邊緣側(cè)，用于遮擋所述離子束入口 ； 其中，所述擋板的尺寸大于等于所述離子束入口的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，還包括與所述擋板連接的擋板轉(zhuǎn)軸，通過所述擋板轉(zhuǎn)軸，所述擋板相對所述離子束入口轉(zhuǎn)動。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板設(shè)置在所述待注入基板面向所述離子束入口的一側(cè)，用于遮擋所述待注入基板的所述已注入部分。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，還包括擋板傳輸裝置和基板傳輸裝置，所述擋板設(shè)置在所述擋板傳輸裝置上，所述基板承載臺設(shè)置在所述基板傳輸裝置上； 其中，所述擋板傳輸裝置的傳輸方向與所述基板傳輸裝置的傳輸方向一致。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板傳輸裝置和所述基板傳輸裝置共用。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板為折疊式擋板。8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板為石墨碳板。
【文檔編號】H01L21/67GK205428882SQ201620241814
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月25日
【發(fā)明人】王學(xué)偉, 董英賓, 胡雙, 朱可杰, 肖廣純
【申請人】鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司, 京東方科技集團股份有限公司