一種晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。本實(shí)用新型的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，包括晶體硅太陽(yáng)能電池基體，晶體硅太陽(yáng)能電池基體的正表面的電極包括主柵、分段副柵和導(dǎo)電線，導(dǎo)電線與主柵和分段副柵相連；主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600∶1。其有益效果是：采用導(dǎo)電線取代部分含銀漿料來(lái)形成副柵，既降低了含銀副柵帶來(lái)的表面復(fù)合又減少了金屬化工序的生產(chǎn)成本。相比現(xiàn)有的正面金屬化工藝，本實(shí)用新型可以節(jié)約大概40?60％的含銀漿料消耗量。另外，按照本實(shí)用新型所制成的太陽(yáng)能電池通用性好。
【專利說(shuō)明】
一種晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是一種能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。其中金屬化是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工序中一個(gè)關(guān)鍵步驟，光生載流子必須通過(guò)金屬化形成的導(dǎo)電電極才能獲得有效收集。目前，量產(chǎn)太陽(yáng)能電池中最常用的金屬化方法是絲網(wǎng)印刷金屬漿料法，通過(guò)印刷銀漿或摻鋁銀漿，經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)過(guò)程，形成具備電學(xué)接觸、電學(xué)傳導(dǎo)、焊接互聯(lián)等功能的金屬化。為了形成良好的歐姆接觸以及兼顧可焊性，晶體硅太陽(yáng)能電池的正表面一般印刷銀漿或摻鋁銀漿，但銀漿或摻鋁銀漿的價(jià)格一般都較為昂貴，導(dǎo)致含銀漿料在太陽(yáng)能電池制造成本中的占比居高不下。因而尋找一種可以降低含銀漿料使用量、同時(shí)又能滿足歐姆接觸和可焊性要求的正面金屬化方法成為減少太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本的一個(gè)關(guān)鍵工作。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。所述的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)可以顯著地降低含銀漿料的使用量，從而降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本。
[0004]本實(shí)用新型提供的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其技術(shù)方案是:
[0005]一種晶體娃太陽(yáng)能電池，包括晶體娃太陽(yáng)能電池基體，晶體娃太陽(yáng)能電池基體的正表面的電極包括主柵、分段副柵和導(dǎo)電線，導(dǎo)電線與主柵和分段副柵連接;主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600:1。
[0006]其中，分段副柵與導(dǎo)電線之間設(shè)置有熱敏導(dǎo)電層，分段副柵與導(dǎo)電線通過(guò)熱敏導(dǎo)電層連接。
[0007]其中，熱敏導(dǎo)電層是錫膏，導(dǎo)電線為錫包銅線、錫包鋁線或錫包鋼線中的任一種。
[0008]其中，導(dǎo)電線為銅或者銀包銅。
[0009]其中，分段副柵的形狀是非連續(xù)的圓點(diǎn)，非連續(xù)圓點(diǎn)的直徑為30-300微米，或者是非連續(xù)的線條，導(dǎo)電線的直徑為40-80微米。
[0010]其中，分段副柵的形狀是非連續(xù)的線條，非連續(xù)線條的長(zhǎng)度為40-300微米，非連續(xù)線條的寬度為40-300微米，導(dǎo)電線的直徑為40-80微米;非連續(xù)的線條垂直于主柵、平行主柵或者與主柵成角度設(shè)置。
[0011 ]其中，晶體娃太陽(yáng)能電池基體是P型晶體娃太陽(yáng)能電池基體，P型晶體娃太陽(yáng)能電池基體的背表面包括背面鋁電極和背面主柵。
[0012]其中，晶體娃太陽(yáng)能電池基體是N型晶體娃太陽(yáng)能電池基體，N型晶體娃太陽(yáng)能電池基體背表面包括H型柵線。
[0013]本實(shí)用新型還提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池。
[0014]—種晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的晶體硅太陽(yáng)能電池組件，晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0015]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0016]本實(shí)用新型的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在:采用銅線取代部分含銀漿料來(lái)形成副柵，既降低了含銀副柵帶來(lái)的表面復(fù)合又減少了金屬化工序的生產(chǎn)成本。相比現(xiàn)有的正面金屬化工藝，本實(shí)用新型可以節(jié)約大概40-60%的含銀漿料消耗量。另外，按照本實(shí)用新型所制成的太陽(yáng)能電池和現(xiàn)有技術(shù)所制電池在外觀上沒(méi)有明顯差異，在將電池封裝成組件時(shí)也無(wú)需對(duì)焊接工藝和設(shè)備做任何改動(dòng)，通用性好。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種正表面為圓點(diǎn)狀分段副柵的晶體硅太陽(yáng)能電池示意圖(印刷熱敏導(dǎo)電層之前)。
[0018]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種正表面為圓點(diǎn)狀分段副柵的晶體硅太陽(yáng)能電池示意圖(導(dǎo)電線與分段副柵和主柵形成歐姆接觸之后)。
[0019]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種正表面為橫向排列的線條狀分段副柵的晶體硅太陽(yáng)能電池示意圖(印刷熱敏導(dǎo)電層之前)。
[0020]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一種正表面為圓點(diǎn)狀分段副柵的晶體硅太陽(yáng)能電池示意圖(印刷熱敏導(dǎo)電層之后)。
[0021]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例的導(dǎo)電線截面示意圖。
[0022]圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例一種正表面為錯(cuò)位排列的圓點(diǎn)狀分段副柵的太陽(yáng)能電池示意圖(印刷熱敏導(dǎo)電層之前)。
[0023]圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例一種正表面為縱向排列的線條狀分段副柵的太陽(yáng)能電池示意圖(印刷熱敏導(dǎo)電層之前)。
[0024]1、晶體硅太陽(yáng)能電池基體;2、圓點(diǎn)狀分段副柵;3、主柵;4、線條狀分段副柵;5、導(dǎo)電線;50、熱敏導(dǎo)電材料;51、金屬導(dǎo)線;6、熱敏導(dǎo)電層。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說(shuō)明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本實(shí)用新型的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0026]實(shí)施例1
[0027]參見(jiàn)圖1至圖3所示，本實(shí)用新型還提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池，包括晶體硅太陽(yáng)能電池基體I，所述晶體硅太陽(yáng)能電池基體I的正表面的電極包括主柵3、分段副柵和導(dǎo)電線5，本實(shí)施例中導(dǎo)電線5為銅或者銀包銅，分段副柵的形狀可以是非連續(xù)的圓點(diǎn)(圖1所示)或者是非連續(xù)的線條(圖3所示)；所述分段副柵與所述導(dǎo)電線5連接;主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600: I，優(yōu)選154:1，還可以選擇100: 1,200: 1,300: 1,400: I和600: I。采用銅線取代部分含銀漿料來(lái)形成副柵，既降低了含銀副柵帶來(lái)的表面復(fù)合又減少了金屬化工序的生產(chǎn)成本。相比現(xiàn)有的正面金屬化工藝，本實(shí)用新型可以節(jié)約大概40-60%的含銀漿料消耗量。另外，按照本實(shí)用新型所制成的太陽(yáng)能電池和現(xiàn)有技術(shù)所制電池在外觀上沒(méi)有明顯差異，在將電池封裝成組件時(shí)也無(wú)需對(duì)焊接工藝和設(shè)備做任何改動(dòng)，通用性好。
[0028]上述太陽(yáng)能電池的金屬化方法包括以下步驟:印刷制備晶體硅太陽(yáng)能電池基體I背表面的電極，在晶體硅太陽(yáng)能電池基體I的正表面使用銀漿或摻鋁銀漿印刷主柵3和分段副柵，分段副柵的形狀可以是非連續(xù)的圓點(diǎn)(圖1所示)或者是非連續(xù)的線條(圖3所示)；使用張拉裝置在分段副柵上鋪設(shè)導(dǎo)電線5，本實(shí)施例中導(dǎo)電線5為銅或者銀包銅，之后將鋪設(shè)好導(dǎo)電線5的晶體硅太陽(yáng)能電池基體I送入燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)的峰值溫度為850?950°C，燒結(jié)后的導(dǎo)電線5與分段副柵形成歐姆接觸，完成晶體硅太陽(yáng)能電池的制作。為了更清楚的顯示晶體硅太陽(yáng)能電池的制備工藝，下述對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行金屬化方法之前的步驟也作了詳細(xì)描述。
[0029](I)、選擇太陽(yáng)能電池基體，本實(shí)施例選擇156mm*156mm的P型晶體硅基體，并對(duì)P型晶體硅基體的表面作制絨處理;P型晶體硅基體的電阻率為0.5?15Ω ?(^，優(yōu)選1?50.cm，其厚度為50?300μπι，優(yōu)選80?200μπι;
[0030](2)、將步驟(I)處理后的P型晶體硅基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷擴(kuò)散，磷源采用三氯氧磷，擴(kuò)散溫度為800-900°C，時(shí)間為60-120分鐘。磷擴(kuò)散后的方阻值為50-150 Ω /sqr，優(yōu)選70-90 Ω /sqr。
[0031](3)、將磷擴(kuò)散后的P型晶體硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背面的磷擴(kuò)散層和正面的磷娃玻璃層。
[0032](4)、將步驟(3)處理后的P型晶體硅基體放入PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備中，在正表面鍍上氮化硅層，氮化硅層的厚度為65-80nm，折射率為2.05-2.15。
[0033](5)、在背表面使用銀漿印刷背面主柵并進(jìn)行烘干。
[0034](6)、在背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極并進(jìn)行烘干。
[0035](7)、在正表面使用銀漿印刷主柵和分段副柵。主柵和分段副柵在一次印刷中完成。其中主柵寬0.5-2mm，本實(shí)施例為1mm。主柵的長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，可以等間距設(shè)置3根或4根。分段副柵設(shè)置100條，長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行，間距為1.55mm。本實(shí)施例中每條分段副柵由非連續(xù)的線條組成，每段線條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。
[0036](8)、在分段副柵上鋪設(shè)銅線形成連續(xù)的副柵線。銅線共設(shè)置100條，互相平行，間距為1.55mm。銅線為鍍銀銅線，長(zhǎng)度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設(shè)時(shí)務(wù)必使銅線接觸每根分段副柵上的銀漿層。
[0037](9)、將步驟(8)處理后的P型晶體硅基體傳送入帶式燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)峰值溫度為850-950°C，即完成P型晶體硅電池的制作。
[0038]本實(shí)施例所制電池和現(xiàn)有技術(shù)所制電池在外觀上沒(méi)有明顯差異，在將電池封裝成組件時(shí)也無(wú)需對(duì)焊接工藝和設(shè)備做任何改動(dòng)。
[0039]實(shí)施例2
[0040]本實(shí)施例了一種晶體硅太陽(yáng)能電池，包括晶體硅太陽(yáng)能電池基體I，晶體硅太陽(yáng)能電池基體I的正表面的電極包括主柵3、分段副柵和鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5，分段副柵和主柵與鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5通過(guò)熱敏導(dǎo)電層6連接。作為優(yōu)選，熱敏導(dǎo)電層6是錫膏，鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5為錫包銅線、錫包鋁線或錫包鋼線中的任一種。分段副柵的形狀是非連續(xù)的圓點(diǎn)或者是非連續(xù)的線條。如圖1所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的圓點(diǎn)可以是有規(guī)則的陣列，也可以如圖6所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的圓點(diǎn)錯(cuò)位排列。如圖5所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的線條可以是橫向的有規(guī)則的陣列。如圖7所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的線條是縱向的有規(guī)則的陣列;相鄰分段副柵中的非連續(xù)的線條還可以錯(cuò)位排列。非連續(xù)的線條有利于導(dǎo)電線對(duì)準(zhǔn)。其中，主柵寬0.5?1.5mm，分段副柵可以設(shè)置70?120條。采用銅線取代部分含銀漿料來(lái)形成副柵，既降低了含銀副柵帶來(lái)的表面復(fù)合又減少了金屬化工序的生產(chǎn)成本。相比現(xiàn)有的正面金屬化工藝，本實(shí)用新型可以節(jié)約大概40-60%的含銀漿料消耗量。另外，按照本實(shí)用新型所制成的晶體硅太陽(yáng)能電池和現(xiàn)有技術(shù)所制電池在外觀上沒(méi)有明顯差異，在將電池封裝成組件時(shí)也無(wú)需對(duì)焊接工藝和設(shè)備做任何改動(dòng)，通用性好。
[0041 ]上述晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法如下，主要包括以下步驟:
[0042](I)、印刷制備晶體娃太陽(yáng)能電池基體I背表面的電極，在晶體娃太陽(yáng)能電池基體I的正表面使用銀漿或摻鋁銀漿印刷主柵3和分段副柵，然后進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)的峰值溫度為850-950 °C。
[0043](2)、將燒結(jié)后的晶體硅太陽(yáng)能電池基體I置于印刷機(jī)中，在分段副柵和主柵3上印刷熱敏導(dǎo)電層6;優(yōu)選的熱敏導(dǎo)電層6是錫膏；錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種;印刷熱敏導(dǎo)電層6后的結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0044](3)、使用張拉裝置在熱敏導(dǎo)電層6上鋪設(shè)鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5，將張拉好導(dǎo)電線的晶體硅太陽(yáng)能電池基體I進(jìn)行加熱，使得鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5、熱敏導(dǎo)電層6、分段副柵和主柵3四者形成歐姆接觸;鍍有熱敏導(dǎo)電材料的導(dǎo)電線5外層為熱敏導(dǎo)電材料50，內(nèi)層為金屬導(dǎo)線51，具體可選擇錫包銅線、錫包鋁線或錫包鋼線中的任一種，本實(shí)施例中加熱方式采用紅外加熱的方式，回流峰值溫度為183-250攝氏度。本實(shí)施例所指的熱敏導(dǎo)電層6和熱敏導(dǎo)電材料均是指加熱到一定溫度后會(huì)熔融粘接的材料。
[0045](4)、采用激光法或電弧法切除邊緣多余的導(dǎo)電線，得到晶體硅太陽(yáng)能電池。
[0046]為了更清楚的顯示晶體硅太陽(yáng)能電池的制備工藝，下述對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行金屬化方法之前的步驟也作了詳細(xì)描述。
[0047](I)、選擇太陽(yáng)能電池基體，本實(shí)施例選擇156mm*156mm的N型晶體娃基體，并對(duì)N型晶體硅基體的正表面作制絨處理；N型晶體硅基體的電阻率為0.5?15 Ω.cm，優(yōu)選I?5Ω.011;1'1型晶體娃基體的厚度為50?30(^1]1，優(yōu)選80?20(^1]1;
[0048](2)、將步驟(I)處理后的N型晶體硅基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為920-1000°C，時(shí)間為60-180分鐘。硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω /sqr，優(yōu)選50-70 Ω /sqr。
[0049](3)、將硼擴(kuò)散后的硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背面的硼擴(kuò)散層和正面的硼硅玻璃層。
[0050](4)、使用離子注入機(jī)在步驟(3)處理后的N型晶體硅基體背面注入磷原子并進(jìn)行退火處理。退火的峰值溫度為700?950°C，優(yōu)選為850?900°C，退火時(shí)間為30?200min，優(yōu)選為60?200min，環(huán)境氣源優(yōu)選為N2和02。
[0051](5)、將步驟(4)處理后的N型晶體硅基體放入清洗機(jī)中，去除正面和背面的氧化層。
[0052](6)、將步驟(5)處理后的N型晶體硅基體放入PECVD設(shè)備中，在正面和背面均鍍上氮化娃層，正面氮化娃層的厚度為80nm，折射率為2.12，背面氮化娃層的厚度為60nm，折射率為2.2。
[0053](7)、在背表面使用銀漿印刷電極并進(jìn)行烘干，其電極圖案為H型柵線，其中主柵寬1mm，長(zhǎng)154mm，等間距設(shè)置4根，副柵線線寬40um，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為1.55mm，共設(shè)置100 根。
[0054](8)、在正表面使用摻鋁銀漿印刷主柵和分段副柵并進(jìn)行烘干。主柵和分段副柵在一次印刷中完成。其中主柵寬1mm，長(zhǎng)154mm，等間距設(shè)置4根。分段副柵設(shè)置80條，長(zhǎng)154mm，互相平行，相互平行的分段副柵的間距為1.95mm。每條分段副柵由非連續(xù)的線條組成(如圖3所示)，每段線條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。
[0055](9)、將步驟(8)處理后的N型晶體硅基體傳送入帶式燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)峰值溫度為850-950°C。
[0056](10)、將步驟(9)處理后的N型晶體硅基體置于印刷機(jī)，使用錫膏印刷導(dǎo)電層。錫膏導(dǎo)電層的過(guò)墨圖案為線條，每段線條長(zhǎng)40-300微米，寬40-300微米。印刷時(shí)務(wù)必使過(guò)墨后的錫膏導(dǎo)電層位于分段副柵中的非連續(xù)線條上和主柵上。
[0057](11)、使用張拉裝置在錫膏導(dǎo)電層上鋪設(shè)銅線形成連續(xù)的副柵線。銅線共設(shè)置80條，互相平行，間距為1.95mm。銅線由銅內(nèi)芯和錫包層組成，直徑為40-80微米。張拉時(shí)務(wù)必使銅線接觸每根分段副柵上和主柵上的錫膏導(dǎo)電層。
[0058](12)、對(duì)步驟(11)中已經(jīng)張拉好銅線的P型晶體硅基體進(jìn)行加熱，使得錫包銅線、錫膏導(dǎo)電層、分段副柵和主柵四者形成歐姆接觸。加熱方式采用紅外加熱，回流峰值溫度為183-250度。
[0059](13)、使用激光法或電弧法切除邊緣多余的銅線，即完成N型晶體硅雙面電池的制作。
[0060]本實(shí)施例還提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池。本實(shí)施例的晶體硅太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0061]本實(shí)施例還提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的晶體硅太陽(yáng)能電池組件，晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)施例的晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。
[0062]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:包括晶體硅太陽(yáng)能電池基體，所述晶體硅太陽(yáng)能電池基體的正表面的電極包括主柵、分段副柵和導(dǎo)電線，所述導(dǎo)電線分別與主柵和分段副柵連接;所述主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600:1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述分段副柵與所述導(dǎo)電線之間設(shè)置有熱敏導(dǎo)電層，所述分段副柵與所述導(dǎo)電線通過(guò)熱敏導(dǎo)電層連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏，所述導(dǎo)電線為錫包銅線、錫包鋁線或錫包鋼線中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述導(dǎo)電線為銅或者銀包銅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述分段副柵的形狀是非連續(xù)的圓點(diǎn)，所述非連續(xù)圓點(diǎn)的直徑為30-300微米，所述導(dǎo)電線的直徑為40-80微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述分段副柵的形狀是非連續(xù)的線條，所述非連續(xù)線條的長(zhǎng)度為40-300微米，所述非連續(xù)線條的寬度為40-300微米，所述導(dǎo)電線的直徑為40-80微米;非連續(xù)的線條垂直于主柵、平行主柵或者與主柵成角度設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述晶體硅太陽(yáng)能電池基體是P型晶體娃太陽(yáng)能電池基體，所述P型晶體娃太陽(yáng)能電池基體的背表面包括背面鋁電極和背面主柵。8.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述晶體硅太陽(yáng)能電池基體是N型晶體硅太陽(yáng)能電池基體，所述N型晶體硅太陽(yáng)能電池基體背表面包括H型柵線。9.一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述晶體硅太陽(yáng)能電池是權(quán)利要求1-8任一所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池。10.—種晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的晶體硅太陽(yáng)能電池組件，其特征在于:所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件是權(quán)利要求9所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/05GK205428967SQ201620245211
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月28日
【發(fā)明人】林建偉, 季根華, 劉志鋒, 孫玉海, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來(lái)光電科技有限公司