發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種發(fā)光器件，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，和設(shè)置在第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；第一接觸電極，其電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第二接觸電極，設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上且電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；支撐結(jié)構(gòu)，包括第一和第二體電極，第一和第二體電極分別設(shè)置在第一和第二接觸電極上以彼此分離并電連接到第一和第二接觸電極；和基底，鄰近支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置，其中基底包括分別電連接到第一和第二體電極的第一和第二互連部分，且第一和第二互連部分之間的距離不同于第一和第二體電極之間距離的距離。本實(shí)用新型的發(fā)光器件可確保電學(xué)穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】
發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)光器件，更具體地說(shuō)，涉及配置用于改善散熱效率、電學(xué)特性和機(jī)械穩(wěn)定性的發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]近來(lái)，隨著對(duì)小型高輸出發(fā)光器件需求的日益增加，對(duì)于具有良好散熱效率的大型倒裝芯片式發(fā)光器件的需求也在增加。倒裝芯片式發(fā)光器件包括直接與第二基底結(jié)合的電極，而且不需要用于從外部電源向倒裝芯片式發(fā)光器件提供電力的導(dǎo)線，因此，其具有高于橫向型發(fā)光器件的散熱效率。因此，在高密度電流的應(yīng)用下，倒裝芯片式發(fā)光器件可以有效地將熱向所述第二基底傳導(dǎo)，并因此可適合用作高輸出發(fā)光源。
[0003]此外，為了發(fā)光器件的尺寸減小和高輸出，對(duì)芯片級(jí)封裝的需求日益增加，在芯片級(jí)封裝中，通過(guò)省略將所述發(fā)光器件封裝在獨(dú)立的殼體或類似物中的過(guò)程，所述發(fā)光器件自身被用作封裝。特別地，由于倒裝芯片式發(fā)光器件的電極可以提供與封裝的引線類似的功能，因此倒裝芯片式發(fā)光器件可以合適地應(yīng)用于此類芯片級(jí)封裝。
[0004]當(dāng)此類芯片級(jí)封裝類型的器件被用作高輸出發(fā)光器件時(shí)，高密度電流被應(yīng)用于所述芯片級(jí)封裝。當(dāng)高密度電流應(yīng)用于所述封裝時(shí)，從發(fā)光芯片中產(chǎn)生的熱量也隨所述電流成正比地增加，使得高輸出發(fā)光器件的散熱效率成為決定所述發(fā)光器件的可靠性的主要因素。因此，對(duì)具有尚散熱效率和良好機(jī)械穩(wěn)定性以確保尚可靠性的尚輸出芯片級(jí)封裝存在需求。此外，當(dāng)芯片級(jí)封裝通過(guò)諸如焊料、粘漿等粘合材料安裝在包括導(dǎo)體電路的板上時(shí)，粘合材料沿著芯片的電極和所述板的電路流動(dòng)，由此造成電極間的短路。因此，需要具有良好的機(jī)械穩(wěn)定性和電學(xué)穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)以防止在安裝時(shí)發(fā)生短路。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005][技術(shù)問(wèn)題]
[0006]通過(guò)防止電極間發(fā)生短路，示例性實(shí)施方案提供一種具有高散熱效率以及優(yōu)異的機(jī)械穩(wěn)定性和電學(xué)穩(wěn)定性的發(fā)光器件。
[0007][技術(shù)方案]
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，發(fā)光器件包括:
[0009]發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、被設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；
[0010]第一接觸電極，其電連接到所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
[0011]第二接觸電極，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上并且電連接到所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
[0012]支撐結(jié)構(gòu)，其包括第一體電極和第二體電極，所述第一體電極和所述第二體電極分別設(shè)置在所述第一接觸電極和所述第二接觸電極上以彼此分離并且電連接所述第一接觸電極和所述第二接觸電極;和
[0013]設(shè)置在所述支撐結(jié)構(gòu)附近的基底，
[0014]其中所述基底包括分別電連接所述第一體電極和所述第二體電極的第一互連部分和第二互連部分，并且
[0015]所述第一互連部分與所述第二互連部分之間的距離不同于所述第一體電極與所述第二體電極之間的距離。
[0016]第一體電極可以包括朝向第二體電極的第一平面和與第一平面相對(duì)設(shè)置的第二平面；第二體電極可以包括朝向第一體電極的第三平面和與第三平面相對(duì)設(shè)置的第四平面;并且第一體電極和第二體電極可以分別包括從第一平面和第三平面的下邊緣凹陷的第一凹陷部。在這種結(jié)構(gòu)中，可以用絕緣部分來(lái)填充第一凹陷部，由此抑制諸如焊料的粘合材料流入第一體電極和第二體電極之間的空間。因此，可以防止第一體電極和第二體電極因粘合材料而斷開(kāi)。此外，可以增大第一體電極和第二體電極與所述絕緣部分之間的接觸區(qū)域，從而改善第一體電極和第二體電極與絕緣部分之間的粘合。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可以確保機(jī)械穩(wěn)定性。
[0017]第一凹陷部可以由單個(gè)平面構(gòu)成。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一體電極和第二體電極之間的距離可以逐漸減小，由此增加能夠消散從發(fā)光器件產(chǎn)生的熱量的散熱區(qū)。此外，由于第一體電極和第二體電極的下表面之間的距離可以比上部區(qū)域之間的距離更大，因此可以防止第一體電極和第二體電極因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。
[0018]第一凹陷部可以由凸平面或凹平面構(gòu)成。
[0019]第一凹陷部可由多個(gè)平面組成。在此結(jié)構(gòu)中，第一和第二體電極與絕緣部分之間的接觸區(qū)域進(jìn)一步增大，從而進(jìn)一步改善第一體電極和第二體電極與絕緣部分之間的粘合。因此，發(fā)光器件可確保機(jī)械穩(wěn)定性。
[0020]第一和第二體電極可分別包括從第二和第四平面的下邊緣凹陷的第二凹陷部。在此結(jié)構(gòu)中，可利用絕緣部分填充第二凹陷部，從而抑制諸如焊料的粘合材料流向發(fā)光器件的外表面。此外，第一和第二體電極與絕緣部分之間的接觸區(qū)域進(jìn)一步增大，從而改善第一體電極和第二體電極與絕緣部分之間的粘合。利用此結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可確保機(jī)械穩(wěn)定性。
[0021]第一和第二體電極中的每一個(gè)均可包括上部區(qū)域和下部區(qū)域。
[0022]第一互連部分與第二互連部分之間的距離可大于上部區(qū)域之間的距離。
[0023]下部區(qū)域之間的距離可大于上部區(qū)域之間的距離。利用此結(jié)構(gòu)，可更有效地防止當(dāng)將第一和第二體電極安裝在基底上時(shí)因諸如焊料的粘合材料導(dǎo)致的第一和第二體電極的斷開(kāi)。利用此結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可確保電學(xué)穩(wěn)定性。
[0024]上部區(qū)域之間的距離可為ΙΟΟμπι或更小。在此范圍內(nèi)，第一和第二體電極可實(shí)現(xiàn)散熱的進(jìn)一步改善。
[0025]下部區(qū)域之間的距離可為250μπι或更小。在此范圍內(nèi)，可防止第一和第二體電極因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。
[0026]第一互連部分與第二互連部分之間的距離可大于下部區(qū)域之間的距離。利用此結(jié)構(gòu)，可更有效地防止第一和第二互連部分因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。此外，因?yàn)榭煞乐拐澈喜牧涎刂谝缓偷诙ミB部分流入第一和第二體電極的下表面之間的區(qū)域，因此可更有效地防止第一和第二體電極斷開(kāi)。利用此結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可確保電學(xué)穩(wěn)定性。
[0027]第一體電極和第二體電極的厚度可分別為第一接觸電極和第二接觸電極的厚度的5至20倍。利用此結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件允許通過(guò)第一和第二體電極的側(cè)表面有效地消散發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的熱量，因此可防止由熱量引起的破裂或損壞。
[0028]發(fā)光器件還可包括第一絕緣層，其覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)的下表面以及第二接觸電極的下表面及側(cè)表面，并且設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)與第一接觸電極之間以使第一接觸電極與第二接觸電極絕緣。
[0029]發(fā)光器件還可包括覆蓋第一接觸電極的一部分的第二絕緣層。第二絕緣層可更有效地防止第一接觸電極和第二接觸電極的斷開(kāi)，并可保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)免受外部污染或撞擊。
[0030]基底還可包括支撐第一互連部分和第二互連部分的基部，并可包括穿過(guò)基部形成的通孔。
[0031]通孔可被設(shè)置在第一體電極和第二體電極上。利用此結(jié)構(gòu)，傳遞給第一體電極和第二體電極的熱量可通過(guò)通孔的內(nèi)部空間及設(shè)置在通孔內(nèi)的第一互連部分和第二互連部分而有效地消散。
[0032]通孔不可在垂直方向上與第一體電極和第二體電極重疊。利用此結(jié)構(gòu)，可以防止當(dāng)將第一體電極和第二體電極安裝在基底上時(shí)諸如焊料的粘合材料沿通孔向外流。此外，可防止第一體電極和第二體電極通過(guò)通孔因外部碰撞或污染物損壞。
[0033]第一和第二體電極中的每一個(gè)均可為單體層。利用此結(jié)構(gòu)，可防止第一和第二體電極斷開(kāi)，同時(shí)通過(guò)調(diào)整下部區(qū)域的形狀改善第一和第二體電極與基底的粘合，而不會(huì)在第一體電極和第二體電極的下側(cè)形成單獨(dú)層。
[0034]支撐結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第一與第二體電極之間的絕緣部分。
[0035]發(fā)光器件還可包括位于第一體電極與第一互連部分之間以及位于第二體電極與第二互連部分之間的焊料。
[0036][有利效果]
[0037]根據(jù)示例性實(shí)施例，由于第一和第二體電極的上部區(qū)域之間的距離相對(duì)短，因此發(fā)光器件允許由發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的熱量有效地通過(guò)第一體電極和第二體電極的側(cè)表面消散。因此，可防止發(fā)光器件因熱而破裂或損壞。此外，由于第一和第二體電極的下部區(qū)域之間的距離相對(duì)較長(zhǎng)，因此可以防止在將第一和第二體電極安裝在基底上時(shí)第一和第二體電極因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。此外，由于第一互連部分和第二互連部分之間的距離相對(duì)較長(zhǎng)，因此可以防止在將第一和第二體電極安裝在基底上時(shí)第一和第二互連部分因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。利用此結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可確保電學(xué)穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1和圖2分別是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖和橫截面視圖。
[0039]圖3是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0040]圖4是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0041 ]圖5是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0042]圖6是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0043]圖7是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0044]圖8是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面圖。
[0045]圖9是其中應(yīng)用有根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性照明裝置的分解透視圖。
[0046]圖10是其中應(yīng)用有根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性顯示器件的剖視圖。
[0047]圖11是其中應(yīng)用有根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性顯示器件的剖視圖。
[0048]圖12是其中應(yīng)用有根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性前燈的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]下面將參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例。下列實(shí)施例是以舉例的方式來(lái)提供，以便向本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員完全傳達(dá)本實(shí)用新型的精神。因此，本實(shí)用新型不限于在此公開(kāi)的實(shí)施例，而是還可以實(shí)現(xiàn)為不同的形式。在附圖中，出于清楚及描述性目的，元件的寬度、長(zhǎng)度、厚度等會(huì)被夸大。當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“置于另一元件或?qū)拥纳戏健被颉爸糜诹硪辉驅(qū)又稀睍r(shí)，它可以被直接“置于另一元件或?qū)拥纳戏健被颉爸糜诹硪辉驅(qū)又稀?，或者可以存在中間元件或中間層。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相似的附圖標(biāo)記指示具有相同或相似功能的類似元件。
[0050]圖1和圖2分別是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件200a的平面圖和橫截面視圖。圖2是沿圖1的線G-C截取的橫截面視圖。將省略與上述示例性實(shí)施例的部件大體相同的部件的詳細(xì)描述。
[0051 ]參照?qǐng)D1和圖2，所述發(fā)光器件200a包括發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一接觸電極130、第二接觸電極140、支撐結(jié)構(gòu)310以及基底410。發(fā)光器件可進(jìn)一步包括生長(zhǎng)基底(未示出)和連接電極145。
[0052]發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、置于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121上的有源層123以及置于有源層123上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125。
[0053]發(fā)光結(jié)構(gòu)120可包括通過(guò)部分去除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125和有源層123而形成的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的部分暴露區(qū)域。例如，如圖1所示，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可包括至少一個(gè)孔洞120a，其穿過(guò)第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125和有源層123而形成以通過(guò)其暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可包括多個(gè)孔洞120a，且孔洞120a的形狀和排列并不限于附圖中所示的。
[0054]發(fā)光結(jié)構(gòu)120還可包括凹凸不平部120R。凹凸不平部120R可通過(guò)干法蝕刻、濕法蝕刻和電化學(xué)蝕刻中的至少一種來(lái)形成。例如，凹凸不平部120R可通過(guò)PEC蝕刻或通過(guò)在包含KOH和NaOH的蝕刻溶液中進(jìn)行濕法蝕刻來(lái)形成。
[0055]發(fā)光結(jié)構(gòu)120還可包括置于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的上表面上的生長(zhǎng)基底(未示出)。這種生長(zhǎng)基底可在制造發(fā)光器件之后通過(guò)本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法從發(fā)光結(jié)構(gòu)120上去除。
[0056]第二接觸電極140可設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125上并與之電連接。此外，該第二接觸電極140可至少部分地覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的下表面。替代地，該第二接觸電極140可設(shè)置成覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的整個(gè)下表面。此外，除了其中形成有發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的露出區(qū)域(例如孔洞120a)的區(qū)域之外，該第二接觸電極140可在覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的下表面的區(qū)域中形成為單體層。采用該結(jié)構(gòu)，該發(fā)光器件允許將電流均勻地供給發(fā)光結(jié)構(gòu)120的整個(gè)區(qū)域，由此改進(jìn)電流擴(kuò)散效率。然而，應(yīng)理解的是，本實(shí)用新型并不局限于此。替代地，第二接觸電極140可由多個(gè)彼此隔開(kāi)的單元電極構(gòu)成。
[0057]第一接觸電極130可電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121。該第一接觸電極130可通過(guò)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的露出區(qū)域(例如孔洞120a)電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121。第一接觸電極130可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上。采用該結(jié)構(gòu)，第一接觸電極130可通過(guò)絕緣層(諸如下文描述的第一絕緣層150)與第二接觸電極140絕緣。
[0058]參見(jiàn)圖2，根據(jù)該示例性實(shí)施例的發(fā)光器件200a可進(jìn)一步包括第一絕緣層150。第一絕緣層150覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下表面和第二接觸電極140的下表面和側(cè)表面，并且設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120和第一接觸電極130之間以使得第一接觸電極130與第二接觸電極140絕緣。第一絕緣層150可包括形成在某些位置處的開(kāi)口 150a、150b，以實(shí)現(xiàn)與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的電連接。例如，第一絕緣層150包括露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的開(kāi)口 150a和露出第二接觸電極140的開(kāi)口 150b。第一絕緣層150可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)等方法由諸如S12的氧化物、諸如SiNx的氮化物、或者諸如MgF2的絕緣材料形成。第一絕緣層150可由單個(gè)層或多個(gè)層構(gòu)成。此外，第一絕緣層150可包括其中低折射率材料層和高折射率材料層交替堆疊的分布式布拉格反射器(DBR)。
[0059]參見(jiàn)圖2，根據(jù)該示例性實(shí)施例的發(fā)光器件200a可進(jìn)一步包括第二絕緣層160。第二絕緣層160能更有效地防止第一接觸電極130和第二接觸電極140斷開(kāi)，同時(shí)起到保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)免受外部污染物或碰撞的作用。第二絕緣層160可覆蓋第一接觸電極130的一部分。第二絕緣層160可包括露出第一接觸電極130的開(kāi)口 160a和露出第二接觸電極140的開(kāi)口160b。第一接觸電極130的側(cè)壁可由第二絕緣層160覆蓋?？赏ㄟ^(guò)將氧化物絕緣層、氮化物絕緣層或者諸如聚酰亞胺、聚四氟乙烯或聚對(duì)二甲苯的聚合物沉積在第一接觸電極130上且隨后進(jìn)行圖案化處理來(lái)制備第二絕緣層160。
[0060]支撐結(jié)構(gòu)310可包括第一體電極311、第二體電極312以及絕緣支撐層313。根據(jù)該示例性實(shí)施例的第一體電極311、第二體電極312以及絕緣支撐層313可對(duì)應(yīng)于根據(jù)上述示例性實(shí)施例的第一體電極171、第二體電極173以及絕緣支撐層180。
[0061 ]第一體電極311和第二體電極312可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上并且彼此分開(kāi)以分別設(shè)置在第一接觸電極130和第二接觸電極140上。第一體電極311和第二體電極312由金屬材料形成并且通常具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)120更大的厚度。第一體電極311和第二體電極312可分別電連接于第一接觸電極130和第二接觸電極140，并且由此可分別電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125。第一體電極311和第二體電極312使得能夠有效地消散由發(fā)光結(jié)構(gòu)120產(chǎn)生的熱量，并且可包括具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的熱膨脹系數(shù)類似的熱膨脹系數(shù)的材料。
[0062]第一體電極311和第二體電極312可比第一接觸電極130和第二接觸電極140更厚，以便于散熱。確切地說(shuō)，第一體電極311和第二體電極312的厚度可以分別是第一接觸電極130和第二接觸電極140的厚度的5倍至20倍。采用該結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件允許從發(fā)光結(jié)構(gòu)120產(chǎn)生的熱量通過(guò)第一體電極311和第二體電極312的側(cè)表面有效地消散至外部，由此防止由于熱量而開(kāi)裂或故障。
[0063]第一體電極311可包括下部區(qū)域311a和上部區(qū)域311b，而第二體電極312可包含下部區(qū)域312a和上部區(qū)域312b。第一體電極311和第二體電極312中的每一個(gè)均可形成為單體層。參照?qǐng)D2，第一體電極311的下部區(qū)域311a和第二體電極312的下部區(qū)域312a可以設(shè)置在下述基底410附近，第一體電極311的上部區(qū)域311b和第二體電極312的上部區(qū)域312b可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120附近。下部區(qū)域311a、312a可分別包含第一體電極311和第二體電極312的下表面。確切地說(shuō)，下部區(qū)域311a、312a的下表面可以與所述第一體電極311和第二體電極312的下表面重合。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能防止第一體電極311和第二體電極312斷開(kāi)，且可以通過(guò)調(diào)整下部區(qū)域311a、312a的構(gòu)造改善與基底410的粘合，而無(wú)需在第一體電極311和第二體電極312的下表面上形成單獨(dú)的層。
[0064]在各個(gè)示例性實(shí)施例中，第一體電極311的下部區(qū)域311a和上部區(qū)域311b可以分別對(duì)應(yīng)于上述示例性實(shí)施例中的第一體電極171和第一墊電極191。類似地，第二體電極312的下部區(qū)域312a和上部區(qū)域312b可以分別對(duì)應(yīng)于上述示例性實(shí)施例中的第二體電極173和第二墊電極193。下部區(qū)域311a或312a可以由與上部區(qū)域311b或312b不同的材料形成。
[0065]第一體電極的下部區(qū)域311a與第二體電極的下部區(qū)域312a之間的距離L2可以大于第一體電極的上部區(qū)域311b和第二體電極的上部區(qū)域312b之間的距離LI。由于上部區(qū)域311b與312b之間的距離LI相對(duì)較短，發(fā)光結(jié)構(gòu)120產(chǎn)生的熱量能通過(guò)第一體電極311和第二體電極312的側(cè)表面有效地消散。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能免受由熱量引起的破裂或損壞。由于下部區(qū)域311a和312a之間的距離L2相對(duì)較長(zhǎng)，因此可以防止當(dāng)通過(guò)焊料結(jié)合或共晶結(jié)合將第一體電極311和第二體電極312安裝在基底410上時(shí)因諸如焊料的粘合材料引起的第一體電極311和第二體電極312的斷開(kāi)。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能夠確保電學(xué)穩(wěn)定性。
[0066]第一體電極311包括朝向第二體電極312的第一平面以及設(shè)置成與第一平面相對(duì)的第二平面;第二體電極312包括朝向第一體電極311的第三平面以及設(shè)置成與第三平面相對(duì)的第四平面。第一體電極311和第二體電極312可分別包括從第一平面和第三平面的下邊緣凹陷的第一凹陷部hi。參照?qǐng)D2，第一凹陷部hi可以由多個(gè)平面構(gòu)成。確切地說(shuō)，第一凹陷部hi可包括與第一體電極311和第二體電極312的第一平面和第三平面平行的平面，以及與第一體電極311和第二體電極312的下表面平行的平面。采用上述凹陷結(jié)構(gòu)，第一凹陷部hi可用下述絕緣支撐層313填充，從而抑制諸如焊料的粘合材料流入第一體電極311和第二體電極312之間的空間。相應(yīng)地，可以防止第一體電極311和第二體電極312因粘合材料而斷開(kāi)。此外，第一體電極311和第二體電極312與絕緣支撐層313之間的接觸區(qū)域可以被增大，從而改善第一體電極311和第二體電極312與絕緣部分之間的粘合。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能夠確保機(jī)械穩(wěn)定性。第一凹陷部hi可以使用光刻膠通過(guò)蝕刻工藝來(lái)形成，但不限定于此。
[0067]上部區(qū)域311b和312b之間的距離LI可以是ΙΟΟμπι或更小。在該范圍內(nèi)，來(lái)自第一體電極311和第二體電極312的散熱可進(jìn)一步改善。下部區(qū)域311a和312a之間的距離L2可以是250μπι或更小。在該范圍內(nèi)，可以有效防止第一體電極311和第二體電極312因諸如焊料的粘合材料而斷開(kāi)。
[0068]絕緣支撐層313可設(shè)置在第一體電極311和第二體電極312之間。絕緣支撐層313可包括上部絕緣支撐層313a和下部絕緣支撐層313b。根據(jù)本示例性實(shí)施例的上部絕緣支撐層313a和下部絕緣支撐層313b可分別對(duì)應(yīng)于下部絕緣支撐層181和上部絕緣支撐層183。絕緣支撐層313使第一體電極311和第二體電極312彼此絕緣，從而使第一接觸電極130和第二接觸電極140彼此絕緣，并且填充第一體電極311和第二體電極312之間的空間以提高耐用性，同時(shí)緩解由第一體電極311和第二體電極312的熱膨脹引起的應(yīng)力。另外，如圖2所示，絕緣支撐層313可被配置成不僅圍繞第一體電極311和第二體電極312之間的空間，同時(shí)也圍繞第一體電極311和第二體電極312的整個(gè)側(cè)表面。借助這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可以得以免受外部污染物或撞擊影響。絕緣支撐層313可包括環(huán)氧模塑化合物(EMC)?？梢酝扛步^緣支撐層313以覆蓋第一體電極311和第二體電極312的下表面。在本示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)研磨或化學(xué)機(jī)械拋光使絕緣支撐層313的下表面平坦化，并且可暴露第一體電極311和第二體電極 312。
[0069]基底410可鄰近支撐結(jié)構(gòu)310而設(shè)置?；?10可以包括與第一體電極311電連接的第一互連部分411和與第二體電極312電連接的第二互連部分412。第一互連部分411和第二互連部分412可以設(shè)置在基底410的基部413上，但不局限于此。第一互連部分411和第二互連部分412可以包括具有尚導(dǎo)電性的材料，例如銅、金、銀、銷、招等?；?10的基部413可以包括陶瓷材料，并且可以包括金屬材料，以改善發(fā)光器件的散熱。第一體電極311和第二體電極312可以通過(guò)焊接結(jié)合或共晶結(jié)合安裝在基底410上，但不限于此。例如，對(duì)于焊接結(jié)合而言，焊料S可以被設(shè)置在第一體電極311和第一互連部分411之間以及設(shè)置在第二體電極312和第二互連部分412之間。
[0070]第一互連部分411和第二互連部分412之間的距離L3可以大于上部區(qū)域31 Ib和312b之間的距離LI。由于第一互連部分411和第二互連部分412之間的距離L3相對(duì)較長(zhǎng)，因此可以防止當(dāng)通過(guò)焊接結(jié)合或共晶結(jié)合將第一體電極311和第二體電極312安裝在基底410上時(shí)第一體電極311和第二體電極312由于粘合材料(諸如焊料)引起的斷開(kāi)。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能夠確保電學(xué)穩(wěn)定性。
[0071]圖3是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。圖3所示的發(fā)光器件基本類似于在圖1和圖2中示出的發(fā)光器件，并且還包括從第一體電極311的第二平面的下邊緣以及從第二體電極312的第四平面的下邊緣凹陷的第二凹陷部h2。參照?qǐng)D3，第二凹陷部h2可以由多個(gè)平面構(gòu)成。確切地說(shuō)，第二凹陷部h2可以包括平行于第一體電極311和第二體電極312的第二平面和第四平面的平面，以及平行于第一體電極311和第二體電極312的下表面的平面。借助上述凹陷結(jié)構(gòu)，第二凹陷部h2可以被填充以下述絕緣支撐層313，從而抑制粘合材料(諸如焊料)流向發(fā)光器件的外表面。相應(yīng)地，可以防止第一體電極311和第二體電極312因粘合材料而斷開(kāi)。進(jìn)一步地，第一體電極311和第二體電極312與絕緣支撐層313之間的接觸區(qū)域可進(jìn)一步增大，從而改善第一體電極311和第二體電極312與絕緣部分之間的粘合。采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件能夠確保機(jī)械穩(wěn)定性。
[0072]圖4和圖5是根據(jù)其他示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。除了第一凹陷部hi是由單個(gè)平面或凹平面構(gòu)成之外，圖4和圖5中示出的發(fā)光器件基本類似于在圖1和圖2中示出的發(fā)光器件。確切的說(shuō)，圖4中示出的發(fā)光器件的第一凹陷部hi可以具有單刨床倒角面。圖5中示出的發(fā)光器件的第一凹陷部hi可以形成為凹狀，其傾斜度朝向第一體電極311和第二體電極312的下表面逐漸增加?？商娲?，雖然在附圖中未示出，第一凹陷部hi可以由凸平面構(gòu)成。確切的說(shuō)，第一凹陷部hi可以形成為凸形，其傾斜度朝向第一體電極311和第二體電極312的下表面逐漸減小。采用這種結(jié)構(gòu)，由于第一體電極311和第二體電極312之間的距離可逐漸減少，因此能夠消散從發(fā)光器件發(fā)出的熱量的部分可以得到增加。同時(shí)，由于第一體電極311和第二體電極312的下表面之間的距離可以大于上部區(qū)域311b、312b之間的距離，因此仍然可以防止第一體電極311和第二體電極312由于諸如焊料的粘合材料引起的斷開(kāi)。
[0073]圖6是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。除了第一互連部分411與第二互連部分412之間的距離L3可大于下部區(qū)域311a與312a之間的距離L2外，圖6所示的發(fā)光器件大體與圖1及圖2所示的發(fā)光器件相似。在該結(jié)構(gòu)中，由于第一互連部分411與第二互連部分412之間的距離L3相對(duì)較長(zhǎng)，因此可以更有效地防止當(dāng)通過(guò)焊接結(jié)合或共晶結(jié)合將第一體電極311和第二體電極312安裝在基底410上時(shí)由諸如焊料的粘合材料引起的第一互連部分411和第二互連部分412之間的斷開(kāi)。另外，由于可防止粘合材料沿著第一互連部分411和第二互連部分412流入第一體電極311和第二體電極312的下表面之間的區(qū)域，因此可更加有效地防止第一體電極311和第二體電極312的斷開(kāi)。通過(guò)本結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可確保電學(xué)穩(wěn)定性。
[0074]圖7是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D7，根據(jù)本示例性實(shí)施例的基底410還包括支撐第一互連部分411和第二互連部分412的基部413?；?10可包括穿過(guò)基部413形成的通孔V，其中通孔V可設(shè)置在第一體電極311和第二體電極312上。確切的說(shuō)，基部413可包括陶瓷材料，但不限于此。參照?qǐng)D7，基部413可包括諸如銅等金屬材料，以提高發(fā)光器件的散熱性能。在本示例性實(shí)施例中，為了防止第一互連部分411和第二互連部分412通過(guò)基部413而斷開(kāi)，可將絕緣材料放置在第一互連部分411和第二互連部分412與基部413之間。如圖7所示，通孔V的內(nèi)表面可被第一互連部分411或第二互連部分412覆蓋。另夕卜，雖然通孔V被示出為中空的孔洞，但是應(yīng)該理解本實(shí)用新型并不局限于此?？商鎿Q地，通孔V的內(nèi)部可用導(dǎo)電材料進(jìn)行填充。通孔V可設(shè)置為在垂直方向上與第一體電極311和第二體電極312重疊。通過(guò)本結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件允許傳導(dǎo)至第一體電極311和第二體電極312的熱量通過(guò)通孔V的內(nèi)部空間及設(shè)置在通孔V內(nèi)部的第一互連部分411和第二互連部分412有效地消散。通過(guò)本結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件可免受由熱量引起的破裂或損壞。
[0075]圖8是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。雖然圖8所示的發(fā)光器件類似于圖6所示的發(fā)光器件，但是兩者的差異在于通孔V并不在垂直方向上與第一體電極311和第二體電極312重疊。根據(jù)本示例性實(shí)施例，可以防止在將第一體電極311和第二體電極312安裝在基底410上的過(guò)程中諸如焊料的粘合材料沿著通孔V流向外部。另外，可以防止第一體電極311和第二體電極312通過(guò)通孔V因外部撞擊或污染物造成損壞。
[0076]圖9是其中應(yīng)用了根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性照明裝置的分解透視圖。
[0077]參照?qǐng)D9，根據(jù)本實(shí)施例的照明裝置包括漫射蓋板1010、發(fā)光二極管模塊1020和主體1030。主體1030可容納發(fā)光二極管模塊1020，漫射蓋板1010可設(shè)置在主體1030上，以覆蓋發(fā)光二極管模塊1020的上側(cè)。
[0078]主體1030可具有任何形狀，只要主體能夠?yàn)榘l(fā)光二極管模塊1020提供電力，同時(shí)容納和支撐發(fā)光二極管模塊1020。例如，如附圖所示，主體1030可包括主體外殼1031、電源1033、電源外殼1035和電源連接部分1037。
[0079]電源1033容納于電源外殼1035中以電連接至發(fā)光二極管模塊1020，并可包括至少一個(gè)IC芯片。該IC芯片可調(diào)節(jié)、更改或控制提供給發(fā)光二極管模塊1020的電力。電源外殼1035可容納并支撐電源1033。將電源1033固定在其中的電源外殼1035可設(shè)置在主體外殼1031內(nèi)。電源連接部分1037設(shè)置在電源外殼1035的下端上，并與其耦聯(lián)。因此，電源連接部分1037電連接位于電源外殼1035內(nèi)的電源1033，且可以充當(dāng)將電力從外部電源供給電源1033的通路。
[0080]發(fā)光二極管模塊1020包括基底1023和設(shè)置在基底1023上的發(fā)光二極管1021。發(fā)光二極管模塊1020可設(shè)置在主體外殼1031的上部上，并電連接至電源1033。
[0081 ]任何能夠支撐發(fā)光二極管1021的基底均可用作基底1023，而不受任何限制。例如，基底1023可包括具有形成于其上的互連件的印刷電路板?；?023可具有對(duì)應(yīng)于在主體外殼1031的上部形成的固定部分的形狀，以穩(wěn)定地緊固至主體外殼1031上。發(fā)光二極管1021可包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光二極管中的至少一種。
[0082]漫射蓋板1010設(shè)置在發(fā)光二極管1021上，并可固定至主體外殼1031上以覆蓋發(fā)光二極管1021。漫射蓋板1010可由透光材料形成或包括透光材料，而且照明裝置的光方向可通過(guò)調(diào)節(jié)漫射蓋板1010的形狀和光透射率來(lái)進(jìn)行調(diào)整。這樣，可以根據(jù)照明裝置的用途和應(yīng)用場(chǎng)合將漫射蓋板1010修改成各種形狀。
[0083]圖10是其中應(yīng)用了根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性顯示器件的剖視圖。
[0084]根據(jù)本實(shí)施例的顯示器件包括顯示面板2110、為顯示面板2110提供光的背光單元、以及支撐顯示面板2110的下邊緣的面板引導(dǎo)件。
[0085]顯示面板2110沒(méi)有特殊限制，且例如可以是包含液晶層的液晶面板?？梢赃M(jìn)一步在顯示面板2110的邊緣上設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)印刷電路板，以向柵極線提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在此，柵極驅(qū)動(dòng)印刷電路板2112和2113可在薄膜晶體管基底上形成，而無(wú)需形成在單獨(dú)的印刷電路板上。
[0086]背光單元包括光源模塊，該光源模塊包括至少一個(gè)基底和多個(gè)發(fā)光二極管2160。背光單元還可包括底部蓋板2180、反射片2170、漫射板2131和光學(xué)片2130。
[0087]底部蓋板2180可在其上側(cè)開(kāi)放以容納基底、發(fā)光二極管2160、反射片2170、漫射板2131和光學(xué)片2130。此外，底部蓋板2180可耦聯(lián)面板引導(dǎo)件?；卓稍O(shè)置在反射片2170下方以由反射片2170所包圍。然而，應(yīng)當(dāng)理解也可以存在其他實(shí)施方式。當(dāng)反射材料涂覆在其表面上時(shí)，基底可設(shè)置在反射片2170上。此外，在本實(shí)施例中，可以以相互平行的方式設(shè)置多個(gè)基底。然而，應(yīng)當(dāng)理解也可以存在其他實(shí)施方式，且光源模塊可包括單個(gè)基底。
[0088]發(fā)光二極管2160可包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件及發(fā)光二極管中的至少一種。發(fā)光二極管2160可以按照預(yù)定圖案以規(guī)則圖案設(shè)置在基底上。另外，在各個(gè)發(fā)光二極管2160上設(shè)置透鏡2210以提高從多個(gè)發(fā)光二極管2160發(fā)出的光的均勻性。
[0089]漫射板2131和光學(xué)片2130設(shè)置在發(fā)光二極管2160上。發(fā)光二極管2160所發(fā)射出的光可以片光的形式通過(guò)漫射板2131和光學(xué)片2130提供給顯示面板2110。
[0090]通過(guò)這種方式，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的發(fā)光二極管可應(yīng)用于直下型顯示器，正如根據(jù)本實(shí)施例的顯示器。
[0091]圖11是其中應(yīng)用了根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性顯示器件的剖視圖。
[0092]根據(jù)本實(shí)施例的顯示器件包括顯示面板3210以及背光單元，其中圖像在顯示面板3210上進(jìn)行顯示，背光單元設(shè)置在顯示面板3210的后側(cè)且將光發(fā)射至顯示面板3210。此外，顯示器件包括支撐顯示面板3210和容納背光單元的框架240，以及包圍顯示面板3210的蓋板3240和3280。
[0093]顯示面板3210沒(méi)有特殊限制，且例如可以是或者包括包含液晶層的液晶面板。柵極驅(qū)動(dòng)印刷電路板可進(jìn)一步設(shè)置在顯示面板3210的邊緣上，以向柵極線提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在此，柵極驅(qū)動(dòng)印刷電路板可在薄膜晶體管基底上形成，而無(wú)需形成在單獨(dú)的印刷電路板上。顯示面板3210由設(shè)置在其上側(cè)和下側(cè)上的蓋板3240和3280固定住，且設(shè)置在顯示面板3210的下側(cè)的蓋板3280可耦聯(lián)至背光單元上。
[0094]為顯示面板3210提供光的背光單元包括在其上側(cè)部分開(kāi)放的下蓋板3270、設(shè)置在下蓋板3270內(nèi)部一側(cè)的光源模塊、以及設(shè)置為平行于光源模塊且將點(diǎn)光轉(zhuǎn)變成片光的導(dǎo)光板3250。另外，根據(jù)本實(shí)施例的背光單元還可包括設(shè)置在導(dǎo)光板3250上以分散和收集光的光學(xué)片3230，以及設(shè)置在導(dǎo)光板3250的下側(cè)且將沿導(dǎo)光板3250的向下方向行進(jìn)的光朝向顯示面板3210反射的反射片3260。
[0095]光源模塊包括基底3220以及按照固定間隔設(shè)置在基底3220的一個(gè)表面上的多個(gè)發(fā)光二極管3110。任何能夠支撐發(fā)光二極管3110并與之電連接的基底均可用作基底3220，而不受任何限制。例如，基底3220可包括印刷電路板。
[0096]發(fā)光二極管3110可包括根據(jù)本實(shí)用新型的上述實(shí)施例的發(fā)光器件及發(fā)光二極管中的至少一種。光源模塊所發(fā)射出的光進(jìn)入導(dǎo)光板3250，并通過(guò)光學(xué)片3230被提供給顯示面板3210。導(dǎo)光板3250及光學(xué)片3230將發(fā)光二極管3110所發(fā)射出的點(diǎn)光轉(zhuǎn)變成片光。
[0097]通過(guò)這種方式，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管可被應(yīng)用于側(cè)光型顯示器，正如根據(jù)本實(shí)施例的顯示器。
[0098]圖12是其中應(yīng)用了根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的發(fā)光器件的示例性前燈的剖視圖。
[0099]參考圖12，前燈包括燈體4070、基底4020、發(fā)光二極管4010和封蓋透鏡4050。前燈還可包括散熱單元4030、支架4060和連接構(gòu)件4040。
[0100]基底4020由支架4060固定并且設(shè)置在燈體4070之上。任何能夠支撐發(fā)光二極管4010的構(gòu)件均可用作基底4020，而不受任何限制。例如，基底4020可以是或包括具有導(dǎo)電圖案的基底，諸如印刷電路板。發(fā)光二極管4010設(shè)置在基底4020上并且可由基底4020支撐和固定。另外，發(fā)光二極管4010可通過(guò)基底4020的導(dǎo)電圖案電連接外部電源。另外，發(fā)光二極管4010可包括根據(jù)本實(shí)用新型的上述實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光二極管中的至少一種。
[Ο?Ο? ]封蓋透鏡4050被設(shè)置在從發(fā)光二極管4010發(fā)出的光的路徑上。例如，如圖中所不，封蓋透鏡4050可通過(guò)連接構(gòu)件4040與發(fā)光二極管4010分隔開(kāi)，并且可沿由發(fā)光二極管4010發(fā)出的光的供應(yīng)方向設(shè)置。通過(guò)封蓋透鏡4050，可調(diào)整由前燈發(fā)出的光的方位角和/或顏色。另一方面，連接構(gòu)件4040被設(shè)置成將封蓋透鏡4050固定到基底4020上，同時(shí)包圍發(fā)光二極管4010，且因此可充當(dāng)提供發(fā)光路徑4045的光引導(dǎo)件。連接構(gòu)件4040可由反光材料形成或包括反光材料，或者涂覆有反光材料。另一方面，散熱單元4030可包括散熱鰭4031和/或散熱風(fēng)扇4033，并且消散發(fā)光二極管4010工作時(shí)產(chǎn)生的熱量。
[0102]通過(guò)這種方式，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的發(fā)光二極管可應(yīng)用于前燈上，具體地應(yīng)用于車輛前燈上，正如根據(jù)本實(shí)施例的顯示器件。
[0103]雖然在此公開(kāi)了一些示例性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)了解這些實(shí)施例并不希望具有排他性。例如，特定實(shí)施例的單個(gè)結(jié)構(gòu)、元件或特征不限于該特定實(shí)施例，并且在不背離本實(shí)用新型的精神和范圍的前提下可應(yīng)用于其他實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、被設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層； 第一接觸電極，其電連接到所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第二接觸電極，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上并且電連接到所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 支撐結(jié)構(gòu)，其包括第一體電極和第二體電極，所述第一體電極和所述第二體電極分別設(shè)置在所述第一接觸電極和所述第二接觸電極上以彼此分離并且電連接所述第一接觸電極和所述第二接觸電極;和 設(shè)置在所述支撐結(jié)構(gòu)附近的基底， 其中所述基底包括分別電連接所述第一體電極和所述第二體電極的第一互連部分和第二互連部分，并且 所述第一互連部分與所述第二互連部分之間的距離不同于所述第一體電極與所述第二體電極之間的距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于， 所述第一體電極包括面向所述第二體電極的第一平面和與所述第一平面相對(duì)設(shè)置的第二平面； 所述第二體電極包括面向所述第一體電極的第三平面和與所述第三平面相對(duì)設(shè)置的第四平面;并且 所述第一體電極和所述第二體電極包括分別從所述第一平面和所述第三平面的下邊緣凹陷的第一凹陷部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由單個(gè)平面組成。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由凸平面或凹平面組成。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由多個(gè)平面組成。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一體電極和所述第二體電極中的每一個(gè)分別包括從所述第二平面和所述第四平面的下邊緣凹陷的第二凹陷部。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一體電極和所述第二體電極中的每一個(gè)均包括上部區(qū)域和下部區(qū)域。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一互連部分與所述第二互連部分之間的所述距離大于所述上部區(qū)域之間的距離。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述下部區(qū)域之間的距離大于所述上部區(qū)域之間的所述距離。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述上部區(qū)域之間的所述距離是100μπι或更小。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述下部區(qū)域之間的所述距離是250μπι或更小。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一互連部分與所述第二互連部分之間的所述距離大于所述下部區(qū)域之間的距離。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一體電極和所述第二體電極的厚度分別為所述第一接觸電極和所述第二接觸電極的厚度的5至20倍。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括: 第一絕緣層，其覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下表面和所述第二接觸電極的下表面及側(cè)表面，并且設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述第一接觸電極之間以將所述第一接觸電極與所述第二接觸電極絕緣。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括:覆蓋所述第一接觸電極的一部分的第二絕緣層。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基底還包括支撐所述第一互連部分和所述第二互連部分的基部，所述基底包括穿過(guò)所述基部形成的通孔。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述通孔設(shè)置在所述第一體電極和所述第二體電極上。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述通孔在垂直方向上不與所述第一體電極和所述第二體電極重疊。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述第一體電極和所述第二體電極之間的絕緣部分。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括: 位于所述第一體電極和所述第一互連部分之間且位于所述第二體電極和所述第二互連部分之間的焊料。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK205428990SQ201620105519
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年2月2日
【發(fā)明人】金彰淵, 蔡鐘炫, 李俊燮
【申請(qǐng)人】首爾偉傲世有限公司