一種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，包括：Vbus芯線、第一高速信號(hào)線對(duì)、第二高速信號(hào)線對(duì)、低速信號(hào)線對(duì)、屏蔽層、接地層及包覆層。第一高速信號(hào)線對(duì)、第二高速信號(hào)線對(duì)及低速信號(hào)線對(duì)依次卷繞于Vbus芯線上。屏蔽層包覆第一高速信號(hào)線對(duì)、第二高速信號(hào)線對(duì)及低速信號(hào)線對(duì)。接地層包覆屏蔽層。包覆層包覆接地層。第一高速信號(hào)線對(duì)包括SSTXp1芯線及SSTXn1芯線。第二高速信號(hào)線對(duì)包括SSRXp1芯線及SSRXn1芯線。低速信號(hào)線對(duì)包括Dp1芯線及Dn1芯線。本實(shí)用新型的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線通過相鄰兩條同軸線組成的差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而使傳輸信號(hào)更加穩(wěn)定，線材尺寸更小、結(jié)構(gòu)更加圓整，從而滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)USB數(shù)據(jù)線產(chǎn)品的要求。
【專利說明】
一種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電線電纜領(lǐng)域，特別是涉及一種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線。
【背景技術(shù)】
[0002]關(guān)于現(xiàn)在市場(chǎng)電子產(chǎn)品的USB數(shù)據(jù)線的傳輸方式，目前市場(chǎng)上的電子產(chǎn)品的USB數(shù)據(jù)線主要為Type-A轉(zhuǎn)Type-B或者是Type-A轉(zhuǎn)Type-Micro B或是Type-Α轉(zhuǎn)Type-Α結(jié)構(gòu)。這樣的USB數(shù)據(jù)線傳輸方式造成市場(chǎng)中USB線材種類繁多，且各種數(shù)據(jù)線之間又不可兼容使用，在使用時(shí)USB數(shù)據(jù)線端口需分正反面，在無形中浪費(fèi)了寶貴時(shí)間，這對(duì)于現(xiàn)在高速發(fā)展的社會(huì)來說是急需解決的問題。
[0003]在現(xiàn)有的USB數(shù)據(jù)線中都是兩芯芯線對(duì)絞、接地線、繞包屏蔽層組成差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行傳輸，且現(xiàn)有的USB數(shù)據(jù)線在電源線壓降以及電源線額定電流方面無法滿足USB協(xié)會(huì)最新USB3.1標(biāo)準(zhǔn)中Type-C的要求，因此面臨著淘汰的危機(jī)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種使用了相鄰兩條同軸線代替兩芯對(duì)絞芯線的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，以使得信號(hào)傳輸更穩(wěn)定，從而滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)線的要求。
[0005]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，包括:Vbus芯線、第一高速信號(hào)線對(duì)、第二高速信號(hào)線對(duì)、低速信號(hào)線對(duì)、屏蔽層、接地層及包覆層；
[0007]所述第一高速信號(hào)線對(duì)、所述第二高速信號(hào)線對(duì)及所述低速信號(hào)線對(duì)依次卷繞于所述Vbus芯線上；
[0008]所述屏蔽層包覆所述第一高速信號(hào)線對(duì)、所述第二高速信號(hào)線對(duì)及所述低速信號(hào)線對(duì)；
[0009]所述接地層包覆所述屏蔽層；
[0010]所述包覆層包覆所述接地層；
[0011 ] 所述第一高速信號(hào)線對(duì)包括SSTXpl芯線及SSTXnl芯線；
[0012]所述第二高速信號(hào)線對(duì)包括SSRXpl芯線及SSRXnl芯線；
[0013]所述低速信號(hào)線對(duì)包括Dpl芯線及Dnl芯線。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSRXpl芯線、SSRXnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述Dpl芯線、Dnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型使用了第一高速信號(hào)線對(duì)及第二高速信號(hào)線對(duì)組成的差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，代替了傳統(tǒng)的兩芯對(duì)絞芯線、接地線、繞包屏蔽層組成的差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?，使傳輸信?hào)更加的穩(wěn)定，各線材的尺寸更小，組合結(jié)構(gòu)更加圓整，組合成的線材產(chǎn)品更加柔軟且具有彈性，從而滿足了現(xiàn)代社會(huì)對(duì)USB數(shù)據(jù)線產(chǎn)品的要求。
【附圖說明】
[0024]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線的橫截面示意圖；
[0025]圖2為圖1所示的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線的各條SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線、Dnl芯線的橫截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0027]如圖1所示為本實(shí)用新型一實(shí)施例中的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線10的橫截面示意圖，其中，Vbus是指連接到電子產(chǎn)品中的電源正極，SSTXpI及SSTXnI是指連接到電子產(chǎn)品中USB3.1信號(hào)線對(duì)，SSRXpl及SSRXnl是指連接到電子產(chǎn)品中USB3.1信號(hào)線對(duì)，Dpl及Dnl是指連接到電子產(chǎn)品中的USB2.0信號(hào)線對(duì)。
[0028]同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線10包括:Vbus芯線100、第一高速信號(hào)線對(duì)200、第二高速信號(hào)線對(duì)300、低速信號(hào)線對(duì)400、屏蔽層500、接地層600及包覆層700。
[0029]第一高速信號(hào)線對(duì)200、第二高速信號(hào)線對(duì)300及低速信號(hào)線對(duì)400依次卷繞于Vbus芯線100上。屏蔽層500包覆第一高速信號(hào)線對(duì)200、第二高速信號(hào)線對(duì)300及低速信號(hào)線對(duì)400 ο接地層600包覆屏蔽層500，包覆層700包覆接地層600。
[0030]第一高速信號(hào)線對(duì)200包括SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220，第二高速信號(hào)線對(duì)300包括SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320，低速信號(hào)線對(duì)400包括Dpl芯線410及Dnl芯線420。
[0031]本實(shí)用新型通過第一高速信號(hào)線對(duì)200、第二高速信號(hào)線對(duì)300及低速信號(hào)線對(duì)400依次卷繞于Vbus芯線100上，并使用屏蔽層500、接地層600及包覆層700依次進(jìn)行包裹，組成新的USB數(shù)據(jù)線。
[0032]在本實(shí)用新型的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線10中，第一高速信號(hào)線對(duì)200的SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220位置可進(jìn)行交換，第二高速信號(hào)線對(duì)300的SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320位置可進(jìn)行交換，低速信號(hào)線對(duì)400的Dpl芯線410及Dnl芯線420位置可進(jìn)行交換。
[0033]因此，本實(shí)用新型的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線10具有以下排列組合方式:
[0034]1、55了父？1芯線210、55了父111芯線220、551??1芯線310、551?111芯線320、0?1芯線410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置；
[0035]2、SSTXnl 芯線 220、SSTXpl 芯線 210、SSRXpl 芯線 310、SSRXnl 芯線 320、Dpl 芯線 410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置；
[0036]3、SSTXpl 芯線 210、SSTXnl 芯線 220、SSRXnl 芯線 320、SSRXpl 芯線 310、Dpl 芯線 410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置；
[0037]4、SSTXpl 芯線 210、SSTXnl 芯線 220、SSRXpl 芯線 310、SSRXnl 芯線 320、Dnl 芯線 420及Dpl芯線410依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置；
[0038]5、SSTXnl 芯線 220、SSTXpl 芯線 210、SSRXnl 芯線 320、SSRXpl 芯線 310、Dpl 芯線 410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置；
[0039]6、SSTXnl 芯線 220、SSTXpl 芯線 210、SSRXnl 芯線 320、SSRXpl 芯線 310、Dnl 芯線 420及Dpl芯線410依次卷繞于Vbus芯線設(shè)置。
[0040]如圖2所示，其為圖1所示的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線10的各條SSTXpl芯線210、SSTXnl芯線220、SSRXpl芯線310、SSRXnl芯線320、Dpl芯線410、Dnl芯線420的橫截面示意圖。
[0041 ] 第一高速信號(hào)線對(duì)200的SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220分別具有:導(dǎo)體層810、包覆導(dǎo)體層810的絕緣層820、包覆絕緣層820的銅絲纏繞層830、包覆銅絲纏繞層830的銅箔層840、包覆銅箔層840的聚脂帶850。
[0042]同樣的，第二高速信號(hào)線對(duì)300的SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320分別具有:導(dǎo)體層810、包覆導(dǎo)體層810的絕緣層820、包覆絕緣層820的銅絲纏繞層830、包覆銅絲纏繞層830的銅箔層840、包覆銅箔層840的聚脂帶850。
[0043]同樣的，低速信號(hào)線對(duì)400的Dpl芯線410及Dnl芯線420分別具有:導(dǎo)體層810、包覆導(dǎo)體層810的絕緣層820、包覆絕緣層820的銅絲纏繞層830、包覆銅絲纏繞層830的銅箔層840、包覆銅箔層840的聚脂帶850。
[0044]第一高速信號(hào)線對(duì)200通過使用相鄰兩條SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220組成的差分信號(hào)對(duì)進(jìn)行信號(hào)傳輸，且SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220的各層為同軸設(shè)計(jì)。同理的，第二高速信號(hào)線對(duì)300通過使用相鄰兩條SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320組成的差分信號(hào)對(duì)進(jìn)行信號(hào)傳輸，且SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320的各層為同軸設(shè)計(jì)。
[0045]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型使用了第一高速信號(hào)線對(duì)200及第二高速信號(hào)線對(duì)300組成的差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，代替了傳統(tǒng)的兩芯對(duì)絞芯線、接地線、繞包屏蔽層組成的差分信號(hào)對(duì)來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞剑箓鬏斝盘?hào)更加的穩(wěn)定，各線材的尺寸更小，組合結(jié)構(gòu)更加圓整，組合成的線材產(chǎn)品更加柔軟且具有彈性，從而滿足了現(xiàn)代社會(huì)對(duì)USB數(shù)據(jù)線產(chǎn)品的要求。
[0046]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，包括:Vbus芯線、第一高速信號(hào)線對(duì)、第二高速信號(hào)線對(duì)、低速信號(hào)線對(duì)、屏蔽層、接地層及包覆層； 所述第一高速信號(hào)線對(duì)、所述第二高速信號(hào)線對(duì)及所述低速信號(hào)線對(duì)依次卷繞于所述Vbus芯線上； 所述屏蔽層包覆所述第一高速信號(hào)線對(duì)、所述第二高速信號(hào)線對(duì)及所述低速信號(hào)線對(duì)； 所述接地層包覆所述屏蔽層； 所述包覆層包覆所述接地層； 所述第一高速信號(hào)線對(duì)包括SSTXpl芯線及SSTXnl芯線； 所述第二高速信號(hào)線對(duì)包括SSRXpl芯線及SSRXnl芯線； 所述低速信號(hào)線對(duì)包括Dpl芯線及Dnl芯線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSRXpl芯線、SSRXnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述Dpl芯線、Dnl芯線分別具有:導(dǎo)體層、包覆所述導(dǎo)體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設(shè)置。
【文檔編號(hào)】H01B11/18GK205451911SQ201521117678
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年12月26日
【發(fā)明人】鄭俊超, 劉麗萍, 郭云
【申請(qǐng)人】惠州樂庭電子線纜有限公司, 樂庭電線工業(yè)（惠州）有限公司, 深圳市沃爾特種線纜有限公司, 深圳市沃爾核材股份有限公司