半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，包括：第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)、第一測試焊墊、第二測試焊墊、第三測試焊墊及保險絲。本實用新型通過將適于同時測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性的第一測試結(jié)構(gòu)與適于測試柵間氧化層的完整性的第二測試結(jié)構(gòu)設(shè)計在一起，不需要使用失效分析即可以同時對測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性進行測試，可以精確地找出失效點是位于柵間氧化層還是位于連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層中，節(jié)省了測試時間和測試成本，提高了測試的效率。
【專利說明】
半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，在半導(dǎo)體工藝中，柵間氧化層(GateOxide)的完整性是確保整個工藝正常進行的一個重要條件。因此，在半導(dǎo)體工藝中，柵間氧化層的完整性的測試就變得非常重要。
[0003]現(xiàn)有的柵間氧化層完整性(Gate Oxide Integrity，G0I)測試結(jié)構(gòu)可以測試柵極多晶硅層刻蝕工藝中是否對柵間氧化層造成破壞，若柵間氧化層完整性存在問題，一般會采用失效分析(Failure Analysis，F(xiàn)A)方法尋找失效點，而后根據(jù)分析結(jié)果對相應(yīng)工藝進行調(diào)整。
[0004]然而，隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸變得越來越小，在這種情況下，在使用失效分析方法就很難準確地找出柵間氧化層的失效點。同時失效分析使用的測試機臺比較昂貴，這無形中增加了測試的難度和成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中使用失效分析方法對柵間氧化層完整性進行分析時導(dǎo)致的很難精確地找到柵間氧化層中的失效點，且測試成本昂貴的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括:
[0007]第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)、第一測試焊墊、第二測試焊墊、第三測試焊墊及保險絲；
[0008]所述第一測試結(jié)構(gòu)一端與所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性；
[0009]所述第二測試結(jié)構(gòu)一端與所述第二測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性；
[0010]所述保險絲一端與所述第一測試結(jié)構(gòu)及所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第二測試結(jié)構(gòu)及所述第二測試焊墊相連接。
[0011]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一測試結(jié)構(gòu)包括第一多晶硅柵極、第一連接通孔及第一金屬線層;所述第一連接通孔位于所述第一多晶硅柵極兩側(cè)有源區(qū)的上方，所述第一金屬線層位于所述第一連接通孔的上方;所述第一連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第一連接通孔一端與所述有源區(qū)相連接，另一端與所述第一金屬線層相連接;所述第一連接通孔與所述第一多晶硅柵極之間的間距為最小設(shè)計規(guī)則，所述最小設(shè)計規(guī)則為工藝設(shè)計所允許的最小尺寸；
[0012]所述第二測試結(jié)構(gòu)包括第二多晶硅柵極、第二連接通孔及第二金屬線層;所述第二連接通孔位于所述第二多晶硅柵極兩側(cè)有源區(qū)的上方，所述第二金屬線層位于所述第二連接通孔的上方;所述第二連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第二連接通孔一端與所述有源區(qū)相連接，另一端與所述第二金屬線層相連接;所述第二連接通孔與所述第二多晶硅柵極之間的間距大于兩倍的最小設(shè)計規(guī)則。
[0013]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一多晶硅柵極的數(shù)量為多個，多個所述第一多晶硅柵極平行間隔排布;位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的所述第一連接通孔均沿所述第一多晶硅柵極長度的方向呈單行多列排布；
[0014]所述第二多晶硅柵極的數(shù)量為多個，多個所述第二多晶硅柵極平行間隔排布;位于所述第二多晶硅柵極每一側(cè)的所述第二連接通孔均沿所述第二多晶硅柵極長度的方向呈單行多列排布。
[0015]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔之間的間距大于或等于最小設(shè)計規(guī)則;位于所述第二多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第二連接通孔之間的間距大于位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔之間的間距。
[0016]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一測試結(jié)構(gòu)還包括第三多晶硅柵極及第三金屬線層;所述第三多晶硅柵極位于所述第一多晶硅柵極遠離所述第三金屬線層的一端，并與所述第一多晶硅柵極垂直連接;所述第三金屬線層位于所述第一金屬線層遠離所述第三多晶硅柵極的一端，并與所述第一金屬線層垂直連接;所述第一測試結(jié)構(gòu)通過所述第三多晶硅柵極與所述第一測試焊墊相連接，通過所述第三金屬線層與所述第三測試焊墊相連接；
[0017]所述第二測試結(jié)構(gòu)還包括第四多晶硅柵極及第四金屬線層;所述第四多晶硅柵極位于所述第二多晶硅柵極遠離所述第四金屬線層的一端，并與所述第二多晶硅柵極垂直連接;所述第四金屬線層位于所述第二金屬線層遠離所述第四多晶硅柵極的一端，并與所述第二金屬線層垂直連接;所述第二測試結(jié)構(gòu)通過所述第四多晶硅柵極與所述第二測試焊墊相連接，通過所述第四金屬線層與所述第三測試焊墊相連接。
[0018]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一測試結(jié)構(gòu)還包括第三連接通孔及第五金屬連線層，所述第三連接通孔位于所述第三多晶硅層的上方，所述第五金屬線層位于所述第三連接通孔的上方;所述第三連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第三連接通孔一端與所述第三多晶硅層相連接，另一端與所述第五金屬線層相連接;所述第三多晶硅層通過所述第三連接通孔及所述第五金屬連線層與所述第一測試焊墊相連接；
[0019]所述第二測試結(jié)構(gòu)還包括第四連接通孔及第六金屬連線層，所述第四連接通孔位于所述第四多晶硅層的上方，所述第六金屬線層位于所述第四連接通孔的上方;所述第四連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第四連接通孔一端與所述第四多晶硅層相連接，另一端與所述第六金屬線層相連接;所述第四多晶硅層通過所述第四連接通孔及所述第六金屬連線層與所述第二測試焊墊相連接。
[0020]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述保險絲的材料為金屬或多晶娃。
[0021]作為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述保險絲的形狀為“工”字型。
[0022]如上所述，本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)具有如下有益效果:通過將適于同時測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性的第一測試結(jié)構(gòu)與適于測試柵間氧化層的完整性的第二測試結(jié)構(gòu)設(shè)計在一起，不需要使用失效分析即可以同時對測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性進行測試，可以精確地找出失效點是位于柵間氧化層還是位于連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層中，節(jié)省了測試時間和測試成本，提高了測試的效率。
【附圖說明】
[0023]圖1顯示為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0024]圖2顯示為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)中第一測試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖3顯示為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)中第二測試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖4顯示為本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)中保險絲的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]元件標號說明
[0028]I 第一測試結(jié)構(gòu)
[0029]11第一多晶硅柵極
[0030]12第一連接通孔
[0031]13第一金屬線層
[0032]14第三多晶硅柵極
[0033]15第三金屬線層
[0034]16第三連接通孔
[0035]2 第二測試結(jié)構(gòu)
[0036]21第二多晶硅柵極
[0037]22第二連接通孔
[0038]23第二金屬線層
[0039]24第四多晶硅柵極
[0040]25第四金屬線層
[0041]26第四連接通孔
[0042]3 第一測試焊墊
[0043]4 第二測試焊墊
[0044]5 第三測試焊墊
[0045]6 保險絲
[0046]7 有源區(qū)
【具體實施方式】
[0047]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0048]請參閱圖1至圖4。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實用新型的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本實用新型中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0049]請參閱圖1，本實用新型提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括:第一測試結(jié)構(gòu)1、第二測試結(jié)構(gòu)2、第一測試焊墊3、第二測試焊墊4、第三測試焊墊5及保險絲6;所述第一測試結(jié)構(gòu)I 一端與所述第一測試焊墊3相連接，另一端與所述第三測試焊墊5相連接，適于測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性；所述第二測試結(jié)構(gòu)2—端與所述第二測試焊墊4相連接，另一端與所述第三測試焊墊5相連接，適于測試柵間氧化層的完整性;所述保險絲6—端與所述第一測試結(jié)構(gòu)I及所述第一測試焊墊3相連接，另一端與所述第二測試結(jié)構(gòu)2及所述第二測試焊墊4相連接。
[0050]作為示例，請參閱圖2至圖3，所述第一測試結(jié)構(gòu)I包括第一多晶硅柵極11、第一連接通孔12及第一金屬線層13;所述第一連接通孔12位于所述第一多晶硅柵極11兩側(cè)有源區(qū)7的上方，所述第一金屬線層13位于所述第一連接通孔12的上方;所述第一連接通孔12內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第一連接通孔12—端與所述有源區(qū)7相連接，另一端與所述第一金屬線層13相連接;所述第一連接通孔12與所述第一多晶硅柵極11之間的間距為最小設(shè)計規(guī)則，所述最小設(shè)計規(guī)則為工藝設(shè)計所允許的最小尺寸;所述第二測試結(jié)構(gòu)2包括第二多晶硅柵極21、第二連接通孔22及第二金屬線層23;所述第二連接通孔22位于所述第二多晶硅柵極21兩側(cè)有源區(qū)7的上方，所述第二金屬線層23位于所述第二連接通孔22的上方;所述第二連接通孔22內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第二連接通孔22—端與所述有源區(qū)7相連接，另一端與所述第二金屬線層23相連接;所述第二連接通孔22與所述第二多晶硅柵極21之間的間距大于兩倍的最小設(shè)計規(guī)則。
[0051]作為示例，所述第一多晶硅柵極11的數(shù)量為多個，多個所述第一多晶硅柵極11平行間隔排布;位于所述第一多晶硅柵極11每一側(cè)的所述第一連接通孔12均沿所述第一多晶硅柵極11長度的方向呈單行多列排布;所述第二多晶硅柵極21的數(shù)量為多個，多個所述第二多晶硅柵極21平行間隔排布;位于所述第二多晶硅柵極21每一側(cè)的所述第二連接通孔22均沿所述第二多晶硅柵極21長度的方向呈單行多列排布。
[0052]作為示例，位于所述第一多晶硅柵極11每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔12之間的間距大于或等于最小設(shè)計規(guī)則;位于所述第二多晶硅柵極21每一側(cè)的相鄰所述第二連接通孔22之間的間距大于位于所述第一多晶硅柵極11每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔12之間的間距;優(yōu)選地，本實施例中，位于所述第二多晶硅柵極21每一側(cè)的相鄰所述第二連接通孔22之間的間距大于兩倍的最小設(shè)計規(guī)則。
[0053]作為示例，所述第一測試結(jié)構(gòu)I還包括第三多晶硅柵極14及第三金屬線層15;所述第三多晶硅柵極14位于所述第一多晶硅柵極11遠離所述第三金屬線層15的一端，并與所述第一多晶硅柵極14垂直連接;所述第三金屬線層15位于所述第一金屬線層13遠離所述第三多晶硅柵極14的一端，并與所述第一金屬線層13垂直連接;所述第一測試結(jié)構(gòu)I通過所述第三多晶硅柵極14與所述第一測試焊墊3相連接，通過所述第三金屬線層15與所述第三測試焊墊5相連接；即所述第一多晶硅柵極11與所述第三多晶硅柵極14及所述第一金屬線層13與所述第三金屬線層15均形成梳齒結(jié)構(gòu);其中，所述第一多晶硅柵極11與所述第三多晶硅柵極14形成的梳齒結(jié)構(gòu)中，所述第三多晶硅柵極14為梳齒根部，所述第一多晶硅柵極11為梳齒齒部;所述第一金屬線層13與所述第三金屬線層15形成的梳齒結(jié)構(gòu)中，所述第三金屬線層15為梳齒根部，所述第一金屬線層13為梳齒齒部;所述第一多晶硅柵極11與所述第三多晶硅柵極14形成的梳齒結(jié)構(gòu)與所述第一金屬線層13與所述第三金屬線層15形成的梳齒結(jié)構(gòu)相對分布。所述第二測試結(jié)構(gòu)2還包括第四多晶硅柵極24及第四金屬線層25;所述第四多晶硅柵極24位于所述第二多晶硅柵極21遠離所述第四金屬線層25的一端，并與所述第二多晶硅柵極21垂直連接;所述第四金屬線層25位于所述第二金屬線層23遠離所述第四多晶硅柵極24的一端，并與所述第二金屬線層23垂直連接;所述第二測試結(jié)構(gòu)2通過所述第四多晶硅柵極24與所述第二測試焊墊4相連接，通過所述第四金屬線層24與所述第三測試焊墊5相連接；即所述第二多晶硅柵極21與所述第四多晶硅柵極24及所述第二金屬線層23與所述第四金屬線層25均形成梳齒結(jié)構(gòu);其中，所述第二多晶硅柵極21與所述第四多晶硅柵極24形成的梳齒結(jié)構(gòu)中，所述第四多晶硅柵極24為梳齒根部，所述第二多晶硅柵極為梳齒齒部；所述第二金屬線層23與所述第四金屬線層25形成的梳齒結(jié)構(gòu)中，所述第四金屬線層25為梳齒根部，所述第二金屬線層23為梳齒齒部;所述第二多晶硅柵極21與所述第四多晶硅柵極24形成的梳齒結(jié)構(gòu)與所述第二金屬線層23與所述第四金屬線層25形成的梳齒結(jié)構(gòu)相對分布。
[0054]作為示例，所述第一測試結(jié)構(gòu)I還包括第三連接通孔16及第五金屬連線層(未示出)，所述第三連接通孔16位于所述第三多晶硅層14的上方，所述第五金屬線層位于所述第三連接通孔16的上方;所述第三連接通孔16內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第三連接通孔16—端與所述第三多晶硅層14相連接，另一端與所述第五金屬線層相連接;所述第三多晶硅層14通過所述第三連接通孔16及所述第五金屬連線層與所述第一測試焊墊3相連接;所述第二測試結(jié)構(gòu)2還包括第四連接通孔26及第六金屬連線層(未示出)，所述第四連接通孔26位于所述第四多晶硅層24的上方，所述第六金屬線層位于所述第四連接通孔26的上方;所述第四連接通孔26內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第四連接通孔26—端與所述第四多晶硅層24相連接，另一端與所述第六金屬線層相連接;所述第四多晶硅層24通過所述第四連接通孔26及所述第六金屬連線層與所述第二測試焊墊4相連接。
[0055]作為示例，請參閱圖4，所述保險絲6的形狀可以為“工”字型。
[0056]作為示例，所述保險絲6的材料可以為但不僅限于金屬或多晶硅。
[0057]本實用新型的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的測試原理為:在所述第一測試焊墊3及所述第三測試焊墊5上施加電壓，分別量測所述第一測試焊墊3與所述第三測試焊墊5之間的電流以及所述第二測試焊墊4與所述第三測試焊墊5之間的電流;若所述第一測試焊墊3與所述第三測試焊墊5之間的電流及所述第二測試焊墊4與所述第三測試焊墊5之間的電流均異常，則判定所述第一測試結(jié)構(gòu)I中存在異常，若所述第一測試焊墊3與所述第三測試焊墊5之間的電流正常，而所述第二測試焊墊4與所述第三測試焊墊5之間的電流異常，則判定所述第二測試結(jié)構(gòu)2中存在異常;若所述第二測試結(jié)構(gòu)2中存在異常，所述保險絲6即會融化。依據(jù)所述第一測試結(jié)構(gòu)I及所示第二測試結(jié)構(gòu)2的失效情況即可判定出具體的失效點。
[0058]綜上所述，本實用新型提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括:第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)、第一測試焊墊、第二測試焊墊、第三測試焊墊及保險絲;所述第一測試結(jié)構(gòu)一端與所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性;所述第二測試結(jié)構(gòu)一端與所述第二測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性;所述保險絲一端與所述第一測試結(jié)構(gòu)及所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第二測試結(jié)構(gòu)及所述第二測試焊墊相連接。通過將適于同時測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性的第一測試結(jié)構(gòu)與適于測試柵間氧化層的完整性的第二測試結(jié)構(gòu)設(shè)計在一起，不需要使用失效分析即可以同時對測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性進行測試，可以精確地找出失效點是位于柵間氧化層還是位于連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層中，節(jié)省了測試時間和測試成本，提高了測試的效率。
[0059]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括:第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)、第一測試焊墊、第二測試焊墊、第三測試焊墊及保險絲； 所述第一測試結(jié)構(gòu)一端與所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性及連接通孔與多晶硅柵極之間的層間介質(zhì)層的完整性； 所述第二測試結(jié)構(gòu)一端與所述第二測試焊墊相連接，另一端與所述第三測試焊墊相連接，適于測試柵間氧化層的完整性； 所述保險絲一端與所述第一測試結(jié)構(gòu)及所述第一測試焊墊相連接，另一端與所述第二測試結(jié)構(gòu)及所述第二測試焊墊相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一測試結(jié)構(gòu)包括第一多晶硅柵極、第一連接通孔及第一金屬線層;所述第一連接通孔位于所述第一多晶硅柵極兩側(cè)有源區(qū)的上方，所述第一金屬線層位于所述第一連接通孔的上方;所述第一連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第一連接通孔一端與所述有源區(qū)相連接，另一端與所述第一金屬線層相連接;所述第一連接通孔與所述第一多晶硅柵極之間的間距為最小設(shè)計規(guī)則，所述最小設(shè)計規(guī)則為工藝設(shè)計所允許的最小尺寸； 所述第二測試結(jié)構(gòu)包括第二多晶硅柵極、第二連接通孔及第二金屬線層;所述第二連接通孔位于所述第二多晶硅柵極兩側(cè)有源區(qū)的上方，所述第二金屬線層位于所述第二連接通孔的上方;所述第二連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第二連接通孔一端與所述有源區(qū)相連接，另一端與所述第二金屬線層相連接;所述第二連接通孔與所述第二多晶硅柵極之間的間距大于兩倍的最小設(shè)計規(guī)則。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一多晶硅柵極的數(shù)量為多個，多個所述第一多晶硅柵極平行間隔排布;位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的所述第一連接通孔均沿所述第一多晶硅柵極長度的方向呈單行多列排布； 所述第二多晶硅柵極的數(shù)量為多個，多個所述第二多晶硅柵極平行間隔排布;位于所述第二多晶硅柵極每一側(cè)的所述第二連接通孔均沿所述第二多晶硅柵極長度的方向呈單行多列排布。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔之間的間距大于或等于最小設(shè)計規(guī)則;位于所述第二多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第二連接通孔之間的間距大于位于所述第一多晶硅柵極每一側(cè)的相鄰所述第一連接通孔之間的間距。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一測試結(jié)構(gòu)還包括第三多晶硅柵極及第三金屬線層;所述第三多晶硅柵極位于所述第一多晶硅柵極遠離所述第三金屬線層的一端，并與所述第一多晶硅柵極垂直連接； 所述第三金屬線層位于所述第一金屬線層遠離所述第三多晶硅柵極的一端，并與所述第一金屬線層垂直連接;所述第一測試結(jié)構(gòu)通過所述第三多晶硅柵極與所述第一測試焊墊相連接，通過所述第三金屬線層與所述第三測試焊墊相連接； 所述第二測試結(jié)構(gòu)還包括第四多晶硅柵極及第四金屬線層;所述第四多晶硅柵極位于所述第二多晶硅柵極遠離所述第四金屬線層的一端，并與所述第二多晶硅柵極垂直連接； 所述第四金屬線層位于所述第二金屬線層遠離所述第四多晶硅柵極的一端，并與所述第二金屬線層垂直連接;所述第二測試結(jié)構(gòu)通過所述第四多晶硅柵極與所述第二測試焊墊相連接，通過所述第四金屬線層與所述第三測試焊墊相連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一測試結(jié)構(gòu)還包括第三連接通孔及第五金屬連線層，所述第三連接通孔位于所述第三多晶硅層的上方，所述第五金屬線層位于所述第三連接通孔的上方;所述第三連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第三連接通孔一端與所述第三多晶硅層相連接，另一端與所述第五金屬線層相連接;所述第三多晶硅層通過所述第三連接通孔及所述第五金屬連線層與所述第一測試焊墊相連接； 所述第二測試結(jié)構(gòu)還包括第四連接通孔及第六金屬連線層，所述第四連接通孔位于所述第四多晶硅層的上方，所述第六金屬線層位于所述第四連接通孔的上方;所述第四連接通孔內(nèi)填充有金屬以形成金屬插塞，所述第四連接通孔一端與所述第四多晶硅層相連接，另一端與所述第六金屬線層相連接;所述第四多晶硅層通過所述第四連接通孔及所述第六金屬連線層與所述第二測試焊墊相連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述保險絲的材料為金屬或多晶娃。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述保險絲的形狀為“工”字型。
【文檔編號】H01L23/544GK205452278SQ201620224134
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月22日
【發(fā)明人】周華陽, 宋永梁
【申請人】中芯國際集成電路制造(北京)有限公司, 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司