一種perc太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種PERC太陽能電池，其包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅鈍化層和銀層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開設(shè)有若干個(gè)開孔，在開孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。本實(shí)用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸。
【專利說明】
一種PERC太陽能電池
技術(shù)領(lǐng)域
:
[0001]本實(shí)用新型涉及一種PERC太陽能電池，其屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
:
[0002]現(xiàn)有PERC太陽能電池的生產(chǎn)步驟一般包括清洗制絨、擴(kuò)散制PN結(jié)、刻蝕和去PSG、雙面鈍化、激光開孔、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。其中激光開孔是為了金屬電極與硅片形成良好的接觸，開孔的好壞直接影響到電池的填充因子，從而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。三氧化二鋁為兩性氧化物，與強(qiáng)酸和強(qiáng)堿都能反應(yīng)，所以，可以通過化學(xué)腐蝕的方法進(jìn)行開孔。同時(shí)，激光燒蝕在微加工方面的應(yīng)用越來越廣泛，也可以用作三氧化二鋁開孔。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和缺點(diǎn):
[0004]化學(xué)腐蝕:掩膜濕法腐蝕法，步驟多，流程復(fù)雜，并且容易引入離子污染，廢棄化學(xué)品容易對環(huán)境造成危害，而近期出現(xiàn)的漿料腐蝕法，在漿料中加入可以腐蝕三氧化二鋁和氮化硅的成分，會對鋁膜的平整度造成不良影響；
[0005]現(xiàn)有激光開孔技術(shù):通過激光燒蝕，將三氧化二鋁完全去除，難免對硅片表面造成損傷，形成缺陷中心，影響鈍化效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】:
[0006]本實(shí)用新型提供一種PERC太陽能電池，其在解決串聯(lián)電阻的同時(shí)，最大限度的保證鈍化效果。
[0007]本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽能電池，包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅鈍化層和銀層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開設(shè)有若干個(gè)開孔，在開孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。
[0008]進(jìn)一步地，所述開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中。
[0009]本實(shí)用新型還采用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0010]步驟1、在硅片的上表面鍍正面氮化硅鈍化層，在硅片的下表面鍍氧化鋁鈍化層，在氧化鋁鈍化層的下表面鍍背面氮化硅鈍化層；
[0011 ]步驟2、在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，其中開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中，且開孔不打穿氧化鋁鈍化層；
[0012]步驟3、在硅片的上表面上印刷銀漿形成銀層，在背面氮化硅鈍化層上印刷鋁漿形成鋁層，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金。
[0013]本實(shí)用新型具有如下有益效果:本實(shí)用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸?！靖綀D說明】:
[0014]圖1為本實(shí)用新型PERC太陽能電池的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
:
[0015]請參照圖1所示，本實(shí)用新型PERC太陽能電池包括硅片1、位于硅片I上表面的正面氮化硅鈍化層2和銀層3、位于硅片I下表面的氧化鋁鈍化層4、位于氧化鋁鈍化層4下表面的背面氮化硅鈍化層5，在背面氮化硅鈍化層5上間隔開設(shè)有若干個(gè)開孔6，在開孔6中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層4后與硅片I形成鋁硅合金的鋁層7。
[0016]其中開孔6貫穿于背面氮化硅鈍化層5后延伸至氧化鋁鈍化層4中，且開孔6不打穿氧化鋁鈍化層4。
[0017]本實(shí)用新型PERC太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0018]步驟1、在硅片I的上表面鍍正面氮化硅鈍化層2，在硅片I的下表面鍍氧化鋁鈍化層4，在氧化鋁鈍化層4的下表面鍍背面氮化硅鈍化層5;
[0019]步驟2、在背面氮化硅鈍化層5上通過激光開孔方式開孔，其中開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層5后延伸至氧化鋁鈍化層4中，且開孔不打穿氧化鋁鈍化層4;
[0020]步驟3、在硅片I的上表面上印刷銀漿形成銀層3，在背面氮化硅鈍化層5上印刷鋁漿形成鋁層7，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層4后與硅片I形成鋁硅合金。
[0021]本實(shí)用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸。
[0022]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PERC太陽能電池，其特征在于:包括硅片(I)、位于硅片(I)上表面的正面氮化硅鈍化層(2)和銀層(3)、位于硅片(I)下表面的氧化鋁鈍化層(4)、位于氧化鋁鈍化層(4)下表面的背面氮化硅鈍化層(5)，在背面氮化硅鈍化層(5)上間隔開設(shè)有若干個(gè)開孔(6)，在開孔(6)中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層(4)后與硅片(I)形成鋁硅合金的鋁層(7)。2.如權(quán)利要求1所述的PERC太陽能電池，其特征在于:所述開孔(6)貫穿于背面氮化硅鈍化層(5)后延伸至氧化鋁鈍化層(4)中。
【文檔編號】H01L31/18GK205452300SQ201521132007
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月30日
【發(fā)明人】蔣建寶, 李科偉
【申請人】無錫賽晶太陽能有限公司