埋入硅基板扇出型3d封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)中，功能芯片嵌入到硅基板正面上的凹槽內(nèi)，在硅基板正面凹槽外的區(qū)域制備有垂直導(dǎo)電通孔，通過(guò)導(dǎo)電通孔，功能芯片可以把電性導(dǎo)出至硅基板的背面，在硅基板的正面和背面可以制備有再布線(xiàn)和焊球。這個(gè)結(jié)構(gòu)的好處是：由于硅基板和芯片之間的熱膨脹系數(shù)接近，封裝結(jié)構(gòu)具有良好的可靠性；該結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行實(shí)現(xiàn)3D封裝互連；采用硅基板，可以制作細(xì)線(xiàn)條，高密度布線(xiàn)，可以滿(mǎn)足高密度互連的需要；該封裝結(jié)構(gòu)可以更容易實(shí)現(xiàn)小型化，薄型化，制備方法成熟，工藝可行。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在當(dāng)前的半導(dǎo)體行業(yè)中，電子封裝已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要方向，幾十年封裝技術(shù)的發(fā)展，使高密度、小尺寸的封裝要求成為封裝的主流方向。
[0003]晶圓級(jí)扇出封裝，其通過(guò)重構(gòu)圓片和圓片級(jí)再布線(xiàn)方式，把I/O通過(guò)再布線(xiàn)面陣列布滿(mǎn)封裝表面，以便于擴(kuò)大I/O節(jié)距，滿(mǎn)足下一級(jí)互連的節(jié)距要求。目前，重構(gòu)圓片的材料主要是模塑料，或者用于基板封裝的半固化片等有機(jī)材料，實(shí)現(xiàn)功能芯片扇出結(jié)構(gòu)的塑封，最終切割成單顆封裝體。
[0004]目前，通過(guò)多年的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推動(dòng)，晶圓級(jí)扇出封裝被認(rèn)為是一種I/O數(shù)較多、集成靈活性好的先進(jìn)封裝技術(shù)。隨著智能手機(jī)的發(fā)展，對(duì)扇出型封裝提出了三維堆疊的技術(shù)需求。比如原來(lái)利用PoP封裝集成微處理器芯片和存儲(chǔ)芯片，其PoP下封裝體是利用BGA封裝形式?，F(xiàn)在通過(guò)在模塑料上制作垂直通孔形成微處理3D扇出型封裝結(jié)構(gòu)，可以取代PoP下封裝形式，可以做到更高密度，更小尺寸的互連。而且在產(chǎn)業(yè)鏈角度來(lái)看，直接在代工廠(chǎng)或封裝廠(chǎng)就可以完成，無(wú)需基板材料。
[0005]隨著電子產(chǎn)品向更薄、更輕、更高引腳密度、更低成本、系統(tǒng)集成方面發(fā)展，采用單顆功能芯片封裝技術(shù)已經(jīng)逐漸無(wú)法滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)需求，而扇出晶圓級(jí)封裝技術(shù)的出現(xiàn)為封裝行業(yè)想低成本封裝發(fā)展提供了契機(jī)。這樣，扇出晶圓級(jí)技術(shù)目前正在發(fā)展成為下一代主要的封裝技術(shù)。
[0006]但是目前的扇出型封裝突出的問(wèn)題是使用模塑料來(lái)重構(gòu)晶圓，對(duì)模塑料晶圓進(jìn)行工藝加工與傳統(tǒng)硅圓片的制成存在巨大的差異。在硅片上進(jìn)行光刻，顯影，曝光，制作精細(xì)金屬線(xiàn)路，植球等非常成熟。但模塑料本身非常不適合進(jìn)行上述工藝，特別是代工廠(chǎng)，因此為開(kāi)發(fā)基于模塑料圓片的扇出工藝要克服很多工藝挑戰(zhàn)，需要定制化的相關(guān)設(shè)備，以解決易于翹曲的模塑料圓片的拿持以及在模塑料表面的精細(xì)線(xiàn)路制備難題。進(jìn)一步地，從結(jié)構(gòu)本身來(lái)看，模塑料與硅的熱膨脹系數(shù)差別較大，會(huì)帶來(lái)可靠性問(wèn)題，已有報(bào)道說(shuō)明扇出型結(jié)構(gòu)不適合超高12X12mm2的封裝;對(duì)于功耗較大的芯片，模塑料的散熱也是一個(gè)問(wèn)題。
[0007]專(zhuān)利號(hào)為ZL201210243958.4專(zhuān)利文獻(xiàn)，公開(kāi)了一種扇出型圓片級(jí)功能芯片封裝方法，包括功能芯片、金屬微結(jié)構(gòu)、高密度布線(xiàn)層、硅腔體、鍵合層和焊球凸點(diǎn)，在功能芯片上通過(guò)濺射、光刻、電鍍等工藝形成金屬微結(jié)構(gòu)，將功能芯片倒裝在高密度布線(xiàn)層上，用光學(xué)掩膜、刻蝕等方法在硅腔體上形成下凹的硅腔，所述硅腔體將功能芯片扣置在硅腔體內(nèi)，所述高密度布線(xiàn)層與硅腔體通過(guò)鍵合層鍵合，加熱使包封料層和鍵合層固化成形。但該發(fā)明工藝復(fù)雜，成本高，不適合薄型封裝工藝。
[0008]專(zhuān)利號(hào)為:ZL201110069815.1的專(zhuān)利文獻(xiàn)，公開(kāi)了一種扇出系統(tǒng)封裝方法，包括以下步驟:提供載板，在載板上形成剝離膜，在剝離膜上形成保護(hù)層，在保護(hù)層中形成再布線(xiàn)金屬層，在保護(hù)層上形成與再布線(xiàn)金屬層導(dǎo)通的布線(xiàn)封裝層，在布線(xiàn)封裝層上形成引線(xiàn)鍵合封裝層，各組封裝層之間相互電連接，去除載板及剝離膜，裸露出第一保護(hù)層中的再布線(xiàn)金屬，在裸露的再布線(xiàn)金屬上形成金屬焊球。該專(zhuān)利的技術(shù)方案可以降低系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感以及功能芯片間的干擾因素。
[0009]專(zhuān)利號(hào)為ZL201110032264.1的專(zhuān)利文獻(xiàn)，公開(kāi)了一種高集成度晶圓扇出封裝結(jié)構(gòu)，包括:被封裝單元，由功能芯片及無(wú)源器件組成，所述被封裝單元具有功能面;與被封裝單元的功能面相對(duì)的另一面形成有封料層，所述封料層對(duì)被封裝單元進(jìn)行封裝固化，所述封料層表面對(duì)應(yīng)于被封裝單元之間設(shè)有凹槽。中國(guó)專(zhuān)利201110032519.7公開(kāi)了一種高集成度晶圓扇出封裝方法，包括步驟如下:(I)在載板上形成膠合層；(2)將由功能芯片和無(wú)源器件組成的被封裝單元的功能面貼于所述膠合層上；(3)將載板貼有功能芯片和無(wú)源器件的一面形成封料層，進(jìn)行封裝固化，所述封料層表面對(duì)應(yīng)于被封裝單元之間設(shè)有凹槽；(4)去除所述載板和膠合層。以上專(zhuān)利可以避免封料層在晶圓封裝的后續(xù)制程中出現(xiàn)翹曲變形，提尚晶圓封裝成品的質(zhì)量。
[0010]上述現(xiàn)有技術(shù)雖然對(duì)封裝方法進(jìn)行了改進(jìn)，但并未解決扇出晶圓級(jí)工藝中的工藝復(fù)雜、成本高的問(wèn)題，不適合三維集成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，使用硅基板取代模塑料或者其他非硅材料作為扇出的基體，解決了模塑料材料重構(gòu)圓片帶來(lái)的一系列問(wèn)題，如翹曲，熱膨脹系數(shù)不匹配;利用硅基上成熟的工藝來(lái)制備制作高密度布線(xiàn);可以采用多種方法在硅基上制作垂直導(dǎo)電通孔，以實(shí)現(xiàn)三維垂直互連。
[0012]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0013]一種埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，包括一硅基板和至少一功能芯片，所述硅基板具有至少一個(gè)凹槽，所述功能芯片功能面向上嵌入在所述凹槽中，所述功能芯片與所述凹槽之間通過(guò)聚合物粘結(jié)，所述硅基板上凹槽位置外形成有至少一個(gè)穿透硅基板的導(dǎo)電通孔，至少有一個(gè)所述導(dǎo)電通孔與所述功能芯片上的焊墊電連接;所述硅基板正面和背面均具有電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)。
[0014]進(jìn)一步的，所述功能芯片是集成電路芯片或MEMS芯片。
[0015]進(jìn)一步的，所述凹槽的豎直截面形狀為矩形或梯形，且所述凹槽的深度不大于所述硅基板的厚度。
[0016]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電通孔的軸向垂直所述硅基板的正面。
[0017]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的金屬為鈦、鉭、鉻、鎢、銅、鋁、鎳、金中的一種或幾種。
[0018]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的金屬為低熔點(diǎn)焊料錫、錫銀、錫銅、錫金、錫銦和錫銀銅中的一種。
[0019]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電通孔內(nèi)由導(dǎo)電膠填充。
[0020]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電通孔與所述硅基板之間電絕緣。
[0021]進(jìn)一步的，所述電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)為焊球、金屬凸點(diǎn)、導(dǎo)電膠中的一種。
[0022]進(jìn)一步的，所述硅基板正面和背面形成有至少一層金屬布線(xiàn)。
[0023]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供一種埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)中，功能芯片通過(guò)有機(jī)聚合物粘連嵌入到材質(zhì)相同的娃基板凹槽中，在娃基板正面不包含凹槽的區(qū)域制備有垂直導(dǎo)電通孔，通過(guò)導(dǎo)電通孔，功能芯片可以把電性導(dǎo)出至硅基板的背面，在硅基板的正面和背面可以制備有金屬布線(xiàn)和焊球。這個(gè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)有:首先，由于硅基板和芯片之間的熱膨脹系數(shù)接近，封裝結(jié)構(gòu)具有良好的可靠性;其次，該結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行實(shí)現(xiàn)3D封裝互連;再次，采用硅基板，可以制作細(xì)線(xiàn)條，高密度布線(xiàn)，可以滿(mǎn)足高密度互連的需要;最后，該封裝結(jié)構(gòu)可以更容易實(shí)現(xiàn)小型化，薄型化。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本實(shí)用新型娃基板為晶圓時(shí)埋入功能芯片的俯視圖；
[0025]圖2為本實(shí)用新型在晶圓正面埋入芯片，并于其上制備第一絕緣層的剖面示意圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型在第一絕緣層上通過(guò)光刻/刻蝕形成硅盲孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本實(shí)用新型在第一絕緣層及硅盲孔內(nèi)制備第二絕緣層，并通過(guò)光刻/刻蝕暴露出芯片焊墊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型在硅盲孔填充金屬和表面上形成第一金屬重布線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為本實(shí)用新型在第一金屬重布線(xiàn)上形成第一鈍化層并在金屬布線(xiàn)上打開(kāi)相應(yīng)鈍化層開(kāi)口的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7為本實(shí)用新型對(duì)硅基板圓片背面減薄，暴露出硅盲孔內(nèi)金屬的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖8為本實(shí)用新型在減薄后的硅晶圓圓片背面鋪設(shè)第三絕緣層，并暴露出硅盲孔內(nèi)的第一金屬重布線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖9為本實(shí)用新型在第三絕緣層上進(jìn)行重布線(xiàn)，形成連接導(dǎo)電通孔金屬的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖10為本實(shí)用新型在第二金屬重布線(xiàn)上鋪設(shè)第二鈍化層，并在金屬布線(xiàn)上打開(kāi)相應(yīng)鈍化層開(kāi)口的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖11為本實(shí)用新型在硅基板圓片第一、背面的第一、第二金屬重布線(xiàn)鈍化層開(kāi)口上形成焊球的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]結(jié)合附圖，作以下說(shuō)明:
[0036]1-硅基板，101-正面，102-背面，103-凹槽，104-硅導(dǎo)電通孔，105-硅盲孔，2_功能芯片，201-焊墊，3-粘結(jié)層，4-絕緣層，401-第一絕緣層，402-第二絕緣層，403-第三絕緣層5_金屬重布線(xiàn)，501-第一金屬重布線(xiàn)，502-第二金屬重布線(xiàn)，6-鈍化層，601-第一鈍化層，602-第二鈍化層，7-電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明，其目的僅在于更好理解本實(shí)用新型的內(nèi)容而非限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。實(shí)施例附圖的結(jié)構(gòu)中各組成部分未按正常比例縮放，故不代表實(shí)施例中各結(jié)構(gòu)的實(shí)際相對(duì)大小。
[0038]如圖11所不，一種埋入娃基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，包括一娃基板I和至少一功能芯片2。所述硅基板I通過(guò)凹槽103包封功能芯片不含功能面的其它表面，功能芯片2與硅基板I之間有粘結(jié)層，硅基板I上凹槽附近有若干垂直的導(dǎo)電通孔104，所述功能芯片2上至少有一個(gè)焊墊201與導(dǎo)電通孔104電連接，在硅基板I正面101和背面102形成電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)7。這樣，通過(guò)在與功能芯片材質(zhì)相同的硅基板正面上制作凹槽，將功能芯片埋入其中，并在硅基板正面不包含凹槽的區(qū)域制作至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，通過(guò)導(dǎo)電通孔將功能芯片焊墊的電性導(dǎo)出至硅基板的背面，并在硅基板的正面和背面形成焊球，外界芯片或者印刷電路板可通過(guò)硅基板正面和背面的焊球與硅基板中埋入的功能芯片電性相連，實(shí)現(xiàn)3D封裝中所需實(shí)現(xiàn)的特定功能；能夠有效的解決目前應(yīng)用模塑料扇出封裝造成的熱膨脹系數(shù)不匹配，模塑料重構(gòu)晶圓的翹曲帶來(lái)的工藝加工困難等問(wèn)題，同時(shí)本實(shí)用新型的所有操作都只在硅基板進(jìn)行，工藝成熟，適合高密度互連和封裝小型化。
[0039]優(yōu)選的，所述凹槽的豎直截面形狀為矩形或梯形，且所述凹槽的深度不大于所述硅基板的厚度。
[0040]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電通孔的軸向垂直所述硅基板的正面。
[0041]所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的金屬可以是金屬材料如鈦、鉭、鉻、鎢、銅、鋁、鎳、金中一種或幾種，通過(guò)物理汽相沉積，電鍍填充等方式實(shí)現(xiàn)。也可以填充低熔點(diǎn)焊料，如錫，錫銀，錫銅，錫金，錫銦，錫銀銅等中的一種。所述導(dǎo)電通孔內(nèi)也可以由導(dǎo)電膠填充，可以制作通孔，然后印刷填充導(dǎo)電膠。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的是鈦、銅金屬，其中鈦是粘附層。
[0042]作為一種優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0043]A.提供一與功能芯片材質(zhì)相同的硅基板1，所述硅基板具有正面101和與其相對(duì)的背面102，在所述硅基板的正面刻蝕形成至少一個(gè)凹槽103;凹槽的形狀可以是梯形，矩形或其他可以用來(lái)表示凹槽的形狀，凹槽的上開(kāi)口大于凹槽底部，深度與所封裝芯片的厚度相當(dāng)，并且所述凹槽尺寸可以滿(mǎn)足芯片放置于內(nèi)。
[0044]優(yōu)選的，所述硅基板為晶圓，所述晶圓上形成有若干排布成陣列的凹槽，凹槽側(cè)壁垂直，參見(jiàn)圖1所示。
[0045]B.參見(jiàn)圖2，在所述凹槽內(nèi)通過(guò)粘附層3貼裝至少一個(gè)功能芯片2，并使所述功能芯片的焊墊面朝外，所述功能芯片的焊墊面接近所述硅基板的正面，且所述功能芯片與所述凹槽的側(cè)壁之間具有間隙；間隙由聚合物填充，具體實(shí)施時(shí)，功能芯片可通過(guò)粘結(jié)膠或者干膜貼裝到硅基板凹槽內(nèi)，本實(shí)施采用的連接方式是利用粘結(jié)膠進(jìn)行粘結(jié)，功能芯片與所述凹槽的側(cè)壁之間間隙由第一絕緣層401填充粘結(jié)。
[0046]C.參見(jiàn)圖3，在所述間隙內(nèi)、所述功能芯片的焊墊面上及所述硅基板的正面上整面鋪設(shè)一層第一絕緣層401;在硅基板的正面不包含凹槽的區(qū)域中形成至少一個(gè)具有一定深度的硅盲孔105;具體實(shí)施時(shí)，可先利用光刻工藝在第一絕緣層上預(yù)設(shè)硅盲孔的位置暴露出開(kāi)口，光刻工藝主要包括光刻膠的涂布，曝光，顯影等操作。然后，對(duì)該開(kāi)口進(jìn)行深度刻蝕，形成具有一定深度的硅盲孔，刻蝕可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是一類(lèi)較新型，其利用電漿(plasma)來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體材料的蝕刻加工。作為一種優(yōu)選實(shí)施，本實(shí)用新型通過(guò)干法刻蝕形成具有一定深度的硅盲孔。
[0047]D.參見(jiàn)圖4，在第一絕緣層上及所述硅盲孔內(nèi)整面鋪設(shè)一層第二絕緣層402，并暴露出所述功能芯片的焊墊201;第二絕緣層與第一絕緣層的材質(zhì)可以相同，也可以近似。通過(guò)刻蝕或者光刻工藝使第一、第二絕緣層下功能芯片的焊墊暴露出來(lái);優(yōu)選的，硅盲孔中填充第二絕緣層的方式是采用噴涂方式制備。
[0048]E.參見(jiàn)圖5，在硅盲孔填充金屬，并在表面的絕緣層上鋪設(shè)第一金屬重布線(xiàn)501，并使所述第一金屬重布線(xiàn)與所述功能芯片的焊墊電連接，所述第一金屬重布線(xiàn)上形成有焊盤(pán);具體實(shí)施時(shí)，每層金屬重布線(xiàn)的金屬材質(zhì)可以是銅、鎳、靶、金中的一種，形成金屬重布線(xiàn)的方法可以為電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸鍍法、物理汽相沉積中的一種。硅盲孔內(nèi)的金屬填充可以填滿(mǎn)孔也可以只填充一部分;本實(shí)施例考慮到成本原因，盲孔不填滿(mǎn)金屬；
[0049]優(yōu)選的，硅盲孔內(nèi)的金屬重布線(xiàn)的材質(zhì)為鈦、銅。
[0050]F.參見(jiàn)圖6，在所述第一金屬重布線(xiàn)上面制作一層第一鈍化層601，在第一金屬重布線(xiàn)預(yù)設(shè)焊盤(pán)位置打開(kāi)第一鈍化層，制備焊盤(pán)；
[0051]G.參見(jiàn)圖7，對(duì)所述硅基板背面進(jìn)行研磨減薄，使所述硅盲孔中的金屬暴露出來(lái)；硅基板減薄的工藝可以是研磨、干法或濕法刻蝕中的一種或者兩種相結(jié)合；
[0052]H.參見(jiàn)圖8和圖9，在所述硅基板背面鋪設(shè)第三絕緣層403，通過(guò)光刻、顯影，曝光等工藝使所述硅盲孔中金屬暴露出來(lái)，在第三絕緣層上鋪設(shè)第二金屬重布線(xiàn)502，并使其與導(dǎo)電通孔電連接；
[0053]1.參見(jiàn)圖10，在所述第二金屬重布線(xiàn)上面制作一層第二鈍化層602，在第二金屬重布線(xiàn)預(yù)設(shè)焊盤(pán)位置打開(kāi)第二鈍化層，制備焊盤(pán)；
[0054]J.參見(jiàn)圖11，在所述硅基板正面及背面上的焊盤(pán)處形成有電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)7。電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)可以為或焊球或者金屬凸點(diǎn)等，本實(shí)施例中優(yōu)選焊球。形成焊球的方式可以在正面先形成焊球;然后在硅基板背面形成焊球。
[0055]優(yōu)選的，所述第一金屬重布線(xiàn)及所述第二金屬重布線(xiàn)的形成工藝包括在絕緣層上沉積種子金屬層、涂膠、光刻、曝光、顯影、電鍍、去膠、種子層刻蝕?；蛘?，在絕緣層上整面沉積種子金屬層，在種子金屬層上光刻暴露出金屬重布線(xiàn)圖形，在暴露出的金屬重布線(xiàn)圖形上電鍍/化鍍方式形成金屬線(xiàn)路，最后，去除圖形外的種子金屬層，形成金屬重布線(xiàn)。
[0056]形成本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的另一個(gè)方法可以是如下流程:(I)在一個(gè)硅基板上制備垂直通孔互連結(jié)構(gòu)?？卓梢允羌す鉄g的通孔，然后制備絕緣層，種子層，電鍍填充，或者液態(tài)金屬焊料填充，或者導(dǎo)電膠印刷填充。優(yōu)選的，通過(guò)電鍍金屬填充。(2)在所述硅基板上刻蝕制作凹槽，把功能芯片埋入到凹槽內(nèi)。(3)在正面上制備再布線(xiàn)金屬層，至少有一個(gè)功能芯片上的焊盤(pán)與一個(gè)垂直導(dǎo)電通孔電連接;制備鈍化層，在預(yù)設(shè)焊盤(pán)位置打開(kāi)鈍化層，制備焊盤(pán)，印刷焊球或制備金屬凸點(diǎn)。(4)在背面上制備再布線(xiàn)金屬層，金屬布線(xiàn)與垂直導(dǎo)電通孔連接;制備鈍化層，在預(yù)設(shè)焊盤(pán)位置打開(kāi)鈍化層，制備焊盤(pán)，印刷焊球或制備金屬凸點(diǎn)。(5)切割，形成最終單個(gè)封裝體。
[0057]以上實(shí)施例是參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更，但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下，都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種埋入娃基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括一娃基板(I)和至少一功能芯片(2)，所述硅基板(I)具有至少一個(gè)凹槽(103)，所述功能芯片(2)功能面向上嵌入在所述凹槽中，所述功能芯片(2)與所述凹槽之間通過(guò)聚合物粘結(jié)，所述硅基板(I)上凹槽位置外形成有至少一個(gè)穿透硅基板的導(dǎo)電通孔(104)，至少有一個(gè)所述導(dǎo)電通孔(104)與所述功能芯片(2)上的焊墊(201)電連接;所述硅基板(I)正面(101)和背面(102)均具有電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)⑴。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述功能芯片是集成電路芯片或MEMS芯片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹槽的豎直截面形狀為矩形或梯形，且所述凹槽的深度不大于所述硅基板的厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電通孔的軸向垂直所述硅基板的正面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的金屬為鈦、鉭、鉻、鎢、銅、鋁、鎳、金中的一種或幾種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電通孔內(nèi)填充的金屬為低熔點(diǎn)焊料錫、錫銀、錫銅、錫金、錫銦和錫銀銅中的一種。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電通孔內(nèi)由導(dǎo)電膠填充。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電通孔與所述硅基板之間電絕緣。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電性導(dǎo)出結(jié)構(gòu)為焊球、金屬凸點(diǎn)、導(dǎo)電膠中的一種。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅基板正面和背面形成有至少一層金屬布線(xiàn)。
【文檔編號(hào)】H01L23/485GK205488088SQ201620135677
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月23日
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