砷化鎵光敏傳感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型具體涉及光敏傳感器。砷化鎵光敏傳感器，包括光敏傳感器主體，光敏傳感器主體包括至少一個(gè)光敏芯片，光敏芯片外設(shè)有一封裝體，光敏芯片包括基底，基底是由砷化鎵制成的基底；光敏芯片包括一光敏面，光敏面呈一外凸型曲面。本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)的光敏傳感器光敏芯片的基底，將傳統(tǒng)由硅制成的基底改良為由砷化鎵制成的基底，提高了光敏傳感器的性能的性能，信號(hào)傳輸性能優(yōu)異。本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)光敏面的結(jié)構(gòu)，采用外凸型曲面，提高了光敏傳感器的監(jiān)測(cè)范圍。
【專利說明】
砷化鎵光敏傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及光敏傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]砷化鎵是電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料。砷化鎵的電子迀移率比硅大5?6倍。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]現(xiàn)有的光敏傳感器的芯片的基底，往往是由硅制成的，性能不夠優(yōu)異。目前市面上還不存有采用砷化鎵用于光敏傳感器。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于，提供砷化鎵光敏傳感器，以解決上述至少一種問題。
[0005]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
[0006]砷化鎵光敏傳感器，包括光敏傳感器主體，所述光敏傳感器主體包括至少一個(gè)光敏芯片，所述光敏芯片外設(shè)有一封裝體，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由神化嫁制成的基底；
[0007]所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面；
[0008]所述光敏面的橫截面呈一圓心角為5°?10°的圓弧，所述圓弧的半徑為Icm?2cm。
[0009]本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)的光敏傳感器光敏芯片的基底，將傳統(tǒng)由硅制成的基底改良為由砷化鎵制成的基底，提高了光敏傳感器的性能的性能，信號(hào)傳輸性能優(yōu)異。本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)光敏面的結(jié)構(gòu)，采用外凸型曲面，提高了光敏傳感器的監(jiān)測(cè)范圍。保證光敏面的監(jiān)測(cè)精度的同時(shí)，擴(kuò)大監(jiān)測(cè)面。
[0010]所述基底的厚度為230μπι?250μπι。
[0011]本實(shí)用新型優(yōu)化了傳統(tǒng)光敏芯片基底的厚度，在減少厚度的同時(shí)，保證了其性能，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0012]所述封裝體內(nèi)嵌有一溫度傳感器，所述溫度傳感器是一無線溫度傳感器。
[0013]本實(shí)用新型通過溫度傳感器，便于實(shí)現(xiàn)控溫，對(duì)于砷化鎵在高溫情況下具有毒性，本實(shí)用新型通過設(shè)有溫度傳感器便于監(jiān)控光敏芯片的溫度，防止在溫度過高的情況下，污染物的產(chǎn)生。
[0014]所述光敏傳感器主體包括至少四個(gè)光敏芯片，所述至少四個(gè)光敏芯片呈矩陣式排布，相鄰光敏芯片的間距為Imm?1.5mm。
[0015]本實(shí)用新型通過設(shè)有多個(gè)光敏芯片，提高單個(gè)光敏芯片壽命的同時(shí)，擴(kuò)大了傳感精度。
[0016]所述封裝體上設(shè)有信號(hào)輸出端，所述信號(hào)輸出端為導(dǎo)電體，所述封裝體的外壁上設(shè)有由磁鐵構(gòu)成的磁性層，所述磁性層與所述導(dǎo)電體位于所述封裝體的同側(cè)。
[0017]本實(shí)用新型優(yōu)化了傳統(tǒng)光敏傳感器封裝體的結(jié)構(gòu)，保證電性能通信穩(wěn)定性的同時(shí)，便于光敏傳感器的可拆卸。
[0018]所述封裝體的下端部設(shè)有一萬(wàn)向裝置。
[0019]便于實(shí)現(xiàn)光敏傳感器主體不同方向的運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)不同方向的監(jiān)測(cè)。
【附圖說明】
[0020]圖1為本實(shí)用新型的一種部分結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0022]參照?qǐng)D1，砷化鎵光敏傳感器，包括光敏傳感器主體，光敏傳感器主體包括至少一個(gè)光敏芯片11，光敏芯片11外設(shè)有一封裝體12，光敏芯片11包括基底，基底是由砷化鎵制成的基底;光敏芯片11包括一光敏面，光敏面呈一外凸型曲面。本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)的光敏傳感器光敏芯片11的基底，將傳統(tǒng)由硅制成的基底改良為由砷化鎵制成的基底，提高了光敏傳感器的性能的性能，信號(hào)傳輸性能優(yōu)異。本實(shí)用新型通過優(yōu)化傳統(tǒng)光敏面的結(jié)構(gòu)，采用外凸型曲面，提高了光敏傳感器的監(jiān)測(cè)范圍。光敏面的橫截面呈一圓心角為5°?10°的圓弧，圓弧的半徑為Icm?2cm。保證光敏面的監(jiān)測(cè)精度的同時(shí)，擴(kuò)大監(jiān)測(cè)面。
[0023]基底的厚度為230μπι?250μπι。本實(shí)用新型優(yōu)化了傳統(tǒng)光敏芯片11基底的厚度，在減少厚度的同時(shí)，保證了其性能，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0024]封裝體12內(nèi)嵌有一溫度傳感器，溫度傳感器是一無線溫度傳感器。本實(shí)用新型通過溫度傳感器，便于實(shí)現(xiàn)控溫，對(duì)于砷化鎵在高溫情況下具有毒性，本實(shí)用新型通過設(shè)有溫度傳感器便于監(jiān)控光敏芯片11的溫度，防止在溫度過高的情況下，污染物的產(chǎn)生。
[0025]光敏傳感器主體包括至少四個(gè)光敏芯片11，至少四個(gè)光敏芯片11呈矩陣式排布，相鄰光敏芯片11的間距為Imm?1.5mm。本實(shí)用新型通過設(shè)有多個(gè)光敏芯片11，提高單個(gè)光敏芯片11壽命的同時(shí)，擴(kuò)大了傳感精度。
[0026]封裝體12上設(shè)有信號(hào)輸出端，信號(hào)輸出端為導(dǎo)電體14，封裝體12的外壁上設(shè)有由磁鐵構(gòu)成的磁性層13，磁性層13與導(dǎo)電體14位于封裝體12的同側(cè)。本實(shí)用新型優(yōu)化了傳統(tǒng)光敏傳感器封裝體12的結(jié)構(gòu)，保證電性能通信穩(wěn)定性的同時(shí)，便于光敏傳感器的可拆卸。導(dǎo)電體伸出封裝體的長(zhǎng)度等于磁性層的厚度。
[0027]封裝體的下端部設(shè)有一萬(wàn)向裝置。便于實(shí)現(xiàn)光敏傳感器主體不同方向的運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)不同方向的監(jiān)測(cè)。
[0028]光敏芯片從上至下依次設(shè)有上電極層、NiCr導(dǎo)電膜層、η型砷化鎵緩沖層、基底、In或者AuGeNi的合金層、下電極層。實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。NiCr導(dǎo)電膜層的厚度為250μηι?300μηι;η型砷化鎵緩沖層的厚度為260μηι?380μηι;合金層的厚度為250μηι?380μηι。
[0029]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.砷化鎵光敏傳感器，包括光敏傳感器主體，所述光敏傳感器主體包括至少一個(gè)光敏芯片，所述光敏芯片外設(shè)有一封裝體，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由神化嫁制成的基底； 所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面； 所述光敏面的橫截面呈一圓心角為5°?10°的圓弧，所述圓弧的半徑為I Cm?2cm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵光敏傳感器，其特征在于，所述基底的厚度為230μπι?250μπιο3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵光敏傳感器，其特征在于，所述光敏傳感器主體包括至少四個(gè)光敏芯片，所述至少四個(gè)光敏芯片呈矩陣式排布，相鄰光敏芯片的間距為Imm?1.5mm ο4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵光敏傳感器，其特征在于，所述封裝體上設(shè)有信號(hào)輸出端，所述信號(hào)輸出端為導(dǎo)電體，所述封裝體的外壁上設(shè)有由磁鐵構(gòu)成的磁性層，所述磁性層與所述導(dǎo)電體位于所述封裝體的同側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵光敏傳感器，其特征在于，所述封裝體的下端部設(shè)有一萬(wàn)向裝置。
【文檔編號(hào)】H01L31/0304GK205488173SQ201620065350
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】程治國(guó), 王良
【申請(qǐng)人】上海長(zhǎng)翊科技股份有限公司