一種led結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種LED結(jié)構(gòu)，在形成電流擴(kuò)展層之前先形成第一絕緣介質(zhì)層，并在第一絕緣介質(zhì)層上設(shè)置暴露至少部分P型半導(dǎo)體層的第二窗口，將電流擴(kuò)展層設(shè)置于第二窗口之內(nèi)，如此可解決鈍化保護(hù)層在電流擴(kuò)展層的側(cè)壁密封性不佳的問題。同時(shí)，采用此種方式腐蝕電流擴(kuò)展層時(shí)可以實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能，與現(xiàn)有技術(shù)相比，發(fā)光面積更穩(wěn)定，LED結(jié)構(gòu)的亮度一致性更高。
【專利說明】
一種LED結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于光電芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種LED結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，隨著圖案化襯底的使用以及外延技術(shù)的進(jìn)步，發(fā)光二極管(LED)中的外延層晶體質(zhì)量得以顯著的提高。相應(yīng)地，LED的發(fā)光效率得到大幅的提升，在照明應(yīng)用中具有健康、節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。LED已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示屏、液晶背光源、交通指示燈、室外照明等領(lǐng)域，并且開始向室內(nèi)照明、汽車用燈、舞臺(tái)用燈、特種照明等領(lǐng)域滲透。LED的質(zhì)量與襯底結(jié)構(gòu)、外延工藝、電極制作工藝及流程、鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)等息息相關(guān)。鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)是隔離LED器件與外界環(huán)境的保護(hù)層結(jié)構(gòu)，已經(jīng)成為影響LED可靠性和壽命等質(zhì)量的關(guān)鍵因素。
[0003]然而，
【申請(qǐng)人】經(jīng)過長(zhǎng)期研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)仍然是LED器件技術(shù)的薄弱環(huán)節(jié)。在現(xiàn)有技術(shù)中，LED的鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)通常是在電極制作完成后通過PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工藝形成的一層氧化硅或氮化硅的保護(hù)層。PECVD工藝的自然屬性是沉積層的厚度受到表面形貌的影響，在臺(tái)階的側(cè)壁上形成的二氧化硅層或氮化硅層的厚度更薄。因此，LED臺(tái)階的側(cè)壁處不能得到充分的保護(hù)，導(dǎo)致LED出現(xiàn)漏電、失效等問題，嚴(yán)重影響了 LED的良率、成本、可靠性和使用壽命。此類問題在使用環(huán)境的溫濕度或酸堿度變化頻繁的特種照明領(lǐng)域顯得更為突出。為解決上述問題，
【申請(qǐng)人】曾嘗試提高二氧化硅層或氮化硅層的厚度以改善LED器件鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，然而該方法的效果并不明顯，并且，過厚的二氧化硅層或氮化硅層還會(huì)在降低LED器件的發(fā)光亮度的同時(shí)引入附加的應(yīng)力，在LED器件的臺(tái)階側(cè)壁處容易出現(xiàn)二氧化硅層或氮化硅層因應(yīng)力產(chǎn)生的斷裂，從而導(dǎo)致二氧化硅層或氮化硅層隔離不良的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有的技術(shù)問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種LED結(jié)構(gòu)，包括
[0006]襯底；
[0007]外延層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層、有源層以及P型半導(dǎo)體層，所述外延層中形成有至少一個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層的凹槽；
[0008]第一絕緣介質(zhì)層，所述第一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述P型半導(dǎo)體層以及凹槽的表面，所述第一絕緣介質(zhì)層中形成有暴露至少部分凹槽的第一窗口以及暴露至少部分P型半導(dǎo)體層的第二窗口；
[0009]電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層形成于第二窗口內(nèi)的P型半導(dǎo)體層上，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于或等于所述第一絕緣介質(zhì)層的厚度；
[0010]第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層覆蓋所述第一絕緣介質(zhì)層、電流擴(kuò)展層和被第一窗口暴露的N型半導(dǎo)體層，所述第二絕緣介質(zhì)層中形成有第一開孔和第二開孔;以及[0011 ]第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤通過第一開孔與N型半導(dǎo)體層形成電連接，所述第二焊盤通過第二開孔與P型半導(dǎo)體層形成電連接。
[0012]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于或等于所述第一絕緣介質(zhì)層的厚度。
[0013]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述第二開孔貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層，所述第二焊盤與所述電流擴(kuò)展層接觸。
[0014]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述第二開孔貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層和電流擴(kuò)展層，所述第二焊盤與所述P型半導(dǎo)體層接觸。
[0015]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述電流擴(kuò)展層的材質(zhì)為ITO或ZnO中的至少一種。
[0016]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述第一絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為化合物或聚合物中的至少一種。進(jìn)一步的，所述化合物為硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，所述聚合物為聚酰亞胺。
[0017]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述第二絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為化合物或聚合物中的至少一種。進(jìn)一步的，所述化合物為硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，所述聚合物為聚酰亞胺。
[0018]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述第一絕緣介質(zhì)層的厚度比所述電流擴(kuò)展層的厚度大0.1微米。
[0019]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于或等于0.5微米。進(jìn)一步的，所述電流擴(kuò)展層采用濺射工藝形成，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于等于0.1微米;或者，所述電流擴(kuò)展層采用蒸發(fā)工藝形成，所述電流擴(kuò)展層的厚度為0.2?0.3微米。
[0020]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述凹槽的深度大于所述有源層和P型半導(dǎo)體層厚度的總和且小于所述外延層的厚度。
[0021 ]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供LED結(jié)構(gòu)具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0022]—、本實(shí)用新型在形成電流擴(kuò)展層之前先形成了第一絕緣介質(zhì)層，并在第一絕緣介質(zhì)層上設(shè)置了暴露至少部分P型半導(dǎo)體層的第二窗口，將電流擴(kuò)展層設(shè)置于所述第二窗口之內(nèi)，所述第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層共同組成鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)，此方案解決了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在電流擴(kuò)展層的側(cè)壁密封性不佳的問題；同時(shí)，采用此種方式腐蝕電流擴(kuò)展層時(shí)可以實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能，與現(xiàn)有技術(shù)相比，發(fā)光面積更穩(wěn)定，LED結(jié)構(gòu)的亮度一致性更尚;
[0023]二、本實(shí)用新型在形成第二絕緣介質(zhì)膜之后形成焊盤，避免了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在焊盤周圍密封性不佳的問題。
【附圖說明】
[0024]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一中襯底的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成外延層后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成凹槽后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成第一絕緣介質(zhì)膜后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成第一窗口和第二窗口后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成電流擴(kuò)展層后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成光刻膠后的剖面結(jié)構(gòu)圖；[0031 ]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一中圖形化所述光刻膠后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一中腐蝕電流擴(kuò)展層后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0033]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例一中去除光刻膠后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成第二絕緣介質(zhì)層后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖12是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成第一開孔和第二開孔后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0036]圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例一中形成第一焊盤和第二焊盤后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0037]圖14是本實(shí)用新型實(shí)施例二中形成第一開孔和第二開孔后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0038]圖15是本實(shí)用新型實(shí)施例二中形成第一焊盤和第二焊盤后的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0039]圖中:
[0040]襯底-100;
[0041 ]外延層-110; N型半導(dǎo)體層-111;有源層112; P型半導(dǎo)體層-113;凹槽-1 1a ；
[0042]第一絕緣介質(zhì)層-120 ；第一窗口 -120a ；第二窗口 _120b ；
[0043]電流擴(kuò)展層-130;
[0044]光刻膠-140;圖形化的光刻膠-140’；
[0045]第二絕緣介質(zhì)層-150;第一開孔-150a;第二開孔-150b;
[0046]第一焊盤161;第二焊盤162。
【具體實(shí)施方式】
[0047]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的LED結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0048]實(shí)施例一
[0049]參考圖13，并結(jié)合圖1至圖12所示，本實(shí)施例提供的LED結(jié)構(gòu)包括:
[0050]襯底100;
[0051 ]外延層110，所述外延層110包括依次形成于襯底100上的N型半導(dǎo)體層111、有源層112以及P型半導(dǎo)體層113，所述外延層110中形成有至少一個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層111的凹槽I 1a;
[0052]第一絕緣介質(zhì)層120，所述第一絕緣介質(zhì)層120覆蓋所述P型半導(dǎo)體層113以及凹槽IlOa的表面，所述第一絕緣介質(zhì)層120中形成有暴露至少部分凹槽IlOa的第一窗口 120a以及暴露至少部分P型半導(dǎo)體層113的第二窗口 120b;
[0053]電流擴(kuò)展層130，所述電流擴(kuò)展層130形成于第二窗口120b內(nèi)的P型半導(dǎo)體層113上；
[0054]第二絕緣介質(zhì)層150，所述第二絕緣介質(zhì)層150覆蓋所述第一絕緣介質(zhì)層120、電流擴(kuò)展層130和被第一窗口 120a暴露的N型半導(dǎo)體層111，所述第二絕緣介質(zhì)層150中形成有暴露至少部分N型半導(dǎo)體層111的第一開孔150a以及暴露至少部分電流擴(kuò)展層130的第二開孔150b；
[0055]第一焊盤161和第二焊盤162，所述第一焊盤161通過第一開孔150a與N型半導(dǎo)體層111形成電連接，所述第二焊盤162通過第二開孔150b和電流擴(kuò)展層130與P型半導(dǎo)體層113形成電連接。
[0056]優(yōu)選的，所述電流擴(kuò)展層130的厚度小于或等于所述第一絕緣介質(zhì)層120的厚度，即小于或等于第二窗口 120b的深度，更有利于確保鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)在電流擴(kuò)展層130的側(cè)壁的密封性能。
[0057]其中，所述襯底100的材質(zhì)可以為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氧化鋅襯底中的任意一種。所述電流擴(kuò)展層130的材質(zhì)可以為氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(ZnO)中的至少一種。所述第一絕緣介質(zhì)層120的材質(zhì)可以為化合物或聚合物中的至少一種，進(jìn)一步的，所述化合物為硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，所述聚合物可以是聚酰亞胺。同樣，所述第二絕緣介質(zhì)層150的材質(zhì)可以為化合物或聚合物中的至少一種，進(jìn)一步的，所述化合物為硅的氧化物或硅的氮化物或硅的氮氧化物中的一種或多種組合，所述聚合物可以是聚酰亞胺。所述第一絕緣介質(zhì)層120和第二絕緣介質(zhì)層150的材質(zhì)可以相同也可以不相同，在此并不做限定。
[0058]下面將以第一絕緣介質(zhì)層120和第二絕緣介質(zhì)層150均為化合物為例，結(jié)合附圖1?13對(duì)本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)的制作方法作更詳細(xì)的描述。
[0059]如圖1所示，提供一襯底100，所述襯底100可以為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氧化鋅襯底中的任意一種。
[0060]如圖2所示，在所述襯底100上形成依次包括N型半導(dǎo)體層111、有源層112和P型半導(dǎo)體層113的外延層110，所述外延層110可通過金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝、氫化物氣相外延(HVPE)工藝或分子束外延技術(shù)形成。
[0061]如圖3所示，通過刻蝕工藝在所述外延層110中形成至少一個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層111的凹槽110a。優(yōu)選的，所述凹槽IlOa的深度大于所述有源層112和P型半導(dǎo)體層113厚度的總和且小于所述外延層110的厚度。
[0062]如圖4所示，在所述P型半導(dǎo)體層113以及所述凹槽IlOa的表面上形成第一絕緣介質(zhì)層120。所述第一絕緣介質(zhì)層120的材質(zhì)例如是硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物?？赏ㄟ^等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)工藝、濺射工藝或噴涂工藝形成所述第一絕緣介質(zhì)層120，并通過干法刻蝕或濕法刻蝕工藝形成所述第一窗口 120a 和第二窗口 120b。
[0063]如圖5所示，在第一絕緣介質(zhì)層120上形成暴露至少部分凹槽IlOa的第一窗口 120a和暴露至少部分P型半導(dǎo)體層113的第二窗口 120b。
[0064]如圖6所示，在所述第一絕緣介質(zhì)層120以及第一窗口 120a和第二窗口 120b表面形成電流擴(kuò)展層130。所述電流擴(kuò)展層130的材質(zhì)例如為ITO或ZnO中的至少一種，其可通過蒸發(fā)或?yàn)R射工藝形成。其中，所述電流擴(kuò)展層130的厚度小于或等于所述第一絕緣介質(zhì)層120的厚度，例如，第一絕緣介質(zhì)層120厚度比電流擴(kuò)展層130的厚度大0.1微米。優(yōu)選的，所述電流擴(kuò)展層130的厚度小于或等于0.5微米，具體而言，采用濺射工藝形成的電流擴(kuò)展層130的厚度尤其適宜小于等于0.1微米，采用蒸發(fā)工藝形成的電流擴(kuò)展層130的厚度尤其適宜為
0.2?0.3微米。
[0065 ]如圖7所示，在電流擴(kuò)展層130上旋涂光刻膠140。
[0066]如圖8所示，通過曝光和顯影工藝圖形化所述光刻膠140，形成圖形化的光刻膠140’，所述圖形化的光刻膠140’覆蓋所述第二窗口 120b內(nèi)的電流擴(kuò)展層130。
[0067]如圖9所示，通過濕法腐蝕工藝去除未被圖形化的光刻膠140’覆蓋的電流擴(kuò)展層130，S卩，保留第二窗口 120b內(nèi)的電流擴(kuò)展層130。由于本實(shí)施例中在電流擴(kuò)展層130形成之前形成了第一絕緣介質(zhì)層120，并在第一絕緣介質(zhì)層120上設(shè)置了暴露至少部分P型半導(dǎo)體層113的第二窗口 120b，從而將所述電流擴(kuò)展層130設(shè)置于所述第二窗口 120b之內(nèi)，且電流擴(kuò)展層130的厚度小于或等于第一絕緣介質(zhì)層120的厚度，因此解決了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在電流擴(kuò)展層的側(cè)壁密封性不佳的問題。
[0068]另一方面，此方式在電流擴(kuò)展層刻蝕時(shí)可以實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能。具體而言，傳統(tǒng)的電流擴(kuò)展層腐蝕工藝難度較大，是因?yàn)槿绻娏鲾U(kuò)展層130腐蝕不凈容易導(dǎo)致漏電，因此實(shí)踐中通常會(huì)采取過腐蝕的方式，而過腐蝕若控制不當(dāng)則會(huì)導(dǎo)致電流擴(kuò)展層130面積縮小，影響LED發(fā)光亮度。在本實(shí)施例中，圖形化的光刻膠140 ’的邊緣位置與第一絕緣介質(zhì)層120相接觸，第二窗口 120b內(nèi)的電流擴(kuò)展層130被圖形化的光刻膠140’和第一絕緣介質(zhì)層120保護(hù)，即便過腐蝕第二窗口 120b內(nèi)的電流擴(kuò)展層130也不會(huì)被損傷，電流擴(kuò)展層130圖形位置和面積不會(huì)發(fā)生變化，與現(xiàn)有技術(shù)相比，發(fā)光面積更穩(wěn)定，LED的亮度一致性更高。
[0069]如圖10所示，去除圖形化的光刻膠140’，第二窗口120b內(nèi)的電流擴(kuò)展層130被暴露出來。
[0070]如圖11所示，通過PECVD工藝、LPCVD工藝、濺射工藝或噴涂工藝在所述第一絕緣介質(zhì)層120、電流擴(kuò)展層130和被第一窗口 120a暴露的N型半導(dǎo)體層111上形成第二絕緣介質(zhì)層150。所述第二絕緣介質(zhì)層150的材質(zhì)例如是硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物。
[0071]如圖12所示，通過刻蝕工藝在所述第二絕緣介質(zhì)層150上形成暴露至少N型半導(dǎo)體層111的第一開孔150a和暴露至少部分電流擴(kuò)展層130的第二開孔150b。
[0072]如圖13所示，在所述第一開孔150a內(nèi)形成第一焊盤161，在所述第二開孔150b內(nèi)形成第二焊盤162，所述第一焊盤161通過第一開孔150a與N型半導(dǎo)體層111形成電連接，所述第二焊盤162通過第二開孔150b與電流擴(kuò)展層130形成電連接?？赏ㄟ^蒸發(fā)、濺射或噴涂工藝形成金屬薄膜再利用光刻和刻蝕工藝對(duì)其圖形化進(jìn)而形成第一焊盤161和第二焊盤162。本實(shí)施例中，形成第二絕緣介質(zhì)層150之后形成第一焊盤161和第二焊盤162，避免了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在第一焊盤161和第二焊盤162周圍密封性不佳的問題。
[0073]綜上所述，本實(shí)用新型在形成電流擴(kuò)展層之前先形成了第一絕緣介質(zhì)層，并在第一絕緣介質(zhì)層上設(shè)置了暴露至少部分P型半導(dǎo)體層的第二窗口，將所述電流擴(kuò)展層設(shè)置于所述第二窗口之內(nèi)，此方案解決了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在電流擴(kuò)展層的側(cè)壁密封性不佳的問題。另外，采用此種方式刻蝕電流擴(kuò)展層時(shí)可以實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能，與現(xiàn)有技術(shù)相比，發(fā)光面積更穩(wěn)定，LED結(jié)構(gòu)的亮度一致性更高。此外，本實(shí)用新型在形成第二絕緣介質(zhì)膜之后形成焊盤，避免了現(xiàn)有技術(shù)中鈍化保護(hù)層在焊盤周圍密封性不佳的問題?？傊緦?shí)用新型通過優(yōu)化工藝流程及合理設(shè)計(jì)第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，提高了 LED在復(fù)雜使用環(huán)境中的競(jìng)爭(zhēng)力。
[0074]實(shí)施例二
[0075]如圖14和圖15所示，本實(shí)施例中，第二開孔150b貫穿第二絕緣介質(zhì)層150和電流擴(kuò)展層130，暴露P型半導(dǎo)體層113，這樣，第二焊盤162直接與P型半導(dǎo)體層113接觸，可以增加第二焊盤162的粘附性(或牢固性)。
[0076]本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的結(jié)構(gòu)而言，由于與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。
[0077]上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本實(shí)用新型范圍的任何限定，本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 襯底； 外延層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層、有源層以及P型半導(dǎo)體層，所述外延層中形成有至少一個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層的凹槽； 第一絕緣介質(zhì)層，所述第一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述P型半導(dǎo)體層以及凹槽的表面，所述第一絕緣介質(zhì)層中形成有暴露至少部分凹槽的第一窗口以及暴露至少部分P型半導(dǎo)體層的第二窗口； 電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層形成于第二窗口內(nèi)的P型半導(dǎo)體層上； 第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層覆蓋所述第一絕緣介質(zhì)層、電流擴(kuò)展層和被第一窗口暴露的N型半導(dǎo)體層，所述第二絕緣介質(zhì)層中形成有第一開孔和第二開孔;以及 第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤通過第一開孔與N型半導(dǎo)體層形成電連接，所述第二焊盤通過第二開孔與P型半導(dǎo)體層形成電連接。2.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于或等于所述第一絕緣介質(zhì)層的厚度。3.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開孔貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層，所述第二焊盤與所述電流擴(kuò)展層接觸。4.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開孔貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層和電流擴(kuò)展層，所述第二焊盤與所述P型半導(dǎo)體層接觸。5.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層的材質(zhì)為ITO或ZnO。6.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或聚酰亞胺。7.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或聚酰亞胺。8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)層的厚度比所述電流擴(kuò)展層的厚度大0.1微米。9.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層的厚度小于或等于0.5微米。10.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述有源層和P型半導(dǎo)體層厚度的總和且小于所述外延層的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK205508858SQ201620301196
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月11日
【發(fā)明人】李東昇, 丁海生, 馬新剛
【申請(qǐng)人】杭州士蘭明芯科技有限公司