一種銀面高壓平面式mos肖特基二極管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導(dǎo)線、肖特基陰極頭、肖特基陽(yáng)極頭和外殼,所述主芯片固定于所述外殼內(nèi)部,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭分別通過(guò)所述導(dǎo)線連接所述主芯片,所述外殼內(nèi)部設(shè)有第一滑槽和所述第二滑槽,所述肖特基陰極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第一滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部,所述肖特基陽(yáng)極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第二滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部。解決了傳統(tǒng)的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其陽(yáng)極頭和陰極頭比較長(zhǎng),在運(yùn)輸或存放過(guò)程中容易折彎或折斷,大大減少了其使用壽命的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及二極管,特別涉及一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]肖特基二極管,又稱肖特基勢(shì)皇二極管,它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短,正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。傳統(tǒng)的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其陽(yáng)極頭和陰極頭比較長(zhǎng),在運(yùn)輸或存放過(guò)程中容易折彎或折斷,大大減少了其使用壽命O
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,解決了傳統(tǒng)的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其陽(yáng)極頭和陰極頭比較長(zhǎng),在運(yùn)輸或存放過(guò)程中容易折彎或折斷,大大減少了其使用壽命的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供以下的技術(shù)方案:一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其中,包括主芯片、導(dǎo)線、第一滑槽、第二滑槽、肖特基陰極頭、肖特基陽(yáng)極頭和外殼,所述主芯片固定于所述外殼內(nèi)部,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭分別通過(guò)所述導(dǎo)線連接所述主芯片,所述外殼內(nèi)部設(shè)有第一滑槽和所述第二滑槽,所述肖特基陰極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第一滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部,所述肖特基陽(yáng)極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第二滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部。
[0005]優(yōu)選的,所述第一滑槽的內(nèi)壁設(shè)有第一卡槽,所述肖特基陰極頭表面固接有第一彈性卡片,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陰極頭時(shí),所述第一彈性卡片可以卡合在所述第一卡槽內(nèi)。
[0006]優(yōu)選的,所述第二滑槽的內(nèi)壁設(shè)有第二卡槽,所述肖特基陽(yáng)極頭表面固接有第二彈性卡片,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陽(yáng)極頭時(shí),所述第二彈性卡片可以卡合在所述第二卡槽內(nèi)。
[0007]優(yōu)選的,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭平行設(shè)置。
[0008]優(yōu)選的,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭位于所述外殼外部的部分上都套接有橡膠套。
[0009]有益效果:本實(shí)用新型提供了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其中,所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導(dǎo)線、肖特基陰極頭、肖特基陽(yáng)極頭和外殼,使用前,所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭是位于所述外殼內(nèi)部的,可以有效的防止陰極頭和陽(yáng)極頭在運(yùn)輸或存放過(guò)程中折彎或折斷,使用時(shí),將所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭從外殼內(nèi)抽出,所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭表面設(shè)有彈性卡片結(jié)構(gòu),當(dāng)其從外殼抽出時(shí),彈性卡片可以卡合在滑槽內(nèi)的卡槽上,可以增加陰極頭和陽(yáng)極頭的穩(wěn)定性,防止使用時(shí)陰極頭和陽(yáng)極頭縮回外殼內(nèi)部。本實(shí)用新型提供的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管可以有效解決統(tǒng)的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其陽(yáng)極頭和陰極頭比較長(zhǎng),在運(yùn)輸或存放過(guò)程中容易折彎或折斷,大大減少了其使用壽命的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[00?0]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0011 ]圖2是本實(shí)用新型的工作時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中,I主芯片、2外殼、3導(dǎo)線、4第一滑槽、5肖特基陰極頭、6第一彈性卡片、7肖特基陽(yáng)極頭、8第二彈性卡片、9第二滑槽。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0014]圖1和圖2出示本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】:一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其中,包括主芯片1、導(dǎo)線3、肖特基陰極頭5、肖特基陽(yáng)極頭7和外殼2,所述主芯片I固定于所述外殼2內(nèi)部,所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽(yáng)極頭7分別通過(guò)所述導(dǎo)線3連接所述主芯片I,所述外殼2內(nèi)部設(shè)有第一滑槽4和所述第二滑槽9,所述肖特基陰極頭5—部分可滑動(dòng)地置于所述第一滑槽4內(nèi),另一部分延伸至所述外殼2外部,所述肖特基陽(yáng)極頭7—部分可滑動(dòng)地置于所述第二滑槽9內(nèi),另一部分延伸至所述外殼2外部。
[0015]其中,所述第一滑槽4的內(nèi)壁設(shè)有第一卡槽,所述肖特基陰極頭5表面固接有第一彈性卡片6,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陰極頭5時(shí),所述第一彈性卡片6可以卡合在所述第一卡槽內(nèi),所述第二滑槽9的內(nèi)壁設(shè)有第二卡槽,所述肖特基陽(yáng)極頭7表面固接有第二彈性卡片8,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陽(yáng)極頭7時(shí),所述第二彈性卡片8可以卡合在所述第二卡槽內(nèi),所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽(yáng)極頭7平行設(shè)置,所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽(yáng)極頭7位于所述外殼2外部的部分上都套接有橡膠套。
[0016]本實(shí)用新型提供了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其中,所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導(dǎo)線、肖特基陰極頭、肖特基陽(yáng)極頭和外殼,使用前,所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭是位于所述外殼內(nèi)部的,可以有效的防止陰極頭和陽(yáng)極頭在運(yùn)輸或存放過(guò)程中折彎或折斷,使用時(shí),將所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭從外殼內(nèi)抽出,所述肖特基陽(yáng)極頭和所述肖特基陰極頭表面設(shè)有彈性卡片結(jié)構(gòu),當(dāng)其從外殼抽出時(shí),彈性卡片可以卡合在滑槽內(nèi)的卡槽上,可以增加陰極頭和陽(yáng)極頭的穩(wěn)定性,防止使用時(shí)陰極頭和陽(yáng)極頭縮回外殼內(nèi)部。本實(shí)用新型提供的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管可以有效解決統(tǒng)的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其陽(yáng)極頭和陰極頭比較長(zhǎng),在運(yùn)輸或存放過(guò)程中容易折彎或折斷,大大減少了其使用壽命的問(wèn)題。
[0017]以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其特征在于,包括主芯片、導(dǎo)線、第一滑槽、第二滑槽、肖特基陰極頭、肖特基陽(yáng)極頭和外殼,所述主芯片固定于所述外殼內(nèi)部,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭分別通過(guò)所述導(dǎo)線連接所述主芯片,所述外殼內(nèi)部設(shè)有第一滑槽和所述第二滑槽,所述肖特基陰極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第一滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部,所述肖特基陽(yáng)極頭一部分可滑動(dòng)地置于所述第二滑槽內(nèi),另一部分延伸至所述外殼外部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其特征在于,所述第一滑槽的內(nèi)壁設(shè)有第一卡槽,所述肖特基陰極頭表面固接有第一彈性卡片,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陰極頭時(shí),所述第一彈性卡片可以卡合在所述第一卡槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其特征在于,所述第二滑槽的內(nèi)壁設(shè)有第二卡槽,所述肖特基陽(yáng)極頭表面固接有第二彈性卡片,當(dāng)滑動(dòng)所述肖特基陽(yáng)極頭時(shí),所述第二彈性卡片可以卡合在所述第二卡槽內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其特征在于,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭平行設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管,其特征在于,所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽(yáng)極頭位于所述外殼外部的部分上都套接有橡膠套。
【文檔編號(hào)】H01L23/49GK205542759SQ201620108815
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年2月3日
【發(fā)明人】黃仲濬, 蔣文甄
【申請(qǐng)人】泰州優(yōu)賓晶圓科技有限公司