發(fā)光顯示器件的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及發(fā)光顯示器件。一種發(fā)光顯示器件包括一個或多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有位于基板上的透明式的發(fā)光器件，至少部分所述像素區(qū)域設(shè)置有位于所述基板和所述發(fā)光器件之間、能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。
【專利說明】
發(fā)光顯示器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及發(fā)光顯示器件領(lǐng)域，尤其涉及一種可在透明和不透明的顯示類型之間切換的發(fā)光顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前的電致發(fā)光顯示器為自發(fā)光型，不需要背光，這一點與液晶顯示器(IXD)不同，因此可實現(xiàn)重量減輕和尺寸微小化。此外，電致發(fā)光顯示器具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和寬視角，因此作為下一代顯示器受到廣泛關(guān)注。
[0003]發(fā)光顯示器件可以大致分為兩種類型一一透明型和常規(guī)不透明型顯示器。透明型顯示器為頂部和底部同時發(fā)光的器件，具有對可見光的相當(dāng)高的透射率，可被用于諸如抬頭顯示器(head-up display)、智能窗或增強現(xiàn)實(augmented reality)等場景中，但是不能用于不透明顯示。常規(guī)不透明型顯示器只能在一個方向上出光，或者為底部發(fā)光器件，或者為頂部發(fā)光器件，不透明型顯示器雖然具有顯著更高的亮度和效率，但是無法實現(xiàn)透明顯示。其原因在于，常規(guī)不透明型顯示器具有一個帶有反射性表面的電極，該反射性表面將所產(chǎn)生的光反射到另一個透明或半透明電極。而透明顯示器具有兩個透明或半透明電極，因此光通過顯示器的兩個面都可出射。
[0004]現(xiàn)有發(fā)光顯示器件為透明或不透明顯示器件，無法兼顧，操作便利性較差。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的實施例提供一種可在透明和不透明的顯示類型之間切換的發(fā)光顯示器件。通過在用于發(fā)光顯示的像素區(qū)域設(shè)置可切換鏡，使得像素在需要時為透明顯示或不透明顯示，用戶可在同一產(chǎn)品中實現(xiàn)透明和不透明切換，提高操作便利性。
[0006]根據(jù)本實用新型實施例，提供一種發(fā)光顯示器件，其包括多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有位于基板上的透明式的發(fā)光器件，至少部分所述像素區(qū)域設(shè)置有位于所述基板和所述發(fā)光器件之間，能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。
[0007]根據(jù)本實用新型實施例，在發(fā)光顯示器件結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域中并入能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡，像素可以根據(jù)需要而呈現(xiàn)透明顯示或不透明顯示。從而，方便、有效地實現(xiàn)了同一發(fā)光顯示器件在透明和不透明的顯示器類型之間的切換，提高了操作便利性。
[0008]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述可切換鏡為金屬-氫化物可切換鏡。根據(jù)該示例性實施例，通過使用金屬-氫化物可切換鏡，可以利用金屬的高反射性和金屬氫化物的高透射性，方便地實現(xiàn)可切換鏡在反射模式與透射模式之間的切換，從而實現(xiàn)同一發(fā)光顯示器件在透明和不透明的顯示器類型之間的切換。
[0009]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述可切換鏡包括自下而上層疊的底部透明電極、氫存儲電極、質(zhì)子傳導(dǎo)層、在金屬反射狀態(tài)與金屬氫化物透射狀態(tài)之間切換的活性層、以及密封層，其中所述質(zhì)子傳導(dǎo)層和所述密封層相互連接。根據(jù)該示例性實施例，通過對金屬-氫化物可切換鏡施加方向不同的電偏置，可以使得活性層被氫化或脫氫，在被氫化時(即，在金屬氫化物形式下)，活性層呈現(xiàn)金屬氫化物透射狀態(tài)，而在被脫氫時(即，在全金屬形式下)，活性層處于金屬反射狀態(tài)。由此，可以實現(xiàn)發(fā)光顯示器件在透明和不透明的顯示類型之間的切換。
[0010]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述可切換鏡與所述發(fā)光器件正對設(shè)置。通過將可切換鏡設(shè)置為與發(fā)光器件正對彼此，可以使得在透射模式下從發(fā)光器件的與可切換鏡面對的一側(cè)出射的光幾乎全部都經(jīng)歷可切換鏡的透射作用而到達(dá)基板，而在反射模式下從發(fā)光器件的與可切換鏡面對的一側(cè)出射的光幾乎全部都經(jīng)歷可切換鏡的反射作用而被反射回到發(fā)光器件且不能到達(dá)基板。從而，實現(xiàn)在透射模式下的高效透射和在反射模式下的高效反射，即，在每種模式下發(fā)光顯示器件都能夠高效率地工作。
[0011 ]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述可切換鏡與所述發(fā)光器件之間設(shè)置有平坦層，使得所述可切換鏡與所述發(fā)光器件正對設(shè)置。根據(jù)該示例性實施例，平坦層的使用使得可切換鏡與發(fā)光器件基本平行地設(shè)置于基板上，更容易地實現(xiàn)可切換鏡與發(fā)光器件的正對設(shè)置，從而使得在每種模式下發(fā)光顯示器件都能夠進(jìn)一步高效率地工作。
[0012]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述可切換鏡為80-120納米厚。根據(jù)該示例性實施例，可切換鏡不會顯著地改變發(fā)光顯示器件的厚度，由此所產(chǎn)生的顯示器的外部尺寸將不會不同于常規(guī)顯示器。
[0013]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述發(fā)光顯示器件進(jìn)一步包括第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的漏極與所述底部透明電極連接，用于控制所述可切換鏡在透射與反射模式之間切換。根據(jù)該示例性實施例，可以通過第一開關(guān)晶體管對可切換鏡施加電壓，以低的控制電壓方便地實現(xiàn)對可切換鏡的控制以使得可切換鏡在透射與反射模式之間切換。
[0014]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述發(fā)光顯示器件進(jìn)一步包括第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的漏極與所述發(fā)光器件的像素電極連接，用于控制是否向所述發(fā)光器件提供數(shù)據(jù)信號。根據(jù)該示例性實施例，可以通過第二開關(guān)晶體管對發(fā)光器件施加電壓，以低的控制電壓實現(xiàn)對發(fā)光器件的控制且可使得發(fā)光器件的壽命長。
[0015]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的像素電極、發(fā)光層和正對所述像素電極的反電極。根據(jù)該示例性實施例，可以以所屬領(lǐng)域中技術(shù)成熟的發(fā)光二極管技術(shù)實現(xiàn)發(fā)光器件，從而使得本實用新型的發(fā)光顯示器件具有高的成品率和低的成本。
[0016]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述氫存儲電極由WO3、NdM gN i 4- a C ο a、!10.^1().25附().25、2—10?^祖2中的至少之一的氫存儲合金制成，其中:制]\%祖4-3(:03中的&的范圍為0?1.0;2『]?10^(:5祖2中的]\1為￥或10，0.6彡￥彡0.8，0.1彡叉彡0.3，0〈7彡0.2，1.2^Ξζ^Ι.δο這些材料具有高的氫存儲能力，能夠?qū)崿F(xiàn)氫存儲電極的高效儲氫，從而使得可切換鏡具有寬的控制窗口。
[0017]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述質(zhì)子傳導(dǎo)層和所述密封層由Zr02、SrCe03、BaCe O3、BaZr O3中的至少之一的質(zhì)子傳導(dǎo)材料形成，H+能夠填充在所述質(zhì)子傳導(dǎo)材料中的孔中。這些材料具有高的質(zhì)子傳導(dǎo)性，質(zhì)子能夠在這些層中高效地傳導(dǎo)，使得可切換鏡能夠迅速地響應(yīng)于控制信號而在透射模式與反射模式之間切換，實現(xiàn)發(fā)光顯示器件在透明與不透明顯示之間的高速切換。
[0018]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述活性層由GdMg、Mg2N1、YMg、LaMg中的至少之一的材料構(gòu)成。這些材料具有高的活性，可以容易地且可逆地被氫化或脫氫，從而有效地實現(xiàn)可切換鏡在透射模式與反射模式之間切換的功能。
[0019]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述每個像素區(qū)域包括一個或多個子像素區(qū)域，每個所述子像素區(qū)域設(shè)置有一個所述可切換鏡。根據(jù)該示例性實施例，每個像素區(qū)域中的每個子像素區(qū)域都設(shè)置有一個可切換鏡，即，以子像素為單位進(jìn)行透射/反射切換，這可以獨立地控制每個子像素區(qū)域的顯示模式切換，提高發(fā)光顯示器件的顯示靈活性。
[0020]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，所述每個像素區(qū)域為由多個不同顏色子像素形成的像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有一個所述可切換鏡。根據(jù)該示例性實施例，由多個子像素區(qū)域構(gòu)成的每個像素區(qū)域設(shè)置有一個可切換鏡，即，以像素為單位進(jìn)行透射和反射切換，這可以以較少的可切換鏡數(shù)量提供顯示模式切換，即，以低的成本實現(xiàn)發(fā)光顯示器件的透明和不透明切換。
[0021]由上述技術(shù)方案可知，本實用新型實施例通過在用于發(fā)光顯示的像素區(qū)域設(shè)置可切換鏡，使得像素在需要時為透明顯示或不透明顯示，用戶可在同一產(chǎn)品中實現(xiàn)透明和不透明切換，提高操作便利性。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1是在本實用新型實施例的發(fā)光器件中可以使用的開關(guān)晶體管的截面圖；
[0024]圖2是根據(jù)本實用新型實施例的電致發(fā)光顯示器件的一個實例的截面圖；
[0025]圖3是常規(guī)發(fā)光顯示器件的截面圖；以及
[0026]圖4是示出金屬-氫化物可切換鏡的工作原理的截面圖。
【具體實施方式】
[0027]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0028]根據(jù)本實用新型的示例性實施例，提供了一種可在透明和不透明的顯示類型之間切換的發(fā)光顯示器件。所述發(fā)光顯示器件包括多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有位于基板上的透明式的發(fā)光器件，至少部分所述像素區(qū)域設(shè)置有位于所述基板和所述發(fā)光器件之間，能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。
[0029]本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，像素是在圖案化的發(fā)光顯示器結(jié)構(gòu)中能夠發(fā)射光的重復(fù)單元。每個像素可以由一個或多個子像素構(gòu)成。例如，在全色器件中，每個像素可以由三個或更多個不同顏色的子像素構(gòu)成。在單色器件中，每個像素可以由一個子像素構(gòu)成。每個子像素包括發(fā)光器件及其驅(qū)動電路。每個子像素中的發(fā)光器件可以是有機或無機電致發(fā)光(EL)器件。
[0030]下面以每個像素包括一個子像素，并且該子像素包括一個OLED以及作為該OLED的驅(qū)動電路的開關(guān)晶體管為例，參照圖1 一 4對本實用新型的示例性實施例進(jìn)行說明。
[0031]如圖1所示，在本實用新型實施例的發(fā)光顯示器件中可以使用的用于驅(qū)動發(fā)光器件或用于控制可切換鏡的開關(guān)晶體管被設(shè)置在基板20上。基板可以由玻璃或塑料形成。在基板20上形成緩沖層21，在緩沖層21上形成有源層22(有源層22包括溝道區(qū)22a、源極區(qū)22b和漏極區(qū)22c)，并且形成柵極絕緣層23以覆蓋有源層22。在柵極絕緣層23上形成柵電極24，并且形成層間絕緣層25以覆蓋柵電極24。在層間絕緣層25上形成源電極26和漏電極27。源電極26和漏電極27穿過形成在柵極絕緣層23和層間絕緣層25中的接觸孔28而分別接觸有源層22的源極區(qū)22b和漏極區(qū)22c。有源層22可以由無機半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料中的一種形成。源極區(qū)22b和漏極區(qū)22c被摻雜有η型或P型摻雜劑，并且溝道區(qū)22a被形成為接觸源極區(qū)和漏極區(qū)22b和22c。這里，溝道區(qū)22a與源極區(qū)22b和漏極區(qū)22c的集合體稱為有源層22。柵電極24可以由導(dǎo)電金屬或諸如導(dǎo)電聚合物的其他導(dǎo)電材料形成。
[0032]圖2是根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光顯示器件的一個實例的截面圖。該圖中僅示出了一個像素區(qū)域。然而，根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光顯示器件可以包括多個像素區(qū)域。如圖2所示，該發(fā)光顯示器件的至少一個像素區(qū)域設(shè)置有位于基板50上的透明式的發(fā)光器件16，并且設(shè)置有位于基板50和發(fā)光器件16之間的、可在透射與反射模式之間切換的可切換鏡7。
[0033]在本實例中，可在透射與反射模式之間切換的可切換鏡7為金屬-氫化物可切換鏡。這里應(yīng)注意，在本實用新型實施例中，可切換鏡不限于金屬-氫化物可切換鏡，其他類型的可在透射與反射模式之間切換的可切換鏡也可被用于本申請的發(fā)光顯示器件中。
[0034]此外，在本實例中，位于基板50上的透明式的發(fā)光器件16可以為0LED。然而，在本實用新型實施例中，發(fā)光器件不限于0LED。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想其他類型的或無機電致發(fā)光(EL)器件作為發(fā)光器件。
[0035]在圖2中，還示出了用于控制可切換鏡7在透射與反射模式之間切換的開關(guān)晶體管501以及用于控制是否向發(fā)光器件16提供數(shù)據(jù)信號的開關(guān)晶體管502。然而，需要指出，在本實用新型實施例中，可切換鏡7的控制電路和發(fā)光器件16的驅(qū)動電路不限于開關(guān)晶體管，而是也可以為其他控制電路/器件。
[0036]可切換鏡7可以與發(fā)光器件16正對設(shè)置。例如，在可切換鏡7與發(fā)光器件16之間可以設(shè)置有平坦層59，使得可切換鏡7與發(fā)光器件正對設(shè)置。然而，本實用新型實施例也可預(yù)期可切換鏡7不與發(fā)光器件16正對設(shè)置的情況。
[0037]圖2僅僅示出了一個示例性實例，并不旨在限制本實用新型。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解:與一個可切換鏡7正對設(shè)置的發(fā)光器件及其驅(qū)動電路的數(shù)目不限于一個，也可以為兩個或更多個;每個像素區(qū)域可以包括一個或多個子像素區(qū)域，每個所述子像素區(qū)域設(shè)置有一個可切換鏡;或者，每個像素區(qū)域可以為由多個不同顏色子像素形成的像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有一個所述可切換鏡。
[0038]具體而言，在圖2所示的實例中，可以在基板50上設(shè)置緩沖層51，基板50可以由例如玻璃或塑料形成。并且，可以在緩沖層51上設(shè)置開關(guān)晶體管501和502。形成各開關(guān)晶體管501和502時，在緩沖層51上設(shè)置具有預(yù)定圖案的有源層52。在有源層52中的溝道區(qū)54上設(shè)置柵極絕緣層53，并且在柵極絕緣層53的預(yù)定區(qū)域上形成柵電極60。柵電極60被連接到柵極線(未示出)，以將開/關(guān)信號施加到開關(guān)晶體管501和502。在柵電極60上形成層間絕緣層55，并且通過接觸孔將源電極56和漏電極57形成為分別接觸有源層52的源極區(qū)52b和漏極區(qū)52c?？梢栽谠措姌O56和漏電極57上形成由S12或SiNx形成的鈍化層58?？梢栽阝g化層58上形成由諸如亞克力(acryl)、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的物質(zhì)形成的平坦層59。
[0039]接下來，在圖2所示的開關(guān)晶體管501和502上方形成可切換鏡7。在鈍化層58上形成可切換鏡7的底部透明電極72(由ΙΤ0、ΙΖ0等形成)。在底部透明電極72上形成氫存儲電極73，該氫存儲電極73可以由諸如W03、NdMgNi4-aCoa(a的范圍為O?1.0，例如，a = 0.0，0.2，0.4，0.6，0.8，1.0)、110.5八10.25附0.25、2洲10?>#乜(]\1 = ￥或10，且0.6彡￥彡0.8，0.1彡叉彡
0.3，0〈y<0.2，1.2<z<1.5)等中的至少之一的氫存儲合金制成。在氫存儲電極73上形成作為質(zhì)子的離子傳導(dǎo)體的質(zhì)子傳導(dǎo)層(以下稱為質(zhì)子傳導(dǎo)層)74a，該質(zhì)子傳導(dǎo)層74a在氫存儲電極73之上延伸以使質(zhì)子傳導(dǎo)層74a的一部分與鈍化層58接觸。在質(zhì)子傳導(dǎo)層74a上形成能夠在金屬性反射狀態(tài)與金屬氫化物透明狀態(tài)之間切換的活性層75，以使得活性層75的一部分與鈍化層58接觸。舉例而言，活性層75在未被氫化時可以由GdMg形成，在被氫化時可表示為(其中，X可以從0(完全金屬形式)變化到5(完全氫化形式)，即0<x<5)?；钚詫?5未被氫化時的構(gòu)成材料的例子還可包括Mg2N1、YMg、或LaMg等。也就是，活性層可以由GdMg、Mg2N1、YMg、LaMg中的至少之一的材料形成。在活性層75的頂部上形成密封層(以下稱為密封層)74b，同時密封層74b保持與質(zhì)子傳導(dǎo)層74a接觸，S卩，與質(zhì)子傳導(dǎo)層74a連接。這里，質(zhì)子傳導(dǎo)層74a和密封層74b可以由諸如Zr02、SrCe03、BaCe03、BaZr03等中的至少之一的質(zhì)子傳導(dǎo)材料形成，在這些材料中，H+(即，質(zhì)子)可以填充這些傳導(dǎo)材料中的孔。質(zhì)子傳導(dǎo)層74a和密封層74b可以由相同的材料形成。通過接觸孔71將底部透明電極72連接到開關(guān)晶體管501的漏電極57，并且通過引線(未示出)將活性層75連接到電極線。
[0040]也就是，可切換鏡7可包括自下而上層疊的底部透明電極72、氫存儲電極73、作為質(zhì)子的離子傳導(dǎo)層的質(zhì)子傳導(dǎo)層74a、在金屬反射狀態(tài)與金屬氫化物透射狀態(tài)之間切換的活性層75、以及密封層74b，其中質(zhì)子傳導(dǎo)層74a和密封層74b相連。
[0041]在圖2所示的實例中，該發(fā)光顯示器件可以包括第一開關(guān)晶體管501，該第一開關(guān)晶體管501的漏電極57與底部透明電極72連接，用于控制可切換鏡7在透射與反射模式之間切換。
[0042]可切換鏡7可以使用超高真空(UHV)電子槍沉積、脈沖激光沉積或濺射等方法形成，這使得其容易應(yīng)用于發(fā)光器件制造工藝。
[0043]整個可切換鏡7形成極薄的膜，其厚度可以為80-120納米，例如，約100納米。因此可切換鏡不會顯著地改變電致顯示器件的厚度，由此所產(chǎn)生的顯示器的外部尺寸將不會不同于常規(guī)顯示器。
[0044]在鈍化層58上形成金屬-氫化物可切換鏡7之后，在所形成的結(jié)構(gòu)上形成由諸如亞克力(acryl)、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的物質(zhì)形成的層并對其進(jìn)行平面化，從而形成平坦層59。
[0045]接下來，在平坦層59上形成發(fā)光器件(在本實例中，為0LED)16。具體而言，在平坦層59上形成圖案化的像素限制層160，該像素限制層160具有可以與可切換鏡7正對的開口。在像素限制層160的開口中形成像素電極162、發(fā)光層163以及正對像素電極162的反電極164。像素電極162可以通過接觸孔161被連接到開關(guān)晶體管502的漏電極57并從漏電極57接收例如正電壓。反電極164可以覆蓋整個像素電極162并且向像素電極162供應(yīng)例如負(fù)電壓。
[0046]像素電極162與反電極164通過發(fā)光層163而彼此絕緣，并且當(dāng)像素電極162與反電極164向發(fā)光層163施加具有不同極性的電壓時，發(fā)光層163發(fā)光。
[0047]也就是，本實用新型實施例的發(fā)光顯示器件16可以包括第二開關(guān)晶體管502，該第二開關(guān)晶體管502的漏電極57與發(fā)光器件16的像素電極162連接，用于控制是否向發(fā)光器件16提供數(shù)據(jù)信號。
[0048]此外，當(dāng)根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光顯示器件包括第一開關(guān)晶體管501和第二開關(guān)晶體管502時，第一開關(guān)晶體管501和第二開關(guān)晶體管502可以在相同的制造工藝中形成，從而節(jié)省工藝步驟，降低生產(chǎn)成本。
[0049]如果通過與開關(guān)晶體管501的漏電極57連接的底部透明電極72和被連接到引線的活性層75對可切換鏡7施加電偏置而使得底部透明電極72變?yōu)閹д姾汕一钚詫?5變?yōu)閹ж?fù)電荷，則氫開始從存儲電極73流到活性層75中，在活性層75中形成金屬氫化物，即活性層75氫化。當(dāng)活性層75氫化時，金屬-氫化物可切換鏡7變?yōu)橥该鞯?，處于光學(xué)開狀態(tài)，最大透射率為90%。此時，從發(fā)光器件16的像素電極162出射的光可以透射通過透明的金屬-氫化物可切換鏡7，并進(jìn)而同時從基板50和反電極164出射，使得圖2所示的發(fā)光顯示器件整體透明，即，處于透明顯示模式。
[0050]另一方面，如果通過與開關(guān)晶體管501的漏電極57連接的底部透明電極72和被連接到引線的活性層75對可切換的金屬-氫化物可切換鏡7施加電偏置而使得底部透明電極72變?yōu)閹ж?fù)電荷且活性層75變?yōu)閹д姾?，則氫開始從活性層75流到存儲電極73中，活性層75變?yōu)榻饘傩缘?，S卩，活性層75被脫氫。當(dāng)活性層75為金屬性(被脫氫)時，金屬-氫化物可切換鏡7變?yōu)榻饘俜瓷湫缘模幱诠鈱W(xué)關(guān)狀態(tài)，最大反射率為70%。此時，從發(fā)光器件16的像素電極162出射的光被金屬-氫化物可切換鏡7的金屬反射性的活性層75反射而向后折返回到像素電極162，并進(jìn)而僅從反電極164出射，使得圖2所示的發(fā)光顯示器件不透明，S卩，處于不透明顯示模式。
[0051]以此方式，可以通過可切換鏡7的控制電路(例如，開關(guān)晶體管501)來控制底部透明電極72和活性層75上所帶電荷的極性，使可切換鏡7在透射狀態(tài)與反射狀態(tài)之間切換，從而使得本實用新型實施例所提供的發(fā)光顯示器件在透明與不透明顯示模式之間自由地切換。
[0052]在上述制造方法中，各步驟中所使用的工藝為所屬領(lǐng)域中常規(guī)的工藝，對此不進(jìn)行具體限制。
[0053]為了與本實用新型的示例性實施例進(jìn)行比較，圖3示出了常規(guī)電致發(fā)光顯示器件的截面圖，其中不具有如圖2中所示出的可切換鏡7以及用于向金屬-氫化物可切換鏡7提供控制電壓的開關(guān)晶體管501。
[0054]很明顯，在圖3所示的常規(guī)電致發(fā)光顯示器件中，不存在可以在透射狀態(tài)與反射狀態(tài)之間切換的可切換鏡，因而不能在透明顯示模式與常規(guī)不透明顯示模式之間切換。
[0055]圖4是示意性示出金屬-氫化物可切換鏡的工作原理的截面圖。當(dāng)在正向上施加電偏置以使得底部透明電極72作為正電極(陽極)工作且活性層75作為負(fù)電極(陰極)工作時，氫開始通過質(zhì)子傳導(dǎo)層74a而從氫存儲電極73流到活性層75中。隨著質(zhì)子濃度增大，活性層75變?yōu)楸粴浠⑶页尸F(xiàn)透明的金屬氫化物的形式。當(dāng)施加反向電偏置以使得底部透明電極72作為負(fù)電極(陰極)工作且活性層75作為正電極(陽極)工作時，氫開始通過質(zhì)子傳導(dǎo)層74a而從活性層75流到氫存儲電極73中。經(jīng)過該脫氫作用，活性層75呈現(xiàn)其金屬形式，變?yōu)楦叻瓷湫早R狀膜。
[0056]在其氫化形式下，金屬-氫化物可切換鏡在可見光范圍內(nèi)的最大透射率為90%，例如，透射率可以為60-90%，并且整個電致發(fā)光顯示器件變?yōu)橥该黠@示器。在其金屬形式下，金屬-氫化物可切換鏡在可見光范圍內(nèi)的最大反射率為70%，例如，反射率可以為50-70%，并且整個電致發(fā)光顯示器件變?yōu)槌Ｒ?guī)不透明型顯示器。
[0057]如上所述，通過將可切換鏡并入發(fā)光顯示器件結(jié)構(gòu)中，方便、有效地實現(xiàn)了發(fā)光顯示器件在透明和不透明的顯示器類型之間的切換。
[0058]本實用新型的說明書中，說明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本實用新型的實施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實踐。在一些實例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對本說明書的理解。
[0059]最后應(yīng)說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光顯示器件，包括一個或多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有位于基板上的透明式的發(fā)光器件，其特征在于， 至少部分所述像素區(qū)域設(shè)置有位于所述基板和所述發(fā)光器件之間，能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡為金屬-氫化物可切換鏡。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡包括自下而上層疊的底部透明電極、氫存儲電極、質(zhì)子傳導(dǎo)層、在金屬反射狀態(tài)與金屬氫化物透射狀態(tài)之間切換的活性層、以及密封層，其中所述質(zhì)子傳導(dǎo)層和所述密封層相互連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡與所述發(fā)光器件正對設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡與所述發(fā)光器件之間設(shè)置有平坦層，使得所述可切換鏡與所述發(fā)光器件正對設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡為80-120納米厚。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的漏電極與所述底部透明電極連接，用于控制所述可切換鏡在透射與反射模式之間切換。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的漏電極與所述發(fā)光器件的像素電極連接，用于控制是否向所述發(fā)光器件提供數(shù)據(jù)信號。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的像素電極、發(fā)光層和正對所述像素電極的反電極。10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述氫存儲電極由WO3、NdMgNi4-3(:03、11().^1().25附().25、2—10?^祖2中的至少之一的氫存儲合金制成，其中: NdMgNi4-aCoa* 的a的范圍為O?1.0; 2『]?10?^祖2中的]\1為￥或10，0.6彡￥彡0.8，0.1彡叉彡0.3，0〈7彡0.2，1.2彡2彡1.5。11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述質(zhì)子傳導(dǎo)層和所述密封層由Zr02、SrCe03、BaCe03、BaZr03中的至少之一的質(zhì)子傳導(dǎo)材料形成，H+能夠填充在所述質(zhì)子傳導(dǎo)材料中的孔中。12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述活性層由GdMg、Mg2N1、YMg、LaMg中的至少之一的材料形成。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述每個像素區(qū)域包括一個或多個子像素區(qū)域，每個所述子像素區(qū)域設(shè)置有一個所述可切換鏡。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述每個像素區(qū)域為由多個不同顏色子像素形成的像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域設(shè)置有一個所述可切換鏡。
【文檔編號】H01L27/32GK205542787SQ201620179429
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年3月9日
【發(fā)明人】鮑里斯·克里斯塔爾
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司