一種背結(jié)n型晶體硅太陽(yáng)能電池和組件及其系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池和組件及其系統(tǒng)。本實(shí)用新型的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)，背面電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與p+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸；N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，正面電極包括與n+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲。其有益效果是：本實(shí)用新型得到的電池結(jié)構(gòu)可提高電池的開(kāi)路電壓，同時(shí)還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池和組件及其系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別涉及一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池和組件及其系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是一種能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。目前，業(yè)界的主流產(chǎn)品為P型晶體硅電池。該電池工藝簡(jiǎn)單，但是具有光致衰減效應(yīng)，即電池的效率會(huì)隨著時(shí)間的增加而逐漸衰減，這主要是由于摻入P型硅襯底中的硼原子與襯底中的氧原子相結(jié)合產(chǎn)生硼氧對(duì)的結(jié)果。研究表明，硼氧對(duì)起著載流子陷阱作用，使少數(shù)載流子壽命降低，從而導(dǎo)致了電池光電轉(zhuǎn)換效率的衰減。相對(duì)于P型晶體硅電池，N型晶體硅電池具有光致衰減小、耐金屬雜質(zhì)污染性能好、少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]N型晶體硅電池分為前結(jié)型和背結(jié)型兩種。其中背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)為n+/n/p+結(jié)構(gòu)，其正表面為η+摻雜層，背表面為ρ+摻雜層。η+摻雜層一般采用銀漿制作電極，P+摻雜層一般采用摻鋁銀漿制作電極，銀漿和摻鋁銀漿的價(jià)格都較為昂貴，這導(dǎo)致含銀漿料在電池制造成本中的占比居高不下。另外，摻鋁銀漿雖然可以和P+摻雜層形成較好的歐姆接觸，但其下方的金屬?gòu)?fù)合非常嚴(yán)重，這會(huì)損失較大一部分的開(kāi)路電壓。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池和組件及其系統(tǒng)。所述的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法可以提高電池的開(kāi)路電壓，同時(shí)還能夠顯著地降低含銀漿料的使用量，從而降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本。
[0005]本發(fā)提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其技術(shù)方案為:
[0006]本實(shí)用新型提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)，背面鋁電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，正面電極包括與η+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲;所述N型晶體硅基體的長(zhǎng)度與厚度的比值為300:1?10000: I。
[0007]其中，金屬絲通過(guò)銀與η+摻雜區(qū)域電連接。
[0008]其中，正面電極包括分段副柵，金屬絲通過(guò)分段副柵與η+摻雜區(qū)域電連接。
[0009]其中，正面電極包括分段副柵和設(shè)置在分段副柵上熱敏導(dǎo)電層，分段副柵與η+摻雜區(qū)域電連接;金屬絲與熱敏導(dǎo)電層電連接。
[0010]其中，分段副柵是銀分段副柵;熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲。
[0011]其中，金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種。
[0012]其中，槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20_60μπι。
[0013]其中，鈍化減反膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜，鈍化膜是Si02、SiNx或AI2O3介質(zhì)膜中的一種或多種。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池。
[0015]本實(shí)用新型還提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0016]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0017]本實(shí)用新型提出的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其優(yōu)點(diǎn)在于:1、在背表面鈍化膜上開(kāi)槽并印刷鋁漿，鋁漿僅在開(kāi)槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比，本實(shí)用新型方法可提高電池的開(kāi)路電壓，同時(shí)還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。2、正表面η+摻雜層的金屬化舍棄常規(guī)的印刷銀漿制作主柵和副柵的方法，通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵線電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟二后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0020]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟三后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0021]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟二中開(kāi)槽后的連續(xù)的線條狀圖案示意圖。
[0022]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟二中開(kāi)槽后的非連續(xù)的線條狀圖案示意圖。
[0023]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟二中開(kāi)槽后的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀圖案示意圖。
[0024]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟二中開(kāi)槽后的錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀圖案示意圖。
[0025]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例1的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(a)后的粘附有銀漿的金屬絲示意圖。
[0026]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例1的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0027]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例2的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(a)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0028]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例2的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0029]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例3的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(a)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0030]圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例3的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0031]圖14為本實(shí)用新型實(shí)施例3的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四(C)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說(shuō)明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本實(shí)用新型的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0033]參見(jiàn)圖1至圖14所示，本實(shí)施例還提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體10，N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18;Ν型晶體硅基體10的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極28、背面鋁電極22和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)，背面鋁電極22填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與ρ+摻雜區(qū)域16形成歐姆接觸，所述N型晶體硅基體的長(zhǎng)度與厚度的比值為300:1?10000: I ；具體數(shù)值可以選擇300: I ； 125: 0.18 ； 156:
0.18 ； 156: I ； 1560: 5 ； 1560: I ； 10000: I川型晶體硅基體10的正表面包括正面電極，正面電極包括與η+摻雜區(qū)域12歐姆接觸的金屬絲26。本實(shí)施例中，槽狀結(jié)構(gòu)的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖4所示)、非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖5所示)、非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖6所示)或者錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖7所示型晶體硅基體10的背表面包括多個(gè)穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)，多個(gè)槽狀結(jié)構(gòu)相互平行。優(yōu)選地，槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20-60μπι。
[0034]本實(shí)施例中，金屬絲26與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的結(jié)構(gòu)是金屬絲26通過(guò)銀直接與η+摻雜區(qū)域12電連接;或者正面電極包括分段副柵27，金屬絲26通過(guò)分段副柵27與η+摻雜區(qū)域12電連接，分段副柵27是銀;或者正面電極包括分段副柵27和設(shè)置在分段副柵上熱敏導(dǎo)電層29，分段副柵27與η+摻雜區(qū)域12電連接，金屬絲26與熱敏導(dǎo)電層29連接，從而實(shí)現(xiàn)金屬絲26與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸。熱敏導(dǎo)電層29是錫膏，金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲，鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲可以選擇錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種，錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種。
[0035]本實(shí)施例中分段副柵的圖案形狀可以與槽狀結(jié)構(gòu)的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。分段副柵27的形狀可以是非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)的圓點(diǎn)的直徑為30-300微米，金屬絲的直徑為40-80微米;分段副柵的形狀是非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)，非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)的線條的長(zhǎng)度為30-300微米，非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)的線條的寬度為30-300微米;非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)的線條垂直于金屬絲、平行金屬絲或者與金屬絲成角度設(shè)置;非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)的圓點(diǎn)和/或非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)的線條是有規(guī)則的陣列或者無(wú)規(guī)則的陣列。
[0036]本實(shí)施例中，鈍化減反膜14是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜，鈍化膜18是Si02、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中的一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50-300μπι;ρ+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5-2.Ομπι;鈍化減反膜14的厚度為70-1 1nm;鈍化膜18的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5-2.0ym。
[0037]本實(shí)施例的有益效果是:1、在背表面鈍化膜上開(kāi)槽并印刷鋁漿，鋁漿僅在開(kāi)槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比，本實(shí)用新型方法可提高電池的開(kāi)路電壓，同時(shí)還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。2、正表面η+摻雜層的金屬化舍棄常規(guī)的印刷銀漿制作主柵和副柵的方法，通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵線電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0038]實(shí)施例1
[0039 ]參見(jiàn)圖1至圖7、圖8和圖9所示，本實(shí)施例中的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法包括如下步驟:
[0040](I)、制備金屬化前的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體10，Ν型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18。其中正表面的鈍化減反膜14是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜，背表面的鈍化膜18是Si02、SiNx和Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι;η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?2.Ομπι;正表面鈍化減反膜14的厚度為70?I 1nm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm;P+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.Ομπι。完成步驟(I)后的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0041](2)、在背表面的鈍化膜18上開(kāi)槽形成槽狀結(jié)構(gòu)，開(kāi)槽方式可選用激光法或者漿料刻蝕法，并確保其完全穿透背表面鈍化膜18但不破壞ρ+摻雜區(qū)域16的表面。開(kāi)槽的圖案形狀為連續(xù)線條狀(如圖4)，其寬度為20-60um，長(zhǎng)度為154mm。這些連續(xù)線條互相平行，間距1.95mm，共設(shè)置80根。開(kāi)槽圖案的形狀也可以為非連續(xù)線條狀(如圖5所示)，可以是有規(guī)則陣列排列的非連續(xù)圓點(diǎn)(如圖6所示)，還可以是無(wú)規(guī)則錯(cuò)位排列的非連續(xù)圓點(diǎn)(如圖7所示)。本實(shí)施例中，使用刻蝕漿料在N型晶體硅基體的背表面形成穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)的方法是印刷完刻蝕漿料后在溫度為100-400 °C的條件下烘干，烘干的時(shí)間為1-10分鐘，將烘干后的N型單晶硅基體放入清洗設(shè)備中去除殘余的刻蝕漿料并進(jìn)行清洗烘干。完成步驟(2)后的電池結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0042](3)、在N型晶體硅基體10的背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極22并烘干。背面鋁電極22可以覆蓋整個(gè)N型晶體硅基體10的背表面，背面鋁電極22也可以只覆蓋背面開(kāi)槽區(qū)域。在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷背面銀主柵電極28并烘干，背面銀主柵電極28用于電池之間的焊接。完成步驟(3)后的電池結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0043](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0044](a)如圖8所示，將可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿24粘附在金屬絲26的一側(cè)，粘附在金屬絲26上的銀漿24可以非連續(xù)的沾附在金屬絲上，亦可以連續(xù)地沾附在金屬絲上；金屬絲26的截面形狀可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以是方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲。
[0045](b)、如圖9所示，將多條沾附有銀漿24的金屬絲26等間距平行貼附在N型晶體硅基體1的正表面并烘干，金屬絲26之間的間距為1-3mm;
[0046](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié)，燒結(jié)的峰值溫度不高于900 C。至此，完成背結(jié)N型晶體娃太陽(yáng)能電池的制備。
[0047]實(shí)施例2
[0048]參見(jiàn)圖1至圖7、圖10和圖11所示，本實(shí)施例中的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法包括如下步驟:
[0049]步驟(I)?(3)與實(shí)施例1相同，此處不再贅述。
[0050](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0051](a)如圖10所示，使用可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27。分段副柵27的長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線條組成，每段線條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。本實(shí)施例中，分段副柵27由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑為30-300微米。本實(shí)施例中分段副柵27的圖案形狀可以與槽狀結(jié)構(gòu)的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。
[0052](b)、如圖11所示，在分段副柵27上一一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)金屬絲26形成連續(xù)的副柵線。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長(zhǎng)度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設(shè)時(shí)務(wù)必使金屬絲26接觸分段副柵27上的銀漿層。
[0053](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié)，燒結(jié)的溫度不高于900C ο至此，完成背結(jié)N型晶體娃太陽(yáng)能電池的制備。
[0054]實(shí)施例3
[0055]參見(jiàn)圖1至圖7、圖12至圖14所示，本實(shí)施例中的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法包括如下步驟:
[0056]步驟(I)?(3)與實(shí)施例1相同，此處不再贅述。
[0057](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0058](a)如圖12所示，使用可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27并進(jìn)行燒結(jié)。分段副柵27的長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線條組成，每段線條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。分段副柵27還也可以由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑30-300微米。燒結(jié)的溫度不高于900°C。本實(shí)施例中分段副柵的圖案形狀可以與槽狀結(jié)構(gòu)的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。
[0059](b)、如圖13所示，將步驟(a)處理后的N型晶體硅基體10置于印刷機(jī)，印刷熱敏導(dǎo)電層29，熱敏導(dǎo)電層29優(yōu)選錫膏導(dǎo)電層。熱敏導(dǎo)電層29的過(guò)墨圖案可以為非連續(xù)的線條，每段線條長(zhǎng)40-300微米，寬40-300微米。熱敏導(dǎo)電層29的過(guò)墨圖案還也可以為非連續(xù)的圓點(diǎn)，圓點(diǎn)直徑40-300微米。印刷時(shí)務(wù)必使過(guò)墨后的熱敏導(dǎo)電層29位于分段副柵27上。
[0060](C)、如圖14所示，在熱敏導(dǎo)電層29上一一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)金屬絲26形成連續(xù)的副柵線。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長(zhǎng)度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設(shè)時(shí)務(wù)必使金屬絲26接觸熱敏導(dǎo)電層29。
[0061](d)、對(duì)步驟(C)后的N型晶體硅基體10進(jìn)行加熱，使得金屬絲26、熱敏導(dǎo)電層29和分段副柵27三者形成歐姆接觸。加熱方式采用紅外加熱，回流峰值溫度為183-250度。至此，完成背結(jié)N型晶體娃太陽(yáng)能電池的制備。
[0062]本實(shí)施例還提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下連接的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池。本實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0063]本實(shí)施例還提供了一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)施例的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。
[0064]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu)，背面鋁電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;所述N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，所述正面電極包括與所述η+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲;所述N型晶體硅基體的長(zhǎng)度與厚度的比值為300:1?10000:1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述金屬絲通過(guò)銀與所述η+摻雜區(qū)域電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵，所述金屬絲通過(guò)分段副柵與所述η+摻雜區(qū)域電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵和設(shè)置在分段副柵上的熱敏導(dǎo)電層，所述分段副柵與所述η+摻雜區(qū)域電連接;所述金屬絲與所述熱敏導(dǎo)電層電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述分段副柵是銀分段副柵;所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，所述金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲。6.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種。7.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20-60μηι。8.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述鈍化減反膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜，所述鈍化膜是S12、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中的一種或多種。9.一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池是權(quán)利要求1-8任一所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池。10.—種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，其特征在于:所述背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是權(quán)利要求9所述的一種背結(jié)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK205542810SQ201620312960
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月14日
【發(fā)明人】林建偉, 孫玉海, 劉志鋒, 季根華, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來(lái)光電科技有限公司