發(fā)光二極管封裝體的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管封裝體，包括：基板；貼裝于所述基板上的一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片；熒光體板，其配置于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片上，對(duì)所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換；及壁部，其配置于所述基板上，包圍所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片；所述熒光體板覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的整個(gè)上面，所述熒光體板的寬度大于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的寬度。根據(jù)本實(shí)用新型，由于熒光體板的寬度大于發(fā)光二極管芯片，因而發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光可以全部通過(guò)熒光體板而釋放到外部，具有能夠防止發(fā)生發(fā)光二極管封裝體釋放的光的色差的效果。
【專利說(shuō)明】
發(fā)光二極管封裝體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管封裝體，更詳細(xì)而言，涉及一種不發(fā)生釋放到外部的光的色差的發(fā)光二極管封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管作為釋放因電子與空穴復(fù)合而發(fā)生的光的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體元件，最近正在顯示裝置、汽車燈、乃至普通照明的多樣領(lǐng)域中使用。這種發(fā)光二極管具有壽命長(zhǎng)、耗電低、響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。因此，利用發(fā)光二極管的發(fā)光裝置有望替代原有的光源。
[0003]利用發(fā)光二極管的發(fā)光二極管芯片，根據(jù)電極位置及結(jié)構(gòu)而分為水平型發(fā)光二極管芯片、倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片及豎直型發(fā)光二極管芯片，其中，倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片由于電極位于下部，因而具有可以直接貼裝于基板上使用的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步地，倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片在水平方向上充分發(fā)生電流分散，具有散熱效率良好的優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于高功率發(fā)光裝置。
[0004]而且，為了利用如上所述的發(fā)光二極管芯片，用于釋放白色光或其它波長(zhǎng)的光的發(fā)光裝置，可以在發(fā)光二極管芯片上部配置有熒光體。此時(shí)，以往主要使用把熒光體涂布于發(fā)光二極管芯片上部，或在包圍發(fā)光二極管芯片的反射杯的內(nèi)部注入包含熒光體的樹脂的方法。
[0005]可是，如上所述把包含熒光體的樹脂涂布于發(fā)光二極管芯片上部而形成的情形，由于在樹脂硬化過(guò)程中熒光體沉淀等，熒光體無(wú)法在樹脂內(nèi)均勻分布。因此，當(dāng)發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光激發(fā)熒光體并釋放到外部時(shí)，會(huì)出現(xiàn)發(fā)生熒光體的比重高的區(qū)域與低的區(qū)域間的色差的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]技術(shù)問(wèn)題
[0007]本實(shí)用新型要解決的課題是提供一種發(fā)光二極管封裝體，當(dāng)發(fā)光二極管芯片發(fā)生的光通過(guò)熒光體而激發(fā)時(shí)，能夠不發(fā)生色差。
[0008]技術(shù)方案
[0009]本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管封裝體，包括:基板;貼裝于所述基板上的一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片；熒光體板，其配置于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片上，對(duì)所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換;及壁部，其配置于所述基板上，包圍所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片；所述熒光體板覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的整個(gè)上面，所述熒光體板的寬度大于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的寬度。
[0010]技術(shù)效果
[0011 ]根據(jù)本實(shí)用新型，由于熒光體板的寬度大于發(fā)光二極管芯片，因而發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光可以全部通過(guò)熒光體板釋放到外部，具有能夠防止發(fā)生發(fā)光二極管封裝體釋放的光的色差的效果。
[0012]進(jìn)一步地，在發(fā)光二極管芯片的上部貼裝的熒光體板大于發(fā)光二極管芯片寬度地形成，當(dāng)把熒光體板貼裝于發(fā)光二極管芯片的上部時(shí)，具有即使與發(fā)光二極管芯片的對(duì)齊不準(zhǔn)確，發(fā)光二極管發(fā)光的光也能夠通過(guò)熒光體板釋放到外部的效果。
[0013]另外，隨著熒光體板大于發(fā)光二極管芯片地形成，在與包圍發(fā)光二極管芯片的壁部之間形成空間，發(fā)光二極管芯片釋放的光在壁部反射，向發(fā)光二極管芯片上部方向反射，因而具有能夠提高發(fā)光二極管封裝體的光效率的效果。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是圖示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的立體圖；
[0015]圖2是圖示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖；
[0016]圖3是用于說(shuō)明本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的把熒光體板貼裝于發(fā)光二極管芯片的情形的圖。
[0017]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0018]100:發(fā)光二極管封裝體110:基板
[0019]111:基底112:第一引線
[0020]113:第二引線114:第一基板墊
[0021]115:第二基板墊116:第一通孔
[0022]117:第二通孔118:散熱墊
[0023]120:發(fā)光二極管芯片 130:熒光體板
[0024]140:壁部140a:反射面
[0025]150:透鏡152:板部
[0026]154:圓頂部G:間隙
[0027]A:對(duì)齊點(diǎn)
【具體實(shí)施方式】
[0028]本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體可以包括:基板;貼裝于所述基板上的一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片；熒光體板，其配置于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片上，對(duì)所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換;及壁部，其配置于所述基板上，包圍所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片;所述熒光體板可以覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的上面全體，所述熒光體板的寬度可以大于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的寬度。
[0029]此時(shí)，所述壁部可以覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的側(cè)面中至少一者的一部分。
[0030]另外，所述壁部可以覆蓋所述熒光體板側(cè)面中至少一者的一部分，所述壁部可以覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面中至少一者的一部分，使得形成被所述熒光體板、發(fā)光二極管芯片及壁部包圍的間隙。此時(shí)，所述間隙可以包圍所述發(fā)光二極管芯片外周面的至少一部分。
[0031]其中，包圍所述間隙的壁部的內(nèi)側(cè)面可以為反射面，所述反射面可以以向所述發(fā)光二極管芯片方向凸出的形狀形成。
[0032]另外，所述熒光體板可以包含一種以上的熒光體。
[0033]而且，所述熒光體板的中心可以與所述發(fā)光二極管芯片的中心一致，或者所述熒光體板的中心可以偏離所述發(fā)光二極管芯片的中心。
[0034]另外，所述基板可以包括用于排列所述熒光體板的對(duì)齊點(diǎn)。
[0035]而且，所述基板可以包括:基底;第一引線及第二引線，其在所述基底上面形成，與所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片電連接;及第一基板墊及第二基板墊，其在所述基底下面形成，分別與所述第一引線及第二引線電連接。
[0036]此時(shí)，所述基板可以還包括第一通孔及第二通孔，所述第一通孔及第二通孔貫通所述基底，使所述第一引線及第二引線分別與所述第一基板墊及第二基板墊電連接;在所述基底下面可以還包括對(duì)所述發(fā)光二極管芯片發(fā)生的熱進(jìn)行散熱的散熱墊。
[0037]另外，可以還包括透鏡，所述透鏡在所述基板上部覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，使所述發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光射出，所述透鏡可以包括:板部，其覆蓋所述發(fā)光二極管芯片；及圓頂部，其在所述板部上部形成，使所述發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光射出到外部。此時(shí)，所述壁部的寬度可以大于所述圓頂部的寬度。
[0038]參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行更具體說(shuō)明。
[0039]圖1是圖示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的立體圖，圖2是圖示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖。
[0040]如圖1及圖2所示，本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體100包括基板110、發(fā)光二極管芯片120、熒光體板130、壁部140及透鏡150。
[0041 ]基板110可供發(fā)光二極管芯片120貼裝于上部，為了把從外部供應(yīng)的電源傳遞給發(fā)光二極管芯片120而配備。另外，也可以對(duì)發(fā)光二極管芯片120發(fā)生的熱進(jìn)行散熱。為此，基板110包括基底111、第一引線112及第二引線113、第一基板墊114及第二基板墊115、第一通孔116及第二通孔117以及散熱墊118。
[0042]基底111可以以包括聚合物物質(zhì)或陶瓷物質(zhì)的絕緣性物質(zhì)形成，或者以包括金屬等的導(dǎo)電性物質(zhì)形成?；?11的形狀如圖所示，以具有既定厚度的板形狀形成，在上部面形成有第一引線112及第二引線113，在作為上部面的背面的下部面，可以形成有第一基板墊114及第二基板墊115和散熱墊118。
[0043]第一引線112及第二引線113配置于基底111上部面，可以以使得相互電絕緣地隔開的狀態(tài)配置。而且，第一引線112及第二引線113可以與發(fā)光二極管芯片120電連接，因此，第一引線112及第二引線113可以分別包括金屬等的導(dǎo)電性物質(zhì)。
[0044]第一基板墊114及第二基板墊115配置于基底111下部面，可以以使得相互電絕緣地隔開的狀態(tài)配置。此時(shí)，第一基板墊114及第二基板墊115可以不同于第一引線112及第二引線113，不在基底111的全體下部面形成，而以偏向一側(cè)及另一側(cè)的狀態(tài)，具有既定面積地形成。在本實(shí)施例中，第一基板墊114及第二基板墊115可以以鄰接以四邊形狀形成的基底111下部面的相向的兩條邊的狀態(tài)，沿兩條邊的長(zhǎng)度方向具有既定長(zhǎng)度地形成。此時(shí)，第一基板墊114及第二基板墊115的形狀和位置可以根據(jù)外部端子的形狀而異。
[0045]第一通孔116及第二通孔117可以分別貫通基底111地形成，第一通孔116電連接第一引線112與第一基板墊114，第二通孔117電連接第二引線113與第二基板墊115。其中，第一通孔116及第二通孔117可以由與第一引線112及第二引線113或第一基板墊114及第二基板墊115相同的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。
[0046]而且，在第一基板墊114及第二基板墊115隔開的之間區(qū)域，可以配置有散熱墊118。散熱墊118可以以使得與第一基板墊114及第二基板墊115電絕緣地隔開的狀態(tài)，以接觸基底111下部面的狀態(tài)配置。因此，散熱墊118可以配置于包括基底111的下部面中央的區(qū)域。
[0047]S卩，散熱墊118可以配置于與發(fā)光二極管芯片120貼裝的上部位置對(duì)應(yīng)的下部面。另外，散熱墊118可以具有大于發(fā)光二極管芯片120的面積。因此，能夠使發(fā)光二極管芯片120發(fā)生的熱迅速釋放到外部，能夠使發(fā)光二極管芯片120發(fā)生的熱對(duì)熒光體板130的影響實(shí)現(xiàn)最小化。
[0048]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，是對(duì)基底111以絕緣性物質(zhì)形成的情形進(jìn)行說(shuō)明，因而對(duì)第一引線112及第二引線113與第一基板墊114及第二基板墊115直接接觸基底111的上部面及下部面的情形進(jìn)行說(shuō)明。不過(guò)，當(dāng)基底111以導(dǎo)電性物質(zhì)形成時(shí)，在第一引線112及第二引線113與基底111之間，以及第一基板墊114及第二基板墊115與基底111之間，可以分別介入有絕緣層。
[0049]發(fā)光二極管芯片120貼裝于基板110上部，與第一引線112及第二引線113分別電接觸地貼裝。而且，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片120可以釋放藍(lán)色光或紫外線，在附圖中圖示了在基板110上貼裝一個(gè)發(fā)光二極管芯片120的情形，但根據(jù)需要，可以貼裝多個(gè)發(fā)光二極管芯片120。
[0050]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片120包括η型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層，具有借助于供應(yīng)的電源，因空穴與電子的復(fù)合而能夠釋放光的結(jié)構(gòu)。為此，在η型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層之間可以介入有活性層。具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片120可以具有水平型、豎直型或倒裝芯片型等結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，對(duì)利用倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片120的情形進(jìn)行說(shuō)明。
[0051]而且，在本實(shí)施例中，雖然未另行圖示，但在發(fā)光二極管芯片120的下部面，可以形成用于分別與第一引線112及第二引線113電接觸的第一電極墊及第二電極墊。因此，第一電極墊可以與第一引線112電接觸，第二電極墊可以與第二引線113電接觸。即，發(fā)光二極管芯片120可以直接倒裝焊接于基板110的第一引線112及第二引線113，或借助于SMT(surface mount technology，表面貼裝技術(shù))而電連接。
[0052]發(fā)光二極管芯片120可以貼裝于基板110上部面的既定位置，在本實(shí)施例中，對(duì)一個(gè)發(fā)光二極管芯片120貼裝于基板110上部面的中央的情形進(jìn)行說(shuō)明。發(fā)光二極管芯片120如此貼裝于基板110上部，在基板110的下部面可以配置有散熱墊118。因此，發(fā)光二極管芯片120發(fā)生的熱可以通過(guò)基板110直接傳遞到散熱墊118，能夠提高本實(shí)用新型的發(fā)光二極管封裝體100的散熱效率。
[0053]熒光體板130包括多個(gè)熒光體和樹脂。就多個(gè)熒光體而言，在熒光體板130中可以包含多樣種類的熒光體中的一種以上，作為一個(gè)示例，可以是石榴石熒光體、鋁酸鹽熒光體、硫化物熒光體、氧氮化物熒光體、氮化物熒光體、氟化物熒光體及硅酸鹽熒光體等。而且，可以借助于如上所述的多個(gè)熒光體進(jìn)行波長(zhǎng)變換，把發(fā)光二極管芯片120發(fā)光的光變換成單色光或白色光。
[0054]樹脂發(fā)揮承載多數(shù)的熒光體的承載部的作用，在本實(shí)施例中，對(duì)樹脂用作承載部的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但可以利用諸如玻璃或陶瓷的材質(zhì)，在為樹脂的情況下，也可以利用聚合物樹脂。另外，在本實(shí)施例中，熒光體板130可以在透明的樹脂與多數(shù)的熒光體攪拌的狀態(tài)下制作成既定大小的板形狀并使用。
[0055]此時(shí)，熒光體板130可以包括玻璃，此時(shí)，多數(shù)的熒光體與玻璃珠可以相互混合并凝聚硬化。隨著如此利用玻璃制造熒光體板130，因而熒光體板130中包含的多數(shù)的熒光體可以在焚光體板130中均勾分布。
[0056]另外，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片120在貼裝于基板110的狀態(tài)下，被后述的壁部140包圍，因此，作為發(fā)熱源的發(fā)光二極管芯片120可以具有密閉的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在高電流接入發(fā)光二極管芯片120的情況下，為了防止因發(fā)光二極管芯片120中的發(fā)熱導(dǎo)致熒光體板130變形，可以利用耐熱性良好的玻璃制造熒光體板130。
[0057]即，在本實(shí)施例中，熒光體板130并非在發(fā)光二極管芯片120上涂布后硬化形成，而是可以另行制作使用。此時(shí)，為了把熒光體板130配置于發(fā)光二極管芯片120上，可以利用另外的粘合構(gòu)件。粘合構(gòu)件最好象熒光體板130—樣利用耐熱性優(yōu)秀的材質(zhì)。
[0058]而且，在本實(shí)施例中，熒光體板130可以形成得具有大于發(fā)光二極管芯片120寬度的寬度。與此相關(guān)的詳細(xì)說(shuō)明將在后面敘述。
[0059]熒光體板130在如此大于發(fā)光二極管芯片120寬度地形成的狀態(tài)下，貼裝于發(fā)光二極管芯片120上。
[0060]壁部140形成得包圍貼裝了熒光體板130的發(fā)光二極管芯片120并覆蓋基板110上部。壁部140可以以不透明的硅等形成，在本實(shí)施例中，可以以白色形成。另外，壁部140包圍發(fā)光二極管芯片120側(cè)面地形成，因而可以包括能夠反射發(fā)光二極管芯片120釋放的光的顆粒。
[0061]此時(shí)，壁部140為了防止在發(fā)光二極管芯片120上貼裝的熒光體板130從發(fā)光二極管芯片120分離，可以形成得包圍至熒光體板130的側(cè)面一部分。即，壁部140可以在熒光體板130貼裝于發(fā)光二極管芯片120上的狀態(tài)下形成。
[0062]其中，在熒光體板130的寬度大于發(fā)光二極管芯片120寬度地形成的狀態(tài)下形成壁部140的過(guò)程中，在熒光體板130、發(fā)光二極管芯片120及壁部140之間可以形成間隙G(gap)。間隙G如圖2所示，在熒光體板130貼裝于發(fā)光二極管芯片120上部的狀態(tài)下，可以在超出發(fā)光二極管芯片120外側(cè)的熒光體板130的下部形成。即，壁部140形成得包括熒光體板130的一部分在內(nèi)，包圍發(fā)光二極管芯片120的側(cè)面，不把壁部140填充至熒光體板130與發(fā)光二極管芯片120相接的界線，因而可以形成間隙G。因此，間隙G可以以包圍發(fā)光二極管芯片120外周面至少一部分的形狀形成。
[0063]隨著如此在熒光體板130、發(fā)光二極管芯片120及壁部140之間形成間隙G，發(fā)光二極管芯片120發(fā)光的光可以釋放到在發(fā)光二極管芯片120的側(cè)面?zhèn)刃纬傻拈g隙G，釋放到間隙G的光在壁部140反射，可以向熒光體板130側(cè)(S卩，發(fā)光二極管封裝體100的上部)方向反射。即，包圍間隙G的壁部140的面可以為反射面140a。
[0064]另外，間隙G形成得包圍發(fā)光二極管芯片120外周面的至少一部分，正如前面所作的說(shuō)明，間隙G以空的空間形成，因而光從發(fā)光二極管芯片120向間隙G側(cè)釋放的同時(shí)，同時(shí)會(huì)隨著介質(zhì)變化而折射。因此，由于折射率的差異，可以提高在反射面140a的光的功率。
[0065]進(jìn)一步地，用于把熒光體板130粘合于發(fā)光二極管芯片120的粘合構(gòu)件利用透明材質(zhì)，因而借助于粘合構(gòu)件的折射率和與間隙G的折射率，可以提高在反射面140a反射的光的功率。
[0066]其中，間隙G的形狀隨著壁部140的形成而形成，根據(jù)壁部140在覆蓋熒光體板130側(cè)面一部分的狀態(tài)下包圍發(fā)光二極管芯片120側(cè)面的程度，間隙G的大小及形狀會(huì)不同。作為包圍間隙G的壁部140的面的反射面140a如圖2所示，可以以向發(fā)光二極管芯片120方向凸出的形狀形成。當(dāng)然，在本實(shí)施例中，雖然圖示了反射面140a以凸出的形狀形成，但反射面140a的形狀可以根據(jù)需要而變形。
[0067]作為一個(gè)示例，當(dāng)在汽車大燈中應(yīng)用本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體100時(shí)，汽車大燈根據(jù)關(guān)于配光分布的規(guī)定而制造，因而發(fā)光二極管封裝體100也需要據(jù)此制造。本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體100正如上述所作的說(shuō)明，形成得發(fā)光二極管芯片120的側(cè)面被壁部140包圍，間隙G包圍發(fā)光二極管芯片120外周面，因而發(fā)光二極管芯片120發(fā)光的光只能向發(fā)光二極管芯片120的上部釋放。因此，如本實(shí)施例所示，發(fā)光二極管封裝體100發(fā)光的光只向上部釋放，因而能夠有利于設(shè)計(jì)光學(xué)元件，使得滿足汽車大燈的配光分布規(guī)定。
[0068]透鏡150可以在基板110的上部形成。透鏡150的形狀可以根據(jù)需要而以多樣的形狀形成，在本實(shí)施例中，透鏡150可以包括:板部152，其以具有與基板110相同寬度的四邊形狀形成；圓頂部154，其在板部152上部，如同圓頂形狀一樣，為形成球的一部分的形狀。因此，透鏡150可以形成得覆蓋在基板110的上部形成的熒光體板130和壁部140。
[0069]此時(shí)，透鏡150的圓頂部154可以只在熒光體板130上部形成，根據(jù)需要，圓頂部154的寬度可以大于熒光體板130寬度地形成。板部152可以覆蓋基板110全體地形成，但在本實(shí)施例中，板部152也可以形成得覆蓋壁部140的上部一部分，所述壁部140形成得覆蓋基板110上部。
[0070]因此，發(fā)光二極管芯片120通過(guò)熒光體板130釋放的光，可以通過(guò)圓頂部154的出射面而大部分釋放到外部，但根據(jù)情況，會(huì)有從圓頂部154出射面的內(nèi)側(cè)反射到基板110側(cè)的光。為了使如此反射的光再次反射到圓頂部154的出射面?zhèn)龋诓?40可以覆蓋基板110全體地形成。此時(shí)，壁部140即使不覆蓋基板110全體地形成，也可以大于圓頂部154寬度地形成，從壁部140再反射的光可以通過(guò)圓頂部154射出到外部。或者，壁部140也可以大于板部152地形成，壁部140露出到板152的外部。
[0071]其中，透鏡150中包括的板部152和圓頂部154可以一體形成。
[0072]圖3是用于說(shuō)明本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的把熒光體板貼裝于發(fā)光二極管芯片的情形的圖。
[0073]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝體100正如上述所作的說(shuō)明，在發(fā)光二極管芯片120貼裝于基板110上部的狀態(tài)下，熒光體板130可以貼裝于發(fā)光二極管芯片120的上部。此時(shí)，熒光體板130應(yīng)覆蓋發(fā)光二極管芯片120全體地形成。
[0074]因此，當(dāng)把另行制作的熒光體板130貼裝于發(fā)光二極管芯片120上部時(shí)，如果熒光體板130與發(fā)光二極管芯片120具有相同的寬度，則有必要把熒光體板130準(zhǔn)確地排列于發(fā)光二極管芯片120上部進(jìn)行貼裝。但是，由于把熒光體板130準(zhǔn)確排列于發(fā)光二極管芯片120上部進(jìn)行貼裝并不容易，因而熒光體板130的寬度有必要大于發(fā)光二極管芯片120寬度地形成。
[0075]因此，熒光板如圖3的(a)所示，可以以在基板110上形成的對(duì)齊點(diǎn)A為基準(zhǔn)，貼裝于發(fā)光二極管芯片120上部。此時(shí)，在發(fā)光二極管芯片120貼裝于基板110的正確位置的狀態(tài)下，如果貼裝熒光體板130，則如圖3的(b)所示，可以配置使得發(fā)光二極管芯片120與熒光體板130的中心一致。
[0076]可是，即使發(fā)光二極管芯片120未貼裝于基板110的正確位置，而是稍稍錯(cuò)開地貼裝，如圖3的(c)所示，熒光體板130也可以覆蓋發(fā)光二極管芯片120全體地貼裝。此時(shí)，可以以發(fā)光二極管芯片120與熒光體板130的中心不一致的狀態(tài)配置。另外，即使在發(fā)光二極管芯片120貼裝于正確位置的情況下，如果熒光體板130未貼裝于正確位置，那么，發(fā)光二極管芯片120與熒光體板130的中心也會(huì)不一致。盡管如此，熒光體板130大于發(fā)光二極管芯片120地形成，可以覆蓋發(fā)光二極管芯片120全體地貼裝即可。
[0077]其中，熒光體板130不是按用于發(fā)光二極管封裝體100的大小而獨(dú)立地制作一個(gè)，而是可以截?cái)嘞鄬?duì)較大地制作的熒光體板130進(jìn)行制造。因此，截?cái)嗟臒晒怏w板130的寬度會(huì)發(fā)生既定的公差。另外，就發(fā)光二極管芯片120而言，由于發(fā)生既定的公差，寬度可能會(huì)不固定。因此，如上所述，熒光體板130的寬度比發(fā)光二極管芯片120的寬度相對(duì)較大地制作，可以使得熒光體板130覆蓋發(fā)光二極管芯片120的上面全體。因此，能夠防止發(fā)光二極管芯片120發(fā)光的光以不經(jīng)過(guò)熒光體板130的狀態(tài)釋放到外部。
[0078]另外，以上對(duì)在發(fā)光二極管芯片120首先貼裝于基板110的狀態(tài)下，熒光體板130配置于發(fā)光二極管芯片120上部的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但在熒光體板130配置于發(fā)光二極管芯片120上部的狀態(tài)下，發(fā)光二極管芯片120也可以貼裝于基板110上。這是因?yàn)?，制造工序可以根?jù)制造本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體100的工序而異。
[0079]正如上面所作的說(shuō)明，根據(jù)參照了附圖的實(shí)施例，進(jìn)行了對(duì)本實(shí)用新型的具體說(shuō)明，但所述實(shí)施例只是舉出本實(shí)用新型的優(yōu)選示例進(jìn)行說(shuō)明，因而不得理解為本實(shí)用新型局限于所述實(shí)施例，本實(shí)用新型的權(quán)利范圍應(yīng)理解為技術(shù)方案及其等價(jià)的概念。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，包括: 基板； 貼裝于所述基板上的一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片； 熒光體板，其配置于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片上，對(duì)所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換;及 壁部，其配置于所述基板上，包圍所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片； 所述熒光體板覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的整個(gè)上面， 所述熒光體板的寬度大于所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的寬度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述壁部覆蓋所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片的側(cè)面中至少一者的一部分。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述壁部覆蓋所述熒光體板的側(cè)面中至少一者的一部分。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述壁部覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面中至少一者的一部分使得形成被所述熒光體板、發(fā)光二極管芯片及壁部包圍的間隙。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述間隙包圍所述發(fā)光二極管芯片的外周面的至少一部分。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 包圍所述間隙的壁部的內(nèi)側(cè)面為反射面。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述反射面具有向所述發(fā)光二極管芯片的方向凸出的形狀。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述熒光體板包含一種以上的熒光體。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述熒光體板的中心與所述發(fā)光二極管芯片的中心一致。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述熒光體板的中心偏離所述發(fā)光二極管芯片的中心。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述基板包括用于排列所述熒光體板的對(duì)齊點(diǎn)。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，所述基板包括: 基底； 第一引線及第二引線，其形成于所述基底的上面，與所述一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片電連接;及 第一基板墊及第二基板墊，其形成于所述基底的下面，分別與所述第一引線及第二引線電連接。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述基板還包括第一通孔及第二通孔，所述第一通孔及第二通孔貫通所述基底，使所述第一引線及第二引線分別與所述第一基板墊及第二基板墊電連接。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述基板還包括在所述基底的下面對(duì)所述發(fā)光二極管芯片發(fā)生的熱進(jìn)行散熱的散熱墊。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，還包括: 透鏡，其在所述基板的上部覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，使所述發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光射出。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，所述透鏡包括: 板部，其覆蓋所述發(fā)光二極管芯片;及 圓頂部，其形成于所述板部的上部，使所述發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光射出到外部。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于: 所述壁部的寬度大于所述圓頂部的寬度。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK205542882SQ201620261736
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】崔爀仲
【申請(qǐng)人】首爾半導(dǎo)體股份有限公司