一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，所述本體包括P型多晶硅片和N型多晶硅片，所述P型多晶硅片和N型多晶硅片之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)，所述P型多晶硅片一側(cè)設(shè)有上電極，所述P型多晶硅片的下側(cè)設(shè)有P型發(fā)射極，所述P型多晶硅片的上側(cè)設(shè)有減反射層，所述減反射層的上側(cè)設(shè)有吸光層，所述N型多晶硅片下側(cè)設(shè)有下電極，所述N型多晶硅片的下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜，所述本體外表面設(shè)有本體保護(hù)膜。本實(shí)用新型增大了光的照射面積，而減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，且防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命，在使得太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，大大提升了轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】
一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著能源危機(jī)的日益凸顯，開發(fā)利用新能源成為當(dāng)今能源領(lǐng)域研究的主要課題，由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優(yōu)點(diǎn)，研究太陽能發(fā)電成為開發(fā)利用新能源的主要方向。晶體硅太陽能電池，即由晶體硅片制備的太陽能電池是當(dāng)今太陽能電池行業(yè)的主流產(chǎn)品，目前太陽能電池的市場中，晶體硅太陽能電池占據(jù)90%以上的份額，而在晶體硅太陽能電池中，多晶硅占據(jù)主導(dǎo)地位，目前，單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已從3年前的14%提高到17%，多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率也從3年前的10%提高到15%，超高效率的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已超過50%，世界光伏組件產(chǎn)量上世紀(jì)末最后10年的平均增長率為20%，且現(xiàn)在的多晶硅片的轉(zhuǎn)換效率低，因此，就此類問題，提出了一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，包括本體，所述本體包括P型多晶硅片和N型多晶硅片，所述P型多晶硅片和N型多晶硅片之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)，所述P型多晶硅片一側(cè)設(shè)有上電極，所述P型多晶硅片的下側(cè)設(shè)有P型發(fā)射極，所述P型多晶硅片的上側(cè)設(shè)有減反射層，所述減反射層的上側(cè)設(shè)有吸光層，所述N型多晶硅片下側(cè)設(shè)有下電極，所述N型多晶硅片的下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜，所述本體外表面設(shè)有本體保護(hù)膜。
[0005]優(yōu)選的，所述本體保護(hù)膜為絕緣保護(hù)膜。
[0006]優(yōu)選的，所述本體呈八邊形狀。
[0007]優(yōu)選的，所述P型多晶硅片的上表面呈鋸齒狀。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:該轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片通過P型多晶硅片的上部呈鋸齒狀，增大了光的照射面積，而減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，且防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命，在使得太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，大大提升了轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖；
[0010]圖2為本實(shí)用新型剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中:I本體、2P型多晶硅片、21 P型發(fā)射極、22減反射層、23吸光層、3 N型多晶硅片、31 N型多晶硅膜、4導(dǎo)通區(qū)、5下電極、6上電極、7本體保護(hù)膜。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]請參閱圖1-2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，包括本體I，所述本體I包括P型多晶硅片2和N型多晶硅片3，所述P型多晶硅片2和N型多晶硅片3之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)4，所述P型多晶硅片2—側(cè)設(shè)有上電極6，所述P型多晶硅片2的下側(cè)設(shè)有P型發(fā)射極21，所述P型多晶硅片2的上側(cè)設(shè)有減反射層22，所述減反射層22的上側(cè)設(shè)有吸光層23，所述N型多晶硅片3下側(cè)設(shè)有下電極5，所述N型多晶硅片3的下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜31，所述本體I外表面設(shè)有本體保護(hù)膜7，所述本體保護(hù)膜7為絕緣保護(hù)膜，所述本體I呈八邊形狀，所述P型多晶硅片2的上表面呈鋸齒狀。
[0014]工作原理:工作時(shí)，通過上電極5與下電極6實(shí)現(xiàn)多個(gè)本體I之間的連接，在安裝實(shí)施后，太陽光照射P型多晶硅片2，通過P型多晶硅片2的上表面呈鋸齒狀，增大光的照射面積，使得吸光層23吸光，減反射層22減少光照的反射率，電流由P型多晶硅片2的P型發(fā)射極21將電子通過導(dǎo)通區(qū)4傳輸?shù)絅型多晶硅片3上。
[0015]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，包括本體(I)，所述本體(I)包括P型多晶硅片(2)和N型多晶硅片(3)，其特征在于:所述P型多晶硅片(2)和N型多晶硅片(3)之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)(4)，所述P型多晶硅片(2)—側(cè)設(shè)有上電極(6)，所述P型多晶硅片(2)的下側(cè)設(shè)有P型發(fā)射極(21)，所述P型多晶硅片(2)的上側(cè)設(shè)有減反射層(22)，所述減反射層(22)的上側(cè)設(shè)有吸光層(23)，所述N型多晶硅片(3)下側(cè)設(shè)有下電極(5)，所述N型多晶硅片(3)的下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜(31)，所述本體(I)外表面設(shè)有本體保護(hù)膜(7)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，其特征在于:所述本體保護(hù)膜(7)為絕緣保護(hù)膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，其特征在于:所述本體(I)呈八邊形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅片，其特征在于:所述P型多晶硅片(2)的上表面呈鋸齒狀。
【文檔編號】H01L31/0352GK205564771SQ201620370618
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月27日
【發(fā)明人】孫顯強(qiáng), 李莉花, 陳德超
【申請人】溫州市賽拉弗能源有限公司