一種n型晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。本實(shí)用新型的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型太陽(yáng)能電池基體，所述N型太陽(yáng)能電池基體背表面的電極包括背面金屬主柵電極、背面分段副柵和背面金屬絲，所述背面金屬絲與所述背面金屬主柵電極和所述背面分段副柵連接，所述N型太陽(yáng)能電池基體正表面的電極包括正面金屬主柵電極、正面分段副柵、正面熱敏導(dǎo)電層和正面金屬絲，所述正面金屬絲通過(guò)所述熱敏導(dǎo)電層分別于所述正面金屬主柵電極和正面分段副柵連接；其有益效果是：本實(shí)用新型的方法在保證電極線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是一種將光能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，具有較低的生產(chǎn)成本和較高的能量轉(zhuǎn)化效率一直是太陽(yáng)能電池工業(yè)追求的目標(biāo)，η型太陽(yáng)能電池具有光照無(wú)衰減，使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，是高效晶硅太陽(yáng)能電池一個(gè)重要的發(fā)展方向，并且由于η型太陽(yáng)能電池的正負(fù)電極均可以制作成常規(guī)的H型柵線(xiàn)電極結(jié)構(gòu)，因此該電池不僅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光從而產(chǎn)生額外的電力，實(shí)現(xiàn)雙面發(fā)電。
[0003]然而，N型電池的制造成本較常規(guī)電池高出約15%，這主要來(lái)自于該電池兩面都要印刷銀漿，銀耗量是常規(guī)電池的兩倍，由于銀漿消耗增加帶來(lái)制造成本的上升約為10%，因此，減少電池的銀漿消耗是降低該電池成本的關(guān)鍵。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。所述的太陽(yáng)能電池的金屬化方法可以顯著地降低含銀漿料的使用量，從而降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本。
[0005]本實(shí)用新型提供一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其技術(shù)方案是:
[0006]—種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型太陽(yáng)能電池基體，N型太陽(yáng)能電池基體的正表面包括從內(nèi)到外依次設(shè)置的P+摻雜區(qū)域和鈍化減反膜;N型太陽(yáng)能電池基體的背表面包括從內(nèi)到外依次設(shè)置的η+摻雜區(qū)域和鈍化膜，其特征在于:所述N型太陽(yáng)能電池基體背表面的電極包括背面金屬主柵電極、背面分段副柵和背面金屬絲，所述背面金屬絲與所述背面金屬主柵電極和所述背面分段副柵連接，所述N型太陽(yáng)能電池基體正表面的電極包括正面金屬主柵電極、正面分段副柵、正面熱敏導(dǎo)電層和正面金屬絲，所述正面金屬絲通過(guò)所述正面熱敏導(dǎo)電層分別與所述正面金屬主柵電極和正面分段副柵連接;背面金屬主柵電極的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600:1。
[0007]其中，所述N型太陽(yáng)能電池基體背表面的電極還包括背面熱敏導(dǎo)電層，所述背面金屬絲通過(guò)所述背面熱敏導(dǎo)電層與所述背面金屬主柵電極和背面分段副柵連接。
[0008]其中，所述正面熱敏導(dǎo)電層和/或所述背面熱敏導(dǎo)電層是錫膏，錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的一種。
[0009]其中，所述正面金屬絲和/或所述背面金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種;金屬絲的截面形狀為圓形、方形或者三角形。
[0010]其中，所述正面分段副柵和所述背面分段副柵互相平行，間距為l-3mm，正面分段副柵和背面分段副柵由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，非連續(xù)的圓點(diǎn)是有規(guī)則的陣列或者無(wú)規(guī)則的陣列；圓點(diǎn)的直徑為30-300微米。
[0011]其中，所述正面分段副柵和所述背面分段副柵由非連續(xù)的線(xiàn)條組成；非連續(xù)的線(xiàn)條平行于主柵電極、垂直于主柵電極或者與主柵電極具有角度;非連續(xù)的線(xiàn)條的長(zhǎng)度為40-300微米，寬度為40-300微米。
[0012]其中，所述鈍化減反膜是Si02介質(zhì)膜、SiNx介質(zhì)膜或A1203介質(zhì)膜中的一種或多種，所述鈍化膜是Si02介質(zhì)膜和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。
[0013]其中，所述N型太陽(yáng)能電池基體的厚度為50?300μπι;ρ+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5?2.Ομπι;鈍化減反膜的厚度為70?I 1nm;鈍化膜的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5?2.0μηι。
[0014]其中，正面金屬主柵電極和背面金屬主柵電極的數(shù)量均大于2根，正面金屬主柵電極的設(shè)置位置和背面金屬主柵電極的設(shè)置位置相互對(duì)應(yīng)，并均勻分布在N型太陽(yáng)能電池基體的表面，正面金屬主柵電極和背面金屬主柵電極的寬度均為0.5-3_。
[0015]本實(shí)用新型哈提供了一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次連接的前層材料、封裝材料、N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，所述N型晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池。
[0016]—種N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，所述N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0017]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0018]本實(shí)用新型提出的N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法與常規(guī)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化工藝相比，本實(shí)用新型的不同之處有以下兩點(diǎn):1、主柵電極不與硅片前后表面的P+摻雜區(qū)域和η+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸，從而極大地降低了金屬電極與硅之間的復(fù)合速率，從而提高了 N型晶體硅太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓;2、分段副柵與ρ+摻雜區(qū)域、η+摻雜區(qū)域有較好的歐姆接觸，同時(shí)金屬絲、導(dǎo)電層、分段副柵和主柵之間也有較好的歐姆接觸，這樣在保證電極線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法步驟一的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖
[0020]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法步驟二的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖
[0021]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法步驟三的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖
[0022]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法步驟五的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖
[0023]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法步驟六的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖
[0024]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法得到的電池結(jié)構(gòu)正面平視示意圖
[0025]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法得到的電池結(jié)構(gòu)背面平視示意圖
[0026]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法完成步驟三之后的正面陣列排列的圓點(diǎn)狀分段副柵平視示意圖
[0027]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法完成步驟三之后的正面錯(cuò)位排列的圓點(diǎn)狀分段副柵平視示意圖
[0028]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法完成步驟三之后的正面橫向排列的線(xiàn)條狀分段副柵平視示意圖
[0029]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法完成步驟三之后的正面豎向排列的線(xiàn)條狀分段副柵平視示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說(shuō)明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本實(shí)用新型的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0031 ]參見(jiàn)圖1至圖11所示，本實(shí)施例提供的一種N型晶體娃太陽(yáng)能電池，包括N型太陽(yáng)能電池基體10，N型太陽(yáng)能電池基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域12和鈍化減反膜14;N型太陽(yáng)能電池基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域16和鈍化膜18，所述N型太陽(yáng)能電池基體10背表面的電極包括背面金屬主柵電極22、背面分段副柵30和背面金屬絲28，所述背面金屬絲28與所述背面金屬主柵電極22和所述背面分段副柵30連接，所述N型太陽(yáng)能電池基體10正表面的電極包括正面金屬主柵電極20、正面分段副柵24、正面熱敏導(dǎo)電層25和正面金屬絲26，所述正面金屬絲26通過(guò)所述熱敏導(dǎo)電層25分別于所述正面金屬主柵電極20和正面分段副柵24連接;背面金屬主柵電極的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600:1，優(yōu)選154:1，還可以選擇100:1、200:1、300:1、400:1和600:1。優(yōu)選地，所述~型太陽(yáng)能電池基體10背表面的電極還包括背面熱敏導(dǎo)電層31，所述背面金屬絲28通過(guò)所述背面熱敏導(dǎo)電層31與所述背面金屬主柵電極22和背面分段副柵30連接。熱敏導(dǎo)電層是錫膏，所述錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種。金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的任一種;金屬絲的截面形狀為圓形、方形或者三角形。
[0032]所述正面分段副柵24和所述背面分段副柵30互相平行，間距為l-3mm，正面分段副柵24和背面分段副柵30由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，非連續(xù)的圓點(diǎn)是有規(guī)則的陣列或者無(wú)規(guī)則的陣列；圓點(diǎn)直徑為30-300微米。所述正面分段副柵24和所述背面分段副柵30由非連續(xù)的線(xiàn)條組成;非連續(xù)的線(xiàn)條平行于主柵電極、垂直于主柵電極或者與主柵電極具有角度;非連續(xù)的線(xiàn)條的長(zhǎng)度為40-300微米，寬度為40-300微米。所述鈍化減反膜14是Si02介質(zhì)膜、SiNx介質(zhì)膜或A1203介質(zhì)膜中一種或多種，所述鈍化膜18是Si02介質(zhì)膜和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。所述N型太陽(yáng)能電池基體10的厚度為50?300μπι;ρ+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?
2.Ομπι;鈍化減反膜14的厚度為70?IlOnm;鈍化膜18的厚度為不低于20nm;n+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.Ομπι。正面金屬主柵電極20和背面金屬主柵電極22的數(shù)量均大于2根，正面金屬主柵電極20的設(shè)置位置和背面金屬主柵電極22的設(shè)置位置相互對(duì)應(yīng)，并均勻分布在N型太陽(yáng)能電池基體10的表面，正面金屬主柵電極20和背面金屬主柵電極22的寬度均為
0.5_3mm0
[0033]參見(jiàn)圖1至圖11所示，本實(shí)施例中的N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法包括如下步驟:
[0034](I)、如圖1所示，制備金屬化前的N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體10，N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18。其中正表面的鈍化減反膜14是Si02、SiNx和Α1203介質(zhì)膜中一種或多種，背表面的鈍化膜18是Si02或SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。N型晶體娃基體10的厚度為50?300μηι; ρ+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?2.Ομπι;正表面鈍化減反膜的厚度為70?I 1nm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm;n+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.0μηι。
[0035](2)、如圖2所示，通過(guò)印刷金屬漿料并烘干形成與硅片前后表面相接觸的正面金屬主柵電極20和背面金屬主柵電極22，正面金屬主柵電極20和背面金屬主柵電極22所采用金屬漿料不燒穿硅片前后表面的鈍化膜，即正面金屬主柵電極20和背面金屬主柵電極22與硅片正表面P+摻雜區(qū)域12和背表面η+摻雜區(qū)域16不形成歐姆接觸，硅片前后表面主柵電極的數(shù)量均要求大于2根，并要求娃片前后表面的主柵電極對(duì)應(yīng)，位置相同并均勾分布在硅片表面，主柵線(xiàn)的寬度為1-3_。
[0036](3)、如圖3所示，在硅片正表面使用摻鋁銀漿印刷正面分段副柵24并進(jìn)行烘干，正面分段副柵24互相平行，間距為l-3mm，正面分段副柵24由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成(如圖8所示)，圓點(diǎn)直徑30-300微米。這些圓點(diǎn)的圓心在一條直線(xiàn)上，并且由圓心連接而成的直線(xiàn)垂直于正面主柵電極20。該摻鋁銀漿具備燒結(jié)后穿透正面鈍化減反膜14的能力。在硅片背表面使用銀漿印刷背面分段副柵30并進(jìn)行烘干，背面分段副柵30互相平行，間距為l-3mm，背面分段副柵30由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑30-300微米。這些圓點(diǎn)的圓心在一條直線(xiàn)上，并且由圓心連接而成的直線(xiàn)垂直于背面主柵電極22。該銀漿具備燒結(jié)后穿透背面鈍化膜18的能力。對(duì)于正面分段副柵24和背面分段副柵30，其可以由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，也可以由非連續(xù)的線(xiàn)條組成。如圖8所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的圓點(diǎn)可以是有規(guī)則的陣列，也可以如圖9所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的圓點(diǎn)錯(cuò)位排列。如圖10所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的線(xiàn)條可以是橫向的有規(guī)則的陣列，也可以如圖11所示，相鄰分段副柵中的非連續(xù)的線(xiàn)條是縱向的有規(guī)則的陣列。
[0037](4)、將經(jīng)過(guò)步驟(3)后的硅片置于燒結(jié)爐中燒結(jié)，燒結(jié)的溫度不高于900攝氏度。
[0038](5)、如圖4所示，將經(jīng)過(guò)步驟(4)后的硅片置于印刷機(jī)上，在正表面正面分段副柵24上印刷錫膏形成熱敏導(dǎo)電層25，在背表面背面分段副柵30上印刷錫膏形成熱敏導(dǎo)電層31。錫膏導(dǎo)電層的過(guò)墨圖案為圓形，其直徑為40-300微米。錫膏導(dǎo)電層的過(guò)墨圖案也可以為線(xiàn)條狀，其長(zhǎng)度為40-300微米，寬度為40-300微米。印刷時(shí)務(wù)必使過(guò)墨后的熱敏導(dǎo)電層25位于正面分段副柵24中的非連續(xù)圓點(diǎn)或非連續(xù)線(xiàn)條上和主柵電極20上，以及使過(guò)墨后的熱敏導(dǎo)電層31位于背面分段副柵30中的非連續(xù)圓點(diǎn)或非連續(xù)線(xiàn)條上和主柵電極22上。
[0039](6)、如圖5所示，將多條正面金屬絲26—一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)在正面分段副柵24上的熱敏導(dǎo)電層25上。正面金屬絲26垂直于正面金屬主柵電極20的方向，其間距等于正面分段副柵24之間的間距;再將多條背面金屬絲28—一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)在背面分段副柵30上的熱敏導(dǎo)電層31上。背面金屬絲28垂直于背表面金屬主柵電極22的方向，其間距等于背面分段副柵30之間的間距；正面金屬絲26和背面金屬絲28的截面為圓形，其直徑為40-80um;正面金屬絲26和背面金屬絲28的截面形狀亦可以方形或三角形，其材質(zhì)可以為銅絲、銀包銅絲或者錫包銅絲。
[0040](7)、對(duì)步驟(6)后的硅片進(jìn)行加熱，使得正面金屬絲26、熱敏導(dǎo)電層25、正面分段副柵24和正面金屬主柵電極20四者形成歐姆接觸，同時(shí)使背面金屬絲28、熱敏導(dǎo)電層31、背面分段副柵30和背面金屬主柵電極22四者形成歐姆接觸。加熱方式采用紅外加熱，回流峰值溫度為183-250度。
[0041](8)、使用激光法或電弧法切除邊緣多余的正面金屬絲26和背面金屬絲28，即完成N型晶體硅太陽(yáng)能電池的制作。
[0042 ]本實(shí)施例提出的N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化方法與常規(guī)N型晶體硅太陽(yáng)能電池的金屬化工藝相比，本實(shí)用新型的不同之處有以下兩點(diǎn):1、主柵電極不與硅片前后表面的P+摻雜區(qū)域和η+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸，從而極大地降低了金屬電極與硅之間的復(fù)合速率，從而提高了 N型晶體硅太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓;2、分段副柵與ρ+摻雜區(qū)域、η+摻雜區(qū)域有較好的歐姆接觸，同時(shí)金屬絲、導(dǎo)電層、分段副柵和主柵之間也有較好的歐姆接觸，這樣在保證電極線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0043]本實(shí)施例還提供了一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次連接的前層材料、封裝材料、N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，N型晶體硅太陽(yáng)能電池是上述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池。本實(shí)施例的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的N型晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
[0044]本實(shí)施例還提供了一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是上述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)施例的N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的N型晶體硅太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)N型晶體硅太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。
[0045]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括N型太陽(yáng)能電池基體，N型太陽(yáng)能電池基體的正表面包括從內(nèi)到外依次設(shè)置的P+摻雜區(qū)域和鈍化減反膜;N型太陽(yáng)能電池基體的背表面包括從內(nèi)到外依次設(shè)置的η+摻雜區(qū)域和鈍化膜，其特征在于:所述N型太陽(yáng)能電池基體背表面的電極包括背面金屬主柵電極、背面分段副柵和背面金屬絲，所述背面金屬絲與所述背面金屬主柵電極和所述背面分段副柵連接，所述N型太陽(yáng)能電池基體正表面的電極包括正面金屬主柵電極、正面分段副柵、正面熱敏導(dǎo)電層和正面金屬絲，所述正面金屬絲通過(guò)所述正面熱敏導(dǎo)電層分別與所述正面金屬主柵電極和正面分段副柵連接;所述背面金屬主柵電極的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600:1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述N型太陽(yáng)能電池基體背表面的電極還包括背面熱敏導(dǎo)電層，所述背面金屬絲通過(guò)所述背面熱敏導(dǎo)電層與所述背面金屬主柵電極和背面分段副柵連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面熱敏導(dǎo)電層和/或所述背面熱敏導(dǎo)電層是錫膏，錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面金屬絲和/或所述背面金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種;金屬絲的截面形狀為圓形、方形或者三角形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面分段副柵和所述背面分段副柵互相平行，間距為l_3mm，正面分段副柵和背面分段副柵由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，非連續(xù)的圓點(diǎn)是有規(guī)則的陣列或者無(wú)規(guī)則的陣列；圓點(diǎn)的直徑為30-300微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面分段副柵和所述背面分段副柵由非連續(xù)的線(xiàn)條組成;非連續(xù)的線(xiàn)條平行于主柵電極、垂直于主柵電極或者與主柵電極具有角度;非連續(xù)的線(xiàn)條的長(zhǎng)度為40-300微米，寬度為40-300微米。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述鈍化減反膜是S12介質(zhì)膜、SiNx介質(zhì)膜或Al2O3介質(zhì)膜中的一種或多種，所述鈍化膜是S12介質(zhì)膜和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述N型太陽(yáng)能電池基體的厚度為50?300μπι;ρ+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5?2.Ομπι;鈍化減反膜的厚度為70?11Onm;鈍化膜的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5?2.0ym。9.一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次連接的前層材料、封裝材料、N型晶體硅太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述N型晶體硅太陽(yáng)能電池是權(quán)利要求I?8任一所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池。10.—種N型晶體硅太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件，其特征在于:所述N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件是權(quán)利要求9所述的一種N型晶體硅太陽(yáng)能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK205582947SQ201620245667
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月28日
【發(fā)明人】林建偉, 孫玉海, 劉志鋒, 季根華, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來(lái)光電科技有限公司