一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，包括若干石墨舟片，所述石墨舟片上設(shè)有多個(gè)用于放置硅片的承載位，每個(gè)所述承載位包括向內(nèi)凹陷形成的外承載槽和內(nèi)承載槽，所述內(nèi)承載槽位于所述外承載槽的內(nèi)部，且所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽為同心設(shè)置，所述內(nèi)承載槽的大小與硅片相適應(yīng)，所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽之間設(shè)置有多個(gè)卡位，所述內(nèi)承載槽的底面開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔。該晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，能夠避免硅片與石墨舟片之間因受熱而引起的翹曲、以及產(chǎn)生的色差和氮化硅繞色背面的現(xiàn)象，從而使得太陽(yáng)能電池片的外觀得到了改善，提升了太陽(yáng)能電池的電性能。
【專利說(shuō)明】
一種晶體娃太陽(yáng)能石墨舟
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，石墨舟包括若干石墨舟片，石墨舟片上設(shè)有多個(gè)承載位，承載位的尺寸與硅片尺寸相適應(yīng)，且承載位的邊緣設(shè)有3個(gè)卡點(diǎn)，3個(gè)卡點(diǎn)分布在承載位的3個(gè)邊上。其中，承載位的中心是鏤空的，在正常生產(chǎn)時(shí)，硅片放在承載位上，通過(guò)3個(gè)卡點(diǎn)在三個(gè)方向固定;放置后，硅片的頂面高于石墨舟片的頂面設(shè)置，這時(shí)，由于環(huán)境的溫度高，導(dǎo)致硅片與石墨舟片之間形成空隙，因而引起翹曲，并產(chǎn)生色差和氮化硅繞色背面，不利于太陽(yáng)能電池電性能，同時(shí)降低鍍膜合格率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提出一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，能夠避免硅片與石墨舟片之間因受熱而引起的翹曲、以及產(chǎn)生的色差和氮化硅繞色背面的現(xiàn)象，從而使得太陽(yáng)能電池片的外觀得到了改善，提升了太陽(yáng)能電池的電性能。
[0004]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]—種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，包括若干石墨舟片，所述石墨舟片上設(shè)有多個(gè)用于放置硅片的承載位，其特征在于，每個(gè)所述承載位包括向內(nèi)凹陷形成的外承載槽和內(nèi)承載槽，所述內(nèi)承載槽位于所述外承載槽的內(nèi)部，且所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽為同心設(shè)置，所述內(nèi)承載槽的大小與硅片相適應(yīng)，所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽之間設(shè)置有多個(gè)卡位，所述內(nèi)承載槽的底面開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔。
[0006]其中，所述內(nèi)承載槽的深度為0.7?1.2mm。
[0007]其中，所述外承載槽的深度為0.2?0.6mm。
[0008]其中，所述內(nèi)承載槽的一邊緣與所述外承載槽的與所述內(nèi)承載槽的該邊緣對(duì)應(yīng)的邊緣之間的水平距離為0.5?1.5mm。
[0009]其中，所述散熱孔的直徑為6?16mm。
[0010]其中，所述散熱孔以陣列方式排列。
[0011]其中，所述散熱孔排列的陣列為2*2?7*7。
[0012]其中，所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽均為正方形。
[0013]其中，所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽中的一個(gè)的四角為倒角，而所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽中的另一個(gè)的四角為直角。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0015]本實(shí)用新型的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，包括若干石墨舟片，所述石墨舟片上設(shè)有多個(gè)用于放置硅片的承載位，每個(gè)所述承載位包括向內(nèi)凹陷形成的外承載槽和內(nèi)承載槽，所述內(nèi)承載槽位于所述外承載槽的內(nèi)部，且所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽為同心設(shè)置，所述內(nèi)承載槽的大小與硅片相適應(yīng)，所述外承載槽和所述內(nèi)承載槽之間設(shè)置有多個(gè)卡位，所述內(nèi)承載槽的底面開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔;其通過(guò)外承載槽和內(nèi)承載槽形成階梯形狀，在使用時(shí)，硅片則放置在內(nèi)承載槽中，并通過(guò)內(nèi)承載槽的底面的散熱孔實(shí)現(xiàn)散熱，而硅片的四周則與內(nèi)承載槽的內(nèi)壁之間形成配合，因而硅片處于凹陷并低于石墨舟片的頂面的狀態(tài)放置，從而能夠避免硅片與石墨舟片之間因受熱而引起的翹曲、以及產(chǎn)生的色差和氮化硅繞色背面的現(xiàn)象，從而使得太陽(yáng)能電池片的外觀得到了改善，提升了太陽(yáng)能電池的電性能。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中:1-石墨舟片;2-承載位;3-外承載槽;4-內(nèi)承載槽;5-卡位;6_散熱孔。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0019]如圖1所示，一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，包括若干石墨舟片I，所述石墨舟片I上設(shè)有多個(gè)用于放置硅片的承載位2，其特征在于，每個(gè)所述承載位2包括向內(nèi)凹陷形成的外承載槽3和內(nèi)承載槽4，所述內(nèi)承載槽4位于所述外承載槽3的內(nèi)部，且所述外承載槽3和所述內(nèi)承載槽4為同心設(shè)置，所述內(nèi)承載槽4的大小與硅片相適應(yīng)，所述外承載槽3和所述內(nèi)承載槽4之間設(shè)置有多個(gè)卡位5，所述內(nèi)承載槽4的底面開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔5。
[0020]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，所述內(nèi)承載槽4的深度為0.7?1.2mm，具體地，所述內(nèi)承載槽4的深度可以為0.7mm、0.8mm.0.9mm、1.0mmJ.1mm、1.2mm。
[0021 ]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，所述外承載槽3的深度為0.2?0.6mm，具體地，所述外承載槽3 的深度為0.2mm、0.3mm.0.4mm、0.5mm、0.6mm。
[0022]由此可見(jiàn)，內(nèi)承載槽4的深度一般選取大于外承載槽3的深度，這時(shí)，可以使得硅片放置其中時(shí)能夠更好地實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)凹陷狀態(tài)。
[0023]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，所述內(nèi)承載槽4的一邊緣與所述外承載槽3的與所述內(nèi)承載槽4的該邊緣對(duì)應(yīng)的邊緣之間的水平距離為0.5?1.5mm，具體地，所述內(nèi)承載槽4的一邊緣與所述外承載槽3的與所述內(nèi)承載槽4的該邊緣對(duì)應(yīng)的邊緣之間的水平距離為0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、I.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、I.4mm、1.5mm。通過(guò)內(nèi)承載槽4與外承載槽3之間的間距，從而可以在該位置設(shè)置卡位5，而卡位5的數(shù)量為3個(gè)，3個(gè)卡位5分別設(shè)置于三個(gè)邊緣對(duì)應(yīng)的間距位置上，因而可以能夠在三個(gè)方向上卡住硅片，保證硅片放置的更加穩(wěn)定，而且該卡位5置于外承載槽3的底面，可以避免其突出石墨舟片I的頂面，達(dá)到一定的隱藏目的，減少空間的占用。
[0024]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，所述外承載槽3和所述內(nèi)承載槽4均為正方形。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述外承載槽3和所述內(nèi)承載槽4中的一個(gè)的四角為倒角，而所述外承載槽3和所述內(nèi)承載槽4中的另一個(gè)的四角為直角。而所述散熱孔6的直徑為6?16_，具體地，所述散熱孔6的直徑為6mm、7mm、8mm、9mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm、16mm。其中，所述散熱孔6以陣列方式排列，優(yōu)選的，所述散熱孔6排列的陣列為2*2?7*7，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述散熱孔6排列的陣列為2*2、3*3、4*4、5*5、6*6、7*7。通過(guò)矩陣的方式排列，可以使得散熱均勻。
[0025]本實(shí)用新型的的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，通過(guò)外承載槽和內(nèi)承載槽形成階梯形狀，在使用時(shí)，硅片則放置在內(nèi)承載槽中，并通過(guò)內(nèi)承載槽的底面的散熱孔實(shí)現(xiàn)散熱，而硅片的四周則與內(nèi)承載槽的內(nèi)壁之間形成配合，因而硅片處于凹陷并低于石墨舟片的頂面的狀態(tài)放置，從而能夠避免硅片與石墨舟片之間因受熱而引起的翹曲、以及產(chǎn)生的色差和氮化硅繞色背面的現(xiàn)象，從而使得太陽(yáng)能電池片的外觀得到了改善，提升了太陽(yáng)能電池的電性能，特別是并聯(lián)電阻，是原來(lái)的1.5倍左右，從而電池片的轉(zhuǎn)換效率也得到了明顯地提高，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制備，適于推廣應(yīng)用。
[0026]以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它【具體實(shí)施方式】，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，包括若干石墨舟片(I)，所述石墨舟片(I)上設(shè)有多個(gè)用于放置硅片的承載位(2)，其特征在于，每個(gè)所述承載位(2)包括向內(nèi)凹陷形成的外承載槽(3)和內(nèi)承載槽(4)，所述內(nèi)承載槽(4)位于所述外承載槽(3)的內(nèi)部，且所述外承載槽(3)和所述內(nèi)承載槽(4)為同心設(shè)置，所述內(nèi)承載槽(4)的大小與硅片相適應(yīng)，所述外承載槽(3)和所述內(nèi)承載槽(4)之間設(shè)置有多個(gè)卡位(5)，所述內(nèi)承載槽(4)的底面開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔(5)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述內(nèi)承載槽(4)的深度為0.7?1.2mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述外承載槽(3)的深度為0.2?0.6mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述內(nèi)承載槽(4)的一邊緣與所述外承載槽(3)的與所述內(nèi)承載槽(4)的該邊緣對(duì)應(yīng)的邊緣之間的水平距離為0.5?1.5mmο5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述散熱孔(6)的直徑為6?I6mmο6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述散熱孔(6)以陣列方式排列。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述散熱孔(6)排列的陣列為2*2?7*7。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述外承載槽(3)和所述內(nèi)承載槽(4)均為正方形。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能石墨舟，其特征在于，所述外承載槽(3)和所述內(nèi)承載槽(4)中的一個(gè)的四角為倒角，而所述外承載槽(3)和所述內(nèi)承載槽(4)中的另一個(gè)的四角為直角。
【文檔編號(hào)】H01L21/673GK205645774SQ201620399233
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月5日
【發(fā)明人】張春華, 陳佳男, 衡陽(yáng), 鄭旭然, 李棟
【申請(qǐng)人】蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司