一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。所述陣列基板包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出像素單元，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏極，所述陣列基板還包括公共電極線，所述漏極包括延伸部，所述公共電極線和所述延伸部共同形成遮光結(jié)構(gòu)，且所述遮光結(jié)構(gòu)在所述像素電極所在的平面上的正投影位于所述像素電極的邊緣。本實用新型提供的陣列基板應(yīng)用于顯示裝置。
【專利說明】
一種陣列基板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示裝置，成為當今顯示裝置的主流。
[0003]液晶顯示裝置是由陣列基板和彩膜基板對盒，并在二者之間注入液晶而成，陣列基板上設(shè)置有相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，以交叉界定出像素單元，液晶顯示裝置包括像素電極和公共電極，像素電極與公共電極之間形成電場，通過改變電場的電壓使液晶分子產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，并配合彩色濾光層，從而實現(xiàn)圖像的顯示。
[0004]在液晶顯示裝置進行圖像顯示時，由于像素電極邊緣對應(yīng)的電場較弱，所以位于該區(qū)域范圍內(nèi)的液晶分子偏轉(zhuǎn)難度相對較大，進而影響顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0006]為了達到上述目的，本實用新型的實施例提供如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，本實用新型提供了一種陣列基板，包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出像素單元，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏極，所述陣列基板還包括公共電極線，所述漏極包括延伸部，所述公共電極線和所述延伸部共同形成遮光結(jié)構(gòu)，且所述遮光結(jié)構(gòu)在所述像素電極所在的平面上的正投影位于所述像素電極的邊緣。
[0008]在本實用新型實施例提供的陣列基板中，將薄膜晶體管的漏極延伸以形成延伸部，同時設(shè)置公共電極線，延伸部和公共電極線相互配合，形成遮光結(jié)構(gòu)，且遮光結(jié)構(gòu)在像素電極所在的平面上的正投影位于像素電極的邊緣，從而遮光結(jié)構(gòu)能夠在像素電極的邊緣起到遮光作用，進而減小了像素電極邊緣的漏光量，提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0009]另一方面，本實用新型的實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。
[0010]本實用新型實施例所提供的顯示裝置的至少具有與上述陣列基板相同的有益效果，在此不再贅述。
【附圖說明】
[0011]此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構(gòu)成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
[0012]圖1為實用新型實施例所提供的陣列基板的第一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為實用新型實施例所提供的陣列基板的第二結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為實用新型實施例所提供的陣列基板的第三結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖4為實用新型實施例所提供的陣列基板的第四結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖5為實用新型實施例所提供的陣列基板的第五結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖標記:
[0018]10-柵線；101-凹槽；I卜數(shù)據(jù)線；
[0019]20-像素單元；30-像素電極；31-第一邊緣；
[0020]32-第二邊緣；33-第三邊緣；34-第四邊緣；
[0021]41-源極；42-漏極；421-延伸部；
[0022]4211-第一延伸線； 4212-第二延伸線； 4213-第三延伸線；
[0023]50-公共電極線；51-第一部分；52-第二部分；
[0024]53-第三部分；60-過孔。
【具體實施方式】
[0025]為使本實用新型所提出的技術(shù)方案的目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合附圖，對本實用新型所提出的技術(shù)方案的實施例進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是所提出的技術(shù)方案的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本實用新型保護的范圍。
[0026]實施例一
[0027]參見圖1，本實施例提供了一種陣列基板，包括多條柵線10和多條數(shù)據(jù)線11，數(shù)據(jù)線11與柵線10交錯設(shè)置;多條柵線10和多條數(shù)據(jù)線11交叉界定出像素單元20，例如，每兩條相鄰的柵線10和兩條相鄰的數(shù)據(jù)線11界定出一個像素單元20，每個像素單元20中包括像素電極30和薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、源極41和漏極42，其中，柵極與柵線10相連(當然，柵極與柵線可以為一體結(jié)構(gòu))，源極41與數(shù)據(jù)線11相連，漏極42與像素電極30相連。本實施例中的陣列基板還包括公共電極線50，漏極42包括延伸部421，公共電極線50和延伸部421共同配合形成遮光結(jié)構(gòu)，且該遮光結(jié)構(gòu)在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的邊緣，形成對應(yīng)的遮光投影，也就是說，公共電極線50在像素電極30所在平面上的正投影，與延伸部421在像素電極30所在平面上的正投影，共同環(huán)繞在像素電極30的邊緣，形成遮光投影。當然，該遮光投影可以為閉合，或者非閉合。
[0028]在本實施例中，將陣列基板上薄膜晶體管的漏極42延伸以形成延伸部421，同時在陣列基板上設(shè)置公共電極線50，使延伸部421在像素電極30所在平面上的正投影和公共電極線50在像素電極30所在平面上的正投影，共同在像素電極30的邊緣形成一遮光投影，從而該遮光投影對應(yīng)的遮光結(jié)構(gòu)能夠在像素電極30的邊緣起到遮光作用，以盡量減少像素電極30的邊緣區(qū)域的漏光量，從而提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0029]在本實施例中，遮光結(jié)構(gòu)垂直投射在像素電極30所在平面上，所形成的正投影可以為一個閉合的環(huán)繞在像素電極30的邊緣的遮光投影，也可以為非閉合的環(huán)繞在像素電極30的邊緣的遮光投影。同時，本實施例中并不局限遮光結(jié)構(gòu)的具體形狀，可根據(jù)實際像素電極30的形狀或者其它因素來相應(yīng)地設(shè)定遮光結(jié)構(gòu)的具體形狀。
[0030]遮光結(jié)構(gòu)可有多種形成方式，本實施例中列舉以下四種方式，以供參考。
[0031]需要說明的是，在以下方式中，為了便于理解，將像素電極30的形狀假設(shè)為矩形，但像素電極30不局限于該形狀。像素電極30的矩形邊緣分別為第一邊緣31、第二邊緣32、第三邊緣33和第四邊緣34，其中，第一邊緣31與第二邊緣32為一組相對的邊緣，這里可以看到是像素電極30矩形的上邊緣和下邊緣，第三邊緣33與第四邊緣34為一組相對的邊緣，這里可以看到相對于像素電極30矩形的上下邊緣的左側(cè)邊緣和右側(cè)邊緣，因此，可以假設(shè)遮光結(jié)構(gòu)對應(yīng)的也包括四條邊，相應(yīng)的，遮光投影也包括環(huán)繞在像素電極邊緣30的四條邊。
[0032]方式一
[0033]參見圖1，漏極42延伸出延伸部421，該延伸部421以漏極42為主干，包括一條平行于像素電極30的第一邊緣31的第一延伸線4211，同時，第一延伸線4211在像素電極所在平面上的正投影位于像素電極的第一邊緣31，從而第一延伸線4211形成遮光結(jié)構(gòu)的一條邊；公共電極線50包括平行于像素電極30的第二邊緣32的第一部分51、位于第三邊緣33的第二部分52和位于第四邊緣34的第三部分53，第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第二邊緣32，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第三邊緣33，第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第四邊緣34，從而公共電極線50的三部分形成遮光結(jié)構(gòu)的其它三條邊。
[0034]在方式一中，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影，可均連接于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，從而在該平面上，公共電極線50的投影為一個整體結(jié)構(gòu)，沒有空隙，遮光性較好。
[0035]進一步的，基于像素電極30為矩形，優(yōu)選的，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影，可均垂直于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，以形成一個規(guī)整形狀的遮光結(jié)構(gòu)。
[0036]方式二
[0037]參見圖2，漏極42延伸出延伸部421，該延伸部421以漏極42為主干，首先包括一條平行于像素電極30的第一邊緣31的第一延伸線4211，接著，以第一延伸線4211為主干，延伸出連接與第一延伸線4211的第二延伸線4212和第三延伸線4213，第一延伸線4211在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第一邊緣31，第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第三邊緣33，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第四邊緣34，從而延伸部421的各部分形成遮光結(jié)構(gòu)的三條邊;公共電極線50與像素電極30的第二邊緣32相平行，且公共電極線50在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第二邊緣32;從而公共電極線50的形成遮光結(jié)構(gòu)的另外一條邊。
[0038]在方式二中，基于像素電極30為矩形，優(yōu)選的，第二延伸線4212和第三延伸線4213均垂直于第一延伸線4211，以形成一個規(guī)整形狀的遮光結(jié)構(gòu)。
[0039]方式三
[0040]參見圖3和圖4，本方式為一個獨立的方式，同時本方式也可以看作是方式一和方式二的結(jié)合，可使方式一中公共電極線50的第二部分52，與方式二中的延長部421的第二延伸線4212共同位于像素電極30的第三邊緣33，以在第三邊緣33處起到遮光作用；相應(yīng)的，使方式一中公共電極線50的第三部分53，與方式二中的延長部421的第三延伸線4213共同位于像素電極30的第四邊緣34，以在第四邊緣34處起到遮光作用。[0041 ] 參見圖3和圖4，基于上述思路，優(yōu)選的，漏極42延伸出延伸部421，該延伸部421以漏極42為主干，首先包括一條平行于像素電極30的第一邊緣31的第一延伸線4211，接著，以第一延伸線4211為主干，延伸出連接于第一延伸線4211的第二延伸線4212和第三延伸線4213，第一延伸線4211在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第一邊緣31，第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第三邊緣33，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第四邊緣34;公共電極線50包括平行于像素電極30的第二邊緣32的第一部分51、位于第三邊緣33的第二部分52和位于第四邊緣34的第三部分53，第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第二邊緣32，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第三邊緣33，第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第四邊緣34，從而第一延伸線4211和第一部分51分別形成遮光結(jié)構(gòu)的兩條邊，第二延伸線4212和第二部分52共同形成遮光結(jié)構(gòu)的一條邊，第三延伸線4213和第三部分53共同形成遮光結(jié)構(gòu)的一條邊。
[0042]對應(yīng)的，基于像素電極30為矩形，優(yōu)選的，第二延伸線4212和第三延伸線4213均垂直于第一延伸線4211，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影，均垂直于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，以形成一個規(guī)整形狀的遮光結(jié)構(gòu)。進一步的，第二部分在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分在像素電極30所在平面上的正投影，均連接于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，從而在該平面上，在延伸部421本身沒有空隙的前提下，公共電極線50的投影也為一個整體結(jié)構(gòu)，沒有空隙，進一步提高了遮光性。
[0043]方式四
[0044I 參見圖5中的第一個像素單元20，漏極42延伸出延伸部421，該延伸部421以漏極42為主干，首先包括一條平行于像素電極30的第一邊緣31的第一延伸線4211，接著，以第一延伸線4211為主干，延伸出連接于第一延伸線4211的第三延伸線4213，第一延伸線4211在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第一邊緣31，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極的第四邊緣34;公共電極線50包括平行于像素電極30的第二邊緣32的第一部分51、位于第三邊緣33的第二部分52和位于第四邊緣34的第三部分53，第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第二邊緣32，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第三邊緣33，第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影位于像素電極30的第四邊緣34，從而第一延伸線4211和第一部分51分別形成遮光結(jié)構(gòu)的兩條邊，第二部分52形成遮光結(jié)構(gòu)的一條邊，第三延伸線4213和第三部分53共同形成遮光結(jié)構(gòu)的一條邊。
[0045]對應(yīng)的，基于像素電極30為矩形，優(yōu)選的，第三延伸線4213垂直于第一延伸線4211，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影，均垂直于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，以形成一個規(guī)整形狀的遮光結(jié)構(gòu)。進一步的，第二部分在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分在像素電極30所在平面上的正投影，均連接于第一部分51在像素電極30所在平面上的正投影，從而在該平面上，在延伸部421本身沒有空隙的前提下，公共電極線50的投影也為一個整體結(jié)構(gòu)，沒有空隙，進一步提高了遮光性。
[0046]在上述四種方式中，可根據(jù)實際需要，例如，根據(jù)形成存儲電容的需要，將公共電極線50的第一部分51、第二部分52和第三部分53設(shè)置在同一層上，或者，不設(shè)置在同一層上。當然了，此方案不僅僅適用于以上三種方式，相應(yīng)的，公共電極線50的各部分可設(shè)置在同一層上，或者，不設(shè)置在同一層上。
[0047]可選的，漏極延伸部421與公共電極線50可以同層或異層設(shè)置。例如，公共電極線的第一部分51、第二部分52和第三部分53不設(shè)置在同一層上，即第一部分51、第二部分52和第三部分53異層設(shè)置，也就是至少有一部分與其它兩部分是異層設(shè)置的。
[0048]參見圖3的第一個像素單元20，例如，為了進一步完善方式三，可將第一部分51、第二部分52和第三部分53異層設(shè)置，以使第二部分52和第二延伸線4212不同層，同時，第二延伸線4212與第二部分52在像素電極30所在平面上的投影存在交疊區(qū)域，比如，第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影的端部，與第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影的端部重疊，這樣，第二延伸線4212的端部和第二部分52的端部就會形成存儲電容，該存儲電容有利于驅(qū)動像素電極30的邊緣的液晶分子，從而了提高陣列基板的性能，而且在像素電極30所在的平面上，第三邊緣33處對應(yīng)的遮光結(jié)構(gòu)是沒有空隙的，遮光效果好。
[0049]可以想到，還可使第三延伸線4213與第三部分53異層設(shè)置，第三延伸線4213與第三部分53在像素電極30所在平面上的投影存在交疊區(qū)域，比如，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影的端部，與第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影的端部重疊，也形成存儲電容。
[0050]參見圖5中的第一個像素單元20，又如，為了進一步完善方式四，可將第一部分51、第二部分52和第三部分53異層設(shè)置，以使第三部分53和第三延伸線4213不同層，同時，第三延伸線4213與第三部分53在像素電極30所在平面上的投影存在交疊區(qū)域，比如，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影的端部，與第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影的端部重疊，這樣，第三延伸線4213的端部和第三部分53的端部就會形成存儲電容。
[0051]在這里解釋一下，對于像素電極30所在平面上的投影來說，因第二延伸線4212與第一延伸線4211連接，因此，可以理解為第二延伸線4212的一端與第一延伸線4211連接，另一端即為上述第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影的端部，同理，上述第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影的端部為第三延伸線4213遠離第一延伸線4211—端的投影。因此，不難想到，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影的端部為第二部分52遠離第一部分51—端的投影，第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影的端部為第三部分53遠離第一部分51—端的投影。
[0052]在上述形成存儲電容的方案中，可以是在像素電極30—側(cè)的邊緣形成存儲電容，還可以是在像素電極30的兩側(cè)的邊緣分別形成存儲電容，這樣進一步地提高陣列基板的性能，同時像素電極30的兩側(cè)的邊緣對應(yīng)的遮光結(jié)構(gòu)均沒有空隙，也就進一步提高了遮光性。更優(yōu)選的，結(jié)合公共電極線50的各部分在像素電極30所在平面上的正投影之間為無空隙的情況，對應(yīng)的遮光結(jié)構(gòu)為閉合的，從而達到更佳的遮光效果。
[0053]參見圖4，除此之外，結(jié)合公共電極線50的各部分在像素電極30所在平面上的正投影之間為無空隙的情況，還有多種形成閉合的遮光結(jié)構(gòu)的方式，例如，可使第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影和第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影相互平行，且二者正投影的端部在平面內(nèi)相互交疊，這樣，遮光結(jié)構(gòu)在第三邊緣33對應(yīng)的部分是沒有空隙的，而且在二者端部位置為雙重遮光；同時，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影相互平行，且二者正投影的端部在平面內(nèi)相互交疊，這樣，遮光結(jié)構(gòu)在第四邊緣34對應(yīng)的部分也是沒有空隙的，而且在二者端部位置也為雙重遮光，綜上所述，像素電極30邊緣的遮光結(jié)構(gòu)為閉合的。進一步的，基于上述第二延伸線4212和第三延伸線4213均垂直于第一延伸線4211的方案，此方案中的第二延伸線4212、第三延伸線4213、第二部分52和第三部分53，在像素電極30所在平面上的正投影相互平行。
[0054]實現(xiàn)這一閉合的遮光結(jié)構(gòu)具體方式可以是:參見圖4中第一個像素單元20，使第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影，較第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影，靠近像素電極30的第三邊緣33，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影，較第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影靠近像素電極30的第四邊緣34，也就是說，第二延伸線4212和第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影，伸入第二部分52和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影。
[0055]參見圖4中第二個像素單元20，上述閉合的遮光結(jié)構(gòu)還可以采取相反的方式實現(xiàn)，也就是第二部分52和第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影，伸入第二延伸線4212和第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影，具體為:使第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影，較第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影遠離像素電極30的第三邊緣33，第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影，較第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影遠離像素電極30的第四邊緣34。
[0056]需要補充的是，在本實施例中，所述“閉合”是指像素電極30的邊緣均設(shè)有遮光結(jié)構(gòu)，形象的說，就是相對于像素電極30的邊緣而言，沒有暴露的縫隙，而并不是指連續(xù)的封閉的遮光結(jié)構(gòu)。
[0057]在本實施例，公共電極線50包括第一部分51、第二部分52和第三部分53的方案中，各部分在像素電極30所在平面上的正投影到對應(yīng)邊緣的垂直距離有多種情況，例如:第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影與第三邊緣33之間的垂直距離，可以大于第三部分53在像素電極30所在平面上的正投影與第四邊緣34之間的垂直距離;或者，也可以是，參見圖5中的第一個像素單元20，第二部分52在像素電極30所在平面上的正投影與第三邊緣33之間的垂直距離，小于第三部分53在像素電極所在平面上的正投影與第四邊緣34之間的垂直距離。
[0058]相應(yīng)的可以想到，延伸部421的各部分在像素電極30所在平面上的正投影到對應(yīng)邊緣的垂直距離也有多種情況，例如:第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影與第三邊緣33之間的垂直距離，可以大于第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影與第四邊緣34之間的垂直距離;或者，也可以是，第二延伸線4212在像素電極30所在平面上的正投影與第三邊緣33之間的垂直距離，小于第三延伸線4213在像素電極30所在平面上的正投影與第四邊緣34之間的垂直距離。
[0059]進一步的，還可使公共電極線50在像素電極30所在平面上的正投影與像素電極30存在重疊，從而使公共電極線50與像素電極30之間形成存儲電容，以提高陣列基板的性能。
[0060]還可使漏極42的延伸部421在像素電極30所在平面上的正投影與像素電極30存在重疊，從而使延伸部421與像素電極30之間形成存儲電容，以提高陣列基板的性能。
[0061]形成存儲電容的兩個結(jié)構(gòu)必須保證異層設(shè)置，當然以上兩種情況也不例外。而在本實施例中的遮光結(jié)構(gòu)中，漏極42的延伸部421的各部分與公共電極線50的各部分之間，可至少有一組延伸部421和公共電極線50是異層設(shè)置的，因此，可至少有一個存儲電容，以提尚陣列基板的性能。
[0062]上述內(nèi)容具體解釋了閉合的遮光結(jié)構(gòu)，在本實施例中，陣列基板也包括非閉合的遮光結(jié)構(gòu)。參見圖3中第二個像素單元，例如:當延伸部421與公共電極線50之間為同層設(shè)置，且延伸部421中的某部分在像素電極30所在平面上的正投影，與公共電極線50在像素電極30所在平面上的正投影處于同一條直線時，這時，這兩部分之間的投影是有空隙的，這就是其中一種非閉合遮光結(jié)構(gòu)。
[0063]參見圖5，值得一提的是，漏極42與像素電極30通過過孔60連接，在本實施例中，可使漏極42的延伸部421與像素電極30通過過孔60連接，這樣，可將過孔60設(shè)置在遠離薄膜晶體管的位置處，從而避免了在刻蝕過孔60時，若過孔60在薄膜晶體管附近，出現(xiàn)因刻蝕液腐蝕薄膜晶體管，或者工藝過程的殘留等影響薄膜晶體管的性能的現(xiàn)象。
[0064]進一步的，可在柵線10上遠離薄膜晶體管處設(shè)置有凹槽101，該凹槽101與過孔60所在區(qū)域相對應(yīng)，從而可使過孔60所在區(qū)域位于該凹槽101內(nèi)，這樣就節(jié)省了布局空間。例如，當像素單元20的薄膜晶體管位于該像素單元20所對應(yīng)的柵線10的端部時，可將凹槽101設(shè)置在柵線10非端部的位置處，也就是柵線10兩端之間的任意位置，以實現(xiàn)過孔60遠離薄膜晶體管。
[0065]以下對應(yīng)的提供一種上述陣列基板的制備方法:
[0066]步驟SI:在襯底基板上形成柵極金屬層，對柵極金屬層進行構(gòu)圖工藝，形成柵線、柵極，以及所需要的公共電極線的圖形。
[0067]優(yōu)選的，可采用濺射工藝沉積柵極金屬層，形成柵極金屬層的材料可為銅、鋁、鉬、鈦、鉻、鎢等金屬，也可為這些金屬的合金。
[0068]其中，在步驟SI中，可形成單層結(jié)構(gòu)的柵線，或者多層結(jié)構(gòu)的柵線，如:鉬、鋁、鉬疊加式的多層結(jié)構(gòu)，鈦、銅、鈦疊加式的多層結(jié)構(gòu)，或者，鉬、鈦、銅疊加式的多層結(jié)構(gòu)。
[0069]步驟S2:在具有柵線、柵極和公共電極線的基板上形成柵極保護層。
[0070]優(yōu)選的，可通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法形成柵極保護層，形成柵極保護層的材料可為氮化硅或者氧化硅，形成的柵極絕緣層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氮化硅和氧化硅疊加式的多層結(jié)構(gòu)。
[0071]步驟S3:在柵極保護層上形成半導(dǎo)體層，對半導(dǎo)體層進行構(gòu)圖工藝，形成有源層。
[0072]優(yōu)選的，可通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅來形成半導(dǎo)電體層，或者可通過濺射工藝沉積氧化物半導(dǎo)體來(如:氧化銦鎵鋅)形成半導(dǎo)電體層。
[0073]步驟S4:在有源層上形成源漏金屬層，對源漏金屬層進行構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖形。
[0074]特別的，這里的漏極的圖形包括與公共電極線相互配合的延伸部的圖形。
[0075]優(yōu)選的，可采用濺射工藝沉積源漏金屬層，源漏金屬層可由銅、鋁、鉬、鈦、鉻、鎢等金屬材料或者這些金屬的合金制備而成。
[0076]步驟S5:在具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成過孔的圖形，過孔位于漏極上方。
[0077]特別的，過孔可位于漏極的延伸部的上方，進一步的，過孔可遠離相應(yīng)的薄膜晶體管。
[0078]優(yōu)選的，可采用無機物形成鈍化層，如氮化硅，對應(yīng)的，可在具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極的基板上采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅來形成鈍化層;也可采用有機物形成鈍化層，如樹脂，對應(yīng)的，可在具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極的基板上涂覆樹脂層來形成鈍化層。
[0079]步驟S6:在鈍化層上形成透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，像素電極通過過孔與漏極電連接。
[0080]特別的，像素電極可與漏極的延長部電連接。
[0081]優(yōu)選的，可采用濺射工藝形成透明導(dǎo)電薄膜，形成透明導(dǎo)電薄膜的材料可為氧化銦錫、氧化銦鋅等一些透明金屬氧化物。
[0082]以上步驟中，構(gòu)圖工藝可包括涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕等過程。
[0083]通過這一制備方法，可形成本實施例中的陣列基板，該陣列基板包括上述內(nèi)容中的遮光結(jié)構(gòu)。
[0084]實施例二
[0085]本實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0086]在上述陣列基板的像素電極的邊緣，通過漏極延伸的延伸部與公共電極線的設(shè)置，共同形成遮光結(jié)構(gòu)，且遮光結(jié)構(gòu)垂直投射在像素電極所在平面上形成的正投影，在像素電極的邊緣形成閉合或者非閉合的遮光投影，從而使遮光結(jié)構(gòu)在像素電極的邊緣能夠起到遮光作用，進而減少了像素電極邊緣的漏光量，顯示裝置的顯示質(zhì)量得以提高。
[0087]需要說明的是，本實施例所提供的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0088]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出像素單元，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏極，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極線，所述漏極包括延伸部，所述公共電極線和所述延伸部共同形成遮光結(jié)構(gòu)，且所述遮光結(jié)構(gòu)在所述像素電極所在的平面上的正投影位于所述像素電極的邊緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸部包括第一延伸線，所述第一延伸線與所述像素電極的第一邊緣相平行，且所述第一延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第一邊緣； 所述公共電極線包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分與所述像素電極的第二邊緣相平行，且所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第二邊緣;所述第二部分和所述第三部分分別在所述像素電極所在平面上的正投影均與所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影連接，且所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第三邊緣，所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 其中，所述像素電極的第一邊緣與所述像素電極的第二邊緣相對，所述像素電極的第三邊緣與所述像素電極第四邊緣相對。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸部包括第一延伸線、第二延伸線和第三延伸線，所述第一延伸線與所述像素電極的第一邊緣相平行，且所述第一延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第一邊緣;所述第二延伸線和所述第三延伸線均與所述第一延伸線連接，所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第三邊緣，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 所述公共電極線與所述像素電極的第二邊緣相平行，且所述公共電極線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第二邊緣； 其中，所述像素電極的第一邊緣與所述像素電極的第二邊緣相對，所述像素電極的第三邊緣與所述像素電極第四邊緣相對。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸部包括第一延伸線、第二延伸線和第三延伸線，所述第一延伸線與所述像素電極的第一邊緣相平行，且所述第一延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第一邊緣;所述第二延伸線和所述第三延伸線均與所述第一延伸線連接，所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第三邊緣，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 所述公共電極線包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分與所述像素電極的第二邊緣相平行，且所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第二邊緣;所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影連接于所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影，所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第三邊緣;所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影連接于所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影，所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 其中，所述像素電極的第一邊緣與所述像素電極的第二邊緣相對，所述像素電極的第三邊緣與所述像素電極第四邊緣相對。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二延伸線與所述第二部分異層設(shè)置，所述第二延伸線與所述第二部分在所述像素電極所在平面上的投影存在交疊區(qū)域；和/或， 所述第三延伸線與所述第三部分異層設(shè)置，所述第三延伸線與所述第三部分在所述像素電極所在平面上的投影存在交疊區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二延伸線、所述第三延伸線、所述第二部分和所述第三部分，在所述像素電極所在平面上的正投影相互平行，且所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影的端部與所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影的端部相互交疊，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影的端部與所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影的端部相互交疊。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影，較所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影遠離所述像素電極的第三邊緣，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影，較所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影遠離所述像素電極的第四邊緣;或者， 所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影，較所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影靠近對應(yīng)的所述像素電極的第三邊緣，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影，較所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影靠近所述像素電極的第四邊緣。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸部包括第一延伸線和第三延伸線，所述第一延伸線與所述像素電極的第一邊緣相平行，且所述第一延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第一邊緣;所述第三延伸線與所述第一延伸線連接，所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 所述公共電極線包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分與所述像素電極的第二邊緣相平行，且所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第二邊緣;所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影連接于所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影，所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第三邊緣;所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影連接于所述第一部分在所述像素電極所在平面上的正投影，所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影位于所述像素電極的第四邊緣； 其中，所述像素電極的第一邊緣與所述像素電極的第二邊緣相對，所述像素電極的第三邊緣與所述像素電極第四邊緣相對。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第三延伸線與所述第三部分異層設(shè)置，所述第三延伸線與所述第三部分在所述像素電極所在平面上的投影存在交疊區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求2、4、8任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第三邊緣之間的垂直距離，大于所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第四邊緣之間的垂直距離;或者， 所述第二部分在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第三邊緣之間的垂直距離，小于所述第三部分在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第四邊緣之間的垂直距離。11.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第三邊緣之間的垂直距離，大于所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第四邊緣之間的垂直距離;或者， 所述第二延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第三邊緣之間的垂直距離，小于所述第三延伸線在所述像素電極所在平面上的正投影與所述第四邊緣之間的垂直距離。12.根據(jù)權(quán)利要求2、4、8任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線的第一部分、第二部分和第三部分為同層設(shè)置，或者，所述公共電極線的第一部分、第二部分和第三部分的至少一部分與其它兩個部分為異層設(shè)置。13.根據(jù)權(quán)利要求1?9任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線在所述像素電極所在平面上的正投影與所述像素電極存在重疊。14.根據(jù)權(quán)利要求1?9任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極的延伸部在所述像素電極所在平面上的正投影與所述像素電極存在重疊。15.根據(jù)權(quán)利要求1?9任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極的延伸部與所述像素電極通過過孔連接，所述薄膜晶體管位于所述像素單元對應(yīng)柵線的端部，在所述像素單元對應(yīng)柵線的非端部的位置處設(shè)置有凹槽，所述過孔所在區(qū)域位于所述凹槽內(nèi)。16.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1?15任一項所述的陣列基板D
【文檔編號】H01L27/12GK205645811SQ201620520143
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月31日
【發(fā)明人】先建波, 李盼, 喬勇, 吳新銀, 徐健
【申請人】京東方科技集團股份有限公司