有寬面積肖特基結(jié)的寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)器件的制作方法
【專利摘要】本公開提供具有寬面積肖特基結(jié)的寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)器件，以增加歐姆接觸和肖特基接觸的面積。開關(guān)器件包括：半導(dǎo)體材料的本體(2)，其具有第一導(dǎo)電性類型并且由前表面(Sa)界定；第一導(dǎo)電材料的接觸層(12)，其與前表面接觸地延伸；以及多個(gè)掩埋區(qū)域(20)，其具有第二導(dǎo)電性類型并且被設(shè)置在半導(dǎo)體本體內(nèi)，與接觸層相距一定距離。本開關(guān)器件具有比在平面JBS結(jié)構(gòu)中建立的電場(chǎng)值更低的電場(chǎng)值，但是具有更寬的肖特基接觸面積并且因此具有用于電流通過的更寬的有用面積。
【專利說明】
有寬面積肖特基結(jié)的寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)器件，其具有寬面積肖特基結(jié);此外，本實(shí)用新型涉及用于制造上述開關(guān)器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，如今有可用的所謂的“結(jié)勢(shì)皇肖特基”(JBS)功率二極管，還稱為“融合PiN肖特基”(MPS)二極管。根據(jù)這一技術(shù)，二極管形成兩種不同的接觸:歐姆接觸和肖特基接觸。
[0003]通常，JBS二極管是碳化硅的。具體而言，如例如以本
【申請(qǐng)人】的名義在2014年6月20日提交的意大利專利申請(qǐng)N0.T02014A000494中描述的那樣，JBS 二極管包括N型的碳化硅的半導(dǎo)體本體，其在頂部由前表面界定，由例如鈦形成的導(dǎo)電層在該前表面之上延伸。存在于導(dǎo)電層內(nèi)并且與前表面接觸的是由例如硅化鎳制成的多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域。此外，在半導(dǎo)體本體內(nèi)形成的是P型的阱，其從半導(dǎo)體本體的前表面延伸，使得每個(gè)阱接觸對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電區(qū)域。以這一方式，在每個(gè)導(dǎo)電區(qū)域和對(duì)應(yīng)的阱之間創(chuàng)建了歐姆接觸。此外，在導(dǎo)電層和半導(dǎo)體本體的設(shè)置在阱之間的部分之間形成了對(duì)應(yīng)的肖特基接觸。
[0004]JBS 二極管的結(jié)構(gòu)保證了后者在工作電流下基本上具有與肖特基二極管相同的電壓降。此外，在反偏置并且在接近擊穿時(shí)，JBS 二極管呈現(xiàn)與雙極二極管的漏電流可比擬的漏電流。此外，歐姆接觸的存在使得JBS二極管在正向偏置下能夠耐受高電流，這是由于雙極結(jié)被激活的事實(shí)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]然而，歐姆接觸的存在涉及需要將導(dǎo)電區(qū)域和對(duì)應(yīng)的阱精確對(duì)準(zhǔn)。此外，歐姆接觸的總面積受對(duì)準(zhǔn)的質(zhì)量限制。這一限制反映在增加阱密度的可能性上。此外，阱的存在使得用于創(chuàng)建肖特基接觸的有用面積減少，結(jié)果減少了降低工作電流下二極管兩端的電壓降的可能性。
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供將至少部分地克服已知技術(shù)的缺點(diǎn)的器件和制造方法。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型，提供了寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)器件和對(duì)應(yīng)的制造方法。
[0008]根據(jù)本公開的第一方面，提供開關(guān)器件，其包括:半導(dǎo)體材料的本體，其具有第一導(dǎo)電性類型并且由前表面界定;第一導(dǎo)電材料的接觸層，其與前表面接觸地延伸；以及多個(gè)掩埋區(qū)域，其具有第二導(dǎo)電性類型，并且被設(shè)置在半導(dǎo)體本體內(nèi)，與接觸層相距一定距離。
[0009]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，開關(guān)器件進(jìn)一步包括不同于第一導(dǎo)電材料的第二導(dǎo)電材料的多個(gè)連接區(qū)域，每個(gè)連接區(qū)域在半導(dǎo)體本體中從前表面開始延伸，直到每個(gè)連接區(qū)域接觸對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域。
[0010]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，每個(gè)連接區(qū)域至少部分地延伸到對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域中。
[0011 ]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，其中半導(dǎo)體本體和接觸層形成肖特基接觸;并且其中每個(gè)連接區(qū)域與對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域形成歐姆接觸。
[0012]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，第二材料是過渡金屬的硅化物。
[0013]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，第一材料是過渡金屬。
[0014]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，本體是碳化硅的。
[00?5]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，第一導(dǎo)電性為N型并且第二導(dǎo)電性為P型。
[0016]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，開關(guān)器件進(jìn)一步包括導(dǎo)電材料的頂部層，頂部層覆在接觸層上面，直接接觸接觸層，并且具有比接觸層更大的厚度。
[0017]根據(jù)本公開的第一方面的實(shí)施例，開關(guān)器件形成結(jié)勢(shì)皇肖特基二極管。
[0018]根據(jù)本公開的第二方面，提供用于開關(guān)器件的制造方法，其包括以下步驟:在具有第一導(dǎo)電性類型并且由前表面界定的半導(dǎo)體材料的本體內(nèi)形成第二導(dǎo)電性類型的多個(gè)掩埋區(qū)域，掩埋區(qū)域被設(shè)置為與前表面相距一定距離；以及形成與前表面接觸的第一導(dǎo)電材料的接觸層。
[0019]根據(jù)本公開的第二方面的實(shí)施例，制造方法進(jìn)一步包括形成不同于第一導(dǎo)電材料的第二導(dǎo)電材料的多個(gè)連接區(qū)域的步驟，使得每個(gè)連接區(qū)域?qū)⒃诎雽?dǎo)體本體中從前表面開始延伸，直到每個(gè)連接區(qū)域接觸對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域。
[0020]根據(jù)本公開的第二方面的實(shí)施例，執(zhí)行形成多個(gè)連接區(qū)域的步驟，使得每個(gè)連接區(qū)域至少部分地在對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域內(nèi)延伸。
[0021]根據(jù)本公開的第二方面的實(shí)施例，形成多個(gè)掩埋區(qū)域的步驟包括:執(zhí)行離子注入，以用于在半導(dǎo)體本體中形成掩埋類型的多個(gè)預(yù)備區(qū)域；以及然后執(zhí)行激活預(yù)備區(qū)域中注入的離子的熱處理。
[0022]根據(jù)本公開的第二方面的實(shí)施例，形成多個(gè)掩埋區(qū)域的步驟包括:執(zhí)行離子注入，以用于在半導(dǎo)體本體中形成多個(gè)預(yù)備區(qū)域，多個(gè)預(yù)備區(qū)域散布到臨時(shí)界定半導(dǎo)體本體的臨時(shí)表面上；以及然后在臨時(shí)表面上生長(zhǎng)外延層;方法進(jìn)一步包括執(zhí)行激活在預(yù)備區(qū)域中注入的離子的熱處理的步驟。
[0023]根據(jù)本公開的第二方面的實(shí)施例，制造方法進(jìn)一步包括以下步驟:在前表面的頂部上形成介電材料的掩模層;形成多個(gè)溝槽，使得每個(gè)溝槽貫穿掩模層、半導(dǎo)體本體的一部分、以及對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域的至少一部分;使用第三導(dǎo)電材料的填充區(qū)域填充溝槽;使得填充區(qū)域的部分與半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體材料熱反應(yīng)以形成硅化物；以及然后移除填充區(qū)域的未反應(yīng)的部分。
[0024]本開關(guān)器件呈現(xiàn)與所謂的JBS溝槽二極管基本上相同的電場(chǎng)；S卩，其具有比在平面JBS結(jié)構(gòu)中建立的電場(chǎng)值更低的電場(chǎng)值，但是具有更寬的肖特基接觸面積并且因此具有用于電流通過的更寬的有用面積。此外，本開關(guān)器件的特征在于更低的漏電流，以及比例如在平面JBS結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的正向偏置電壓降更低的正向偏置電壓降。
【附圖說明】
[0025]為了更好地理解本實(shí)用新型，現(xiàn)在單純地借助于非限制性示例，參照附圖描述本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，其中:
[0026]-圖1至圖4是本開關(guān)器件的實(shí)施例的示意性橫截面圖；
[0027]-圖5A至圖5E是在制造方法的連續(xù)步驟期間圖1中所圖示的實(shí)施例的示意性橫截面圖；
[0028]-圖6A至圖6E是在制造方法的連續(xù)步驟期間圖2中所圖示的實(shí)施例的示意性橫截面圖；
[0029]-圖7A至圖7E是在制造方法的連續(xù)步驟期間圖3中所圖示的實(shí)施例的示意性橫截面圖；并且
[0030]-圖8A至圖SE是在制造方法的連續(xù)步驟期間圖4中所圖示的實(shí)施例的示意性橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]圖1是JBS二極管(在下文中稱為二極管I)的結(jié)構(gòu)的示意性圖示。
[0032]詳細(xì)地，二極管I包括二極管本體2，其由例如寬帶隙半導(dǎo)體制成，諸如例如從碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、以及氮化鎵(GaN)中選擇的材料。在下文中，在這不暗示一般性的任何損失的情況下，假設(shè)半導(dǎo)體本體2是碳化硅的。
[0033]半導(dǎo)體本體2包括N+型的基板4和N型的第一外延層6。第一外延層6被設(shè)置在基板4上，第一外延層6與基板4直接接觸，并且具有比基板4的摻雜水平更低的摻雜水平。此外，半導(dǎo)體本體2在頂部和底部分別由第一表面33和第二表面Sb界定，第一表面Sa和第二表面Sb分別由第一外延層6和基板4形成。
[0034]二極管I進(jìn)一步包括底部接觸層10，其由例如硅化鎳制成并且在第二表面Sb下延伸，與基板4直接接觸。
[0035]二極管進(jìn)一步包括導(dǎo)電層12和頂部金屬化14。
[0036]導(dǎo)電層12在第一表面Sa2上延伸，與第一外延層6直接接觸，并且是金屬的，諸如例如從鎳、鈦、以及鉬、或者任何過渡金屬中選擇的材料。
[0037]頂部金屬化14在導(dǎo)電層12之上延伸并且與后者直接接觸。此外，頂部金屬化14是金屬材料(諸如例如鋁)的，并且具有比導(dǎo)電層12的厚度更大的厚度。為了實(shí)際用途，頂部金屬化14被設(shè)計(jì)為接觸導(dǎo)電元件(諸如例如所謂的“引線”)，以便使得可能將電流注入到二極管I中或者將電流從二極管I抽走。因此，頂部金屬化14被設(shè)計(jì)為耐受由與導(dǎo)電元件的接觸感應(yīng)的機(jī)械應(yīng)力。
[0038]二極管I進(jìn)一步包括多個(gè)掩埋區(qū)域20，多個(gè)掩埋區(qū)域20是與半導(dǎo)體本體2的半導(dǎo)體材料相同的半導(dǎo)體材料的，被定位在與第一表面33相距一定距離處并且因此不接觸導(dǎo)電層
12ο
[0039]在這不暗示一般性的任何損失的情況下，在圖1所圖示的實(shí)施例中，掩埋區(qū)域20為P型的并且基本上彼此相同。此外，掩埋區(qū)域20延伸到與半導(dǎo)體本體2近似相同的深度。
[0040]更詳細(xì)地，掩埋區(qū)域20彼此分離。此外，在頂視平面圖中，掩埋區(qū)域20可以例如具有細(xì)長(zhǎng)形狀(例如，在平行于第一表面33的方向上)，或者，再次通過示例的方式，從圓形和多邊形之間選擇的形狀。通常，在頂視平面圖中，掩埋區(qū)域20可以因此限定條形或者細(xì)胞形設(shè)置。
[0041]甚至更詳細(xì)地，導(dǎo)電層12和第一外延層6使得在其之間形成所謂的肖特基接觸。在掩埋區(qū)域20和第一外延層6之間的接觸區(qū)域中，代之有PN結(jié)形成。換句話說，第一外延層6和掩埋區(qū)域20分別形成雙極二極管的陰極區(qū)域和陽極區(qū)域，而第一導(dǎo)電層12和第一外延層6分別形成肖特基二極管的陽極區(qū)域和陰極區(qū)域。在使用中，肖特基接觸針對(duì)二極管I的低偏置電壓而被激活，而PN接觸在更高電壓處被激活。此外，由于掩埋區(qū)域20與導(dǎo)電層12分離，肖特基接觸在特別廣闊的面積之上發(fā)展。
[0042]如圖2所圖示的，還可能的是如下實(shí)施例，其中半導(dǎo)體本體2包括被設(shè)置在第一外延層6上的第二外延層24。
[0043]例如，第二外延層24可以具有與第一外延層6近似相同的摻雜水平。代之在其中第一和第二外延層6、24具有不同摻雜水平的情形下，兩個(gè)自由度可用于在設(shè)計(jì)階段優(yōu)化正向偏置電壓降和反向偏置漏電流之間的折衷。此外，第二外延層24形成上述第一表面Sa和第三表面S。。具體而言，第二外延層24覆在掩埋區(qū)域20上面(直接接觸掩埋區(qū)域20)，掩埋區(qū)域20從第三表面S。開始延伸到第一外延層6中。實(shí)際上，第三表面S。在頂部界定第一外延層6。
[0044]圖3示出了附加的實(shí)施例，其中二極管I進(jìn)一步包括多個(gè)區(qū)域28(在下文中稱為連接區(qū)域28)。
[0045]詳細(xì)地，連接區(qū)域28是導(dǎo)電材料的，諸如例如娃化鎳、娃化鈦、娃化鉬、或者過渡金屬的硅化物。此外，每個(gè)連接區(qū)域28從第一表面53開始延伸到第一外延層6中，直到其接觸對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20。此外，如圖3精確圖示的，每個(gè)連接區(qū)域28都可以至少部分地延伸到對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中，并且特別地，延伸到這一掩埋區(qū)域20的頂部部分中。
[0046]更詳細(xì)地，連接區(qū)域28和掩埋區(qū)域20使得每個(gè)連接區(qū)域28和對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20之間的接觸區(qū)域形成對(duì)應(yīng)的歐姆接觸。以這一方式，二極管I的特征在于正向偏置的特定強(qiáng)度。
[0047]如圖4所圖示的，還可能的是如下實(shí)施例，憑借該實(shí)施例，二極管I包括連接區(qū)域28和第二外延層24兩者。在這一情形下，連接區(qū)域28延伸穿過第二外延層24。具體而言，在這不暗示一般性的任何損失的情況下，每個(gè)頂部區(qū)域28包括:頂部部分，該頂部部分從第一表面Sa延伸穿過第二外延層24;以及底部部分，該底部部分延伸到對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中。
[0048]在圖1中圖示的二極管I可以例如如圖5A至圖5E所示并且如此后詳細(xì)描述的那樣獲得。
[0049]首先，如圖5A所圖示的，提供了由基板4和第一外延層6形成的半導(dǎo)體本體2。
[0050]接著，如圖5B所示，在第一表面Sa上形成的是硬掩模32，其限定多個(gè)窗口34。此外，使用窗口 34，執(zhí)行P型注入(由箭頭36示意性地表示)，例如鋁離子注入。注入在高能量(例如，高于200keV)下執(zhí)行并且使用例如范圍在I.113和2.115原子/cm2之間的劑量。此外，這一注入導(dǎo)致掩埋類型(即遠(yuǎn)離第一表面Sa)的區(qū)域40的形成。這些區(qū)域40(在下文中稱為預(yù)備區(qū)域40)將形成掩埋區(qū)域20。
[0051]接著，如圖5C所示，硬掩模32被移除。此外，執(zhí)行激活所注入的離子的熱處理。這一處理在高于1500°C的溫度下執(zhí)行。在熱激活處理之后，每個(gè)預(yù)備區(qū)域40形成對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20。
[0052]接著，如圖5D所示，在第一表面Sa上沉積的是掩模層42，其例如由TEOS氧化物制成。此外，底部接觸層10形成在第二表面Sb下并且與其直接接觸(以本身已知的方法并且因此沒有圖示)。例如，金屬材料(例如鎳)的底部層形成在第二表面Sb下并且與其直接接觸，并且然后執(zhí)行熱處理，其引起上述金屬材料的底部層的硅化，結(jié)果形成底部接觸層10。
[0053]接著，如圖5E所示，掩模層42被移除。此外，導(dǎo)電層12例如通過濺射或者蒸發(fā)形成在第一表面Sa上。
[0054]最終，以未圖示的方式，頂部金屬化14例如通過濺射或者蒸發(fā)形成在導(dǎo)電層12上。
[0055]至于圖2中所圖示的實(shí)施例，其可以例如以此后描述的方式來獲得。
[0056]在執(zhí)行了圖5A中所圖示的操作之后，形成硬掩模32，并且執(zhí)行P型注入(由箭頭46示意性地表示)，如圖6A所示。注入在低能量(例如，小于200keV)下執(zhí)行，例如使用招離子，并且使用例如范圍在I.113和2.115原子/cm2之間的劑量。此外，這一注入導(dǎo)致預(yù)備區(qū)域40的形成，預(yù)備區(qū)域40散布到第一外延層6的頂部表面上。
[0057]接著，如圖6B所示，硬掩模32被移除，并且然后執(zhí)行外延生長(zhǎng)處理，以用于形成第二外延層24。
[0058]接著，如圖6C所示，執(zhí)行激活所注入的離子的熱處理。這一處理在高于1500°C的溫度下執(zhí)行。在熱激活處理之后，每個(gè)預(yù)備區(qū)域40形成對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20。
[0059]接著，如圖6D所示，沉積在第二外延層24上的并且因此與半導(dǎo)體本體2的第一表面Sa接觸的掩模層42。此外，底部接觸層10形成在第二表面Sb下并且與其直接接觸(例如以之前描述的方式)。
[0060]接著，如圖6E所示，掩模層42被移除。此外，導(dǎo)電層12例如通過濺射或者蒸發(fā)形成在第二外延層24上。接著，如之前描述的那樣，形成頂部金屬化14。
[0061]至于圖3中所示的實(shí)施例，其可以以此后描述的方式來獲得。
[0062I首先，執(zhí)行圖5A至圖中圖示操作。
[0063]接著，如圖7A所示，多個(gè)溝槽50例如通過干法各向異性刻蝕而形成。具體而言，溝槽50通過挖掘操作形成，該挖掘操作需要選擇性地移除掩模層42和第一外延層6的部分。
[0064]更詳細(xì)地，每個(gè)溝槽50從掩模層42的頂部表面(由Sd指定)延伸，并且超過掩模層42而貫穿第一外延層6的被設(shè)置在掩模層42和對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20之間的對(duì)應(yīng)部分，直到其部分地延伸到所述對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中。具體而言，每個(gè)溝槽50的底部部分延伸穿過對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20的頂部部分。因此，每個(gè)溝槽50的底部延伸到對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中。
[0065]接著，如圖7B所示，形成在掩模層42上并且在溝槽50內(nèi)的是金屬材料(例如鎳、鈦、或者鉬)的層54(在下文中稱為填充層54)。填充層54例如通過濺射或者蒸發(fā)而獲得，并且完全填充溝槽50。
[0066]接著，如圖7C所示，在被包括在6000C和1100 °C之間的溫度下執(zhí)行熱處理，并且執(zhí)行被包括在10分鐘和300分鐘之間的持續(xù)時(shí)間，在此期間，填充層54的被設(shè)置為與半導(dǎo)體材料接觸的部分經(jīng)歷硅化處理，該處理結(jié)束時(shí)，它們形成對(duì)應(yīng)的連接區(qū)域28。填充層54的未經(jīng)歷任何反應(yīng)的部分代之在圖7C中由55指定。
[0067]如圖7D所示，填充層54的未反應(yīng)部分55然后被移除。
[0068]接著，如圖7E所示，掩模層42被移除；進(jìn)一步地，導(dǎo)電層12形成在第一外延層6上。接著，以未圖示的方式，形成頂部金屬化14。
[0069]至于圖4所圖示的實(shí)施例，其可以例如以此后描述的方式獲得。
[0070]首先，執(zhí)行圖6A至圖6D所圖示的操作。
[0071]接著，如圖8A所示，形成溝槽50(例如再次通過干法各向異性刻蝕)。具體而言，溝槽50通過挖掘操作形成，該挖掘操作包含選擇性地移除掩模層42和第二外延層24的部分。
[0072]更詳細(xì)地，每個(gè)溝槽50從掩模層42的頂部表面(由Sd指定)延伸，并且超過掩模層42而貫穿第二外延層24的被設(shè)置在掩模層42和對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20之間的對(duì)應(yīng)部分，直到其部分地延伸到所述對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中。具體而言，每個(gè)溝槽50的底部部分延伸穿過對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20的頂部部分。因此，每個(gè)溝槽50的底部延伸到對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域20中。
[0073]接著，如圖SB所示，填充層54形成在掩模層42上并且在溝槽50內(nèi)。
[0074]接著，如圖SC所示，在被包括在6000C和1100 °C之間的溫度下執(zhí)行熱處理，并且執(zhí)行被包括在10分鐘和300分鐘之間的持續(xù)時(shí)間，在此期間，填充層54的被設(shè)置為與半導(dǎo)體材料接觸的部分經(jīng)歷硅化處理，該處理結(jié)束時(shí)，它們形成對(duì)應(yīng)的連接區(qū)域28。填充層54的未經(jīng)歷任何反應(yīng)的部分代之在圖8C中由55指定。
[0075]如圖8D所示，填充層54的未反應(yīng)部分55隨后被移除。
[0076]接著，如圖SE所示，掩模層42被移除。進(jìn)一步地，導(dǎo)電層12形成在第二外延層24上。接著，以未圖示的方式，形成頂部金屬化14。
[0077]所描述的開關(guān)器件呈現(xiàn)眾多優(yōu)勢(shì)。具體而言，可以示出的是，本開關(guān)器件呈現(xiàn)與所謂的JBS溝槽二極管基本上相同的電場(chǎng)；S卩，其具有比在平面JBS結(jié)構(gòu)中建立的電場(chǎng)值更低的電場(chǎng)值，但是具有更寬的肖特基接觸面積并且因此具有用于電流通過的更寬的有用面積。此外，本開關(guān)器件的特征在于更低的漏電流，以及比例如在平面JBS結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的正向偏置電壓降更低的正向偏置電壓降。
[0078]最后，清楚的是，在不因而脫離如在所附權(quán)利要求中限定的本實(shí)用新型的范圍的情況下，可以對(duì)本文中描述和圖示的器件和制造方法做出修改和變化。
[0079]例如，關(guān)于已經(jīng)在本文中描述的，摻雜的類型可以相反。
[0080]至于制造方法，步驟的順序可以與已經(jīng)在本文中描述的不同。此外，制造方法可以包括所描述的步驟之外的其它步驟。例如，制造方法可以包括(以本身已知的方式)所謂的限定有源區(qū)的步驟，其設(shè)想場(chǎng)氧化區(qū)域(未圖示)的形成，該場(chǎng)氧化區(qū)域界定將在其中獲得JBS 二極管的區(qū)域。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種開關(guān)器件，其特征在于，包括: -半導(dǎo)體材料的本體(2)，其具有第一導(dǎo)電性類型并且由前表面(Sa)界定； -第一導(dǎo)電材料的接觸層(12)，其與所述前表面接觸地延伸；以及 -多個(gè)掩埋區(qū)域(20)，其具有第二導(dǎo)電性類型，并且被設(shè)置在半導(dǎo)體本體內(nèi)，與所述接觸層相距一定距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其特征在于，進(jìn)一步包括不同于所述第一導(dǎo)電材料的第二導(dǎo)電材料的多個(gè)連接區(qū)域(28)，每個(gè)連接區(qū)域在所述半導(dǎo)體本體(2)中從所述前表面(Sa)開始延伸，直到所述每個(gè)連接區(qū)域接觸對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域(20)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中每個(gè)連接區(qū)域(28)至少部分地延伸到所述對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域(20)中。4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中所述半導(dǎo)體本體(2)和所述接觸層(12)形成肖特基接觸;并且其中每個(gè)連接區(qū)域(28)與所述對(duì)應(yīng)的掩埋區(qū)域(20)形成歐姆接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中所述第二導(dǎo)電材料是過渡金屬的硅化物。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中所述第一導(dǎo)電材料是過渡金屬。7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中所述本體(2)是碳化硅的。8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其特征在于，其中所述第一導(dǎo)電性為N型并且所述第二導(dǎo)電性為P型。9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其特征在于，進(jìn)一步包括導(dǎo)電材料的頂部層(14)，所述頂部層覆在所述接觸層(12)上面，直接接觸所述接觸層(12)，并且具有比所述接觸層大的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其特征在于，所述開關(guān)器件形成結(jié)勢(shì)皇肖特基二極管(I)。
【文檔編號(hào)】H01L21/329GK205645825SQ201620144222
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年2月25日
【發(fā)明人】M·薩焦, S·拉斯庫納
【申請(qǐng)人】意法半導(dǎo)體股份有限公司