一種用于晶體硅片的回刻裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于晶體硅片的回刻裝置，包括回刻槽、HF承載槽和H2O2承載槽，還設(shè)有控溫槽，所述HF承載槽設(shè)于控溫槽之內(nèi)；所述HF承載槽的頂部通過氣體導(dǎo)管和H2O2承載槽聯(lián)通；H2O2承載槽與回刻槽通過管道聯(lián)通；回刻槽和HF承載槽不聯(lián)通。本實(shí)用新型通過在HF承載槽外圍設(shè)置控溫槽，控制HF的揮發(fā)性，再使用壓縮干燥空氣攜帶揮發(fā)的HF氣體進(jìn)入到H2O2液體中，形成了濃度穩(wěn)定的回刻液，最終穩(wěn)定地控制了回刻濃度，可穩(wěn)定的去除擴(kuò)散后死層。
【專利說明】
一種用于晶體硅片的回刻裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種用于晶體硅片的回刻裝置，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在所有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清 潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽電池中，晶體硅太陽電池是得到大 范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲(chǔ)量，同時(shí)晶 體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能，因此，晶體硅 太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。
[0003] 目前廣泛采用的晶體硅太陽能電池的制造工藝也已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化，主要步驟為:化學(xué) 清洗及表面結(jié)構(gòu)化處理(制絨)_擴(kuò)散制結(jié)-回刻-沉積減反射膜-印刷電極-燒結(jié)。其中，擴(kuò)散 制結(jié)是該工藝的核心步驟。擴(kuò)散之后，在硅片表面會(huì)形成一層死層，需要進(jìn)行回刻去除?，F(xiàn) 有的工藝是將擴(kuò)散后的硅片在一定配比的HF/H 202混合液中進(jìn)行腐蝕回刻;其相應(yīng)的裝置參 見附圖1所示，主要包括回刻槽1、HF承載槽2和H 202承載槽3，HF承載槽和H202承載槽分別通 過管路與回刻槽聯(lián)通;HF承載槽是給回刻槽補(bǔ)加 HF的，而H2O2承載槽是給回刻槽補(bǔ)加雙氧水 的。
[0004] 然而，實(shí)際應(yīng)用發(fā)現(xiàn)：由于補(bǔ)加 HF和H202溶液的量很難精確計(jì)量，造成回刻槽中HF/ H202混合液的濃度經(jīng)常出現(xiàn)波動(dòng);而由于死層較薄，腐蝕溶液的濃度波動(dòng)易造成過度回刻， 很難控制回刻速率及回刻后方阻，這給最終的電池片造成了不良影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本實(shí)用新型的發(fā)明目的是提供一種用于晶體硅片的回刻裝置。
[0006] 為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種用于晶體硅片的回刻 裝置，包括回刻槽、HF承載槽和H20 2承載槽，還設(shè)有控溫槽，所述HF承載槽設(shè)于控溫槽之內(nèi)；
[0007] 所述HF承載槽的頂部通過氣體導(dǎo)管和H202承載槽聯(lián)通;H20 2承載槽與回刻槽通過 管道聯(lián)通;回刻槽和HF承載槽不聯(lián)通。
[0008] 本實(shí)用新型在HF承載槽外圍設(shè)置控溫槽，控制HF的揮發(fā)性，再使用壓縮干燥空氣 (CDA)攜帶揮發(fā)的HF氣體進(jìn)入到H20 2液體中，形成回刻液;利用HF在常溫常壓下，其揮發(fā)度和 溶解度一定，即常溫常壓下，溶解在H20 2里的濃度也就一定，從而形成穩(wěn)定的回刻液，從而實(shí) 現(xiàn)了調(diào)整回刻液的濃度及控制腐蝕速率。
[0009] 優(yōu)選的，所述h2〇2承載槽的底部通過管道與回刻槽聯(lián)通。
[0010] 上述技術(shù)方案中，所述管道上設(shè)有閥門。
[0011] 優(yōu)選的，還設(shè)有壓縮干燥空氣通入管，該壓縮干燥空氣通入管的底部插入HF承載 槽的液面之下。即利用壓縮干燥空氣(CDA)攜帶揮發(fā)的HF氣體進(jìn)入到H 202承載槽中。也可以 通入惰性氣體，通過惰性氣體攜帶揮發(fā)的HF氣體進(jìn)入到H2O2液體中。
[0012]優(yōu)選的，所述氣體導(dǎo)管的一端位于HF承載槽的頂部，另一端位于H202承載槽的液面 之上。
[0013] 由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：
[0014] 1、本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種新的用于晶體硅片的回刻裝置，通過在HF承載槽外圍設(shè) 置控溫槽，控制HF的揮發(fā)性，再使用壓縮干燥空氣攜帶揮發(fā)的HF氣體進(jìn)入到H 2〇2液體中，形 成了濃度穩(wěn)定的回刻液，最終穩(wěn)定地控制了回刻濃度，可穩(wěn)定的去除擴(kuò)散后死層；
[0015] 2、試驗(yàn)證明，采用本裝置回刻后的方阻更均勻，提高了光電轉(zhuǎn)換效率；
[0016] 3、本實(shí)用新型的裝置結(jié)構(gòu)簡單，成本較低，適于推廣應(yīng)用。
【附圖說明】
[0017] 圖1是【背景技術(shù)】中的回刻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019] 其中：1、回刻槽;2、HF承載槽;3、H2〇2承載槽;4、控溫槽;5、氣體導(dǎo)管;6、管道;7、壓 縮干燥空氣通入管;8、硅片。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步描述。
[0021] 實(shí)施例一：
[0022]參見圖2所示，一種用于晶體硅片的回刻裝置，包括回刻槽1、HF承載槽2和H202承載 槽3，還設(shè)有控溫槽4，所述HF承載槽設(shè)于控溫槽之內(nèi)；
[0023]所述HF承載槽的頂部通過氣體導(dǎo)管5和H202承載槽聯(lián)通;H20 2承載槽與回刻槽通過 管道6聯(lián)通;回刻槽和HF承載槽不聯(lián)通。
[0024]硅片8設(shè)于回刻槽1內(nèi)，參見圖2所示。
[0025]所述H202承載槽的底部通過管道與回刻槽聯(lián)通。所述管道上設(shè)有閥門。
[0026]還設(shè)有壓縮干燥空氣通入管7,該壓縮干燥空氣通入管的底部插入HF承載槽的液 面之下。
[0027]所述氣體導(dǎo)管的一端位于HF承載槽的頂部，另一端位于H202承載槽的液面之上。
[0028] 對(duì)比例一
[0029] 采用【背景技術(shù)】中的回刻裝置進(jìn)行回刻，其裝置的結(jié)構(gòu)示意圖參見圖1所示。
[0030] 分別測定實(shí)施例和對(duì)比例中硅片去死層前和去死層后的方阻，結(jié)果如下：（單位都 是 Ω/口）
[0031] 表1對(duì)比例一
[0033] 表2實(shí)施例一
[0035]由上面2個(gè)表格可見，與對(duì)比例的現(xiàn)有回刻裝置相比，采用本實(shí)用新型的裝置回刻 后的方阻更均勻，提高了光電轉(zhuǎn)換效率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于晶體硅片的回刻裝置，包括回刻槽（1)、HF承載槽(2)和H2〇 2承載槽(3)，其特 征在于:還設(shè)有控溫槽(4 )，所述HF承載槽設(shè)于控溫槽之內(nèi)； 所述HF承載槽的頂部通過氣體導(dǎo)管（5)和H2〇2承載槽聯(lián)通;H2〇 2承載槽與回刻槽通過管 道(6)聯(lián)通；回刻槽和HF承載槽不聯(lián)通。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體硅片的回刻裝置，其特征在于:所述H2〇2承載槽的底 部通過管道與回刻槽聯(lián)通。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于晶體硅片的回刻裝置，其特征在于：所述管道上設(shè)有閥 門。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體硅片的回刻裝置，其特征在于:還設(shè)有壓縮干燥空氣 通入管(7)，該壓縮干燥空氣通入管的底部插入HF承載槽的液面之下。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體硅片的回刻裝置，其特征在于:所述氣體導(dǎo)管的一端 位于HF承載槽的頂部，另一端位于H2〇 2承載槽的液面之上。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK205645847SQ201620427498
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月12日
【發(fā)明人】周軍, 晏文春, 黨繼東
【申請(qǐng)人】鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司