一種倒裝芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種倒裝芯片，包括半導(dǎo)體芯片和基板單元，所述半導(dǎo)體芯片的表面包括第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有第一連接端子，所述基板單元包括第三表面和第四表面，所述第三表面上形成有第二連接端子；所述半導(dǎo)體芯片的第一表面和所述基板單元的第三表面相對設(shè)置且所述第一連接端子和所述第二連接端子焊接在一起；所述半導(dǎo)體芯片的表面形成有封裝層，且至少部分所述第二表面暴露。通過上述方式，本實(shí)用新型能夠提高半導(dǎo)體芯片的散熱能力。
【專利說明】
一種倒裝芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種倒裝芯片。【背景技術(shù)】
[0002]互連技術(shù)是微電子封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一，對微電子封裝產(chǎn)品質(zhì)量、效率和成本有著重大影響，主要包括導(dǎo)線鍵合和倒裝芯片(Flip chip)兩種封裝技術(shù)。倒裝芯片封裝具有高密度、高性能和輕薄短小的特點(diǎn)，能夠使得封裝成本更低、容易實(shí)現(xiàn)堆疊芯片和三維封裝工藝，已成為封裝技術(shù)的主要發(fā)展發(fā)現(xiàn)。
[0003]如圖1所示，倒裝芯片封裝技術(shù)主要是在芯片11的作用表面上沉積錫鉛球13,然后將芯片11的作用表面朝下翻轉(zhuǎn)加熱以利用熔融的錫鉛球13與基板單元12或其他載體、電路板等上的線路或者引腳相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)芯片13與基板單元12等元件的結(jié)合。在將芯片11 和基板單元12相結(jié)合后，通常需要對芯片11進(jìn)行塑封，從而在芯片11的表面形成封裝層14， 以保護(hù)芯片11及基板單兀12，提尚芯片11的穩(wěn)定性。
[0004]然而，現(xiàn)有的塑封技術(shù)中，整個芯片11都被封裝層14包裹，導(dǎo)致芯片11的熱量僅能通過錫鉛球13并經(jīng)由基板單元12向外散熱，其極大地影響了芯片11的電熱性能，不利于芯片11的散熱?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種倒裝芯片，能夠提高倒裝芯片的散熱能力，使得倒裝芯片散熱效果更佳。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個技術(shù)方案是:提供一種倒裝芯片，包括半導(dǎo)體芯片和基板單元;所述半導(dǎo)體芯片的表面包括第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有第一連接端子，所述基板單元包括第三表面和第四表面，所述第三表面上形成有第二連接端子，所述半導(dǎo)體芯片的第一表面和所述基板單元的第三表面相對設(shè)置且所述第一連接端子和所述第二連接端子焊接在一起;其中，所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成有封裝層，且至少部分所述第二表面暴露。
[0007]其中，暴露的所述第二表面上形成有散熱層。
[0008]其中，所述半導(dǎo)體芯片的第一表面和所述基板單元的第三表面之間形成有底部填充層。
[0009]其中，所述第一連接端子包括金屬凸點(diǎn)和焊料層，所述金屬凸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體芯片的第一表面連接，所述焊料層形成在所述金屬凸點(diǎn)上。
[0010]其中，所述第一連接端子為球狀的錫球或者柱狀的焊接凸點(diǎn)。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型的倒裝芯片中，半導(dǎo)體芯片的第一表面和基板單元的第三表面相對設(shè)置且半導(dǎo)體芯片上的第一連接端子和基板單元的第三表面上的第二連接端子焊接在一起，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片和基板單元的結(jié)合，通過使半導(dǎo)體芯片的至少部分第二表面暴露，可以使得半導(dǎo)體芯片通過暴露的第二表面進(jìn)行散熱，從而能夠提高半導(dǎo)體芯片的散熱能力，使得半導(dǎo)體芯片的散熱效果更佳。
[0012]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型通過在暴露的第二表面上形成有散熱層，可以進(jìn)一步提高芯片的散熱效果?！靖綀D說明】[〇〇13]圖1是現(xiàn)有技術(shù)一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式的流程圖；
[0015]圖3是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式的流程圖，圖中顯示各步驟相應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；
[0016]圖4是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖5是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片和基板單元之間進(jìn)行底部填充的示意圖；
[0018]圖6是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片的表面上形成塑封層的流程圖，圖中顯示各步驟相依的結(jié)構(gòu)示意；
[0019]圖7是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片的暴露的第二表面上形成散熱層的示意圖；
[0020]圖8是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法又一實(shí)施方式的流程圖，圖中顯示各步驟相應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；[0021 ]圖9是本實(shí)用新型倒裝芯片一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖10是本實(shí)用新型倒裝芯片另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0023]在以下描述中闡述了具體的細(xì)節(jié)以便充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0024]針對【背景技術(shù)】中提到的缺陷，本實(shí)用新型提供一種倒裝芯片的封裝方法。下面將結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0025]參閱圖2,本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法一實(shí)施方式中，所述方法具體包括如下步驟:[〇〇26]步驟S201:提供半導(dǎo)體芯片和基板單元，半導(dǎo)體芯片的表面包括第一表面和第二表面，第一表面上形成有第一連接端子，基板單元包括第三表面和第四表面，第三表面上形成有第二連接端子。[〇〇27]其中，結(jié)合圖3的步驟S301，提供半導(dǎo)體芯片31和基板單元32。半導(dǎo)體芯片31為待封裝的芯片，半導(dǎo)體芯片31的表面包括第一表面311和第二表面312,如圖3所示，第一表面 311為半導(dǎo)體芯片31的其中一個表面，其具有電路結(jié)構(gòu)。第一表面311上形成有第一連接端子411，其中圖中示出四個第一連接端子411，第一連接端子411與半導(dǎo)體芯片31中的電路結(jié)構(gòu)(未圖示)電學(xué)連接。[〇〇28]基板單元32為半導(dǎo)體芯片31的載體，例如可以是電路板。基板單元32包括第三表面321和與第三表面321相對的第四表面322。第三表面321上形成有作為信號輸入的第二連接端子412,第四表面322上形成有作為信號輸出的第三連接端子413。第二連接端子412 和第三連接端子413彼此電學(xué)連接，并且第二連接端子412之間、第三連接端子413之間以及第二連接端子412和第三連接端子413之間的連接關(guān)系可根據(jù)實(shí)際電路需要進(jìn)行確定，圖中僅是作為一種示例進(jìn)行說明。[〇〇29]步驟S202:將半導(dǎo)體芯片的第一表面和基板單元的第三表面相對設(shè)置且使第一連接端子和第二連接端子焊接在一起。
[0030]結(jié)合圖3所示的步驟S302,將半導(dǎo)體芯片31倒裝在基板單元32上，使半導(dǎo)體芯片31 上的第一連接端子411與基板單元32上的第二連接端子412焊接，以實(shí)現(xiàn)第一連接端子411 和第二連接端子412的電性連接。[〇〇31]其中，第一連接端子411可在沾取助焊劑后與基板單元32的第二連接端子412互連;也可以先將非導(dǎo)電膠(Non-Conductive Paste，NCP)點(diǎn)在基板單元32的表面上，通過熱壓焊(Thermal Compress Bonding，TCB)的方式使半導(dǎo)體芯片31的第一連接端子411與基板單元32的第二連接端子412實(shí)現(xiàn)互連。[〇〇32]步驟S203:在半導(dǎo)體芯片的表面形成塑封層，且暴露半導(dǎo)體芯片的第二表面。
[0033]結(jié)合圖3所示的步驟S303,將半導(dǎo)體芯片31和基板單元32相結(jié)合后，對半導(dǎo)體芯片 31進(jìn)行塑封形成塑封層33,并裸露出半導(dǎo)體芯片31的第二表面312。其中，第一表面311上具有電路結(jié)構(gòu)，為半導(dǎo)體芯片31的正面，第二表面312為與半導(dǎo)體芯片31的正面相對的背面。
[0034]本實(shí)施方式中，塑封層33作為半導(dǎo)體芯片31的封裝層，其使用環(huán)氧樹脂材料形成， 即塑封材料為環(huán)氧樹脂材料。當(dāng)然，其他實(shí)施方式中，封裝層也可以采用陶瓷等材料形成。
[0035]其中，半導(dǎo)體芯片31的背面(即第二表面312)裸露，半導(dǎo)體芯片31的側(cè)面以及第一表面311均為塑封層33所包裹。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321之間的空隙也被塑封層33所填充。
[0036]本實(shí)施方式，通過將作為半導(dǎo)體芯片31背面的第二表面312暴露，從而使半導(dǎo)體芯片31的熱量不僅可以通過基板單元32的第二連接端子412經(jīng)由基板單元32散發(fā)出去，而且可以通過暴露的第二表面312進(jìn)行散熱，從而大大提高了半導(dǎo)體芯片31的散熱能力，使得半導(dǎo)體芯片31的散熱效果更加，有利于提高電路的穩(wěn)定性。[〇〇37]其中，在一種可能的實(shí)施方式中，參閱圖4,第一連接端子411是焊接凸點(diǎn)，可以是鍵合工藝形成的金屬凸點(diǎn)(stud bond)+焊料的結(jié)構(gòu)。其中，可以預(yù)先在焊盤上形成鍵合金屬凸點(diǎn)4111，并使金屬凸點(diǎn)4111上形成焊料層4112,從而形成第一連接端子411。在將半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321相對設(shè)置時，第一連接端子411的焊料層4112和第三表面321上的第二連接端子412接觸，從而通過回流焊工藝將金屬凸點(diǎn)4111 上的焊料層4112熔融，進(jìn)而將金屬凸點(diǎn)4111和第二連接端子412焊接在一起，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片31和基板單元32的互連。在另一種實(shí)施方式中，也可以在第二連接端子412上形成金屬凸點(diǎn)，然后通過第二連接端子412上的金屬凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體芯片31的第一連接端子411 相互連。通過使第一或第二連接端子形成金屬凸點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)基板單元32和半導(dǎo)體芯片31的互連，能夠增加半導(dǎo)體芯片31與基板單元32間的空隙高度，從而易于塑封工藝中塑封料的填充。[〇〇38]當(dāng)然，在另一些實(shí)施方式中，第一連接端子411也可以是通過焊料形成的球狀錫球 (solder ball)，也可以是柱狀的焊料凸點(diǎn)(pillar bump)等。
[0039]其中，在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中，芯片倒裝環(huán)節(jié)采用的是TCB/NCP工藝，基板單元32和半導(dǎo)體芯片31之間的間隙在進(jìn)行塑封前已備NCP填充。具體地，如圖5所示，并結(jié)合圖 3，在步驟S302之后，并且在步驟S303之前，包括步驟:對半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321之間的空隙進(jìn)行NCP底部填充，以形成底部填充層34。
[0040]在其他實(shí)施方式中，也可以采用點(diǎn)膠方式進(jìn)行底部填充。當(dāng)然，當(dāng)半導(dǎo)體芯片31和基板單元32之間的間距較大時，有利于塑封材料流入半導(dǎo)體芯片31和基板單元32之間的空間，因此可以不進(jìn)行底部填充，而是直接對芯片進(jìn)行塑封。
[0041]當(dāng)半導(dǎo)體芯片31和基板單元32之間的間距較小時，可以通過對半導(dǎo)體芯片31和基板單元32之間的空隙先進(jìn)行底部填充，可以降低因塑封層33的材料難以將半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321之間的空隙填滿而造成內(nèi)部空洞的概率。[〇〇42]在完成底部填充后，執(zhí)行步驟S303以對半導(dǎo)體芯片31進(jìn)行塑封。
[0043]在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中，參閱圖6,圖中相同標(biāo)號的元件作用相同，在封裝過程中，可以通過設(shè)置膠膜50a來使得半導(dǎo)體芯片32的第二表面312暴露。具體地，在半導(dǎo)體芯片31的表面上形成塑封層33的步驟，進(jìn)一步包括:[〇〇44]步驟S601:在塑封模具的上模50b合模下壓前，在上模50b上設(shè)置一層阻擋層，所述阻擋層為具有彈性的膠膜50a。當(dāng)然，其他實(shí)施方式中，阻擋層也可以是其他材料的擋板。 [〇〇45]步驟S602:將設(shè)置有膠膜50a的上膜50b壓合在半導(dǎo)體芯片31的第二表面312上，即塑封模具的上模50b與半導(dǎo)體芯片31間通過膠膜50a進(jìn)行壓合。由此將膠膜50a設(shè)置于半導(dǎo)體芯片31的第二表面上。[〇〇46]步驟S603:在膠膜50a和基板單元32的第三表面321之間的空間填充塑封材料，并固化塑封材料以形成塑封層33。[〇〇47] 步驟S604:移除上模50b和膠膜50a，以暴露半導(dǎo)體芯片31的第二表面312。[〇〇48]本實(shí)施方式中，通過在半導(dǎo)體芯片31的第二表面312上設(shè)置一層膠膜50a，從而在塑封過程中可以阻擋塑封材料溢出至該第二表面312上，因此可以避免第二表面312上形成塑封層33。此外，本實(shí)施方式的膠膜50a具有彈性，因此可以將塑封模具的上膜50b壓于膠膜 50a上，使得膠膜50a可以和半導(dǎo)體芯片31的第二表面312緊密貼合，進(jìn)一步避免塑封材料溢至該第二表面312上，同時一方面可以利用膠膜50a本身的彈性來吸收解決不同芯片倒裝后的高度公差，另一方面吸收上膜50b的應(yīng)力以防止上膜50b將半導(dǎo)體芯片31壓壞。
[0049]在上述實(shí)施方式中，通過設(shè)置膠膜50a以阻止塑封材料覆蓋與第一表面311相對的第二表面312,從而使得與第一表面311相對的第二表面312暴露，在本實(shí)用新型其他實(shí)施方式中，還可以通過其他方式暴露第二表面312。例如，在不設(shè)置膠膜50a的情況下，可以通過研磨或化學(xué)腐蝕等工藝除去第二表面312上的塑封層，從而暴露第二表面312。
[0050]此外，如圖6所示，所暴露的第二表面312為與第一表面311相對的整個背面，在其他實(shí)施方式中，也可以僅是暴露一部分第二表面312,且暴露第二表面312的形狀可以是梯形、圓形或不規(guī)則形狀等。[〇〇51]在本實(shí)用新型又一實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體芯片31的散熱能力，參閱圖7,在圖3所示的步驟S303之后，其還可進(jìn)一步包括如下步驟:在暴露的第二表面312上形成散熱層35。其中，散熱層35可以采用具有較好散熱性能的鋁材質(zhì)。[〇〇52]繼續(xù)參閱圖7,在半導(dǎo)體芯片31的表面形成塑封層33的步驟之后，還包括如下步驟:在基板單元32的第三連接端子413上形成焊接凸點(diǎn)414,進(jìn)而形成類似球形陣列封裝 (Ball Grid Array，BGA)夕卜形的封裝，再與下一層組裝進(jìn)行互連。其中焊接凸點(diǎn)414可以是球狀焊球，或柱狀焊球等，還可以是金屬凸點(diǎn)+焊料的結(jié)合體。在其它實(shí)施例中，基板單元32 的第三連接端子413若作為信號端子直接與下一層組裝進(jìn)行互連，形成類似柵極陣列封裝 (Land Grid Array，LGA)外形的封裝，則無需在第三連接端子413上形成焊接凸點(diǎn)414了。 [〇〇53]在上述實(shí)施方式中，作為一種示例，各圖中僅示出了在一個基板單元上封裝其所需的半導(dǎo)體芯片的過程。為了提高生產(chǎn)效率，在實(shí)際生產(chǎn)中，通常是同時對多個基板單元封裝其所需的半導(dǎo)體芯片。
[0054]當(dāng)同時對多個基板單元封裝其所需的半導(dǎo)體芯片時，本實(shí)用新型封裝方法是這樣實(shí)現(xiàn)的:參閱圖8，圖8是本實(shí)用新型倒裝芯片的封裝方法又一實(shí)施方式的流程圖，其中圖中相同標(biāo)號的元件作用相同。在本實(shí)施方式中，封裝方法包括如下步驟:[〇〇55]步驟S801中，提供若干個半導(dǎo)體芯片31和基板70,其中基板70為母基板，其包括若干個基板單元32。基板單元32之間具有切割區(qū)域71。
[0056]其中一個基板單元32例如為一塊電路板，用于封裝半導(dǎo)體芯片，并且基板單元32 上也可以封裝有其他電路元器件，例如被動元件等，其中每個基板單元32上封裝的半導(dǎo)體芯片31可以是單顆也可以是多顆，具體可由實(shí)際電路結(jié)構(gòu)確定。作為一種示例，圖中示出了一個半導(dǎo)體芯片31對應(yīng)封裝在一個基板單元32上，并且為了便于說明，圖中僅示出兩個半導(dǎo)體芯片31和包括兩個基板單元32的基板70。[〇〇57]步驟S802中，將半導(dǎo)體芯片31和對應(yīng)的基板單元32焊接在一起。[〇〇58]步驟S803中，在塑封模具的上模50b合模下壓前，在上模50b上設(shè)置一層膠膜50a， 并將設(shè)置有膠膜50a的上膜50b壓合在半導(dǎo)體芯片31的第二表面312上。[〇〇59]步驟S804中，在膠膜50a和基板單元32的第三表面321之間的空間填充塑封材料， 之后固化塑封材料以形成塑封層33。
[0060] 步驟S805中，移除上膜50b和膠膜50a，以暴露半導(dǎo)體芯片31的第二表面312。[〇〇61]步驟是806中，對基板70的切割區(qū)域71進(jìn)行切割以分離基板單元32,從而得到若干個獨(dú)立的半導(dǎo)體芯片31的封裝結(jié)構(gòu)。之后，在暴露的第二表面312上形成散熱層35,以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體芯片31的散熱能力。
[0062]其中，在另一種實(shí)施方式中，也可以是先形成散熱層35,再進(jìn)行切割區(qū)域71的切害U，以簡化工藝。[〇〇63]本實(shí)施方式中，通過在大基板70上進(jìn)行多個半導(dǎo)體芯片31的封裝，再通過后續(xù)的切割流程分離多個封裝結(jié)構(gòu)，可以提高生產(chǎn)效率。并且，通過膠膜50a，可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體芯片 31在回流焊過程中引起的焊接高度公差。具體而言，將相對設(shè)置后的半導(dǎo)體芯片31和基板單元32通過回流焊以進(jìn)行二者之間的焊接之后，基板70上的多個半導(dǎo)體芯片31可能存在高度差，導(dǎo)致暴露的第二表面312不在同一平面上。而在后續(xù)塑封過程中，通過設(shè)置具有彈性的膠膜50a，當(dāng)上膜50b壓在膠膜50a上時，利用膠膜50a的彈性可以膠膜50a同時與將高度不一致的多個半導(dǎo)體芯片31緊密貼合，避免膠膜50a和較低的半導(dǎo)體芯片31之間存在較大的空隙，從而可以避免塑封材料溢至暴露的第二表面312上。
[0064]參閱圖9,本實(shí)用新型倒裝芯片的一實(shí)施方式中，倒裝芯片為利用上述任一實(shí)施方式所述的封裝方法封裝形成的芯片。其中，本實(shí)施方式中，倒裝芯片90包括半導(dǎo)體芯片31和基板單元32。
[0065]半導(dǎo)體芯片31為待封裝的芯片，半導(dǎo)體芯片31的表面包括第一表面311和第二表面312,第一表面311和第二表面312相對。第一表面311為半導(dǎo)體芯片31的作用表面，也即具有電路結(jié)構(gòu)的表面，為半導(dǎo)體芯片32的正面，第二表面312則為半導(dǎo)體芯片31的背面。第一表面311上形成有第一連接端子411，其中圖中示出四個第一連接端子411，第一連接端子 411與半導(dǎo)體芯片31中的電路結(jié)構(gòu)(未圖示)電學(xué)連接。[〇〇66]基板單元32為半導(dǎo)體芯片31的載體，例如可以是電路板?；鍐卧?2包括第三表面321和第四表面322。第三表面321上形成有第二連接端子412,第四表面322上形成有第三連接端子413。第二連接端子412和第三連接端子413彼此電學(xué)連接，并且第二連接端子412 之間、第三連接端子413之間以及第二連接端子412和第三連接端子413之間的連接關(guān)系可根據(jù)實(shí)際電路需要進(jìn)行確定，圖中僅是作為一種示例進(jìn)行說明。[〇〇67]其中，半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321相對設(shè)置，且第一連接端子411和第二連接端子412焊接在一起。[〇〇68]其中，半導(dǎo)體芯片31的表面上形成有塑封層33,并且至少部分第二表面312暴露。 其中，塑封層33采用環(huán)氧樹脂材料形成。
[0069]如圖9所示，暴露的第二表面312為與第一表面311相對的半導(dǎo)體芯片31的背面，半導(dǎo)體芯片31的側(cè)面以及第一表面311均為塑封層33所包裹。進(jìn)一步地，為了保護(hù)基板單元32 的第三表面321和焊接點(diǎn)的電學(xué)性能，基板單元32的第三表面321以及第一表面311和基板單元32的第三表面321之間的區(qū)域也為塑封層33所包裹。
[0070]本實(shí)施方式，通過將作為半導(dǎo)體芯片31的背面的第二表面312暴露，從而半導(dǎo)體芯片31的熱量不僅可以通過基板單元32的第二連接端子412經(jīng)由基板單元32散發(fā)出去，而且可以通過暴露的第二表面312進(jìn)行散熱，從而大大提高了半導(dǎo)體芯片31的散熱能力，使得半導(dǎo)體芯片31的散熱效果更加，有利于提高電路的穩(wěn)定性。
[0071]在本實(shí)用新型倒裝芯片的實(shí)施方式中，為了便于半導(dǎo)體芯片31和基板32之間的焊接，如圖4所示，第一連接端子411上為金屬凸點(diǎn)+焊料的結(jié)合體，其包括金屬凸點(diǎn)4111和焊料層4112。焊料層4112形成在金屬凸點(diǎn)4111上，半導(dǎo)體芯片31的第一連接端子411和基板單元32的第二連接端子412通過焊料層4112焊接在一起。
[0072]參閱圖10,在本實(shí)用新型倒裝芯片的另一實(shí)施方式中，倒裝芯片90進(jìn)一步包括散熱層35。散熱層35位于暴露的第二表面312上。通過散熱層35的作用，可以進(jìn)一步提高芯片的散熱效果。
[0073]此外，為了避免塑封材料難以將半導(dǎo)體芯片31的第一表面311和基板單元32的第三表面321之間的空隙填滿而造成內(nèi)部空洞，本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片31的第一表面311 和基板單元32的第三表面321之間的空隙通過底部填充工藝形成有底部填充層34。底部填充層34在形成塑封層33之前形成。[〇〇74]其中，基板32的第四表面322上的第三連接端子413上形成有焊接凸點(diǎn)414,焊接凸點(diǎn)414例如可以是焊球。
[0075]本實(shí)用新型實(shí)施方式中倒裝芯片，通過暴露倒裝芯片的背面，從而使得芯片可以通過暴露的背面進(jìn)行散熱，可以提高芯片的散熱能力。并且，進(jìn)一步地，通過在暴露的背面上形成散熱層，能夠進(jìn)一步提高芯片的散熱效果。
[0076]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施方式，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝芯片，其特征在于，包括半導(dǎo)體芯片和基板單元；所述半導(dǎo)體芯片的表面包括第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有第一連接端 子，所述基板單元包括第三表面和第四表面，所述第三表面上形成有第二連接端子，所述半 導(dǎo)體芯片的第一表面和所述基板單元的第三表面相對設(shè)置且所述第一連接端子和所述第 二連接端子焊接在一起；其中，所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成有封裝層，且至少部分所述第二表面暴露。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片，其特征在于，暴露的所述第二表面上形成有散熱層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的第一表面和所述基 板單元的第三表面之間形成有底部填充層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片，其特征在于，所述第一連接端子包括金屬凸點(diǎn)和焊 料層，所述金屬凸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體芯片的第一表面連接，所述焊料層形成在所述金屬凸點(diǎn)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片，其特征在于，所述第一連接端子為球狀的錫球或者 柱狀的焊接凸點(diǎn)。
【文檔編號】H01L23/367GK205657052SQ201620384883
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年4月29日 公開號201620384883.5, CN 201620384883, CN 205657052 U, CN 205657052U, CN-U-205657052, CN201620384883, CN201620384883.5, CN205657052 U, CN205657052U
【發(fā)明人】石磊
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司