一種晶體硅太陽能電池二維電極的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種晶體硅太陽能電池二維電極，所述的二維電極設(shè)置在晶硅電池正面和/或背面，包括：局部接觸金屬電極、透明導(dǎo)電膜和金屬電極；局部接觸金屬電極以規(guī)則圖案方式排布在減反射膜/鈍化膜上，且局部接觸金屬電極穿透減反射膜/鈍化膜與晶體硅片形成局部歐姆接觸；透明導(dǎo)電膜設(shè)置在減反射膜/鈍化膜和局部接觸金屬電極上，金屬電極設(shè)置在透明導(dǎo)電膜之上，透明導(dǎo)電膜將其上、下的金屬電極連接成為晶體硅太陽能電池電極的導(dǎo)電組合體。該電極顯著減少了金屬電極的遮光面積與漿料的使用量，同時(shí)保證了電極良好的導(dǎo)電性，很好的平衡了晶硅電極光遮擋與導(dǎo)電性之間的兩難問題，使電池的轉(zhuǎn)換效率提升、生產(chǎn)成本降低。
【專利說明】
一種晶體硅太陽能電池二維電極
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅太陽能電池二維電極?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]自1954年第一塊太陽能電池在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生以來，晶體硅太陽能電池得到了廣泛的應(yīng)用，轉(zhuǎn)換效率不斷提升，生產(chǎn)成本持續(xù)下降。目前，晶體硅太陽能電池占太陽能電池全球市場總額的80%以上，晶體硅電池片的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率目前已突破20 %，全球年新增裝機(jī)容量約50GW且增速明顯，與火力發(fā)電的度電成本不斷縮小，在未來幾年有望與之持平。晶體硅太陽能電池作為一種清潔能源在改變能源結(jié)構(gòu)、緩解環(huán)境壓力等方面的重要作用日益凸顯。
[0003]晶體硅太陽能電池要想繼續(xù)保持競爭力、獲得更大的發(fā)展與應(yīng)用，必須進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本。目前晶體硅電池的受光面電極采用銀漿絲網(wǎng)印刷的方式形成近百條細(xì)柵和若干條主柵，此工序使用的物料成本昂貴，且銀電極會(huì)造成電池片表面 5%—7%的面積形成對(duì)光的遮擋，大大降低了電池片的轉(zhuǎn)換效率。
[0004]如何在減少遮光面積與保持良好的導(dǎo)電性之間進(jìn)行平衡，是近幾年晶體硅電池技術(shù)研究的一個(gè)重點(diǎn)。由于漿料技術(shù)與印刷技術(shù)的進(jìn)步，晶體硅電池的受光面電極細(xì)柵寬度不斷減小，根據(jù)SEMI預(yù)測，到2020年細(xì)柵的寬度將減小至35微米以下，同時(shí)主柵采用多主柵及無主柵。在這個(gè)柵線細(xì)化技術(shù)過程中，電極的遮光面積有所下降，導(dǎo)電性有所提升，同時(shí)獲得了效率的提升與成本的下降。但隨著柵線寬度的不斷減小，電極制備的工藝難度不斷加大，進(jìn)一步提高效率、降低生產(chǎn)成本的空間縮小。
[0005]為了徹底解決金屬電極的光遮擋及成本問題，透明導(dǎo)電膜在晶體硅電池中的應(yīng)用日益受到重視。有人提出采用透明導(dǎo)電膜取代金屬細(xì)柵，但該方法由于仍保留了主柵，電極的光遮面積減少幅度有限，且細(xì)柵的取消會(huì)造成導(dǎo)電性變差，影響轉(zhuǎn)換效率。還有人采用不同導(dǎo)電率的透明導(dǎo)電膜完全替代受光面金屬電極與減反射膜，但該方法自提出至今十余年無法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。還有人將透明導(dǎo)電膜應(yīng)用于MWT技術(shù)，但實(shí)現(xiàn)工藝復(fù)雜，不易于控制與降低成本。【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供了一種晶體硅太陽能電池二維電極，該電極顯著減少了金屬電極的遮光面積與漿料的使用量，同時(shí)保證了電極良好的導(dǎo)電性，很好的平衡了晶硅電極光遮擋與導(dǎo)電性之間的兩難問題，使電池的轉(zhuǎn)換效率提升、生產(chǎn)成本降低。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)手段:
[0008]—種晶體硅太陽能電池二維電極，所述的二維電極設(shè)置在晶硅電池正面和/或背面，包括:透明導(dǎo)電膜、局部接觸金屬電極和金屬電極;局部接觸金屬電極以規(guī)則圖案方式排布在晶體硅太陽能電池的減反射膜/鈍化膜上，且局部接觸金屬電極穿透減反射膜/鈍化膜與晶體硅片形成局部歐姆接觸;所述金屬電極設(shè)置于透明導(dǎo)電膜之上;所述的透明導(dǎo)電膜設(shè)置在減反射膜/鈍化膜及局部接觸金屬電極之上，并將局部接觸金屬電極及金屬電極連接成為晶體硅太陽能電池電極的導(dǎo)電組合體。
[0009]所述的透明導(dǎo)電膜為ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，透明導(dǎo)電膜的厚度為50?500nm。
[0010]穿透減反射膜/鈍化膜的局部接觸金屬電極采用陣列圖案排布，其圖案為一維、二維幾何圖形或一維與二維幾何圖形的組合;一維幾何圖形選自:線段、虛線段或弧線；二維幾何圖形選自:圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形。
[0011]所述一維幾何圖形的線寬為30?lOOum，長度為0.05?1.5mm;同一行中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm，同一列中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm。
[0012]金屬電極的幾何圖形為一組平行線段或多組平行線段的組合，線段的寬度為20?2000um，數(shù)量為5?100根，線長為2?156mm，相鄰線段之間的距離為0.5?50mm。
[0013]所述的局部接觸金屬電極與金屬電極為銀電極、鋁電極、鎳電極、銅電極、合金電極或金屬復(fù)合電極。
[0014]所述的晶體硅片為P型或者N型的單晶硅片、P型或者N型的多晶硅片；所述的二維電極形成于P型或N型硅基體的表面，或形成于P型或N型發(fā)射極表面。
[0015]所述的局部接觸金屬電極下方的局部硅基體為重?fù)诫s區(qū)或一般摻雜區(qū)，重?fù)诫s區(qū)的方阻為5?50 Ω /□，一般摻雜區(qū)的方阻為50?150 Ω /□。
[0016]減反射膜為氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳化硅薄膜和氧化鈦薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，厚度為50?10nm;鈍化膜為氮化娃薄膜、氧化娃薄膜、氮氧化娃薄膜、氧化鋁薄膜和非晶硅薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，厚度為5?50nm。
[0017]一種晶體硅太陽能電池二維電極的制備方法，包括以下步驟:
[0018]I)先將晶體硅片依次經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕及沉積減反射膜/鈍化膜；
[0019]2)在減反射膜/鈍化膜上制作與晶體硅片形成局部歐姆接觸的金屬電極，制作的方法為:將金屬漿料按陣列圖案涂敷在晶體硅片的表面，再通過300?900 °C熱處理得到;或按規(guī)則圖案對(duì)晶體硅片表面的減反射膜/鈍化膜進(jìn)行開孔，再在開孔處制備金屬電極，然后經(jīng)過200?500 °C退火處理得到；
[0020]3)在金屬電極上采用濺射、氣相沉積、3D打印、印刷、噴涂工藝制作透明導(dǎo)電膜，再在透明導(dǎo)電膜上制作金屬電極，透明導(dǎo)電膜將其上、下的金屬電極連接成為晶體硅太陽能電池二維電極的導(dǎo)電組合體。
[0021]步驟2)中:采用絲網(wǎng)印刷、激光轉(zhuǎn)印、噴墨或3D打印將金屬漿料按陣列圖案涂敷在晶體硅片的表面;或采用激光或化學(xué)腐蝕進(jìn)行開孔，隨后采用氣相沉積、光誘導(dǎo)鍍或電鍍方法在開孔處制備金屬電極。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益的技術(shù)效果:
[0023]本實(shí)用新型的晶體硅太陽能電池二維電極，是在晶硅電池的正面或背面電極采用金屬電極與透明導(dǎo)電膜協(xié)同作用的形式，局部接觸金屬電極以特定陣列圖形穿透減反射膜與硅基體形成良好的局部歐姆接觸，金屬電極位于透明導(dǎo)電膜之上，透明導(dǎo)電膜將其上、下的金屬電極連接成為一個(gè)可作為晶硅電池電極的導(dǎo)電組合體。本實(shí)用新型所述電極可以部分替代傳統(tǒng)電池電極的金屬細(xì)柵和主柵，或者在優(yōu)化主柵的情況下替代細(xì)柵線。采用透明導(dǎo)電膜/金屬復(fù)合電極作為晶硅電池正面或背面電極的導(dǎo)電整體，使電池片的受光面積增加了3%?5%，同時(shí)保持了電極良好的導(dǎo)電性，使晶體硅電池的轉(zhuǎn)換效率顯著提升。此外， 金屬漿料的使用量大幅減少，使得生產(chǎn)成本顯著降低，且生產(chǎn)上易于實(shí)現(xiàn)、控制。很好的平衡了晶硅電極光遮擋與導(dǎo)電性之間的兩難問題，使電池的轉(zhuǎn)換效率提升、生產(chǎn)成本降低。
[0024]進(jìn)一步，透明導(dǎo)電膜之下的局部接觸金屬電極圖案采用點(diǎn)狀陣列、線段狀陣列或柵線狀，與晶體硅片接觸點(diǎn)多，能夠保證局部歐姆接觸良好的同時(shí)，減少金屬漿料的使用量;透明導(dǎo)電膜之上的金屬電極圖案采用大間距柵線狀，以利于電流的匯集和電池之間的連接。
[0025]本實(shí)用新型的晶體硅太陽能電池二維電極的制備方法，透明導(dǎo)電膜之下的局部接觸金屬電極可采用絲網(wǎng)印刷按特定圖形將金屬漿料涂敷在電池的表面，再通過燒結(jié)形成； 還可以按特定圖形對(duì)電池表面的減反射膜/鈍化膜進(jìn)行局部開孔，然后在開孔處制備導(dǎo)電金屬，再經(jīng)過退火，形成歐姆接觸。制備方法簡單，原料易得，電池導(dǎo)電性良好?！靖綀D說明】[〇〇26]圖1是基于正面二維電極的晶體硅電池剖面示意圖。
[0027]圖2是基于背面二維電極的晶體硅電池剖面示意圖。
[0028]圖3是點(diǎn)狀局部接觸金屬電極圖案示意圖。
[0029]圖4是線段狀局部接觸金屬電極圖案示意圖。
[0030]其中，1、透明導(dǎo)電膜，2、局部接觸金屬電極，3、鈍化膜/鈍化膜，4、晶體硅片，5、金屬電極?！揪唧w實(shí)施方式】[0031 ]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0032]參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)用新型的一種晶體硅太陽能電池二維電極，可應(yīng)用于晶硅電池的正面、背面電極或者雙面太陽能電池電極，采用局部接觸金屬電極2、金屬電極5、透明導(dǎo)電膜協(xié)同作用的形式，電極包括:局部接觸金屬電極2、透明導(dǎo)電膜1和金屬電極5;電池的減反射膜/鈍化膜3設(shè)置在晶硅電池的晶體硅片4表面;局部接觸金屬電極2以特定陣列圖形 (二維電極的圖形可以采用點(diǎn)狀陣列、線段狀陣列、柵線狀，優(yōu)先采用點(diǎn)狀陣列和線段狀陣列圖形，見示意圖3、4)穿透減反射膜/鈍化膜3與硅基體形成良好的局部歐姆接觸;透明導(dǎo)電膜1位于局部接觸金屬電極2之上，金屬電極5位于透明導(dǎo)電膜1之上，透明導(dǎo)電膜1將分散的局部接觸金屬電極2及金屬電極5連接成為一個(gè)可作為晶硅電池電極的導(dǎo)電組合體。本實(shí)用新型所述電極可以部分替代傳統(tǒng)電池電極的金屬細(xì)柵和主柵，或者在優(yōu)化主柵的情況下替代細(xì)柵線。
[0033]上述晶體硅太陽能電池二維電極的制備方法，包括下述步驟:[〇〇34]晶體硅片4經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜及減反射膜3等工序處理，晶體硅片4 可以是P型或者N型的單晶硅片、多晶硅片，隨后晶硅電池的電極制作按如下步驟。[〇〇35]按特定的圖形在晶硅電池的正面和/或背面上制作與硅基體局部接觸的陣列分布局部接觸金屬電極2,制作可以采用絲網(wǎng)印刷的方法，及激光或化學(xué)腐蝕協(xié)同氣相沉積、光誘導(dǎo)鍍、電鍍等的方法。金屬電極圖案可以是為一維、二維幾何圖形或一維與二維幾何圖形的組合；一維幾何圖形選自:線段、虛線段或弧線；二維幾何圖形選自:圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形。所述一維幾何圖形的線寬為30?lOOum，長度為0.05?
1.5mm;同一行中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm，同一列中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm。二維幾何圖形的尺寸為30?200um，相鄰兩個(gè)圖形中心距為0.8?2mm。具體的，如圖3和圖4所示，點(diǎn)狀圖案的直徑在50?200um之間，點(diǎn)與點(diǎn)之間的間距在0.8?2mm之間；線段狀圖案的線寬在40?10um之間，長度在0.05?1.5mm之間，同一行中相鄰兩個(gè)線段電極的間距為0.5?2mm，同一列中相鄰兩個(gè)線段電極的間距為0.5?2mm。
[0036]陣列狀分布的局部接觸金屬電極2實(shí)現(xiàn)的方法有:絲網(wǎng)印刷、激光或化學(xué)腐蝕協(xié)同氣相沉積、光誘導(dǎo)鍍、電鍍等的方法，優(yōu)先采用絲網(wǎng)印刷、激光或化學(xué)腐蝕協(xié)同氣相沉積的方法:
[0037]①采用絲網(wǎng)印刷按特定圖形將金屬漿料涂敷在電池的表面，再通過燒結(jié)使金屬漿料穿透減反射膜及鈍化膜3，與硅基體形成良好的歐姆接觸；
[0038]②采用激光或化學(xué)腐蝕按特定圖形對(duì)電池表面的減反射膜或鈍化膜進(jìn)行開孔，然后再采用氣相沉積、光誘導(dǎo)鍍、電鍍等方法在開孔處制備導(dǎo)電金屬，然后經(jīng)過退火，使陣列分布的金屬與硅基體形成良好的歐姆接觸。
[0039]在陣列分布的局部接觸金屬電極2上制作透明導(dǎo)電膜I，透明導(dǎo)電膜I可以是ITO(銦錫氧化物)、AZO(摻鋁氧化鋅)、FTO(摻氟氧化錫)、IWO(摻鎢氧化銦)、石墨烯等，制作的方法可以采用濺射、印刷、氣相沉積、噴涂等，透明導(dǎo)電膜I的厚度控制在100?500nm。
[0040]在透明導(dǎo)電膜I上制作金屬電極5，金屬電極5的圖案為一組平行線段或多組平行線段的組合，線段的寬度為20?2000um，數(shù)量為5?100根，線長為2?156mm，相鄰線段之間的距離為0.5?50mm。
[0041]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明，本實(shí)用新型不限于以下實(shí)施例。
[0042]實(shí)施例1:
[0043](I)P型單晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜及減反射膜等工序處理；
[0044](2)在正面采用絲網(wǎng)印刷的方法制作點(diǎn)狀銀電極，單個(gè)點(diǎn)的直徑為50um，點(diǎn)與點(diǎn)之間的間距為0.8mm;
[0045](3)在爐體中進(jìn)行300?900°C下燒結(jié)，正面點(diǎn)狀銀漿穿透減反射膜和鈍化膜，與硅基體形成良好的歐姆接觸；
[0046](4)在點(diǎn)狀局部接觸銀電極上采用濺射法制備10nm的AZO透明導(dǎo)電膜；
[0047](5)在AZO透明導(dǎo)電膜上采用絲網(wǎng)印刷的方法制備銀柵線電極，電極圖案由I組等距平行的柵線構(gòu)成，柵線數(shù)量為20根，柵線寬度為20um。之后進(jìn)行熱處理。
[0048](6)制作背面電極，此工序也可以在步驟(5)中同步完成。
[0049]實(shí)施例2:
[0050](I)P型單晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜及減反射膜等工序處理；
[0051](2)在正面與背面采用絲網(wǎng)印刷的方法分別制作點(diǎn)狀銀電極，單個(gè)點(diǎn)的直徑為10um，點(diǎn)與點(diǎn)之間的間距為I.5mm;
[0052](3)在爐體中進(jìn)行300?900°C下燒結(jié)，電池正面與背面的點(diǎn)狀銀漿穿透減反射膜和鈍化膜，與硅基體形成良好的歐姆接觸；
[0053](4)在點(diǎn)狀局部接觸電極上采用濺射法制備llOnm的IT0透明導(dǎo)電膜；[〇〇54](5)在IT0透明導(dǎo)電膜上采用噴墨的方法制備銀電極，電極圖案為一組等距平行的細(xì)柵線與一組等距平行的主柵線構(gòu)成，細(xì)柵線與主柵線垂直相交。細(xì)柵線為30根，截面寬度為30um;主柵為4根，截面寬度為lmm〇
[0055](6)在200?500°C下進(jìn)行退火處理。[〇〇56] 實(shí)施例3:[〇〇57](1)P型多晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜及減反射膜等工序處理；
[0058](2)采用掩膜與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方法按特定圖形對(duì)正面與背面的減反射膜進(jìn)行開孔，特定圖案采用線段狀陣列，線段的長度為50um，寬度為40um，線段與線段之間的間距為0.5mm。再采用PVD物理氣相沉積的方法在正面與背面的開孔處分別沉積鎳和鋁導(dǎo)電膜， 然后經(jīng)過200?500°C退火處理，最后采用電鍍的方法在正面的鎳導(dǎo)電膜上先后沉積銅與銀導(dǎo)電膜、在背面的鋁導(dǎo)電膜上沉積銀導(dǎo)電膜；[〇〇59](3)在正面和背面的線段狀電極上采用化學(xué)氣相沉積的方法制備80nm的石墨烯透明導(dǎo)電膜；
[0060](4)在石墨烯透明導(dǎo)電膜上采用絲網(wǎng)印刷的方法制備銀柵線電極，電極圖案由10組相互平行的等距平行柵線構(gòu)成，每組柵線為30根，截面寬度為20um，相鄰兩組平行柵線之間的間距為2mm。之后進(jìn)行熱處理。[〇〇61 ] 實(shí)施例4:[〇〇62](1)N型單晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜及減反射膜等工序處理；
[0063](2)在正面采用激光按特定圖形對(duì)電池表面的減反射膜及鈍化膜進(jìn)行開孔，特定圖案采用點(diǎn)狀陣列，單個(gè)點(diǎn)的直徑為1 〇〇um，點(diǎn)與點(diǎn)之間的間距為1.5mm。然后采用PVD物理氣相沉積的方法在開孔處沉積銀導(dǎo)電膜；[〇〇64](3)在200?500°C下進(jìn)行退火處理，使陣列分布的點(diǎn)狀銀導(dǎo)電膜與硅基體形成良好的歐姆接觸；[〇〇65](4)在點(diǎn)狀局部接觸銀電極上采用濺射法制備150nm的FT0透明導(dǎo)電膜；
[0066](5)在FT0透明導(dǎo)電膜上采用絲網(wǎng)印刷的方法制備銀柵線電極，電極圖案由1組等距平行的柵線構(gòu)成，柵線數(shù)量為20根，柵線寬度為20um。之后進(jìn)行熱處理。
[0067](6)制作背面電極，此工序也可以在步驟(5)中同步完成。[〇〇68] 實(shí)施例5:[〇〇69](1)N型單晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜/減反射膜等工序處理；[〇〇7〇](2)在受光面采用絲網(wǎng)印刷的方法制作線段狀銀電極，線段的長度為200um，寬度為80um，線段與線段之間的間距為1mm;[〇〇71](3)在爐體中進(jìn)行300?800°C下燒結(jié)，受光面的線段狀銀漿穿透減反射膜和鈍化膜，與硅基體形成良好的歐姆接觸；[〇〇72](4)在線段狀電極上采用濺射法制備100nm的IW0透明導(dǎo)電膜；[〇〇73](5)在IW0透明導(dǎo)電膜上采用絲網(wǎng)印刷的方法制備銀電極，電極圖案由1組等距平行的柵線構(gòu)成，柵線數(shù)量為40根，柵線寬度為30um;[〇〇74](6)制作背面電極。[〇〇75] 實(shí)施例6:
[0076](I)N型多晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕、沉積鈍化膜/減反射膜、制作背電極等工序處理；
[0077](2)在受光面采用絲網(wǎng)印刷的方法制作線段狀銀電極，線段的長度為1.5mm，寬度為lOOum，線段與線段之間的間距為2mm;
[0078](3)在爐體中進(jìn)行300?800°C下燒結(jié)，受光面的線段狀銀漿穿透減反射膜和鈍化膜，與硅基體形成良好的歐姆接觸；
[0079](4)在線段狀電極上采用濺射法制備500nm的AZO透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜與線段狀銀共同形成電池的受光面電極。
[0080]以上所述僅為本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，不是全部或唯一的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過閱讀本實(shí)用新型說明書而對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案采取的任何等效的變換，均為本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述的二維電極設(shè)置在晶硅電池正面和/或背面，包括:透明導(dǎo)電膜(1)、局部接觸金屬電極(2)和金屬電極(5);局部接觸金屬電極(2)以規(guī)則圖案方式排布在晶體硅太陽能電池的減反射膜/鈍化膜(3)上，且局部接觸金屬電極(2)穿透減反射膜/鈍化膜(3)與晶體硅片(4)形成局部歐姆接觸;所述金屬電極(5)設(shè)置于透明導(dǎo)電膜(I)之上;所述的透明導(dǎo)電膜(I)設(shè)置在減反射膜/鈍化膜(3)及局部接觸金屬電極(2)之上，并將局部接觸金屬電極(2)及金屬電極(5)連接成為晶體硅太陽能電池電極的導(dǎo)電組合體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述的透明導(dǎo)電膜(I)為ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，透明導(dǎo)電膜(I)的厚度為50?500nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，穿透減反射膜/鈍化膜(3)的局部接觸金屬電極(2)采用陣列圖案排布，其圖案為一維、二維幾何圖形或一維與二維幾何圖形的組合;一維幾何圖形選自:線段、虛線段或弧線;二維幾何圖形選自:圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述一維幾何圖形的線寬為30?10um，長度為0.05?I.5mm;同一行中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm，同一列中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5?2mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，金屬電極(5)的排布圖案為一組平行線段或多組平行線段的組合，線段的寬度為20?2000um，數(shù)量為5?100根，線長為2?156mm，相鄰線段之間的距離為0.5?50mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述的局部接觸金屬電極(2)與金屬電極(5)均為銀電極、鋁電極、鎳電極、銅電極、合金電極或金屬復(fù)合電極。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述的晶體硅片(4)為P型或者N型的單晶硅片、P型或者N型的多晶硅片;所述的二維電極形成于P型或N型硅基體的表面，或形成于P型或N型發(fā)射極表面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，所述的局部接觸金屬電極(2)下方的局部娃基體為重?fù)诫s區(qū)或一般摻雜區(qū)，重?fù)诫s區(qū)的方阻為5?50 Ω /□，一般摻雜區(qū)的方阻為50?150 Ω /□。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池二維電極，其特征在于，減反射膜為氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳化硅薄膜和氧化鈦薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，厚度為50?I OOnm;鈍化膜為氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜和非晶娃薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，厚度為5?50nm。
【文檔編號(hào)】H01L31/068GK205657061SQ201620278751
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2016年4月6日 公開號(hào)201620278751.4, CN 201620278751, CN 205657061 U, CN 205657061U, CN-U-205657061, CN201620278751, CN201620278751.4, CN205657061 U, CN205657061U
【發(fā)明人】鐘寶申, 李華, 趙科雄
【申請(qǐng)人】樂葉光伏科技有限公司