一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器的制造方法
【專利摘要】一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，由一空心六棱環(huán)，空心十二棱環(huán)，及一中央電極空心柱構(gòu)成，所述空心十二棱環(huán)嵌套于空心六棱環(huán)內(nèi)，中央電極空心柱與所述空心六棱環(huán)及空心十二棱環(huán)的中心軸線相同，所述空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)為重?fù)诫sn+(或p+)型硅的空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)；中央電極空心柱為重?fù)诫sp+(或n+)型硅的中央電極空心柱；所述空心十二棱環(huán)底部與空心六棱環(huán)平齊，頂部低于空心六棱環(huán)，空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)及中央電極空心柱之間的區(qū)域?yàn)镻型(或N型)硅填充實(shí)體區(qū)，所述新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器的頂面設(shè)置有電極接觸層，底面設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層。本實(shí)用新型優(yōu)化了結(jié)構(gòu)類(lèi)型，消除了死區(qū)，工作時(shí)，粒子也可以雙面入射,反應(yīng)更為靈敏。
【專利說(shuō)明】
一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于高能物理，天體物理，航空航天，軍事，醫(yī)學(xué)等技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器。
【背景技術(shù)】
[0002]探測(cè)器主要用于高能物理、天體物理等，因?yàn)閭鹘y(tǒng)“三維硅探測(cè)器”有許多的不足，又由于在高能物理及天體物理之中，探測(cè)器是處于強(qiáng)輻照條件下，這對(duì)探測(cè)器本身的要求就有了一些特別的要求，要具有較強(qiáng)的抗輻照能力，漏電流以及全耗盡電壓不能太大，對(duì)于其體積的大小又有不同的要求。
[0003]現(xiàn)有的“三維溝槽電極硅探測(cè)器”在進(jìn)行電極刻蝕時(shí)不能完全的貫穿整個(gè)硅體，這就使得探測(cè)器有一部分不能刻蝕，這一部分必定會(huì)影響探測(cè)器的性能，比如在這個(gè)部分的電場(chǎng)較弱，電荷分布不均勻等現(xiàn)象。所以可以稱這一部分為“死區(qū)”，而且“死區(qū)”在單個(gè)探測(cè)器中占據(jù)10%_30%，如果是做成列陣，則會(huì)占據(jù)更大的比例。其次，“三維溝槽電極硅探測(cè)器”只能是在單面進(jìn)行刻蝕。最后，這種探測(cè)器在工作時(shí)，粒子也只能是單面入射。
[0004]基于此，提供一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題就顯得尤為必要。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器。優(yōu)化了結(jié)構(gòu)類(lèi)型，消除了死區(qū)，工作時(shí)，粒子也可以雙面入射，反應(yīng)更為靈敏。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:
[0007]—種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，由一空心六棱環(huán)，空心十二棱環(huán)，及一中央電極空心柱構(gòu)成，所述空心十二棱環(huán)嵌套于空心六棱環(huán)內(nèi)，中央電極空心柱與所述空心六棱環(huán)及空心十二棱環(huán)的中心軸線相同，所述空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)為重?fù)诫sη+(或ρ+)型硅的空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)；中央電極空心柱為重?fù)诫sP+(或η+)型硅的中央電極空心柱;所述空心十二棱環(huán)底部與空心六棱環(huán)平齊，頂部低于空心六棱環(huán)，空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)及中央電極空心柱之間的區(qū)域?yàn)镻型(或N型)硅填充實(shí)體區(qū)，所述新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器的頂面設(shè)置有電極接觸層，底面設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層。
[0008]進(jìn)一步的，所述空心六棱環(huán)與空心十二棱環(huán)的高度比為10:1。
[0009]進(jìn)一步的，所述空心六棱環(huán)環(huán)高<500微米，空心十二棱環(huán)高<50微米。
[0010]進(jìn)一步的，所述電極接觸層為鋁電極接觸層。
[0011]進(jìn)一步的，所述電極接觸層厚度為I微米，所述二氧化硅保護(hù)層厚度為I微米。
[0012]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果為:
[0013]在實(shí)際實(shí)用中由于在新結(jié)構(gòu)中電極柱完全貫穿整個(gè)硅體，有效避免了死區(qū)的產(chǎn)生，在工作的時(shí)候沒(méi)有弱電場(chǎng)區(qū)域的存在。
[0014]本實(shí)用新型優(yōu)化了結(jié)構(gòu)類(lèi)型，消除了死區(qū)，工作時(shí)，粒子也可以雙面入射，反應(yīng)更為靈敏。
[0015]該結(jié)構(gòu)的邊數(shù)更多，所以工作時(shí)所表現(xiàn)出的電場(chǎng)分布比之更加的均勻，連續(xù)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本實(shí)用新型的側(cè)視圖。
[0018]圖3為空心十二棱環(huán)、空心六棱環(huán)的相互位置關(guān)系圖。
[0019]圖4為本實(shí)用新型的俯視圖。
[0020]其中，1-空心六棱環(huán)，2-中央電極空心柱，3-空心十二棱環(huán)，4-電極接觸層，5-二氧化硅保護(hù)層，6-P型硅填充實(shí)體區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
[0022]如圖1-4所示，一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，由一空心六棱環(huán)I，空心十二棱環(huán)3，及一中央電極空心柱2構(gòu)成，所述空心十二棱環(huán)3嵌套于空心六棱環(huán)I內(nèi)，中央電極空心柱2與所述空心六棱環(huán)I及空心十二棱環(huán)3的中心軸線相同，所述空心十二棱環(huán)3、空心六棱環(huán)I為重?fù)诫sη+(或ρ+)型娃的空心十二棱環(huán)3、空心六棱環(huán)I;中央電極空心柱2為重?fù)诫sρ+(或η+)型硅的中央電極空心柱2;所述空心十二棱環(huán)3底部與空心六棱環(huán)I平齊，頂部低于空心六棱環(huán)I，空心十二棱環(huán)3、空心六棱環(huán)I及中央電極空心柱2之間的區(qū)域?yàn)镻型(或N型)硅填充實(shí)體區(qū)6，所述新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器的頂面設(shè)置有電極接觸層4，底面設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層5。
[0023]進(jìn)一步的，所述空心六棱環(huán)I與空心十二棱環(huán)3的高度比為10:10
[0024]進(jìn)一步的，所述空心六棱環(huán)I高<500微米，空心十二棱環(huán)3高<50微米。
[0025]進(jìn)一步的，所述電極接觸層4為鋁電極接觸層。
[0026]進(jìn)一步的，所述電極接觸層4厚度為I微米，所述二氧化硅保護(hù)層5厚度為I微米。
[0027]本實(shí)用新型的工作原理為:
[0028]在實(shí)際實(shí)用中由于在新結(jié)構(gòu)中電極柱完全貫穿整個(gè)硅體，有效避免了死區(qū)的產(chǎn)生，在工作的時(shí)候沒(méi)有弱電場(chǎng)區(qū)域的存在。
[0029]本實(shí)用新型優(yōu)化了結(jié)構(gòu)類(lèi)型，消除了死區(qū)，工作時(shí)，粒子也可以雙面入射，反應(yīng)更為靈敏。
[0030]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，其特征在于，由一空心六棱環(huán)(I)，空心十二棱環(huán)(3)，及一中央電極空心柱(2)構(gòu)成，所述空心十二棱環(huán)(3)嵌套于空心六棱環(huán)(I)內(nèi)，中央電極空心柱(2)與所述空心六棱環(huán)(I)及空心十二棱環(huán)(3)的中心軸線相同，所述空心十二棱環(huán)(3)、空心六棱環(huán)(I)為重?fù)诫sη+或p+型娃的空心十二棱環(huán)(3)、空心六棱環(huán)(I);中央電極空心柱(2)為重?fù)诫sρ+或η+型硅的中央電極空心柱(2);所述空心十二棱環(huán)(3)底部與空心六棱環(huán)(I)平齊，頂部低于空心六棱環(huán)(I)，空心十二棱環(huán)(3)、空心六棱環(huán)(I)及中央電極空心柱(2)之間的區(qū)域?yàn)镻型或N型硅填充實(shí)體區(qū)(6)，所述新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器的頂面設(shè)置有電極接觸層(4)，底面設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層(5)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，其特征在于，所述空心六棱環(huán)(I)與空心十二棱環(huán)(3)的高度比為10:1。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，其特征在于，所述空心六棱環(huán)(I)高< 500微米，空心十二棱環(huán)(3)高< 50微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，其特征在于，所述電極接觸層(4)為鋁電極接觸層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型閉合式殼型電極硅探測(cè)器，其特征在于，所述電極接觸層(4)厚度為I微米，所述二氧化硅保護(hù)層(5)厚度為I微米。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK205666239SQ201620359775
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月26日
【發(fā)明人】李正, 馮明富
【申請(qǐng)人】湘潭大學(xué)