專利名稱：用于閃存設(shè)備的可變電壓源的制作方法
背景技術(shù)：
當(dāng)前的電子產(chǎn)品利用可執(zhí)行各種應(yīng)用的電路。某些應(yīng)用包括作為基本構(gòu)建模塊的非易失半導(dǎo)體存儲器設(shè)備。數(shù)據(jù)可存儲在非易失存儲器中的基本結(jié)構(gòu)是存儲器單元。典型的現(xiàn)有閃存單元可由包括選擇柵極、浮動(dòng)?xùn)艠O、源極和漏極的單場效應(yīng)晶體管(FET)組成。通過改變浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷量，從而引起閃存單元的閾值電壓變化，這樣可將信息存儲在閃存單元中。典型的現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元可以在兩種可能狀態(tài)—“編程的”或“擦除的”的其中一種狀態(tài)下。
根據(jù)一種現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)閃存單元被讀取時(shí)，可以將該閃存單元傳導(dǎo)的電流與參考閃存單元傳導(dǎo)的電流進(jìn)行比較，這個(gè)參考閃存單元的閾值電壓設(shè)定為具有在間距范圍(separation range)中的值的預(yù)定參考電壓。單個(gè)比較器可以進(jìn)行這種比較，并輸出結(jié)果。當(dāng)閃存單元被選定來進(jìn)行讀取時(shí)，某一偏壓可作用在選擇柵極上，并且同樣的偏壓可作用在參考單元的選擇柵極上。如果該閃存單元是編程的，則浮動(dòng)?xùn)艠O上俘獲的電子增加了閾值電壓，以使所選定的閃存單元比參考閃存單元傳導(dǎo)更少的漏電流。如果前面的閃存單元是擦除的，則浮動(dòng)?xùn)艠O上有少量或沒有過剩電子，并且該閃存單元可能比參考單元傳導(dǎo)更多的漏極-源極電流。
為確定存儲器單元是“編程的”還是“擦除的”，在讀取操作中作用在選擇柵極上的偏壓應(yīng)該為適當(dāng)?shù)闹?。這樣，一直以來都需要更好的方式來向閃存提供偏壓，從而允許使用閃存的應(yīng)用能恰當(dāng)?shù)夭僮鳌?br>

本說明書的結(jié)論部分具體地指出并清楚地要求了有關(guān)本發(fā)明的主題。但是，通過參照下面詳細(xì)的描述，并同時(shí)閱讀附圖，可更好地理解本發(fā)明的操作方法和組織及其目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括處理器和存儲器塊的方框圖，所述存儲器塊接收調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié)操作電壓；圖2是如圖1中示出的封裝電源(PSIP，Power-Supply-In-Package)的示意圖；以及圖3是如圖1中所示的備用振蕩器產(chǎn)生并供給調(diào)節(jié)器和封裝電源(PSIP)的信號的時(shí)序圖。
應(yīng)該理解，為簡潔清楚地說明，圖中所示元件不必按比例繪制。例如，為清楚起見，某些元件的尺寸相對于其他元件則夸大了。
具體實(shí)施例方式
在下面詳細(xì)的描述中，為提供對本發(fā)明的全面理解，提到許多具體細(xì)節(jié)。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解到?jīng)]有這些具體細(xì)節(jié)仍可實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，公知的方法、過程、組件和電路沒有詳細(xì)描述，以免混淆本發(fā)明。
本發(fā)明的實(shí)施例中提到的體系結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在便攜式計(jì)算、聯(lián)網(wǎng)、數(shù)字照相機(jī)應(yīng)用、無線技術(shù)的產(chǎn)品中，以及基于儀表和汽車應(yīng)用的廣泛的消費(fèi)品中。還應(yīng)該理解，這里所公開的電路可用在許多系統(tǒng)中，僅作為示例就包括蜂窩無線電話通訊系統(tǒng)、個(gè)人通訊系統(tǒng)(PCS)、調(diào)制解調(diào)器、雙向無線通訊系統(tǒng)、單向和雙向無線傳呼機(jī)、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)和其他手持設(shè)備。雖然未示出，但用在計(jì)算機(jī)中時(shí)，這個(gè)系統(tǒng)可包括顯示設(shè)備、鍵盤、光標(biāo)控制設(shè)備、硬拷貝設(shè)備或聲音采樣設(shè)備。根據(jù)可以使用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的具體應(yīng)用可確定這個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的具體組件和配置。
在下面的描述和權(quán)利要求中，可能使用術(shù)語“耦合的”和“連接的”及其派生詞。應(yīng)該理解，這兩個(gè)術(shù)語并非彼此同義的。更確切地說，在具體實(shí)施例中，“連接的”可用來表示兩個(gè)或多個(gè)元件彼此直接地物理連接或電連接。“耦合的”可能意味著兩個(gè)或多個(gè)元件直接地物理連接或電連接。但是，“耦合的”也可能意味著兩個(gè)或多個(gè)元件并非彼此直接連接，但彼此仍協(xié)作或相互作用。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可以包括處理器20和存儲器塊30的系統(tǒng)10的方框圖，其中存儲器塊30具有低活動(dòng)(low active)的備用電源。處理器20可以是微處理器、微控制器、精簡指令集計(jì)算(RISC)處理器、英格蘭劍橋ARM Holdings的ARMTM核、加利福尼亞圣塔克萊拉英特爾公司的StrongARMTM核或XscaleTM核、或嵌入核，但是本發(fā)明的范圍并不限于此。除非另有具體說明，從下面討論中很明顯，認(rèn)為通篇說明書中本發(fā)明涉及為存儲器塊30產(chǎn)生適于讀取編程的數(shù)據(jù)的操作電壓的動(dòng)作和/或處理。但是，本發(fā)明可用于各種產(chǎn)品。
設(shè)備70包括讀控制塊40、調(diào)節(jié)器50、邏輯門55和65、和可與存儲器塊30集成的備用振蕩器60、以及由封裝90所保護(hù)以免受環(huán)境影響的組合?；蛘撸诓豢s小本發(fā)明范圍的情況下，讀控制塊40、調(diào)節(jié)器50、邏輯門55和65以及備用振蕩器60可以在片外，也就是不與存儲器塊30集成在同一半導(dǎo)體管芯(die)上。電源塊，也稱之為封裝電源(PSIP)80，可接收約1伏到約3.6伏范圍內(nèi)的電壓電勢(V)，并供給調(diào)節(jié)器50約4伏到約6伏范圍內(nèi)的可配置的供電電壓?；蛘撸琍SIP 80可接收約4伏到約6伏范圍內(nèi)的電壓電勢，并供給調(diào)節(jié)器50約1伏到約3.6伏范圍內(nèi)的可配置的供電電壓。應(yīng)該注意到，這里輸入電壓電勢值和輸出供電電壓值并不限制本發(fā)明的范圍。
封裝90為存儲器塊30、讀控制塊40、調(diào)節(jié)器50、備用振蕩器60和PSIP 80提供保護(hù)，并且可包括塑料封裝、陶瓷封裝、板上芯片(COB)、直接芯片安裝(DCA)、芯片級封裝(CSP)或其他。封裝90可包括引線框、引線接合、倒裝芯片和球狀焊接、或滴液頂部密封(globtop sealing)。這里封裝中所用的材料和提供電連接的方法都并非意在限制本發(fā)明的范圍。
電容器100可以與PSIP 80的輸出終端連接，以儲存能量并提供約6伏的供電電壓。電容器100的電容值在約10微法拉-10毫微法拉之間，但這并非是限制本發(fā)明?；蛘?，形成的電容器100可以具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)，并與讀控制塊40、調(diào)節(jié)器50和存儲器塊30集成。在另一個(gè)實(shí)施例中，電容器100可放置在PSIP 80內(nèi)，但電容器100的位置并不限制本發(fā)明。
雖然未示出，但應(yīng)該注意到，在某些應(yīng)用中PSIP 80可產(chǎn)生供電電壓，這種電壓可供給封裝90外的電子設(shè)備。在這些應(yīng)用中，PSIP 80可以基于電子設(shè)備傳導(dǎo)的電流總和來提供電流。選擇PSIP 80還是外部電源來提供供電電壓可以根據(jù)存儲在鎖存器或寄存器中的數(shù)據(jù)位的值來確定，而這些數(shù)據(jù)位的值可以在軟件控制下變化。鎖存器或寄存器可以位于處理器20內(nèi)，或與半導(dǎo)體器件一起包括在封裝90內(nèi)。這里鎖存器或寄存器的位置并非意在限制本發(fā)明。應(yīng)該理解到，通過設(shè)計(jì)，PSIP 80或外部電源可被指定為缺省地來在加電過程中提供操作電勢。這樣，存儲的數(shù)據(jù)位可確定是PSIP 80還是外部電源供給調(diào)節(jié)器50操作電勢。在加電并經(jīng)過一段時(shí)間允許電壓電勢穩(wěn)定之后，可以提供信號來表示存儲器塊30中的字線路徑已充電至讀取電平，使得數(shù)據(jù)可以從存儲器中被讀取并由處理器20使用。字線路徑提供對存儲器陣列中的閃存單元的柵極的訪問。
調(diào)節(jié)器50的輸出端可連接到存儲器塊30，以向存儲器提供約4伏到約6伏的信號，但這個(gè)信號值并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。這樣，到存儲器單元的讀信號可以在約0伏(接地電勢)及4-6伏電平之間變化。注意，這個(gè)讀信號是當(dāng)所選定的閃存單元存儲的數(shù)據(jù)被讀取時(shí)，提供給該閃存單元的柵極的電壓。應(yīng)該理解到，圖1中示出的電容器110代表晶體管(未示出)的柵極電容和與該讀信號相關(guān)聯(lián)的互連路由的電容。電容器110的值例如可以在約100微微法拉到約10000微微法拉的范圍內(nèi)，但這個(gè)電容范圍并不限制本發(fā)明的范圍。
讀控制塊40可提供一個(gè)信號，該信號與備用振蕩器60產(chǎn)生的信號進(jìn)行或(OR)操作，并且或門55的輸出信號被供給調(diào)節(jié)器50。讀控制塊40的信號也可以與備用振蕩器60的另一個(gè)信號進(jìn)行或操作，并且或門65的輸出使能信號被供給PSIP 80。這樣，備用振蕩器60可以產(chǎn)生兩個(gè)信號，一個(gè)信號被PSIP 80用來控制供給電容器100的電荷，而另一個(gè)信號被調(diào)節(jié)器50用來控制供給電容器110的電荷。
存儲器塊30可用來存儲發(fā)送給系統(tǒng)10的或由系統(tǒng)10發(fā)送的消息。存儲器塊30也可任選地用來存儲處理器20在運(yùn)行過程中執(zhí)行的指令，并且可用來存儲用戶數(shù)據(jù)，例如何時(shí)可以發(fā)送消息的條件。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲器塊30中的存儲器單元可以是閃存單元。閃存單元可以是能夠處于多種模擬狀態(tài)的其中一種狀態(tài)的多級閃存單元，并且閃存單元的狀態(tài)可以由一個(gè)或多個(gè)二進(jìn)制位表示，這些狀態(tài)被間距范圍分開。
作為示例，第一狀態(tài)可以包括最低范圍的電壓，并用兩位表示，在擦除模式下這兩個(gè)位都為邏輯1。第二狀態(tài)和第三狀態(tài)可以分別表示為邏輯值01和10，并且第四狀態(tài)在編程模式下可由均為邏輯0的兩位表示?；蛘?，均為邏輯0的兩位可以表示最低范圍的電壓，而均為邏輯1的兩位可以表示最高范圍的電壓。應(yīng)該注意到，存儲器單元的類型或狀態(tài)數(shù)目并不限制本發(fā)明的范圍。
具有浮動(dòng)?xùn)艠O的非易失存儲器單元可以起具有閾值電壓的場效應(yīng)晶體管的作用，隨著電荷增加到浮動(dòng)?xùn)艠O上，這個(gè)閾值電壓可能增大?？梢杂迷S多不同的方式來檢測存儲在存儲器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷數(shù)量。方法包括當(dāng)恒定電壓作用在存儲器單元的選擇柵極上時(shí)，檢測這個(gè)存儲器單元的單元電流，檢測選擇柵極的電壓量來產(chǎn)生存儲器單元所期望的單元電流等。這些用來檢測存儲在存儲器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷數(shù)的方法并不限制本發(fā)明的范圍。
圖2是如圖1中示出的PSIP 80的示意圖。PSIP 80可以在電感器130的一個(gè)終端處接收范圍在約1伏到約3.6伏的電壓電勢(V)。電感器130可以是PSIP 80的外部組件或集成為PSIP 80的一部分，這兩種實(shí)施例都包括在本發(fā)明中。電阻器140代表電感器130的電阻，并可表示為與電感器130串聯(lián)。例如二極管連接形式的晶體管160的半導(dǎo)體PN結(jié)器件可以耦合在電阻器140的終端和輸出節(jié)點(diǎn)或者提供信號VOUT的終端之間。電容器165可以連接到輸出終端。許多電阻器可以耦合在輸出節(jié)點(diǎn)和例如地的參考電勢之間。電阻器170、180、190、……、200形成電阻器之間具有抽頭點(diǎn)的電阻器分壓器。注意，例如電容器分壓器網(wǎng)絡(luò)的任意檢測方案都可用來代替電阻器分壓器。
控制邏輯塊230接收通過PSIP 80的數(shù)據(jù)終端的數(shù)據(jù)值，這些數(shù)據(jù)值可以被鎖存并用來向抽頭電路210提供選擇信號。抽頭電路210可以有輸入端連接到電阻器分壓器的抽頭上。調(diào)節(jié)電路220可以有一個(gè)輸入端連接到抽頭電路210的輸出端，而另一個(gè)輸入端接收內(nèi)部參考電壓信號。調(diào)節(jié)電路220的輸出端可以連接到晶體管150的控制終端。晶體管150的第一電流傳導(dǎo)終端可以耦合到電阻器140和二極管連接形式的晶體管160的共同接線上，而第二電流傳導(dǎo)終端可以耦合到參考電勢上，例如地。
晶體管250的第一電流傳導(dǎo)終端可以連接到分壓器的末端，也就是電阻器200的終端。晶體管250的第二電流傳導(dǎo)終端可以接地。晶體管250的控制終端可以耦合以接收來自或門65的使能信號(見圖1)。反相器260可以將晶體管250的控制終端耦合到晶體管270的控制終端。晶體管270的傳導(dǎo)終端可以將抽頭電路210的輸出端耦合到地。
圖3是由備用振蕩器60產(chǎn)生并供給調(diào)節(jié)器50和PSIP 80的兩個(gè)信號(見圖1)的時(shí)序圖。橫軸代表時(shí)間，而縱軸代表電壓。具體地說，波形300圖示了對可供給PSIP 80以控制電容器100的充電的信號的時(shí)序。波形320表示在時(shí)刻t0和t3可以補(bǔ)充存儲在電容器100上的電荷。波形310圖示了對可供給調(diào)節(jié)器50以控制電荷供給電容器110的時(shí)間的信號的時(shí)序。波形330圖示了在時(shí)刻t0、t1、t2、t3和t4可以補(bǔ)充存儲在電容器110上的電荷。
在讀模式下運(yùn)行時(shí)(參照圖1和3)，讀控制塊40可以通過或門55將信號提供給調(diào)節(jié)器50并通過或門65將信號提供給PSIP 80。響應(yīng)接收到的信號，PSIP 80可以產(chǎn)生約6.0伏的供電電壓并提供約500微安培的電流給調(diào)節(jié)器50。這個(gè)電流的約90-100微安培可能被調(diào)節(jié)器50內(nèi)的電路消耗掉，而粗略地，余下400微安培的電流可用來給電容器C 110充電。通過保持電容器110充電至約5.4伏的操作電壓，可以將合適偏壓下的字線信號供給存儲器塊30。這樣，讀控制塊40、調(diào)節(jié)器50、備用振蕩器60和PSIP 80協(xié)作將具有約5.4伏電平的字線供給存儲器塊30所選定的閃存單元的選擇柵極。通過提供合適的電壓電平，可正確地確定存儲在閃存單元中的“擦除的”值或“編程的”值。
在備用模式下運(yùn)行時(shí)，設(shè)備70可以接收來自PSIP 80的供電電壓。通過利用由備用振蕩器60產(chǎn)生的兩個(gè)信號(一個(gè)信號用于調(diào)節(jié)器50而另一個(gè)信號用于PSIP 80)，備用模式下消耗的功率可以減少以保存用于便攜式系統(tǒng)10的電池強(qiáng)度。具體地說，備用振蕩器60可產(chǎn)生類似波形300所圖示的信號，并將該信號供給PSIP 80以控制存儲在電容器100上的電荷。這種信號可以是以30毫秒的速率提供的脈沖，其中約20微秒是有效的，但這并非限制本發(fā)明。在20微秒的有效時(shí)間期間，PSIP 80可以將電荷再存儲在電容器100上，這樣提供給調(diào)節(jié)器50例如在約5.6伏到約6伏范圍內(nèi)的供電電壓。
類似于波形310圖示的另一個(gè)信號可以由備用振蕩器60產(chǎn)生，并供給調(diào)節(jié)器50以控制存儲在電容器110上的電荷。這個(gè)信號可以是以約600微秒到約900微秒的速率范圍提供的脈沖，其中約3微秒是有效的，但這并不是限制本發(fā)明。在3微秒的有效時(shí)間期間，調(diào)節(jié)器50可以將電荷再存儲在電容器110上，以維持供給存儲器塊30的字線的電壓電平在約5.2伏到約5.4伏范圍內(nèi)。這樣，在備用模式下，備用振蕩器60可以提供調(diào)節(jié)器50用的信號，以周期性地取代使電容器110放電的寄生漏電流。實(shí)際上，通過使電容器100部分放電，可以給電容器110充電。
在一個(gè)實(shí)施例中，供給調(diào)節(jié)器50的信號的頻率可以是供給PSIP 80的信號頻率的約35倍，但這并不是對本發(fā)明的限制。這樣，相對于補(bǔ)充存儲在電容器100上的電荷，備用振蕩器60產(chǎn)生的信號可以更頻繁地補(bǔ)充存儲在電容器110上的電荷。通過結(jié)合這兩個(gè)獨(dú)立的信號來分別控制對電容器100和110的充電，存儲器塊30可以在備用模式下具有較低的功率消耗。
可以參照圖2來描述PSIP 80的運(yùn)行。使能信號允許晶體管150交替地在導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)之間切換。當(dāng)晶體管150正在切換時(shí)，通過改變流過電感器130的電流而產(chǎn)生的電壓可用來增加存儲在電容器110上的電荷(見圖1中的電容器110)。反饋回路可以檢測電壓VOUT，并控制晶體管150的切換，從而控制存儲在電容器110上的電荷。更具體地說，電阻器170-200可以形成具有抽頭點(diǎn)的分壓器，從抽頭點(diǎn)可選擇抽頭點(diǎn)電壓。抽頭電路210所選擇的抽頭點(diǎn)電壓可傳遞給調(diào)節(jié)電路220。
調(diào)節(jié)電路220比較抽頭點(diǎn)電壓和電壓參考，以控制晶體管150的導(dǎo)通。作為示例，電壓參考的值可以是約1.3伏，而從抽頭電路塊210所接收的抽頭點(diǎn)電壓可以是約1.0伏。在這個(gè)示例中，供電電壓VOUT的值被確定為具有低于所期望的供電電壓的值，并且晶體管150可以交替地在導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)之間切換。電感器130中變化的電流提供了可存儲在電容器110上的附加電荷。這樣，供電電壓VOUT可以增加直至達(dá)到所期望的供電電壓。
在另一個(gè)示例中，電壓參考的值可以是約1.3伏，而從抽頭電路塊210所接收的抽頭點(diǎn)電壓可以是約1.4伏。在這個(gè)示例中，供電電壓VOUT的值被確定為具有高于所期望的供電電壓的值，并且晶體管150不會在導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)之間切換。在這個(gè)示例中，沒有附加電荷存儲在電容器110上，并且供電電壓VOUT不會增加。
控制邏輯塊230可以與電阻器分壓器和抽頭電路塊210一起使用來設(shè)定VOUT值，并進(jìn)一步控制根所提供的供電電壓VOUT的變化的顆粒度(granularity)?？刂七壿媺K230具有接收數(shù)據(jù)值的輸入端，這些數(shù)據(jù)值可以是硬件連接的數(shù)據(jù)值，或者是在系統(tǒng)10的軟件控制下利用微代碼提供的編程數(shù)據(jù)值。利用具有多個(gè)抽頭點(diǎn)的電阻器分壓器可對供電電壓VOUT進(jìn)行小的調(diào)整。作為示例，具有4個(gè)抽頭點(diǎn)的電阻器分壓器可以利用2個(gè)數(shù)據(jù)值來選擇抽頭電壓，而具有8個(gè)抽頭點(diǎn)的電阻器分壓器可以利用3個(gè)數(shù)據(jù)值來選擇抽頭電壓。這樣，控制邏輯塊230的設(shè)計(jì)、抽頭電路塊210和電阻器分壓器控制著所提供的供電電壓VOUT的變化的顆粒度。
除了為VOUT值提供顆粒度，還可以通過提供新的數(shù)據(jù)值來控制邏輯塊230，將所期望的VOUT值調(diào)高或調(diào)低。新的數(shù)據(jù)值提供從電阻器分壓器中的另一個(gè)抽頭點(diǎn)所選擇的新的抽頭點(diǎn)電壓。將新的抽頭點(diǎn)電壓與電壓參考進(jìn)行比較，并且晶體管150進(jìn)行相應(yīng)地切換。這樣，供電電壓VOUT可調(diào)整到所期望的電壓。一旦達(dá)到所期望的電壓，抽頭電壓值和電壓參考值可以具有相等的值。注意，晶體管250和270根據(jù)使能信號確定何時(shí)PSIP80可以對供電電壓VOUT進(jìn)行調(diào)整。
雖然這里已圖示并描述了本發(fā)明的某些特征，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可進(jìn)行許多改進(jìn)、替換、變化和等同替換。因此，應(yīng)該理解到，所附權(quán)利要求意在涵蓋所有落在本發(fā)明的真正精神內(nèi)的這些改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，其具有接收輸入電壓的輸入終端和提供輸出電流的節(jié)點(diǎn)，其中所述輸出電流的一部分產(chǎn)生可選擇的反饋電壓，以與電壓參考進(jìn)行比較來控制所述輸出電流。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括電感器，其中，所述電感器具有耦合到所述輸入終端的第一端和耦合到所述輸出節(jié)點(diǎn)的第二端，并且所述電感器傳導(dǎo)供給所述節(jié)點(diǎn)的電流。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括耦合在所述節(jié)點(diǎn)和地終端之間的分壓器，其中所述分壓器接收所述輸出電流的所述部分。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，還包括具有耦合到電阻器分壓器的抽頭點(diǎn)的輸入端的抽頭電路；和接收數(shù)據(jù)值以選擇所述抽頭點(diǎn)之一的控制塊。
5.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，還包括調(diào)節(jié)電路，用于接收所述電壓參考和從所述抽頭點(diǎn)之一選擇的反饋電壓；和晶體管，其具有耦合到所述調(diào)節(jié)電路的控制終端以及耦合到所述電感器的所述第二端和所述地終端的載流終端。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述電感器和晶體管形成在一個(gè)半導(dǎo)體芯片上。
7.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，還包括耦合在所述電感器的所述第二端和所述節(jié)點(diǎn)之間的半導(dǎo)體PN結(jié)器件。
8.一種設(shè)備，包括電感器，其具有接收電壓的第一終端和耦合到所述設(shè)備的輸出端的第二終端；耦合在所述設(shè)備的所述輸出端和地終端之間的分壓器；抽頭電路，其具有耦合到所述分壓器的抽頭點(diǎn)的輸入端；控制塊，其耦合以接收數(shù)據(jù)值并將信號提供給所述抽頭電路以選擇抽頭點(diǎn)；接收電壓參考和來自所述抽頭點(diǎn)的抽頭電壓的調(diào)節(jié)電路；以及第一晶體管，具有耦合到所述調(diào)節(jié)電路的控制終端和耦合在所述電感器的所述第二終端和所述地終端之間的載流終端。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述電感器和晶體管集成在同一半導(dǎo)體芯片上。
10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，還包括二極管，所述二極管具有耦合到所述電感器的所述第二終端的第一端和耦合到所述設(shè)備的所述輸出端的第二端。
11.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述分壓器包括多個(gè)串聯(lián)的電阻器。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述分壓器還包括第二晶體管，所述第二晶體管具有接收使能信號的控制終端、耦合到所述多個(gè)串聯(lián)的電阻器中的末端電阻器的第一電流傳導(dǎo)終端以及耦合到所述地終端的第二電流傳導(dǎo)終端。
13.一種包括電感器、晶體管和具有抽頭點(diǎn)的分壓器的設(shè)備，包括第一引腳，耦合到所述電感器的第一終端并且還耦合以接收電壓電勢；第二引腳，耦合到所述電感器的第二終端以提供輸出電流，并且還耦合到所述分壓器的第一端；參考引腳，耦合到所述分壓器的第二端；和多個(gè)引腳，用于接收用于從所述抽頭點(diǎn)之一選擇抽頭電壓的數(shù)據(jù)值，并將所述抽頭電壓與電壓參考進(jìn)行比較以控制晶體管將所述輸出電流從所述第二引腳切換到所述參考引腳。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，還包括抽頭電路，具有耦合到所述抽頭點(diǎn)的輸入端；和控制邏輯塊，用于接收用來選擇所述抽頭電壓的所述數(shù)據(jù)值。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，還包括調(diào)節(jié)電路，具有接收所述抽頭電壓的輸入端、接收電壓參考的輸入端和提供比較結(jié)果的輸出端。
16.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述晶體管的控制終端耦合到所述調(diào)節(jié)電路的所述輸出端。
17.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，還包括二極管，所述二極管耦合在所述電感器的所述第二終端和所述第二引腳之間。
18.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述電感器與所述晶體管形成在同一半導(dǎo)體管芯上。
19.一種方法，包括在輸出端提供電壓電勢；利用數(shù)據(jù)值來在分壓器上選擇抽頭點(diǎn)以反饋所述電壓電勢的一部分來與電壓參考進(jìn)行比較；以及改變所述電壓電勢直至所述比較表明所述電壓電勢的所述部分大致等于所述電壓參考。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括通過利用不同的數(shù)據(jù)值在所述分壓器上選擇不同的抽頭點(diǎn)以反饋所述電壓電勢的不同部分，從而將所述電壓電勢編程至所期望值的步驟。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括當(dāng)改變所述輸出端的所述電壓電勢時(shí)，用使能信號來啟動(dòng)所述分壓器的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于閃存設(shè)備的可變電壓源(80)。所述可變電壓源(80)接收輸入電壓(V)并為閃存設(shè)備的讀或?qū)懖僮魈峁┹敵鲭妷?V
文檔編號H02M3/157GK1606825SQ02825512
公開日2005年4月13日 申請日期2002年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月18日
發(fā)明者拉杰什·孫達(dá)拉姆, 賈漢夏爾·雅瓦尼法爾德 申請人:英特爾公司