專利名稱：電鍍電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電鍍電源裝置，尤其與提供交流電流的電鍍電源裝置有關(guān)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)用的提供交流電流的電鍍電源裝置大多使用于雙面通孔的印刷電路板的電鍍。圖7示出此種電鍍電源裝置的一例。在該電源裝置之中，由三相商用交流電源而來的三相交流電壓通過輸入端整流器2以及濾波電容器4整流。被整流及濾波后的電壓通過變頻器6變換為數(shù)KHz至數(shù)十KHz的高頻電壓。變頻器6雖未圖示但通常都使用IGBT及FET等半導(dǎo)體開關(guān)元件構(gòu)成全電橋電路，上述半導(dǎo)體開關(guān)元件導(dǎo)通期間由控制電路8控制。由變頻器6而來的高頻電壓通過變壓器10變壓，降低到規(guī)定電壓值。變壓后的高頻電壓由輸出端整流器12整流，由電抗線圈14a、14b濾波。電抗線圈14a、14b卷繞在同一個(gè)磁芯之上。該經(jīng)過整流及濾波的電壓由變頻器16變換為數(shù)十及數(shù)百Hz的低頻交流電壓，通過直流電抗線圈18a、18b以及電鍍槽的電鍍電極20a、20b，提供給電鍍件。由于變頻器16也是將IGBT及FET等半導(dǎo)體開關(guān)元件與全電橋電路連接的，因而這些半導(dǎo)體開關(guān)元件導(dǎo)通期間，由控制電路22控制。
在該電鍍電源裝置之中，用于變頻器6的IGBT及FET的能耗大。此外，設(shè)置在變頻器16輸出端的直流電抗線圈18a、18b的能耗也大。此二者相結(jié)合，使電鍍電源裝置的整體效率惡化。此外，經(jīng)輸出端整流器12整流的電壓由濾波電抗線圈14a、14b濾波時(shí)，該電抗線圈14a、14b的能耗大，使效率進(jìn)一步惡化。此外，由于直流電抗線圈14a、14b通過在印刷電路極上形成的電路與輸出端整流器12及變頻器16連接，因而受該印刷電路的電感影響，使該電源裝置的效率進(jìn)一步降低。此外，由于使用了變頻器6和變壓器8，在電鍍電極20a、20b上產(chǎn)生的電流的上升應(yīng)答性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的正是在于提供一種使效率改善，且應(yīng)答性提高的電鍍電源裝置。
本發(fā)明的方式之一的電鍍電源裝置具有整流由交流電源而來的交流電壓的整流器。作為交流電源，可使用三相交流電源及單相交流電源。作為整流器，可使用全波整流電路及半波整流電路。降壓斬波器將由整流器而來的整流電壓降壓。該降壓斬波器(chopper)包含半導(dǎo)體開關(guān)元件，可根據(jù)脈寬調(diào)制信號(PWM信號)控制導(dǎo)通期間。直流交流變換器將由降壓斬波器而來的已降壓的直流電壓變換為交流電壓之后提供給電鍍電極。作為直流交流變換器，可使用半電橋型或全電橋型的變頻器。
在采用上述構(gòu)成的電鍍電源裝置之中，將整流交流電源之后得到的直流電壓用降壓斬波器降壓后，由直流交流變換器變換為交流電壓提供給電鍍電極。因而不需要輸入側(cè)整流器、高頻電壓變換用變頻器(inverter)及變壓器，可使該電源裝置的效率提高。尤其因?yàn)榻祲簲夭ㄆ魇强縋WM信號控制半導(dǎo)體開關(guān)元件的導(dǎo)通期間的，因而在產(chǎn)生負(fù)載短路的情況下，可通過壓縮PWM信號之中表示指示導(dǎo)通期間的脈沖幅度進(jìn)行短路保護(hù)。通過擴(kuò)展上述脈幅，可加快流向電鍍電極的電壓的上升速度，還可加快電鍍電流的上升速度，改善其應(yīng)答性能。
上述方式的電鍍電源裝置可多個(gè)組并聯(lián)在一起。這種情況下，交流電源設(shè)定為具有中性點(diǎn)的三相交流電源。各組的降壓斬波器具有第1及第2降壓斬波器。第1降壓斬波器通過直流交流變換器、電鍍電極使第1極性的電流流向中性點(diǎn)，第2降壓斬波器通過直流交流變換器、電鍍電極使第2極性的電流流向中性點(diǎn)。各組的直流交流變換器具有使由第1降壓斬波器而來的第1極性的電流從上述電鍍電極流向中性點(diǎn)的第1半導(dǎo)體開關(guān)元件以及使由第2降壓斬波器而來的第2極性電流通過上述電鍍電極流向中性點(diǎn)的第2半導(dǎo)體開關(guān)元件。此外，各組的第1及第2降壓斬波器及上述直流交流變換器彼此連接，以便使第1及第2極性的電流回歸上述中性點(diǎn)。
在此種構(gòu)成之中，給各個(gè)機(jī)器提供的不是三相交流電源的線間電壓，而是值比之小的相當(dāng)于相電壓的電壓。因此既可降低各組的電鍍電源裝置的構(gòu)成件的耐壓指標(biāo)，從而降低生產(chǎn)成本，又可多個(gè)組的電鍍電源裝置共用三相交流電源，使生產(chǎn)成本進(jìn)一步降低。
在上述方式的電鍍電源裝置之中，可在直流交流變換器與電鍍電極間設(shè)置電抗線圈。這種情況下，在直流交流變換器不給電抗線圈提供電流時(shí)，可從上述電抗線圈到上述降壓斬波器的輸入側(cè)，設(shè)置使基于上述電抗線圈中儲存的能量的電流再生的單向性再生路徑。該再生路徑，可由第1及第2單向性元件構(gòu)成。第1單向性元件與直流交流變換器內(nèi)的半導(dǎo)體開關(guān)元件的電路并聯(lián)設(shè)置，只允許電流流向降壓斬波器的輸入端。第2單向性元件與第1單向性元件連接，只允許電流流向降壓斬波器的輸入端。
在該構(gòu)成之中，由于可使基于設(shè)置在直流交流變換器和電鍍電極間的電抗線圈中儲存的能量的電流。經(jīng)過再生路徑回歸到降壓斬波器的輸入側(cè)，因而可使該電源裝置的效率提高。
此外，也可在降壓斬波器的輸入側(cè)設(shè)置濾波電容器。這種情況下，可在濾波電容器和降壓斬波器的輸入側(cè)之間設(shè)置升壓電容器，使電流從再生路徑經(jīng)升壓電容器流向上述濾波電容器。在該構(gòu)成之中使從再生路徑而來的電流經(jīng)過升壓電容器流向?yàn)V波電容器。這時(shí)，升壓電容器的電壓上升。當(dāng)從濾波電容器給降壓斬波器提供直流電壓時(shí)，升壓電容器的電壓與濾波電容器的電壓重迭。即可給降壓斬波器提供已升壓的輸入電壓。因此，電鍍電流的傾斜度變得陡峭，可獲得良好的電鍍性能。
在上述方式的電鍍電源裝置之中，還可將降壓斬波器設(shè)置在雙面印刷電路基板上。例如，當(dāng)降壓斬波器使用第1及第2極性的電流的降壓斬波器時(shí)，在雙面基板的一面設(shè)置第1極性的電流的降壓斬波器，在另一面設(shè)置第2極性電流的降壓斬波器。當(dāng)降壓斬波器包含半導(dǎo)體開關(guān)元件和電抗線圈的情況下，可將這些元件連接在雙面基板的一面，從而可縮短其連接線的長度。


圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電鍍電源裝置的電路圖。
圖2表示圖1的電鍍電源裝置中的負(fù)載電流。
圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電鍍電源裝置的電路圖。
圖4是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的電鍍電源裝置的電路圖。
圖5表示圖4的電鍍電源裝置各部分的波形。
圖6是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的電鍍電源裝置的電路圖。
圖7是現(xiàn)用的電鍍電源裝置的電路圖。
具體實(shí)施例方式
正如圖1所示，本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電鍍電源裝置具有交流電源，例如可提供三相商用電源的電源端子30a至30c。這些電源端子30a至30c與變壓器，例如三相變壓器32的Y形結(jié)線的初級線圈32P相連接。該變壓器32的次級線圈32S也采用Y形結(jié)線，具有中性點(diǎn)32T。在次級線圈32S之中，感應(yīng)產(chǎn)生變壓后的三相交流電壓。該變壓器32具有作為交流電源的功能。在次級線圈32S上感應(yīng)產(chǎn)生的三相交流電壓可由三相全波整流電路34整流。該三相全波整流電路34由整流二極管34a至34f構(gòu)成。經(jīng)該三相全波整流電路34整流的電壓在正輸出端子34P和負(fù)輸出端子34N之間生成。
該經(jīng)過整流的電壓被提供給降壓斬波器36。降壓斬波器36具有第1極性，例如正極性的降壓斬波器36a和第2極性，例如負(fù)極性的降壓斬波器36b。
正極性的降壓斬波器36a在正輸出端子34P和次級線圈32S的中性點(diǎn)32T之間具有濾波電容器38a。連接在正輸出端子34P的濾波電容器38a的正極上連接著半導(dǎo)體開關(guān)元件，例如場效應(yīng)晶體管FET40a的漏極。FET40a的源極連接在直流電抗線圈42a的一端。該直流電抗線圈42a的另一端與降壓斬波器36a的輸出端子44a相連。在FET40a的漏極-源極間反向并聯(lián)著二極管46a。也就是說，二極管46a的陰極與FET40a的漏極連接，二極管46a的陽極與FET40a的源極連接。進(jìn)而在FET40a的源極和電抗線圈42a的接點(diǎn)上連接著二極管48a的陰極，其陽極連接著中性點(diǎn)32T。
負(fù)極性的降壓斬波器36b在輸出端子34N和次級線圈32S的中性點(diǎn)32T之間設(shè)有濾波電容器38b。FET40b的源極連接在與負(fù)輸出端子34N相連的濾波電容器38b的負(fù)極上。FET40b的漏極與直流電抗線圈42b的一端相連。直流電抗線圈42b的另一端與降壓斬波器36b的輸出端子44b相連。FET40b的漏極一源極間反向并聯(lián)著二極管46b。也就是說，二極管46b的陰極連接在FET40b的漏極上，二極管46b的陽極連接在FET40b的源極之上。此外，二極管48b的陽極連接在FET40b的漏極和電抗線圈42b的接點(diǎn)之上，其陰極連接在中性點(diǎn)32T之上。
正極性降壓斬波器36a的電抗線圈42a和負(fù)極性降壓斬波器36b的電抗線圈42b并非在同一個(gè)磁芯上構(gòu)成，而是單獨(dú)構(gòu)成。
這些FET40a、40b受從降壓斬波器控制電路41提供給各自的柵極的脈寬控制信號(PWM信號)控制。也就是說，為使FET40a導(dǎo)通時(shí)，F(xiàn)ET40b也導(dǎo)通，F(xiàn)ET40a非導(dǎo)通時(shí)，F(xiàn)ET40b也變?yōu)榉菍?dǎo)通，由PWM信號控制FET40a、40b?？赏ㄟ^變更該P(yáng)WM信號的占空比控制FET40a、40b的導(dǎo)通期間。
在該降壓斬波器36的輸出端子44a和44b之間，設(shè)有直流交流變換器50。該直流交流變換器50將兩個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)元件。例如將IGBT52a、52b與各自的發(fā)射極-集電極導(dǎo)電電路串聯(lián)連接。也就是說，IGBT52a的集電極與輸出端子44a連接，IGBT52a的發(fā)射極與IGBT52b的集電極連接，IGBT52b的發(fā)射極與輸出端子44b連接。
上述IGBT52a、52b其柵及受交直流變換控制電路54個(gè)別提供的脈寬控制信號(PWM信號)控制。IGBT52a、52b在提供給它的PWM信號處于第1狀態(tài)——例如高電平狀態(tài)時(shí)導(dǎo)通，處于第2狀態(tài)——例如低電平狀態(tài)時(shí)非導(dǎo)通。其PWM信號設(shè)定為兩種——IGBT52a導(dǎo)通時(shí)，IGBT52b為非導(dǎo)通，IGBT52a非導(dǎo)通時(shí)，IGBT52b為導(dǎo)通。此外，導(dǎo)通期間可通過調(diào)整這些PWM信號的負(fù)載比進(jìn)行控制。而且在兩種PWM信號中，從一側(cè)的IGBT處于已導(dǎo)通狀態(tài)到另一側(cè)的IGBT變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)期間，為使兩個(gè)IGBT均成為非導(dǎo)通，設(shè)定了低電平的經(jīng)過期間。為使上述IGBT52a、52b在數(shù)十至數(shù)百Hz的頻率范圍內(nèi)反復(fù)導(dǎo)通與非導(dǎo)通，設(shè)定了PWM信號。
在IGBT52a、52b的集電極·發(fā)射極導(dǎo)電電路中反向并聯(lián)著二極管56a、56b。也就是說，二極管56a、56b的陰極與IGBT52a、52b的集電極連接，其陽極與IGBT52a、52b的發(fā)射極連接。
直流交流變換器50的輸出端子，即IGBT52a的發(fā)射極和IGBT52b的集電極的接點(diǎn)通過直流電抗線圈58與電鍍槽的電鍍電極59連接。在該電鍍電極59與另一個(gè)電鍍電極60之間配置電鍍件。在電鍍電極60和中性點(diǎn)32T之間連接著直流電抗線圈61。
此外，在降壓斬波器36的輸出端子44a與降壓斬波器36的濾波電容器38a的正極之間連接著與二極管56a共同形成再生路徑的單向元件，例如二極管62a。該二極管62a為使電流從輸出端子44a流向?yàn)V波電容器38a，其陽極與輸出端子44a連接，陰極與濾波電容器38a的正極連接。與此相同，在降壓斬波器36的輸出端子44b和降壓斬波器36的濾波電容器38b的負(fù)極之間，連接著與二極管56b共同形成再生路徑的二極管62b。該二極管62b為使電流從濾波電容器38b的負(fù)極流向輸出端子44b，其陽極與濾波電容器38b的負(fù)極連接，陰極與輸出端子44b連接。
該電鍍電源裝置的降壓斬波器36在雙面印刷電路板(未圖示)上構(gòu)成。在該雙面基板的一面形成正極性降壓斬波器36a。在另一面構(gòu)成負(fù)極性降壓斬波器36b。由于構(gòu)成正極性降壓斬波器36a的FET40a、電抗線圈42a均構(gòu)成于雙面印刷電路板的同一個(gè)面上，因而連接二者的電路變短，除了不產(chǎn)生不必要的損耗之外，還可改善其耐噪聲量。與此相同，由于構(gòu)成負(fù)極性的降壓斬波器36b的FET40b、電抗線圈42b也構(gòu)成于雙面印刷電路板的同一個(gè)面，因而連接二者的電路變短，除了不產(chǎn)生不必要的損耗之外，還可以改善其耐噪聲量。
在采用此種構(gòu)成的電鍍電源裝置之中，當(dāng)電源端子30a至30c上連接了三相商用交流電源時(shí)，在變壓器32的次級線圈32S中感應(yīng)產(chǎn)生三相交流電壓。即變壓器32具有作為交流電源的功能。感應(yīng)產(chǎn)生的交流電壓由整流器34整流。該整流電壓由降壓斬波器36的濾波電容器38a、38b濾波。通過由降壓斬波器控制電路41而來的PWM信號，F(xiàn)ET40a、40b反復(fù)導(dǎo)通與非導(dǎo)通，其結(jié)果是濾波電壓被降壓。該降壓后的電壓在輸出端子44a、44b間生成。
當(dāng)IGBT52a導(dǎo)通，且IGBT52b非導(dǎo)通時(shí)在如圖2所示的期間tp內(nèi)，正極性電流從輸出端子44a流向IGBT52a、電抗線圈58、電鍍電極59、電鍍件、電鍍電極60、電抗線圈61以及中性點(diǎn)32T。當(dāng)IGBT52b導(dǎo)通、且IGBT52a非導(dǎo)通時(shí)，在如圖2所示的期間tn內(nèi)，負(fù)極性電流從中性點(diǎn)32T流向電抗線圈61、電鍍電極60、電鍍件、電鍍電極59、電抗線圈58以及IGBT52b。由于正極性及負(fù)極性電流如上所述交替流動，因而適用于雙面通孔印刷電路板的電鍍。
在該電鍍電源裝置之中，由于采用了由整流器34整流由變壓器32而來的三相交流電壓，然后再由降壓斬波器36降壓的構(gòu)成，因而與直流電壓的生成有關(guān)的損耗僅發(fā)生在IGBT40a、40b。正因如此，與直流電壓的生成有關(guān)的損耗很小，從而可改善該電源裝置的效率。此外，還可提高提供給電鍍電極60a、60b的電流的上升速度，改善該電源裝置的應(yīng)答性能。
此外，F(xiàn)ET40a、40b可通過控制電路41提供的PWM信號控制導(dǎo)通期間。因此，在產(chǎn)生負(fù)載短路等情況下，由于可通過減少PWM信號的負(fù)載比限制流向FET40a、40b的電流，因而能實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，而不別另外專門設(shè)置短路保護(hù)電路。此外，通過增大PWM信號的負(fù)載比，可加快降壓斬波器36的輸出電壓的上升速度，加快提供給電鍍電極60a、60b的電流的上升速度，可改善該電流的應(yīng)答性能。
此外，在從IGBT52a導(dǎo)通、且IGBT52b非導(dǎo)通過渡到IGBT52a非導(dǎo)通、且IGBT52b導(dǎo)通的過渡期間存在的IGBT52a、52b均處于非導(dǎo)通狀態(tài)下，基于儲存在電抗線圈58中的能量的電流流向電鍍電極59、電鍍件、電鍍電極60以及電抗線圈61。該電流可與基于儲存在電抗線圈61中的能量的電流一道，通過濾波電容器38b、二極管62b、二極管56b流動，在濾波電容器38b中再生。正因如此，除了可以改善該電源裝置的效率之外，還可以去除與IGBT52b對應(yīng)的緩沖器電路。
與此相同，在從IGBT52b導(dǎo)通、且IGBT52a非導(dǎo)通過渡到IGBT52b非導(dǎo)通、且IGBT52a導(dǎo)通的過渡期間存在的，IGBT52a、52b均處于非導(dǎo)通狀態(tài)下，基于儲存在電抗線圈61中的能量的電流流向電鍍電極60、電鍍件、電鍍電極59以及電抗線圈58。該電流與儲存在電抗線圈58中的能量所伴隨的電流一道，流向二極管56a、二極管62a以及濾波電容器38a，在濾波電容器38a中再生。正因如此，除了可改善該電源裝置的效率之外，還可去除與IGBT52對應(yīng)的緩沖器電路。
而且，當(dāng)IGBT40a、52a均非導(dǎo)通時(shí)，基于儲存在電抗線圈42a中的能量的電流流向二極管62a、濾波電容器38a、二極管48a，在濾波電容器38a中再生。與此相同，當(dāng)FET40b、IGBT52b均非導(dǎo)通時(shí)，基于儲存在電抗線圈42b中的能量的電流流向二極管48b、濾波電容器38b、二極管62b，在濾波電容器38b中再生。這樣一來，在降壓斬波器36中還可減少本應(yīng)在電抗線圈42a、42b中產(chǎn)生的損耗，改善了該電源裝置中的效率。而且此時(shí)FET40a、40b仍在以規(guī)定的周期交替重復(fù)導(dǎo)通、非導(dǎo)通。
該電源裝置在整流器34以后的電路中使用了變壓器32的次級一側(cè)的中性點(diǎn)32T，附加于該電路中的電壓比不使用中性點(diǎn)時(shí)還要低。正因如此，在該電路中使用的FET及IGBT可使用額定電壓低的元件。
圖3示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式。在該實(shí)施方式之中，設(shè)置了多個(gè)組第1實(shí)施方式所示的電鍍電源裝置中的變壓器32的次級一側(cè)以后的電路，即由整流器34、降壓斬波器36、直流交流變換器50、電抗線圈58、61、二極管62a、62b等構(gòu)成的電路，例如2組。該2組電路并聯(lián)，由共用的變壓器32給各自的電路提供三相交流電壓。自不待言，中性點(diǎn)32T也是共用的。
正如上述，由于并聯(lián)連接兩個(gè)電路，因而在輸出同樣功率的情況下，在各電路的構(gòu)成要素之中，可使用額定電流低的元件，從而可降低生產(chǎn)成本。
圖4示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式。該實(shí)施方式除降壓斬波器36的構(gòu)成有部分區(qū)別外，其余均與第1實(shí)施方式相同。相同的部分采用同樣的標(biāo)號并省略其說明。
在該降壓斬波器36之中，濾波電容器38a的正極與FET40a的漏極之間連接著升壓電容器70。此外，單向元件，例如二極管72的陽極與濾波電容器38a的正極端連接，陰極與FET40的漏極連接。
與此相同，在濾波電容器38b的負(fù)極與FET40b的源極之間連接著升壓電容器74。此外，二極管76的陰極連接在濾波電容器38b的負(fù)極側(cè)，陽極連接著FET40b的源極。
由于采用了此種構(gòu)成，F(xiàn)ET40a及40b導(dǎo)通時(shí)，因電流經(jīng)二極管72及76流走，因而升壓電容器70、74不會被充電。然而當(dāng)從IGBT52a為導(dǎo)通狀態(tài)，且IGBT52b為非導(dǎo)通狀態(tài)向IGBT52a為非導(dǎo)通狀態(tài)、且IGBT52b為導(dǎo)通狀態(tài)變化時(shí)，基于電抗線圈58、61的儲存能量的電流經(jīng)二極管56a、62a將升壓電容器70及濾波電容器38a充電。這樣一來，在升壓電容器70之中即產(chǎn)生了充電電壓。接著，當(dāng)IGBT52a處于導(dǎo)通狀態(tài)，IGBT處于非導(dǎo)通狀態(tài)以及FET40a處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，正如圖5(a)所示，累加了濾波電容器38a的電壓A和升壓電容器70的電壓A’的電壓，即僅將升壓電容器70的充電電壓A’部分升壓的電壓被施加到直流交流變換器50之上。此此相同，當(dāng)從IGBT52b為導(dǎo)通狀態(tài)。且IGBT52a為非導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)镮GBT52b為導(dǎo)通狀態(tài)、且IGBT52a為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，升壓電容器74被充電。而且，當(dāng)IGBT52b變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)、IGBT52a變?yōu)榉菍?dǎo)通，F(xiàn)ET40b為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，濾波電容器38b的電壓中僅將升壓電容器74的充電電壓部分升壓的電壓被施加給直流交流變換器50。
正如上述，由于提供給直流交流變換器50的電壓被升壓，因而正如圖5(b)所示，流經(jīng)電鍍電極59、60的電流的上升波形變?yōu)楸仍鹊牟ㄐ蜝’還要陡峭的B波形，從而提高了電鍍性能。
圖6示出第4實(shí)施方式。該實(shí)施方式是在第2實(shí)施方式中的兩個(gè)降壓斬波器36上附加了第3實(shí)施方式中所示的電容器70、74、二極管72、76。由于采用了此種構(gòu)成，具有與第2及第3實(shí)施方式相同的功能。
在上述各種實(shí)施方式之中，設(shè)置了正極性及負(fù)極性降壓斬波器36a、36b，但也可以僅設(shè)一個(gè)極性的降壓斬波器。此外，在上述實(shí)施方式中，使用的是三相商用交流電源，但也可以使用單相商用交流電源。
權(quán)利要求
1.一種電鍍電源裝置，其特征在于包括整流器，用于整流交流電源來的交流電壓；降壓斬波器，包含根據(jù)脈寬調(diào)制信號控制導(dǎo)通期間的半導(dǎo)體開關(guān)元件，用于通過上述半導(dǎo)體開關(guān)元件的導(dǎo)通及非導(dǎo)通，降低由上述整流器提供的整流電壓；直流交流變換器，用于將降壓斬波器來的直流電壓變換為交流電壓后提供給電鍍電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍電源裝置，其特征在于上述電鍍電源裝置為多個(gè)組并聯(lián)連接；上述交流電源是具有中性點(diǎn)的三相交流電源；上述各組的降壓斬波器包括通過上述直流交流變換器及上述電鍍電極使第1極性的電流流向上述中性點(diǎn)的第1降壓斬波器、以及通過上述直流交流變換器及上述電鍍電極使第2極性的電流流向中性點(diǎn)的第2降壓斬波器；上述各組的直流交流變換器包括通過上述電鍍電極使由第1降壓斬波器而來的第1極性電流流向上述中性點(diǎn)的第1半導(dǎo)體開關(guān)元件，以及通過上述電鍍電極使由第2降壓斬波器而來的第2極性電流流向上述中性點(diǎn)的第2半導(dǎo)體開關(guān)元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍電源裝置，其特征在于上述直流交流變換器與上述電鍍電極之間設(shè)有電抗線圈，當(dāng)上述直流交流變換器不給上述電抗線圈提供電流時(shí)，從上述電抗線圈到上述降壓斬波器輸入側(cè)設(shè)有使基于儲存在上述電抗線圈中的能量的電流再生的單向性再生路徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鍍電源裝置，其特征在于上述降壓斬波器的輸入側(cè)設(shè)有濾波電容器，該濾波電容器與上述降壓斬波器的輸入側(cè)之間設(shè)有升壓電容器，電流從上述再生路徑，經(jīng)上述升壓電容器流向上述濾波電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍電源裝置，其特征在于上述降壓斬波器設(shè)置在雙面印刷電路板上。
全文摘要
一種電鍍電源裝置，通過整流器34整流交流電源提供的交流電壓。降壓斷路器36將該整流電壓降壓。該降壓斷路器36包括場效應(yīng)晶體管FET40a、40b，其導(dǎo)通期間受控制于脈寬調(diào)制信號，通過對上述導(dǎo)通期間的控制，降低由整流器34來的整流電壓。直流交流變換器50將由該降壓斬波器36已降壓的直流電壓變換為交流電壓之后提供給電鍍電極59、60。
文檔編號H02M5/44GK1599222SQ03158588
公開日2005年3月23日 申請日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月19日
發(fā)明者荒川亨, 櫻田誠, 西岡吉行, 森田修二 申請人:株式會社三社電機(jī)制作所