專利名稱：電流/電壓變換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流/電壓變換裝置，特別是一種用于開關(guān)電源的電流/電壓變換裝置。
背景技術(shù)：
各式各樣各樣的工業(yè)用及家庭用的一般電器及特殊電器除了使用典型的電源頻率為50Hz的電源電壓外，也有用到具有其它電源頻率的電壓及電流，以配合個(gè)別電器的特性及需求。因此必須為這些電器將電源提供的電源頻率為50Hz的電源電壓轉(zhuǎn)換成其所需的頻率及電壓。這種轉(zhuǎn)換工作通常會(huì)用到一種所謂的電流/電壓變換裝置。這種電流/電壓變換裝置(特別是用于開關(guān)電源的電流/電壓變換裝置)通常是由整流器、變壓器、存儲(chǔ)電容器、濾波扼流圈、以及其它類似組件所組成。
目前市面上現(xiàn)有的電流/電壓變換裝置(特別是用于開關(guān)電源的電流/電壓變換裝置)通常是由通常是由一個(gè)電流/電壓輸入?yún)^(qū)、一個(gè)電流/電壓輸出區(qū)、以及一個(gè)位于此二者的間的變壓裝置等三個(gè)部分所組成。其中電流/電壓輸入?yún)^(qū)具有第一條輸入連接線及第二條輸入連接線，這兩條輸入連接線是用來接收輸入交流電(或輸入電流)和/或輸入交流電壓(或輸入電壓)，此處的輸入電流或輸入電壓均被調(diào)整為具有一特定的輸入頻率(例如50Hz)；電流/電壓輸出區(qū)的任務(wù)是提供和/或輸出將輸入電流和/或輸入電壓經(jīng)過變換后的輸出電流和/或輸出電壓；變壓裝置的任務(wù)是將輸入電流和/或輸入電壓變換為輸出電流和/或輸出電壓。負(fù)責(zé)電流/電壓變換工作的變壓裝置具有一個(gè)輸入端及一個(gè)輸出端，其中輸入端具有一帶有第一條輸入連接線及第二條輸入連接線的輸入感應(yīng)線圈，輸出端則具有一個(gè)與輸入感應(yīng)線圈耦合的電感式輸出感應(yīng)線圈。
除了上述組成組件外，一個(gè)完整的電流/電壓變換系統(tǒng)還具有一些其它的組成組件，其中尤以負(fù)責(zé)功率匹配的組件及特定的整流器組件最為重要。構(gòu)成電流/電壓變換系統(tǒng)的每一個(gè)組件都會(huì)造成一定的功率損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種功率損耗極小又能夠以簡單卻不失可靠的方式實(shí)現(xiàn)電流/電壓變換的電流/電壓變換裝置。
本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的特征是在變壓裝置的輸入端的第一條輸入連接線及電流/電壓輸入?yún)^(qū)的第一條輸入連接線的間有一個(gè)帶有第一個(gè)非間接的旁路或旁通管道的第一個(gè)開關(guān)裝置；在變壓裝置的輸入端的第二條輸入連接線及電流/電壓輸入?yún)^(qū)的第二條輸入連接線的間有一個(gè)帶有第二個(gè)非間接的旁路或旁通管道的第二個(gè)開關(guān)裝置；第一個(gè)旁路或旁通管道及第二個(gè)旁路或旁通管道分別與第一個(gè)開關(guān)裝置的第一個(gè)開關(guān)組件及第二個(gè)開關(guān)裝置的第二個(gè)開關(guān)組件并聯(lián)，同時(shí)這兩個(gè)旁路或旁通管道的設(shè)置方式能夠使第一個(gè)開關(guān)裝置的開關(guān)組件及第二個(gè)開關(guān)裝置的開關(guān)組件均可經(jīng)由電路控制而繞開；第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置彼此系以反串聯(lián)的方式連接；第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置會(huì)依輸入電壓和/或輸入電流的大小被控制以等于或高于輸入頻率的開關(guān)頻率發(fā)出時(shí)鐘脈沖，并可交互選擇接通和/或切斷。
相較于以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置，本發(fā)明提出的電流/電壓變換裝置所使用的功率損耗較大的組成組件不但數(shù)量較少，同時(shí)就功率因子配合和/或必要的整流效果而言又能夠提供可靠的電流/電壓變換的功能。
本發(fā)明的一個(gè)核心構(gòu)想是分別以一個(gè)開關(guān)裝置來取代傳統(tǒng)的電流/電壓變換裝置設(shè)置在變壓裝置輸入端的顯式整流裝置及位于變壓裝置輸入端及電源輸入端的間的相應(yīng)的功率因子配合電路，以形成一個(gè)按照第一個(gè)開關(guān)裝置、變壓裝置的輸入感應(yīng)線圈、第二個(gè)開關(guān)裝置的順序構(gòu)成的串聯(lián)方式，其中第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置均具有一個(gè)旁路或旁通管道且彼此系以反串聯(lián)的方式連接。第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置可以交互選擇接通和/或切斷，且所使用的開關(guān)頻率等于或大于輸入電流和/或輸入電壓的輸入頻率。此外還會(huì)產(chǎn)生一個(gè)依輸入電壓和/或輸入電流的大小而定的被控制且可以交互選擇接通和/或切斷這兩個(gè)開關(guān)裝置的作用。因此整體而言，本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的電流/電壓變換作用不但可以同時(shí)達(dá)到整流及功率因子配合的效果，而且不會(huì)像以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置必須使用許多個(gè)功率損耗相當(dāng)大的組成組件。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)開關(guān)裝置的第一個(gè)開關(guān)組件及第一個(gè)旁路或旁通管道與第二個(gè)開關(guān)裝置的第二個(gè)開關(guān)組件及第二個(gè)旁路或旁通管道彼此系以反串聯(lián)的方式連接。經(jīng)由這種方式使本發(fā)明的這種實(shí)施方式得以實(shí)現(xiàn)第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置的間的反串聯(lián)連接。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)開關(guān)組件和/或第二個(gè)開關(guān)組件是由雙極型晶體管或IGBT構(gòu)成。
在此情況下，第一個(gè)旁路或旁通管道和/或第二個(gè)旁路或旁通管道必須是由顯式二極管裝置構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)開關(guān)組件和/或第二個(gè)開關(guān)組件是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)旁路或旁通管道和/或第二個(gè)旁路或旁通管道是由寄生二極管裝置構(gòu)成，且最好是由寄生本體二極管(Bodydiode)構(gòu)成。這樣就可以利用現(xiàn)有組成組件本身的構(gòu)造(例如開關(guān)組件或開關(guān)裝置本身的構(gòu)造)以內(nèi)含方式構(gòu)成旁路或旁通管道，而不需另外設(shè)置構(gòu)成旁路或旁通管道的顯式組成組件。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置可以直接連接輸入電壓，或是已經(jīng)直接連接輸入電壓。這樣就不必像以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置需另外設(shè)置一個(gè)整流級(jí)。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)開關(guān)裝置及第二個(gè)開關(guān)裝置在共同作用時(shí)可以構(gòu)成一個(gè)同步整流器或是可以以一個(gè)同步整流器的方式運(yùn)轉(zhuǎn)或被操作。這樣就不必像以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置需要在變壓裝置的輸入端另外設(shè)置一個(gè)功率損耗很大的顯式整流裝置。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，第一個(gè)旁路或旁通管道及第二個(gè)旁路或旁通管道的構(gòu)成方式和/或連接方式使其在共同作用時(shí)可以作為輸入端的整流裝置。
如果變壓裝置(T)的制造、設(shè)置、以及運(yùn)轉(zhuǎn)和/或被操作主要都是依據(jù)反向變換器的原理，則按照本發(fā)明的方式變壓裝置即可成為效率極佳的蓄能器。
有多種不同構(gòu)造方式的變壓裝置可供選擇。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，輸出感應(yīng)線圈是由一個(gè)單一的感應(yīng)線圈構(gòu)成。另外一種可行的方式是輸出感應(yīng)線圈是由第一個(gè)感應(yīng)線圈及第二個(gè)感應(yīng)線圈構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，在輸出感應(yīng)線圈及電流/電壓輸出區(qū)的間設(shè)有一個(gè)輸出端的整流裝置。
在此情況下同樣也有多種不同構(gòu)造方式的輸出整流裝置或輸出端的整流裝置可供選擇。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，輸出端的整流裝置是由二極管裝置構(gòu)成。
另外一種可行的實(shí)施方式是，如果輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)是由一個(gè)單一的感應(yīng)線圈(L2)構(gòu)成，則輸出端的整流器(G2)是由具有兩個(gè)二極管裝置(D1，D2)的半橋式整流器構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，如果輸出感應(yīng)線圈是由第一個(gè)輸出感應(yīng)線圈及第二個(gè)輸出感應(yīng)線圈構(gòu)成，則輸出端的整流器是由具有四個(gè)二極管裝置的全橋式整流器構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，輸出端的整流器的二極管裝置都是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。
在此情況下如果輸出端的整流器可以同步整流模式運(yùn)轉(zhuǎn)或被操作則最為有利。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，在電流/電壓輸出區(qū)及輸出端的整流器的間設(shè)有一個(gè)與電流/電壓輸出區(qū)的第一條輸出連接線及第二條輸出連接線并聯(lián)的作為濾波和/或蓄能的用的電容裝置。
在此情況下的一種特別有利的方式是在電容裝置及輸出端的整流器的間設(shè)置一個(gè)串聯(lián)的斷開裝置，同時(shí)當(dāng)輸入電流在輸入感應(yīng)線圈內(nèi)流動(dòng)時(shí)，這個(gè)串聯(lián)的斷開裝置的構(gòu)造方式可以依據(jù)輸入電流和/或輸入電壓的電壓大小和/或相位狀態(tài)進(jìn)行控制，以阻止和/或切斷輸入電壓被直接接通至電容裝置。
在此情況下的一種特別有利的方式是串聯(lián)的斷開裝置具有一個(gè)開關(guān)裝置或是由一個(gè)開關(guān)裝置所構(gòu)成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種有利的實(shí)施方式中，串聯(lián)的斷開裝置具有一個(gè)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或是由一個(gè)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)所構(gòu)成。
另外一種可行的有利的實(shí)施方式是，串聯(lián)的斷開裝置向第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)和/或第二個(gè)開關(guān)裝置被逆向發(fā)出時(shí)鐘脈沖和/或被逆向控制、或是可以逆向發(fā)出脈沖和/或可以逆向控制。
以下對本發(fā)明的上述觀點(diǎn)及其它觀點(diǎn)再作進(jìn)一步的說明有愈來愈多的家用電器不是使用頻率為50Hz的典型正弦形電壓的電流，而是視其應(yīng)用上的需要使用其它適當(dāng)?shù)碾妷骸㈦娏?、以及頻率。
為了配合這些電器的需求，目前的作法是在電源接點(diǎn)及電器的間設(shè)置多個(gè)由串接在一起的整流器、變壓器、開關(guān)電源、存儲(chǔ)電容器、以及濾波扼流圈構(gòu)成的換能級(jí)和儲(chǔ)能級(jí)。由于能量流通過每一個(gè)換能級(jí)和儲(chǔ)能級(jí)時(shí)都會(huì)有能量損耗，因此換能級(jí)和儲(chǔ)能級(jí)的級(jí)數(shù)愈多，電流/電壓變換裝置能夠達(dá)到的最大功率就愈低。
由于立法當(dāng)局新近引進(jìn)的關(guān)于功率因子校正(Power-Factor-Correction；PFC)的歐洲規(guī)范EN 61000-3-2規(guī)定必須另外再增加一個(gè)換能器，因此上述的不利情況(功率損耗)變得更為嚴(yán)重。
以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電源連接構(gòu)件是由一個(gè)濾波器線路、一個(gè)具有后置升壓變流器的整流器、間接電容器、逆變器、電感式變壓器、整流器、濾波扼流圈、以及濾波器等組成組件所構(gòu)成。為了從來自電源的輸入交流電壓產(chǎn)生出一個(gè)可以調(diào)整的直流電壓，由這些組成組件構(gòu)成的換能級(jí)和儲(chǔ)能級(jí)都是不可或缺的。
雖然有多種不同的換能級(jí)可供采用，但由于功率損耗的緣故，目前以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置最多也只能達(dá)到平均72％的效率。
研究PC的供電情況顯示，經(jīng)由在一個(gè)傳統(tǒng)系統(tǒng)(PC)中裝置最好的功率半導(dǎo)體所能達(dá)到的減少功率損耗的效果可以使這個(gè)傳統(tǒng)系統(tǒng)(PC)不必再裝置散熱器及風(fēng)扇。同時(shí)這個(gè)研究還證明經(jīng)由改良組成組件已經(jīng)無法再進(jìn)一步減少功率損耗，而是只有透過新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)才有可能再進(jìn)一步減少功率損耗。
以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的典型的輸入結(jié)構(gòu)包括一個(gè)用來對電源整流的橋式二極管，以及一個(gè)接在這個(gè)橋式二極管的后的用來作功率因子校正的升壓變換器。
由于橋式二極管的功率損耗占整個(gè)系統(tǒng)的總功率損耗的一大部分，因此通常必須為橋式二極管設(shè)置一個(gè)散熱器以降低其溫度。
由于以現(xiàn)有技術(shù)來設(shè)計(jì)輸入結(jié)構(gòu)會(huì)造成組成組件數(shù)量的增加，因而導(dǎo)致系統(tǒng)的可靠性降低。
另外一個(gè)問題是在打開開關(guān)電流時(shí)出現(xiàn)的沖擊電流的問題。在打開開關(guān)電源的前，所有的儲(chǔ)能器(例如感應(yīng)線圈及電容器)內(nèi)都沒有任何電流。打開開關(guān)電源時(shí)，電源電壓會(huì)突然作用在系統(tǒng)上，導(dǎo)致電容器的充電受到極大的電流沖擊。這個(gè)電流沖擊可能造成組成組件(特別是半導(dǎo)體)受損。
本發(fā)明電流/電壓變換裝置包含一種具有現(xiàn)今的電源整流器及功率因子校正器或功率因子校正升壓變換器(PFC Boost)的功能的新型的變換器。
本發(fā)明的若干核心觀點(diǎn)的特征是兩個(gè)輸入端的開關(guān)開置或開關(guān)在沒有整流器或橋式二極管的情況下直接與源或輸入電壓連接，這兩個(gè)開關(guān)開置或開關(guān)彼此系以反串聯(lián)的方式連接，并與輸入競的感應(yīng)線圈或變壓器(或變壓裝置)的線圈連接，同時(shí)只要在輸入端的感應(yīng)線圈或變壓裝置的線圈內(nèi)有電流流動(dòng)，就會(huì)有一個(gè)或數(shù)個(gè)輸出端的開關(guān)裝置負(fù)責(zé)輸出電容器的電流隔斷。


以下配合數(shù)種有利的實(shí)施方式及附圖對本發(fā)明的電流/電壓變換裝置作進(jìn)一步的說明。
圖1，2以示意方式顯示以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置的電路配置。
圖3本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的第一種實(shí)施方式的電路配置。
圖4A-5B以示意方式說明圖3的本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的作用方式。
圖6本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種實(shí)施方式的電路配置。
圖7本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的另外一種實(shí)施方式的電路配置的細(xì)節(jié)。
在以下關(guān)于附圖及本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，結(jié)構(gòu)和/或功能相同或近似的組件均冠以相同的組件符號(hào)。如果有不是按照這種方式被冠以組件符號(hào)的組件出現(xiàn)，將在說明文字中作一詳細(xì)的說明。
具體實(shí)施例方式
圖中的附圖標(biāo)記的含義如下1 本發(fā)明的電流/電壓變換裝置10 濾波器，電源濾波器20 輸入端的整流器30 功率因子校正器，PFC40 變流器50 輸出端的整流器
60 濾波器70 功率因子校正器控制80 變流器控制100 以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置A1 電流/電壓輸出連接線，輸出連接線A2 電流/電壓輸出連接線，輸出連接線BD1 本體二極管BD2 本體二極管BD3 本體二極管b1 T1的本體引出線b2 T2的本體引出線b3 T3的本體引出線C1 電容裝置，濾波電容器，蓄能用的電容器C2 電容器D1 二極管裝置D2 二極管裝置D3 二極管裝置D4 二極管裝置d1 T1的漏極引出線d2 T2的漏極引出線d3 T3的漏極引出線E1 電流/電壓輸入連接線，輸入連接線E2 電流/電壓輸入連接線，輸入連接線G2 輸出端的整流裝置g1 T1的柵極引出線g2 T2的柵極引出線g3 T3的柵極引出線Iprim 輸入端的交流電，輸入電流Isek 輸出電流L扼流圈
L1輸入感應(yīng)線圈L2輸出感應(yīng)線圈，第一個(gè)輸出感應(yīng)線圈L3輸出感應(yīng)線圈，第二個(gè)輸入感應(yīng)線圈S T1，T2 T3的控制裝置s1T1的源極引出線s2T2的源極引出線s3T3的源極引出線T 變壓裝置，變壓器T1開關(guān)裝置，第一個(gè)開關(guān)裝置T2開關(guān)裝置，第二個(gè)開關(guān)裝置T3斷開裝置t1T1的控制線t2T2的控制線t3T3的控制線TD1 第一個(gè)旁路，第一個(gè)旁通管道，T1的第一個(gè)二極管TD2 第二個(gè)旁路，第二個(gè)旁通管道，T2的第二個(gè)二極管TA1 輸出端的TS的第一條輸出連接線TA2 輸出端的TS的第二條輸出連接線TE1 輸入端的TP的第一條輸入連接線TE2 輸入端的TP的第二條輸入連接線TM1 第一個(gè)開關(guān)組件TM2 第二個(gè)開關(guān)組件TP變壓裝置T的輸入端TS變壓裝置T的輸出端Uprim 輸入交流電壓，輸入電壓Usek輸出電壓V1電源電壓，電源Z1二極管Z2二極管vin 輸入頻率
vsw 開關(guān)頻率圖3顯示具有“反向阻斷回掃作用”(Reverse-Blocking Flyback)的本發(fā)明的電流/電壓變換裝置(1)的一種實(shí)施方式。
圖3的電流/電壓變換裝置是由一個(gè)具有一個(gè)輸入端(TP)及一個(gè)輸出端(TS)的變壓裝置(T)、一個(gè)將輸入端(TP)連接至電源(V1)的電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)、以及一個(gè)將輸出端(TS)連接至一個(gè)負(fù)載或類似器具上的電流/電壓輸出區(qū)(A)。
電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)具有第一條輸入連接線(E1)及第二條輸入連接線(E2)。電流/電壓輸出區(qū)(A)具有第一條輸出連接線(A1)及第二條輸出連接線(A2)。
變壓裝置(T)也具有第一條輸入連接線(TE1)及第二條輸入連接線(TE2)。在變壓裝置(T)的輸入端(TP)的第一條輸入連接線(TE1)及電流/電壓變換裝置(E)的第一條輸入連接線(E1)的間設(shè)有第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)。在變壓裝置(T)的輸入端(TP)的第二條輸入連接線(TE2)及電流/電壓變換裝置(E)的第二條輸入連接線(E2)的間設(shè)有第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)。
第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的第一個(gè)開關(guān)機(jī)構(gòu)或開關(guān)組件(TM1)及其內(nèi)含的本體二極管(BD1)所構(gòu)成，這個(gè)本體二極管(BD1)構(gòu)成第一個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD1)，經(jīng)由這個(gè)第一個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD1)可以形成一個(gè)可以控制繞過第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)的導(dǎo)電繞道。第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的第二個(gè)開關(guān)機(jī)構(gòu)或開關(guān)組件(TM2)及其內(nèi)含的本體二極管(BD2)所構(gòu)成，這個(gè)本體二極管(BD2)構(gòu)成第二個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD2)，經(jīng)由這個(gè)第二個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD2)可以形成一個(gè)可以控制繞過第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)的導(dǎo)電繞道。
由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)具有第一條源極引出線或源極區(qū)(s1)、第一條漏極引出線或漏極區(qū)(d1)、第一條本體引出線或本體區(qū)(b1)、以及第一條柵極引出線或門極區(qū)(g1)。
由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)具有第二條源極引出線或源極區(qū)(s2)、第二條漏極引出線或漏極區(qū)(d2)、第二條本體引出線或本體區(qū)(b2)、以及第二條柵極引出線或門極區(qū)(g2)。
第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)的第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)及第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)與第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)的第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)及第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)彼此系以反串聯(lián)的方式連接。
輸入端(TP)可以經(jīng)由電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)的電流/電壓連接線(E1，E2)接收來自電源(V1)的輸入交流電壓或輸入電壓(Uprim)和/或輸入交流電或輸入電流(Iprim)。
變壓裝置(T)的輸入端(TP)具有一個(gè)輸入感應(yīng)線圈(L1)。變壓裝置(T)的輸出端(TS)具有一個(gè)由第一個(gè)輸出感應(yīng)線圈(L1)及第二個(gè)輸出感應(yīng)線圈(L2)構(gòu)成的輸出感應(yīng)線圈。整個(gè)輸出感應(yīng)線圈具有第一條輸出連接線(TA1)及第二條輸出連接線(TA2)。
具有以寄生本體二極管(BD1，BD2)作為旁路或旁通管道(TD1，TD2)的彼此以反串聯(lián)方式連接的開關(guān)裝置(T1，T2)或MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(T1，T2)被直接連接至電源(V1)，也就是說被直接連接至輸入交流電壓或輸入電壓(Uprim)。不含寄生本體二極管(BD1，BD2)的純MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成本發(fā)明所稱的開關(guān)組件(TM1，TM2)。由于本發(fā)明的電流/電壓變換裝置不需像以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置需設(shè)置分離式電源整流器，因此就不會(huì)有分離式電源整流器造成的功率損耗。
位于輸出端的電流/電壓輸出區(qū)(A)具有第一條輸出連接線(A1)和/或第二條連接線(A2)，其作用是對外接負(fù)載進(jìn)行功率輸出。
在變壓裝置(T)的輸出端(TS)及電流/電壓輸出連接線(A1，A2)的間設(shè)有一個(gè)并聯(lián)的電容裝置(C1)作為蓄能和/或?yàn)V波的用。
在電容裝置(C1)及變壓裝置(T)的輸出端(TS)的間設(shè)有一個(gè)輸出端的整流裝置(G2)，這個(gè)輸出端的整流裝置(G2)是由一個(gè)具有兩個(gè)二極管(D1，D2)的半電橋裝置所構(gòu)成。
此外，在第一條電流/電壓輸出連接線(A1)及輸出端整流裝置和/或變壓裝置(T)的輸出端(TS)的第一條輸出連接線(TA1)的間有一個(gè)可受控制發(fā)出時(shí)鐘脈沖的串聯(lián)的斷開裝置(T3)，這個(gè)斷開裝置(T3)是由一個(gè)具有本體二極管(BD3)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。斷開裝置/MOSFET(T3)同樣具有一條漏極引出線或漏極區(qū)(s3)、一條本體引出線或本體區(qū)(b3)、以及一條柵極引出線或門極區(qū)(g3)。
控制裝置(S)系作為控制第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)、第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)、以及斷開裝置(T3)的用?？刂蒲b置(S)的控制電流端子(t1，t2，t3)分別對應(yīng)于第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)、第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)、斷開裝置(T3)，也就是分別對應(yīng)于這三個(gè)開關(guān)/晶體管(T1，T2，T3)的柵極引出線(g1，g2，g3)。
以下利用圖4A-5B說明圖3的本發(fā)明的電流/電壓變換裝置的基本作用方式。
如圖4A所示，當(dāng)電源(V1)的輸入電壓(Uprim)的正半相作用于第一條輸入連接線(E1)上，則第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)或第二個(gè)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(T2)被接通。輸入交流電(Iprim)或輸入電流(Iprim)在電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)從電源(V1)經(jīng)由第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)或MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(T1)的本體二極管(BD1)流入變壓器(T)的輸入感應(yīng)線圈(L1)或輸入線圈(L1)，再經(jīng)由第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)的溝道流回電源(V1)。
此時(shí)在變壓器(T)的輸出端(TS)的斷開裝置/晶體管(T3)仍保持在切斷的狀態(tài)，因此在輸出端(TS)不會(huì)產(chǎn)生任何電流。變壓器(T)的輸入感應(yīng)線圈(L1)及輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)會(huì)將電磁能儲(chǔ)存起來。
如圖4B所示，開關(guān)裝置/晶體管(T2)被切斷。變壓器線圈(L1，L2，L3)會(huì)依據(jù)感應(yīng)定律改變極性。斷開裝置/晶體管(T3)被接通。二極管(D1)被正極化，因此在輸出端(TS)產(chǎn)生一個(gè)輸出電流(Isek)，這個(gè)輸出電流(Isek)從線圈(L2)經(jīng)由二極管(D1)及斷開裝置/晶體管(T3)的溝道流向電容器(C1)，然后再流回線圈(L2)的另外一端。變壓器(T)將儲(chǔ)存的能量輸出至負(fù)載及電容器(C1)。
如圖5A所示，當(dāng)電源(V1)的輸入電壓(Uprim)的負(fù)半波或負(fù)半相作用于第一條輸入連接線(E1)上，則第一開關(guān)裝置/晶體管(T1)被接通。輸入電流(Iprim)從電源(V1)經(jīng)由第二個(gè)開關(guān)裝置/晶體管(T2)的本體二極管(BD2)流入變壓器(T)的輸入感應(yīng)線圈(L1)，再經(jīng)由第一開關(guān)裝置/晶體管(T1)的溝道流回電源(V1)。
此時(shí)在變壓器(T)的輸出端(TS)的斷開裝置/晶體管(T3)仍保持在切斷的狀態(tài)，因此在輸出端(TS)不會(huì)產(chǎn)生任何輸出電流(Isek)。變壓器(T)會(huì)將電磁能儲(chǔ)存起來。
如圖5B所示，開關(guān)裝置/晶體管(T1)被切斷。變壓器線圈(L1，L2，L3)會(huì)依據(jù)感應(yīng)定律改變極性。斷開裝置/晶體管(T3)被接通。二極管(D2)被正極化，因此在輸出端(TS)產(chǎn)生一個(gè)輸出電流(Isek)，這個(gè)輸出電流(Isek)從線圈(L3)經(jīng)由二極管(D2)及斷開裝置/晶體管(T3)的溝道流向電容器(C1)，然后再流回線圈(L3)的另外一端。變壓器(T)將儲(chǔ)存的能量輸出至負(fù)載及電容器(C1)。
功率因子的校正是經(jīng)由脈沖寬度調(diào)整和/或頻率調(diào)整的方式來實(shí)現(xiàn)。也就是說利用這種方式達(dá)到整流及功率因子校正(PFC)的目的。
圖6顯示本發(fā)明的電流/電壓變換裝置(1)的另外一種實(shí)施方式。在此種實(shí)施方式中，變壓裝置(T)的輸出感應(yīng)線圈(L2)是一個(gè)單一的感應(yīng)線圈。輸出端的整流裝置(G2)是一個(gè)由四個(gè)二極管(D1，D2，D3，D4)構(gòu)成的全橋式整流器。
如果開關(guān)(T1，T2)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，則開關(guān)(T1，T2)可以作為同步整流器被操作。如果本體二極管(BD1，BD2)應(yīng)該導(dǎo)電，則MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(TM1，TM2)的溝道會(huì)分別被柵極引出線(g1，g2)打開。這樣電流(Iprim)就會(huì)分配到本體二極管(BD1，BD2)及溝道內(nèi)流動(dòng)。由于此時(shí)必須在本體二極管(BD1，BD2)內(nèi)流動(dòng)及整流的電流會(huì)變得比較小，因此本體二極管(BD1，BD2)的反向恢復(fù)行為(Reverse-Recovery-Verhalten)造成的功率損耗也會(huì)變得比較小。
如果溝道電阻小于經(jīng)過本體二極管下降的正向電壓除以流動(dòng)的電流所得的商，則所有的電流都會(huì)流經(jīng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的溝道。由于在此情況下不需要設(shè)置本體二極管，因此本體二極管整流造成的功率損耗會(huì)變得比前面一種情況更小。
如果MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(T1，T2)可以同步整流器的方式被操作。
輸出端的整流裝置的二極管(D1，D2)可以是由以同步整流器的方式運(yùn)轉(zhuǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。
如果二極管(D1，D2)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，則在一定的情況下，可以不需設(shè)置斷開裝置/晶體管(T3)，因?yàn)榇藭r(shí)可以將斷開功能內(nèi)含于二極管(D1，D2)。
如果輸入端的開關(guān)(T1，T2)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，則輸入端的開關(guān)(T1，T2)可以作為同步整流器被操作。如果本體二極管(BD1，BD2)應(yīng)該導(dǎo)電，則MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(TM1，TM2)的溝道會(huì)分別被柵極引出線(g1，g2)打開。這樣電流(Iprim)就會(huì)分配到本體二極管(BD1，BD2)及溝道內(nèi)流動(dòng)。由于此時(shí)必須在本體二極管(BD1，BD2)內(nèi)流動(dòng)及整流的電流會(huì)變得比較小，因此本體二極管(BD1，BD2)的反向恢復(fù)行為(Reverse-Recovery-Verhalten)造成的功率損耗也會(huì)變得比較小。
如果溝道電阻小于經(jīng)過本體二極管下降的正向電壓除以流動(dòng)的電流所得的商，則所有的電流都會(huì)流經(jīng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(TM1，TM2)的溝道。由于在此情況下不需要設(shè)置本體二極管，因此本體二極管整流造成的功率損耗會(huì)變得比前面一種情況更小。
在一定的情況下，輸出端的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(TM1，TM2)可以同步整流器的方式被操作。
同樣的，所有的輸出端的二極管(D1，D2，D3，D4)都可以是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，并以同步整流的方式被操作。
如果輸出端的二極管(D1，D2，D3，D4)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，則在一定情況下可以不需設(shè)置輸出端的斷開裝置/晶體管(T3)。
本發(fā)明提出的解決方案具有以下的優(yōu)點(diǎn)
減少構(gòu)成系統(tǒng)的組成組件數(shù)量；由于組成組件數(shù)量較少，因此系統(tǒng)的可靠性較高；由于組成組件數(shù)量較少，因此可以降低系統(tǒng)的制造成本；由于功率損耗較小，因此系統(tǒng)的效率較高。
以上的實(shí)施方式可能會(huì)出現(xiàn)的缺點(diǎn)是，當(dāng)輸出電壓較低(小于100V)，在一定情況下輸出電容器(C1)會(huì)出現(xiàn)100Hz/120Hz的電壓波動(dòng)。如圖7所示，這個(gè)缺點(diǎn)可以經(jīng)由設(shè)置一個(gè)小功率的主動(dòng)濾波器予以排除。
在電源過零期間缺少的能量會(huì)從電容器(C2)被取出，并被輸入輸出電容器(C1)。當(dāng)電源具有足夠的能量時(shí)，電容器(C2)的充電是經(jīng)由扼流圈(L)及開關(guān)(S1，S2)來完成。
在本發(fā)明的電流/電壓變換裝置中，變壓裝置(T)另外還兼具如圖1的以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置(100)的位于輸入端的整流器(20)及功率因子校正器(30)的間的扼流圈的功能。
輸出端的二極管(D1，D2，D3，D4)除了可作為輸出端的整流裝置外，還兼具以現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的電流/電壓變換裝置的功率因子校正二極管的部分或全部功能。
權(quán)利要求
1.一種電流/電壓變換裝置，特別用于開關(guān)電源，具有一個(gè)電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)，這個(gè)電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)具有第一條輸入連接線(E1)及第二條輸入連接線(E2)，這兩條輸入連接線(E1，E2)是用來接收輸入交流電(Iprim)或輸入電流(Iprim)和/或輸入交流電壓(Uprim)或輸入電壓(Uprim)，且這些輸入電流(Iprim)或輸入電壓(Uprim)均被調(diào)整為具有一特定的輸入頻率(vin)；一個(gè)電流/電壓輸出區(qū)(A)，這個(gè)電流/電壓輸出區(qū)(A)的任務(wù)是提供和/或輸出一個(gè)輸出電流(Isek)和/或輸出電壓(Usek)；一個(gè)位于電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)及電流/電壓輸出區(qū)(A)的間的變壓裝置(T)，負(fù)責(zé)電流/電壓變換工作的這個(gè)變壓裝置(T)具有一個(gè)輸入端(TP)及一個(gè)輸出端(TS)，其中輸入端(TP)具有一帶有第一條輸入連接線(TE1)及第二條輸入連接線(TE2)的輸入感應(yīng)線圈(L1)，輸出端(TS)則具有一個(gè)與輸入感應(yīng)線圈(L1)耦合的電感式輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)；所述電流/電壓變換裝置的特征為在變壓裝置(T)的輸入端(TP)的第一條輸入連接線(TE1)及電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)的第一條輸入連接線(E1)的間有一個(gè)帶有第一個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD1)的第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)；在變壓裝置(T)的輸入端(TP)的第二條輸入連接線(TE2)及電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)的第二條輸入連接線(E2)的間有一個(gè)帶有第二個(gè)非間接的旁路或旁通管道(TD2)的第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)；第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)及第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)分別與第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)的第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)的第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)并聯(lián)，同時(shí)這兩個(gè)旁路或旁通管道(TD1，TD2)的設(shè)置方式能夠使第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)的開關(guān)組件(TM1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)的開關(guān)組件(TM2)均可經(jīng)由電路控制而繞開；第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)彼此系以反串聯(lián)的方式連接；第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)會(huì)依輸入電壓(Uprim)和/或輸入電流(Uprim)的大小被控制以等于或高于輸入頻率(vin)的開關(guān)頻率(vsw)發(fā)出時(shí)鐘脈沖，并可交互選擇接通和/或切斷。
2.如權(quán)利要求1的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)的第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)及第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)與第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)的第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)及第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)彼此系以反串聯(lián)的方式連接。
3.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)和/或第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)是由雙極型晶體管或IGBT構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)和/或第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)是由二極管裝置構(gòu)成。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)開關(guān)組件(TM1)和/或第二個(gè)開關(guān)組件(TM2)是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)和/或第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)是由寄生二極管裝置構(gòu)成，且最好是由寄生本體二極管(BD1，BD2)構(gòu)成。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)可以直接連接輸入電壓(Uprim)，或是已經(jīng)直接連接輸入電壓(Uprim)。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)及第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)在共同作用時(shí)可以構(gòu)成一個(gè)同步整流器或是可以以一個(gè)同步整流器的方式運(yùn)轉(zhuǎn)或被操作。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為第一個(gè)旁路或旁通管道(TD1)及第二個(gè)旁路或旁通管道(TD2)的構(gòu)成方式和/或連接方式使其在共同作用時(shí)可以作為輸入端的整流裝置。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為變壓裝置(T)的制造、設(shè)置、以及運(yùn)轉(zhuǎn)和/或被操作主要都是依據(jù)反向變換器的原理。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)是由一個(gè)單一的感應(yīng)線圈(L2)構(gòu)成，或是由第一個(gè)感應(yīng)線圈(L2)及第二個(gè)感應(yīng)線圈(L3)構(gòu)成。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為在輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)及電流/電壓輸出區(qū)(A)的間設(shè)有一個(gè)輸出端的整流裝置(G2)。
13.如權(quán)利要求12的電流/電壓變換裝置，其特征為輸出端的整流裝置(G2)是由二極管裝置(D1，D2，D3，D4)構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求12或13的電流/電壓變換裝置，其特征為如果輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)是由一個(gè)單一的感應(yīng)線圈(L2)構(gòu)成，則輸出端的整流器(G2)是由具有兩個(gè)二極管裝置(D1，D2)的半橋式整流器構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求12或13的電流/電壓變換裝置，其特征為如果輸出感應(yīng)線圈(L2，L3)是由第一個(gè)輸出感應(yīng)線圈(L2)及第二個(gè)輸出感應(yīng)線圈(L3)構(gòu)成，則輸出端的整流器(G2)是由具有四個(gè)二極管裝置(D1，D2，D3，D4)的全橋式整流器構(gòu)成。
16.如權(quán)利要求12-15中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為輸出端的整流器(G2)的二極管裝置(D1，D2，D3，D4)都是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求12的電流/電壓變換裝置，其特征為輸出端的整流器(G2)可以同步整流模式運(yùn)轉(zhuǎn)或被操作。
18.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為在電流/電壓輸出區(qū)(A)及輸出端的整流器(G2)的間設(shè)有一個(gè)與電流/電壓輸出區(qū)(A)的第一條輸出連接線(A1)及第二條輸出連接線(A2)并聯(lián)的作為濾波和/或蓄能的用的電容裝置(C1)。
19.如權(quán)利要求18的電流/電壓變換裝置，其特征為在電容裝置(C1)及輸出端的整流器(G2)的間設(shè)有一個(gè)串聯(lián)的斷開裝置(T3)；當(dāng)輸入電流(Uprim)在輸入感應(yīng)線圈(L1)內(nèi)流動(dòng)時(shí)，這個(gè)串聯(lián)的斷開裝置(T3)的構(gòu)造方式可以依據(jù)輸入電流(Iprim)和/或輸入電壓(Uprim)的電壓大小和/或相位狀態(tài)進(jìn)行控制，以阻止和/或切斷輸入電壓(Uprim)被直接接通至電容裝置(C1)。
20.如權(quán)利要求18的電流/電壓變換裝置，其特征為串聯(lián)的斷開裝置(T3)具有一個(gè)開關(guān)裝置(T3)或是由一個(gè)開關(guān)裝置(T3)所構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求19或20的電流/電壓變換裝置，其特征為串聯(lián)的斷開裝置(T3)具有一個(gè)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或是由一個(gè)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)所構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求19-21中任一項(xiàng)的電流/電壓變換裝置，其特征為串聯(lián)的斷開裝置(T3)向第一個(gè)開關(guān)裝置(T1)和/或第二個(gè)開關(guān)裝置(T2)被逆向發(fā)出時(shí)鐘脈沖和/或被逆向被控制、或是可以逆向發(fā)出脈沖和/或可以逆向控制。
全文摘要
一種電流/電壓變換裝置，其特征為在變壓裝置(T)的輸入端(TP)的第一條輸入連接線(TE1)及電流/電壓輸入?yún)^(qū)(E)的第一條輸入連接線(E1)之間有一個(gè)帶有第一二極管(TD1)的第一開關(guān)裝置(T1)；在輸入端(TP)的第二條輸入連接線(TE2)及輸入?yún)^(qū)(E)的第二條輸入連接線(E2)之間有一個(gè)帶有第二二極管(TD2)的第二開關(guān)裝置(T2)；第一二極管(TD1)及第二二極管(TD2)分別與第一開關(guān)裝置(T1)的第一開關(guān)組件(TM1)及第二開關(guān)裝置(T2)的第二開關(guān)組件(TM2)并聯(lián)，同時(shí)這兩個(gè)二極管(TD1，TD2)的設(shè)置方式能夠使第一開關(guān)裝置(T1)的開關(guān)組件(TM1)及第二開關(guān)裝置(T2)的開關(guān)組件(TM2)均可經(jīng)由電路控制而繞開；第一開關(guān)裝置(T1)及第二開關(guān)裝置(T2)彼此以反串聯(lián)的方式連接；第一開關(guān)裝置(T1)及第二開關(guān)裝置(T2)會(huì)被控制以等于或高于輸入頻率(vin)的開關(guān)頻率(vsw)發(fā)出時(shí)鐘脈沖，并可交互選擇接通和/或切斷。
文檔編號(hào)H02M3/335GK1520018SQ20041000338
公開日2004年8月11日 申請日期2004年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月29日
發(fā)明者I·滋維雷夫, J·佩特佐德特, M·謝爾夫, , I 滋維雷夫, 刈艫綠 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司