專利名稱：應(yīng)用于推挽式電路的消磁電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于推挽式電路的消磁電路。
背景技術(shù)：
隨著科技的進步，一般企業(yè)及公司依賴計算機設(shè)備的比重亦相對增加，為了防止數(shù)據(jù)流失，多數(shù)企業(yè)及公司是使用不斷電系統(tǒng)(UPS)，作為緊急停電或市電電壓不穩(wěn)時，不僅可避免數(shù)據(jù)流失，更可作為電源予以解決，是為現(xiàn)在一般企業(yè)、公司甚至個人計算機不可或缺的保護裝置。
當不斷電系統(tǒng)在直流轉(zhuǎn)交流輸出時，若使用推挽式電路于后級輸出，因推挽式電路是正負半周的電路輪流作輸出的動作(當正半周工作時負半周則關(guān)閉)，并利用MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效管)來控制開/關(guān)的動作，以震蕩產(chǎn)生出正負半周的弦波波形。然而，當正半周MOSFET做開/關(guān)切換時變壓器會隨著線圈電流線性的上升或下降，而在MOSFET關(guān)閉的瞬間產(chǎn)生所謂的剩磁，并且剩磁必須釋放。如果沒有釋放，則當MOSFET導(dǎo)通的時候就會透過MOSFET釋放，會使MOSFET及變壓器溫度升高，此時MOSFET將無法穩(wěn)壓，變壓器磁芯也會產(chǎn)生飽和狀態(tài)，此時，內(nèi)阻抗就會近乎于零，也造成電流過大，亦產(chǎn)生突波現(xiàn)象或在變壓器輸出時形成失真(如圖1所示)，有可能產(chǎn)生短路現(xiàn)象；因此有必要有效消除殘留在電路中的剩磁。
但是，推挽式電路是利用MOSFET快速的做開/關(guān)切換，所以當關(guān)閉的瞬間會有剩磁能量產(chǎn)生而沒有回路做釋放，因此就必須另行設(shè)計消磁方式進行消磁；倘若，另外設(shè)計一消磁方式設(shè)于不斷電系統(tǒng)中，除了會使整體電路設(shè)計更加復(fù)雜外，亦會使成本相對增加?？梢姡瑐鹘y(tǒng)消磁方法存在以上缺陷，有待改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種直接設(shè)計于推挽電路中的結(jié)構(gòu)簡單、成本低的應(yīng)用于推挽式電路的消磁電路，將電路中變壓器的殘磁有效的消除，以防止變壓器短路；避免波形輸出時出現(xiàn)突波及失真的現(xiàn)象。
本發(fā)明的主要技術(shù)方案是，消磁電路包括一個正半周驅(qū)動電路，包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管、第二晶體管，以及供導(dǎo)通之用的二極管；一個負半周驅(qū)動電路，包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管、第二晶體管，以及供導(dǎo)通之用的二極管；一個變壓器，與正半周驅(qū)動電路及負半周驅(qū)動電路相連接，輸出交流電。
其中所述的正半周驅(qū)動電路的第一晶體管的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第一輸入端及二極管的陽極，二極管的陰極連接到第二晶體管的源極和襯底，第二晶體管的漏極連接到變壓器的中間抽頭；所述的負半周驅(qū)動電路的第一晶體管的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第二輸入端及二極管的陽極，二極管的陰極連接到第二晶體管的漏極，第二晶體管的源極和襯底連接到變壓器的中間抽頭；有一個電源，正極連接到變壓器的中間抽頭，負極接地。
所述的正半周驅(qū)動電路的第二晶體管一端(如柵極)，可輸入一脈寬調(diào)變放大訊號PWB，其波形與脈寬調(diào)變初始訊號PWMB的波形相同；所述的負半周驅(qū)動電路的第二晶體管一端(如柵極)，可輸入一脈寬調(diào)變放大訊號PWA，其波形與脈寬調(diào)變初始訊號PWMA的波形相同。
該消磁電路，在正半周電路動作而負半周電路呈關(guān)閉狀態(tài)時，將正半周電路的脈寬調(diào)變訊號送入負半周消磁電路中，使負半周電路形成導(dǎo)通短路現(xiàn)象，作為消磁的動作；而在負半周電路動作時，將負半周電路的脈寬調(diào)變訊號送至正半周消磁電路中，持續(xù)交換做短路消磁動作，以防止變壓器殘磁量累積過多，進而保護變壓器。
本發(fā)明的消磁電路達到了以下的有益效果將工作中的電路訊號導(dǎo)入關(guān)閉電路，使其導(dǎo)通短路作為消磁的動作，以消除殘磁存在，從而避免變壓器的輸出波形時出現(xiàn)突波及失真，并可防止殘磁的存在造成MOSFET過熱而無法穩(wěn)壓及變壓器短路；因而使推挽電路無須另行設(shè)計消磁方式，間接使整個不斷電系統(tǒng)內(nèi)的電路設(shè)計更為簡易，而減少設(shè)計的復(fù)雜性及降低制造成本。


下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
圖1為未消磁前的波形變化示意圖；圖2為本發(fā)明的消磁電路示意圖；圖3為本發(fā)明的負半周電路消磁動作示意圖；圖4為本發(fā)明的正半周電路消磁動作示意圖；圖5為本發(fā)明的輸入及輸出訊號示意圖；圖6為本發(fā)明的消磁后的波形示意圖。
具體實施例方式
為了對本發(fā)明的構(gòu)造、使用及其特征進一步說明，下面以實施例配合附圖詳細說明如下圖2所示的為本發(fā)明一個實施例的電路示意圖，包括一正半周驅(qū)動電路1，包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管Q1、第二晶體管Q2，以及供導(dǎo)通之用的二極管D1；一負半周驅(qū)動電路2，包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管Q3、第二晶體管Q4，以及供導(dǎo)通之用的二極管D2；一變壓器3，與正半周驅(qū)動電路1及負半周驅(qū)動電路2相連接，輸出一交流電。
其中所述的正半周驅(qū)動電路的第一晶體管Q1的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第一輸入端及二極管D1的陽極，二極管D1的陰極連接到第二晶體管Q2的源極和襯底，第二晶體管Q2的漏極連接到變壓器的中間抽頭；所述的負半周驅(qū)動電路的第一晶體管Q3的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第二輸入端及二極管D2的陽極，二極管D2的陰極連接到第二晶體管Q4的漏極，第二晶體管Q4的源極和襯底連接到變壓器的中間抽頭；有一個電源，正極連接到變壓器的中間抽頭，負極接地。
圖3所示的為本發(fā)明的正半周驅(qū)動電路工作示意圖。如上所述，當正半周驅(qū)動電路1驅(qū)動時，正半周驅(qū)動電路1的波形為Vga反向后的訊號，此時，負半周驅(qū)動電路2呈關(guān)閉(OFF)狀態(tài)，該Vga訊號經(jīng)由正半周驅(qū)動電路1的第一晶體管Q1輸出至變壓器3，當?shù)谝痪w管Q1導(dǎo)通經(jīng)過變壓器3傳遞功率時，可輸出一正半周弦波；在此同時從負半周驅(qū)動電路2的第二晶體管Q4一端輸入的PWA訊號(如圖5所示)，該PWA訊號與Vga訊號的波形完全相反，當輸入的PWA訊號為高電平時，即驅(qū)動負半周驅(qū)動電路2的第二晶體管Q4及二極管D2導(dǎo)通，將變壓器3的中間抽頭Bat+與第二輸入端Bat+2之間的輸入線圈短路，使正半周驅(qū)動電路1與負半周驅(qū)動電路2形成導(dǎo)通短路現(xiàn)象，而可將呈關(guān)閉狀態(tài)的正半周驅(qū)動電路1上MOSFET的殘磁消除。
圖4所示的為本發(fā)明的負半周驅(qū)動電路工作示意圖。當負半周驅(qū)動電路2驅(qū)動時，負半周驅(qū)動電路2的波形為Vgb訊號，此時，正半周驅(qū)動電路1呈關(guān)閉(OFF)狀態(tài)，該Vgb訊號經(jīng)由負半周驅(qū)動電路2的第一晶體管Q3輸出至變壓器3，當?shù)谝痪w管Q3導(dǎo)通經(jīng)過變壓器3傳遞功率時，可輸出一負半周弦波；在此同時從正半周驅(qū)動電路1的第二晶體管Q2一端輸入一PWB訊號(如圖5所示)，該PWB訊號與Vgb訊號的波形完全相反，當輸入的PWB訊號為高電平時，驅(qū)動正半周驅(qū)動電路1的晶體管Q2及二極管D1導(dǎo)通，將變壓器3的中間抽頭Bat+與第一輸入端Bat+1之間的輸入線圈短路，使負半周驅(qū)動電路與正半周驅(qū)動電路1形成導(dǎo)通短路現(xiàn)象，而可將呈關(guān)閉狀態(tài)的負半周驅(qū)動電路2上MOSFET殘磁消除。
圖6所示的為本發(fā)明的消磁后的波形示意圖。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于推挽式電路的消磁電路，包括一個正半周驅(qū)動電路，其包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管、第二晶體管，以及供導(dǎo)通之用的二極管；一個負半周驅(qū)動電路，其包括用于調(diào)變脈沖寬度的第一晶體管、第二晶體管，以及供導(dǎo)通之用的二極管；一個變壓器，與正半周驅(qū)動電路及負半周驅(qū)動電路相連接，輸出交流電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消磁電路，其特征在于所述的正半周驅(qū)動電路的第一晶體管的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第一輸入端及二極管的陽極，二極管的陰極連接到第二晶體管的源極和襯底，第二晶體管的漏極連接到變壓器的中間抽頭；所述的負半周驅(qū)動電路的第一晶體管的源極和襯底接地，漏極連接到變壓器的第二輸入端及二極管的陽極，二極管的陰極連接到第二晶體管的漏極，第二晶體管的源極和襯底連接到變壓器的中間抽頭；有一個電源，正極連接到變壓器的中間抽頭，負極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的消磁電路，其特征在于所述的正半周驅(qū)動電路的第二晶體管一端，可輸入一脈寬調(diào)變放大訊號PWB。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的消磁電路，其特征在于所述的PWB訊號與脈寬調(diào)變初始訊號PWMB的波形相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的消磁電路，其特征在于所述的負半周驅(qū)動電路的第二晶體管一端，可輸入一脈寬調(diào)變放大訊號PWA。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的消磁電路，其特征在于所述的PWA訊號與脈寬調(diào)變初始訊號PWMA的波形相同。
全文摘要
一種應(yīng)用于推挽式電路的消磁電路，其主要是在正半周電路動作而負半周電路呈關(guān)閉狀態(tài)時，將正半周電路的MOSFET(金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效管)端脈寬調(diào)變訊號(Vga)反向后(PWB)送入負半周消磁電路中，使負半周消磁電路形成導(dǎo)通短路現(xiàn)象，作為正半周消磁的動作，亦在負半周電路動作時，將負半周電路的MOSFET端脈寬調(diào)變訊號(Vgb)反向后(PWA)送至正半周消磁電路中，持續(xù)交換做短路消磁動作，以防止變壓器殘磁產(chǎn)生進而保護變壓器。
文檔編號H02M7/519GK1601878SQ200410085840
公開日2005年3月30日 申請日期2004年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月20日
發(fā)明者張峻菁 申請人:系統(tǒng)電子工業(yè)股份有限公司