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可控硅三相逆變橋控制電路的制作方法

文檔序號(hào):7273679閱讀:921來源:國知局
專利名稱:可控硅三相逆變橋控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及可控硅控制裝置,尤其為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用可控硅三相逆變橋控制電路。
背景技術(shù)
可控硅控制方法一般有變壓器控制法、光藕控制法及直接控制法。對(duì)于由可控硅構(gòu)成的逆變電路中一般采用光藕控制法(如圖1所示)和變壓器控制法(如圖2所示)。由于光藕所能承受的電壓變化率(dv/dt)低,耐壓很難做到很高,降低了整個(gè)電路所能承受的電壓變化率;變壓器控制法由于變壓器的體積與其控制脈沖寬度成正比,如果要做到寬脈沖控制,必須增加變壓器的體積。因此上述兩種方法很難滿足由可控硅構(gòu)成的三相逆變橋控制電路高耐壓,寬脈沖的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種可以滿足由可控硅構(gòu)成的逆變橋控制電路高耐壓,寬脈沖要求的可控硅三相逆變橋控制電路。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種可控硅三相逆變橋控制電路,包括12個(gè)可控硅、光藕和與光藕相接的整流電路,其結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)還具有一入多出的電源變壓器,它的輸出端經(jīng)整流電路整流后與光藕相接,作為光藕的電源,光藕與可控硅相連。
本實(shí)用新型的工作原理利用一入多出的電源變壓器把一路電源變換成幾路相互隔離的低壓電源,通過整流濾波后得到直流電源,再通過光藕控制可控硅的導(dǎo)通。由于供電電源是相互隔離的,所以可以分別控制各路的可控硅。這樣,本實(shí)用新型將光藕可承受寬脈沖的優(yōu)點(diǎn)與變壓器高耐壓的優(yōu)點(diǎn)相接合,取長補(bǔ)短,滿足由可控硅構(gòu)成的三相逆變橋控制電路高耐壓,寬脈沖要求。
光藕到可控硅之間電路可不含有其他電路,直接連接;也可通過三極管放大后,再與可控硅相接;還可通過控制小電流可控硅后再控制大電流可控硅。
整流電路可以由整流二極管、電容組成,也可采用橋式整流電路。
電源變壓器的輸出端數(shù)量與可控硅的數(shù)量相同,可以為1入12出;也可以為1入5出,同時(shí)將12個(gè)可控硅分成五組,分別為S1、S2、S3;S4、S7;S5、S8;S6、S9;S10、S11、S12,每組可控硅的K極接在一起,共用一路電源。
由于12出的電源變壓器輸出端數(shù)量多,制作困難,可采用二個(gè)6出的電源變壓器來替代。
電源變壓器可以為工頻變壓器、中頻變壓器或高頻變壓器,只要它的二次側(cè)相互隔離且電源數(shù)量足夠即可。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于本實(shí)用新型集光藕與變壓器二者的優(yōu)點(diǎn),取長補(bǔ)短,利用一入多出的電源變壓器將一路普通電源變換成幾路相互隔離的低壓電源,從而在電路中可采用普通低耐壓光藕來替代價(jià)格昂貴的高耐壓光藕;或避免采用12個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器去控制可控硅。本實(shí)用新型耗電功率小,體積小,可滿足可控硅三相逆變橋電路高耐壓、寬脈沖的要求。


圖1為現(xiàn)有光藕控制可控硅的電路示意圖;圖2為現(xiàn)有變壓器控制可控硅的電路示意圖;圖3本實(shí)用新型實(shí)施例1的電路示意圖;圖4本實(shí)用新型實(shí)施例2的電路示意圖;圖5本實(shí)用新型實(shí)施例3的電路示意圖;圖6本實(shí)用新型的另一種整流電路的示意圖;圖7本實(shí)用新型使用狀態(tài)1的電路示意圖;圖8本實(shí)用新型使用狀態(tài)2的電路示意圖;其中1光藕 2電源變壓器
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述如圖3所示,實(shí)施例1,一種可控硅三相逆變橋控制電路,包括12個(gè)可控硅、光藕1、整流二極管、電容、一個(gè)一入12出的電源變壓器2,電源變壓器2輸出端經(jīng)二極管、電容整流后與光藕相接,作為光藕的電源,光藕與可控硅之間直接連接。
如圖4所示,實(shí)施例2,有兩個(gè)一入6出的電源變壓器2,輸出端經(jīng)二極管、電容整流后與光藕1相接,作為光藕的電源,本實(shí)施例未述部分與實(shí)施例1相同。
如圖5所示,實(shí)施例3,有一個(gè)一入5出的電源變壓器2,它的輸出端輸出端經(jīng)二極管、電容整流后與光藕相接,作為光藕的電源,光藕通過三極管放大后,再與可控硅相接。將12個(gè)可控硅分成五組,分別為S1、S2、S3;S4、S7;S5、S8;S6、S9;S10、S11、S12,每組可控硅的K極接在一起,共用一路電源。本實(shí)施例未述部分與實(shí)施例1相同。
如圖6所示,為整流電路還可采用的橋式整流電路。
如圖7所示,光藕之后可接小電流可控硅后去控制大電流可控硅。
如圖8所示,光藕之后可按三極管放大后去控制可控硅。
權(quán)利要求1.一種可控硅三相逆變橋控制電路,包括12個(gè)可控硅、光藕(1)、和與光藕(1)相接的整流電路,其特征在于,還具有一入多出的電源變壓器(2),它的輸出端經(jīng)整流電路整流后與光藕相接,作為光藕的電源,光藕(1)與可控硅相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅三相逆變橋控制電路,其特征在于,整流電路或?yàn)檎鞫O管,或?yàn)闃蚴秸麟娐贰?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅三相逆變橋控制電路,其特征在于,電源變壓器(2)的輸出端數(shù)量與可控硅的數(shù)量相同,有12個(gè)輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅三相逆變橋控制電路,其特征在于,電源變壓器(2)有5個(gè)輸出端,將12個(gè)可控硅分成五組,分別為S1、S2、S3;S4、S7;S5、S8;S6、S9;S10、S11、S12,每組可控硅的K極接在一起,共用一路電源。
專利摘要本實(shí)用新型涉及可控硅控制裝置,尤其為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用可控硅三相逆變橋控制電路。本實(shí)用新型為一種可控硅三相逆變橋控制電路,包括12個(gè)可控硅、光藕和與光藕相接的整流電路,其結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)在于還具有一入多出的電源變壓器,它的輸出端經(jīng)整流電路整流后與光藕相接,作為光藕的電源,光藕與可控硅相連。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于集光藕控制與變壓器控制二者的優(yōu)點(diǎn)于一身,取長補(bǔ)短,耗電功率小,體積小,可滿足可控硅三相逆變橋電路高耐壓、寬脈沖的要求。
文檔編號(hào)H02M7/505GK2759050SQ20042011119
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2004年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月31日
發(fā)明者黃敬黨 申請(qǐng)人:黃敬黨
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