專利名稱：母線電流檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流檢測(cè)裝置，更具體地，涉及一種檢測(cè)流過(guò)母線的電流的電流檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
控制強(qiáng)電流以驅(qū)動(dòng)電機(jī)的半導(dǎo)體模塊被得以使用。例如，近來(lái)可以看到，在混合動(dòng)力車、電動(dòng)車等中，使用了功率元件以驅(qū)動(dòng)電機(jī)/發(fā)電機(jī)的半導(dǎo)體模塊。
母線在這種半導(dǎo)體模塊中被作為終端提供，以控制強(qiáng)電流的輸出。通過(guò)準(zhǔn)確測(cè)量流過(guò)所述母線的電流，并利用所述測(cè)量結(jié)果，電機(jī)/發(fā)電機(jī)可以得到精確控制。
日本專利公開(kāi)2004-061217公開(kāi)了用于測(cè)量母線中電流的被稱為無(wú)芯電流傳感器的使用。所述無(wú)芯電流傳感器是一種高精度和敏感度的傳感器，其無(wú)需使用磁芯，即可直接檢測(cè)磁通量。由于不使用磁芯，可以減小尺寸及裝置中的元件數(shù)目。
然而，根據(jù)日本專利公開(kāi)2004-061217中所公開(kāi)的技術(shù)，為降低流過(guò)相鄰母線的磁通量對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，需要進(jìn)行誤差校正處理。所述誤差校正處理由軟件的操作執(zhí)行，這令控制變得復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電流檢測(cè)裝置，其能方便地被控制，且尺寸較小。
概括本發(fā)明，一種電流檢測(cè)裝置包括多條母線，每一條均用于通過(guò)電流；電流傳感器，用于傳感所述多條母線中的第一母線附近的磁場(chǎng)，以檢測(cè)流過(guò)所述第一母線的電流；以及磁屏蔽，被提供給所述多條母線中的第二母線，所述第二母線被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述電流傳感器的磁干擾的位置，從而減小對(duì)所述電流傳感器的磁干擾。
優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括處理部分，用于接收所述電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)相應(yīng)母線的電流值；以及有彈性的彈性基片(substrate)，其具有用于電連接所述處理部分和所述電流傳感器的互連線。
優(yōu)選地，所述電流傳感器為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，電流檢測(cè)裝置包括多條母線，每一條均用于通過(guò)電流，該多條母線中的至少一部分被并行布置；以及多個(gè)電流傳感器，分別被安排給所述多條母線。所述多個(gè)電流傳感器被布置于沿著所述多條母線中并行布置部分的交替錯(cuò)位位置(alternately displacedposition)。
優(yōu)選地，所述多個(gè)電流傳感器中的每一個(gè)傳感相應(yīng)母線附近的磁場(chǎng)，以檢測(cè)流過(guò)該相應(yīng)母線的電流，并且所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括多個(gè)磁屏蔽，其被分別安排給所述多條母線的每一條，以減小對(duì)布置在鄰近母線的電流傳感器的磁干擾。
更優(yōu)選地，所述多個(gè)磁屏蔽被布置于沿著所述多條母線中并行布置部分的交替錯(cuò)位位置。
優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括處理部分，用于接收所述電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)相應(yīng)母線的電流值；以及有彈性的彈性基片，其具有用于電連接所述處理部分和所述電流傳感器的互連線。
優(yōu)選地，所述電流傳感器為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，電流檢測(cè)裝置包括第一母線，其用于通過(guò)電流；多個(gè)電流傳感器，其被安排給所述第一母線；以及處理部分，用于接收所述多個(gè)電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)所述第一母線的電流值。
優(yōu)選地，所述第一母線為板狀形狀。所述多個(gè)電流傳感器包括用于傳感所述第一母線附近的磁場(chǎng)的第一和第二磁場(chǎng)傳感器。所述第一磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的頂面，而所述第二磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的底面。
更優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括操作部分，用于接收所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的輸出，并進(jìn)行消除噪聲的處理。
更優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括第二母線，其被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾的位置；以及磁屏蔽，其被提供給所述第二母線，以減少對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾。
優(yōu)選地，所述第一母線為板狀形狀。所述多個(gè)電流傳感器包括用于傳感所述第一母線附近的磁場(chǎng)的第一和第二磁場(chǎng)傳感器。所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的同一表面。
更優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括第二母線，其被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾的位置；以及磁屏蔽，其被提供給所述第二母線，以減少對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾。
優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括有彈性的彈性基片，其具有用于電連接所述處理部分和所述多個(gè)電流傳感器的互連線。
優(yōu)選地，所述電流傳感器的每一個(gè)均為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
因此，本發(fā)明的主要優(yōu)勢(shì)在于，可通過(guò)電流傳感器的布置抑制磁干擾，并且使得所述電流檢測(cè)裝置的安裝空間較小。
本發(fā)明前述和其它目標(biāo)、特點(diǎn)、方面和優(yōu)勢(shì)將在隨后參照附圖對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述中變得更加清楚。
圖1為電路圖，示出了應(yīng)用本發(fā)明的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)；圖2示出了圖1所示電流檢測(cè)部分A的結(jié)構(gòu)；圖3示出了圖2所示電流檢測(cè)部分的變型；圖4為橫截圖，示出了母線附著有電流傳感器的狀態(tài)；圖5為示圖，用于描述當(dāng)無(wú)芯電流傳感器簡(jiǎn)單布置時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題；圖6示出了第二實(shí)施例中的電流檢測(cè)部分的結(jié)構(gòu)；圖7示出了雙結(jié)構(gòu)的第一變型；圖8示出了所述雙結(jié)構(gòu)布置的第二變型；圖9為橫截圖，示出了圖8所示電流傳感器附著部分的橫截面；圖10示出了一個(gè)示例性的采用圖8所示結(jié)構(gòu)的電流檢測(cè)部分；圖11為示圖，用于描述第三實(shí)施例；圖12示出了所述第三實(shí)施例的第二布置的例子；圖13示出了磁場(chǎng)，用于描述對(duì)磁干擾的抑制；圖14為示圖，用于描述抑制磁干擾的過(guò)程；圖15示出了第四實(shí)施例的電流檢測(cè)部分的結(jié)構(gòu)；圖16示出了電流檢測(cè)部分附著到母線的狀態(tài)；圖17示出了電流傳感器被布置在一側(cè)的示例情況。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在附圖中，相同的參考符號(hào)被賦給相同或相應(yīng)的部分，并且不進(jìn)行重復(fù)描述。
<第一實(shí)施例>
圖1為電路圖，示出了應(yīng)用本發(fā)明的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D1，電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置1包括DC(直流)電源10，電容器12，逆變器14，電流檢測(cè)部分A，電機(jī)M1，解算器(resolver)24，微型計(jì)算機(jī)20，以及驅(qū)動(dòng)電路22。
逆變器14接收來(lái)自DC電源10的電源電位，以驅(qū)動(dòng)AC(交流)電機(jī)M1。優(yōu)選地，逆變器14在電機(jī)M1的制動(dòng)中進(jìn)行再生操作，以將在AC電機(jī)M1產(chǎn)生的電力返回給DC電源10。
逆變器14包括U相臂15、V相臂16及W相臂17。U相臂15、V相臂16及W相臂17在DC電源10的輸出線中并聯(lián)連接。此外，電容器12也在所述DC電源10的輸出線中與那些組成部分并聯(lián)連接。
U相臂15包括串聯(lián)的MOS晶體管Q1和Q2，且二極管D1和D2分別與MOS晶體管Q1和Q2并聯(lián)。
V相臂16包括串聯(lián)的MOS晶體管Q3和Q4，且二極管D3和D4分別與MOS晶體管Q3和Q4并聯(lián)。
W相臂17包括串聯(lián)的MOS晶體管Q5和Q6，且二極管D5和D6分別與MOS晶體管Q5和Q6并聯(lián)。
母線BU與MOS晶體管Q1和Q2的連接節(jié)點(diǎn)相連接。母線BV與MOS晶體管Q3和Q4的連接節(jié)點(diǎn)相連接。母線BW與MOS晶體管Q5和Q6的連接節(jié)點(diǎn)相連接。
二極管D1、D3和D5正向連接，此方向?yàn)閺南鄳?yīng)母線到DC電源10正極的方向。二極管D2、D4和D6正向連接，此方向?yàn)閺腄C電源10負(fù)極到相應(yīng)母線的方向。
電流檢測(cè)部分A包括電流傳感器SU，用于檢測(cè)流過(guò)母線BU的電流，電流傳感器SV，用于檢測(cè)流過(guò)母線BV的電流，以及電流傳感器SW，用于檢測(cè)流過(guò)母線BW的電流。
由電流傳感器SU、SV和SW檢測(cè)到的電流值與由解算器24檢測(cè)到的電機(jī)M1的轉(zhuǎn)數(shù)一起，被傳送到微型計(jì)算機(jī)20?；诖?，微型計(jì)算機(jī)20控制驅(qū)動(dòng)電路22，從而控制電機(jī)M1的轉(zhuǎn)數(shù)。
圖2示出了圖1所示電流檢測(cè)部分A的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D2，電流檢測(cè)部分A包括每一個(gè)均用于通過(guò)電流的母線BU、BV和BW，電流傳感器SU附著于母線BU，以檢測(cè)流過(guò)母線BU的電流IU，電流傳感器SV附著于母線BV，以檢測(cè)流過(guò)母線BV的電流IV，且電流傳感器SW附著于母線BW，以檢測(cè)流過(guò)母線BW的電流IW。
電流傳感器SU、SV和SW分別用來(lái)檢測(cè)電流在所述母線中通過(guò)時(shí)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，以得到相應(yīng)的電流。與這些電流傳感器一樣，霍爾元件、MI(磁阻抗)傳感器，MR(磁阻)傳感器，AMR(各向異性磁阻)傳感器等均可以被使用。
如果所述傳感器自身的檢測(cè)精度很高，并且如果來(lái)自鄰近母線等的磁干擾等可以被避免，這些傳感器可以被用作為無(wú)芯電流傳感器。所述無(wú)芯電流傳感器已有公開(kāi)，例如，在“The basics of a current sensor and acoreless current sensor”，the December 2003 issue of TransistorTechnology，CQ publishing Co.，Ltd.，pp.122-137.
電流檢測(cè)部分A進(jìn)一步包括附著于母線BU的磁屏蔽32，附著于母線BV的磁屏蔽34，附著于母線BW的磁屏蔽38，以在使用無(wú)芯電流傳感器時(shí)避免磁干擾。
所述磁屏蔽采用圖2所示的布置，從而減少對(duì)附著于鄰近母線的無(wú)芯電流傳感器的磁干擾。確切地，在并行布置的母線BU、BV和BW上，電流傳感器SU、SV和SW被布置在沿著所述母線的交替錯(cuò)位的位置上。相似地，所述磁屏蔽被布置在沿著所述母線的交替錯(cuò)位的位置上。磁屏蔽和電流傳感器的這種布置被稱為交錯(cuò)布置。
圖3示出了圖2所示電流檢測(cè)部分的變型。
參照?qǐng)D3，電流檢測(cè)部分AB包括母線BU、BV和BW，且電流傳感器SU、SV和SW分別附著于母線BU、BV和BW。
電流檢測(cè)部分AB進(jìn)一步包括附著于母線BU的磁屏蔽30B和32B，附著于母線BV的磁屏蔽33B和34B，附著于母線BW的磁屏蔽36B和38B，以在使用無(wú)芯電流傳感器時(shí)避免磁干擾。
與圖2相比，圖3的布置似乎不必要地具有寬磁屏蔽范圍。然而，當(dāng)通過(guò)涂覆提供磁屏蔽時(shí)，圖2的布置對(duì)于每條母線需要在兩個(gè)部分進(jìn)行掩模處理，而圖3布置的優(yōu)勢(shì)在于對(duì)于每條母線僅需要在一個(gè)部分進(jìn)行掩模處理，磁傳感器即附著于此處。
圖4為橫截圖，示出了母線附著有電流傳感器的狀態(tài)。
參照?qǐng)D4，在母線40的頂面，布置了附著在基片42上的無(wú)芯電流傳感器44。例如，無(wú)芯電流傳感器44為IC，并焊接在基片42上。
圖5為示圖，用于描述當(dāng)無(wú)芯電流傳感器簡(jiǎn)單布置時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題。
參照?qǐng)D5，例如，假設(shè)電流傳感器SU、SV和SW被布置于各母線BU、BV和BW上相同的相應(yīng)位置處。電流傳感器SU能夠檢測(cè)因電流IU產(chǎn)生的磁場(chǎng)U。電流傳感器SV能夠檢測(cè)因電流IV產(chǎn)生的磁場(chǎng)V。電流傳感器SW能夠檢測(cè)因電流IW產(chǎn)生的磁場(chǎng)W。
然而，利用這樣的布置，除了磁場(chǎng)V以外，因電流IV產(chǎn)生的磁場(chǎng)V0也會(huì)影響電流傳感器SU和SW，這將導(dǎo)致所檢測(cè)的電流值中出現(xiàn)誤差。
因此，如圖2所示，所述電流傳感器被布置在母線方向中的交替錯(cuò)位位置，并且磁屏蔽被設(shè)置在母線上與其它母線附著電流傳感器的區(qū)域鄰近的區(qū)域。
作為磁屏蔽，例如，可以在金屬母線上設(shè)置絕緣涂層，在其上還可以提供包括鎳的涂層，例如，作為涂料。
或者，也可以將磁屏蔽薄板包裹在母線周圍以作為磁屏蔽，此薄板為利用PET膜層壓而成的高磁導(dǎo)率的磁材料薄板。
優(yōu)選地，所述磁屏蔽的金屬部分與諸如地電位的固定電位相連。
于是，無(wú)需使用吸引磁通量的磁芯，就可得到高精度的磁傳感器，由此可以抑制磁干擾，并且，由于減小了所述電流檢測(cè)裝置的安裝空間，也提高了靈活性。
<第二實(shí)施例>
圖6示出了第二實(shí)施例中電流檢測(cè)部分的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D6，兩個(gè)電流傳感器51和52被設(shè)置于母線50上。這樣的雙結(jié)構(gòu)使得在電流傳感器故障的情況下，能更容易地確定正常和異常。例如，可以采用這種雙結(jié)構(gòu)，以控制需要高可靠性的機(jī)載電機(jī)。
圖7示出了雙結(jié)構(gòu)的第一變型。
參照?qǐng)D7，在母線54上，電流傳感器55和56在母線54的寬度方向相鄰布置。當(dāng)母線較寬時(shí)，可以利用電流傳感器的這種布置實(shí)現(xiàn)所述雙結(jié)構(gòu)。
圖8示出了所述雙結(jié)構(gòu)布置的第二變型。
參照?qǐng)D8，電流傳感器61被布置在母線60的頂面，而電流傳感器62被布置在母線60的底面。
圖9為橫截圖，示出了圖8所示電流傳感器附著部分的橫截面。
參照?qǐng)D9，在母線60的頂面，布置了具有安裝在基片63上的無(wú)芯電流傳感器64的電流傳感器61。在母線60的底面，布置了具有安裝在基片65上的無(wú)芯電流傳感器66的電流傳感器62。
圖10示出了一個(gè)示例性的采用圖8所示結(jié)構(gòu)的電流檢測(cè)部分。
參照?qǐng)D10，電流傳感器71被布置在母線BU的頂面，而電流傳感器72被布置在母線BU的底面。電流傳感器73被布置在母線BW的頂面，而電流傳感器74被布置在母線BW的底面。
在逆變器控制三相AC電機(jī)的情況下，電流傳感器可以不被提供給母線BV，由于U相、V相及W相的電流總和為0，從而，當(dāng)所述電流傳感器被提供給U相和W相時(shí)，可以通過(guò)操作獲得V相電流。
可以在母線BV鄰近電流傳感器的區(qū)域提供磁屏蔽。盡管圖10示出了將磁屏蔽部分地提供給母線BV的例子，但所述磁屏蔽可以被完全地提供給母線BV。
以這種方式提供所述屏蔽，可以防止由流過(guò)母線BV的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)影響附著于鄰近母線的電流傳感器。
<第三實(shí)施例>
圖11為示圖，用于描述第三實(shí)施例。
參照?qǐng)D11，電流檢測(cè)部分A2具有置于母線76頂面的電流傳感器80，以及置于母線76底面的電流傳感器81。與圖2和圖10中所示將磁屏蔽布置于鄰近母線處以防止磁干擾的例子相比，無(wú)需為與母線76鄰近的母線78提供磁屏蔽，就可以抑制磁干擾。
圖12示出了所述第三實(shí)施例的第二布置的例子。
參照?qǐng)D12，電流檢測(cè)部分A3具有置于母線76A頂面的電流傳感器80A，以及置于母線76A底面的電流傳感器81A。
圖13示出了磁場(chǎng)，用于描述對(duì)磁干擾的抑制。
圖13示出了電流傳感器附著部分處的母線的橫截面。此時(shí)，在母線76A中，電流向前方向(紙外方向)流動(dòng)。此時(shí)，在母線78A中，電流向相對(duì)于圖的表面更深的方向(紙內(nèi)方向)流動(dòng)。
電流傳感器80A和81A內(nèi)部的箭頭指示所述傳感器測(cè)量磁場(chǎng)時(shí)的正向。
此時(shí)，測(cè)量的磁場(chǎng)76A作為在電流傳感器80A的正輸出被檢測(cè)。測(cè)量的磁場(chǎng)76A作為在電流傳感器81A的負(fù)輸出被檢測(cè)。
另一方面，因流過(guò)母線78A的電流所引起的噪聲分量的磁場(chǎng)78A0作為在電流傳感器80A的正輸出被檢測(cè)。因流過(guò)母線78A的電流所引起的噪聲分量的磁場(chǎng)78A1也作為在電流傳感器81A的正輸出被檢測(cè)。
圖14為示圖，用于描述抑制磁干擾的過(guò)程。
參照?qǐng)D13和圖14，波形W1和W2分別為在電流傳感器80A和81A處根據(jù)母線76A中的電流所測(cè)量到的磁波形。波形N1和N2分別為在電流傳感器80A和81A處檢測(cè)到的噪聲分量的磁場(chǎng)78A0和78A1的波形。電流傳感器80A和81A被提供以測(cè)量由流過(guò)母線76A的電流所產(chǎn)生的目標(biāo)磁場(chǎng)。另一方面，布置電流傳感器80A和81A，使得其對(duì)于測(cè)量磁場(chǎng)和所述目標(biāo)磁場(chǎng)時(shí)的正向成相反關(guān)系。
于是，電流傳感器80A和81A以關(guān)于鄰近母線的影響的相反極性來(lái)檢測(cè)所述目標(biāo)磁場(chǎng)。然后，通過(guò)減去電流傳感器80A的輸出與電流傳感器81A的輸出之間的差，來(lái)消除所述噪聲，并且僅有目標(biāo)磁場(chǎng)被提取和觀察。利用所述兩個(gè)傳感器，還可以增加信號(hào)的增益。需要注意的是，當(dāng)信號(hào)的增益過(guò)大時(shí)，可通過(guò)將其輸入到圖1所示的微型計(jì)算機(jī)20并隨后將其量值減半，來(lái)進(jìn)行操作處理。
實(shí)際上，兩個(gè)傳感器之間的噪聲分量并不相同，這是因?yàn)檫@兩個(gè)傳感器被安裝于母線的頂部和底部；與鄰近母線之間的距離可能不同；或者所述母線被外殼覆蓋。因此，在傳感器被裝配在實(shí)際布置中的狀態(tài)下，需要使得電流向各相流動(dòng)，以得知流過(guò)其它相的電流的影響程度，并獨(dú)立地對(duì)來(lái)自兩個(gè)裝配的電流傳感器的輸出用α、β進(jìn)行加權(quán)。
操作部分82和84根據(jù)噪聲的量值對(duì)傳感器的輸出進(jìn)行α、β加權(quán)操作。通過(guò)讀取所述輸出并在減法部分86減去操作部分82和84之間的差，可得到波形W3，從而正好消除了噪聲分量。
需要注意的是，圖13中電流傳感器81A測(cè)量磁場(chǎng)時(shí)的檢測(cè)方向可以反轉(zhuǎn)。在這種情況下，通過(guò)將減法部分86替換為加法部分，即可獲得相同的效果。
可被作為噪聲消除的其它可能的噪聲分量可以是地磁等。
<第四實(shí)施例>
圖15示出了第四實(shí)施例的電流檢測(cè)部分的結(jié)構(gòu)。
在圖15中，主板(main board)90，電流傳感器板94、100、106和112均為剛性基片。所述剛性基片由彈性基片92、98、104和110相連接。無(wú)芯電流傳感器96安裝在電流傳感器板94上，而無(wú)芯電流傳感器102安裝在電流傳感器板100上。
無(wú)芯電流傳感器108安裝在電流傳感器板106上，而無(wú)芯電流傳感器114安裝在電流傳感器板112上。
于是，在附著于所述母線之前，所述電流傳感器板預(yù)先通過(guò)彈性基片相互連接。
圖16示出了電流檢測(cè)部分附著于母線的狀態(tài)。
參照?qǐng)D16，電流傳感器板94和100附著于母線120的兩側(cè)，并通過(guò)彈性基片98相連接。
圖1所示的微型計(jì)算機(jī)20安裝在主板90上，從所述電流傳感器到微型計(jì)算機(jī)20的信號(hào)通過(guò)在彈性基片上形成的互連線傳送。
于是，通過(guò)如圖15所示預(yù)先連接所述彈性板和所述剛性板，以及連接所述電流傳感器板和所述主板，所述彈性基片98可用于促進(jìn)附著于所述母線。
圖17示出了電流傳感器被布置在一側(cè)的示例性情況。
參照?qǐng)D17，無(wú)芯電流傳感器136、142和148分別安裝在電流傳感器板134、140和146上。對(duì)于主板130，電流傳感結(jié)果從電流傳感器板134、140和146的每一個(gè)傳送。所述電流傳感器板和主板130由彈性基片132、138和144連接。彈性基片包括用于傳送所述電流傳感結(jié)果或向所述傳感器供電的互連線。
通過(guò)在安裝到母線上之前預(yù)先連接所述主板和所述電流傳感器板，可以省去將所述電流檢測(cè)裝置裝配到所述母線的工作。
盡管對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述和說(shuō)明，但可以清楚地理解，這僅用于說(shuō)明和舉例，而非限制的目的，本發(fā)明的精神和范圍僅由所附權(quán)利要求的權(quán)項(xiàng)所限定。
權(quán)利要求
1.一種電流檢測(cè)裝置，包括多條母線，每一條均用于通過(guò)電流；電流傳感器，用于傳感所述多條母線中的第一母線附近的磁場(chǎng)，以檢測(cè)流過(guò)所述第一母線的電流；以及磁屏蔽，被提供給所述多條母線中的第二母線，所述第二母線被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述電流傳感器的磁干擾的位置，從而減小其對(duì)所述電流傳感器的磁干擾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括處理部分，用于接收所述電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)相應(yīng)母線的電流值；以及有彈性的彈性基片，其具有用于電連接所述處理部分和所述電流傳感器的互連線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電流檢測(cè)裝置，其中，所述電流傳感器為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
4.一種電流檢測(cè)裝置，包括多條母線，每一條均用于通過(guò)電流，所述多條母線中的至少一部分被并行布置；以及多個(gè)電流傳感器，分別被安排給所述多條母線，其中，所述多個(gè)電流傳感器被布置于沿著所述多條母線中并行布置部分的交替錯(cuò)位位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的電流檢測(cè)裝置，其中，所述多個(gè)電流傳感器中的每一個(gè)傳感相應(yīng)母線附近的磁場(chǎng)，以檢測(cè)流過(guò)所述相應(yīng)母線的電流，并且所述電流檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括多個(gè)磁屏蔽，其被分別安排給所述多條母線的每一條，以減小對(duì)布置在鄰近母線的電流傳感器的磁干擾。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電流檢測(cè)裝置，其中，所述多個(gè)磁屏蔽被布置于沿著所述多條母線中并行布置部分的交替錯(cuò)位位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括處理部分，用于接收所述電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)相應(yīng)母線的電流值；以及有彈性的彈性基片，其具有用于電連接所述處理部分和所述電流傳感器的互連線。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的電流檢測(cè)裝置，其中，所述電流傳感器為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
9.一種電流檢測(cè)裝置，其包括第一母線，用于通過(guò)電流；多個(gè)電流傳感器，其被安排給所述第一母線；以及處理部分，用于接收所述多個(gè)電流傳感器的輸出，以傳感流過(guò)所述第一母線的電流值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的電流檢測(cè)裝置，其中，所述第一母線為板狀形狀，并且其中，所述多個(gè)電流傳感器包括用于傳感所述第一母線附近的磁場(chǎng)的第一和第二磁場(chǎng)傳感器，所述第一磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的頂面，而所述第二磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的底面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括操作部分，用于接收所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的輸出，并進(jìn)行消除噪聲的處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括第二母線，其被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾的位置；以及，磁屏蔽，其被提供給所述第二母線，以減少對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的電流檢測(cè)裝置，其中，所述第一母線為板狀形狀，并且其中，所述多個(gè)電流傳感器包括用于傳感所述第一母線附近的磁場(chǎng)的第一和第二磁場(chǎng)傳感器，所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器被布置于所述第一母線的同一表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括第二母線，其被布置在可導(dǎo)致對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾的位置；以及，磁屏蔽，其被提供給所述第二母線，以減少對(duì)所述第一和第二磁場(chǎng)傳感器的磁干擾。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的電流檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括有彈性的彈性基片，其具有用于電連接所述處理部分和所述多個(gè)電流傳感器的互連線。
16.根據(jù)權(quán)利要求9的電流檢測(cè)裝置，其中，所述電流傳感器的每一個(gè)均為無(wú)芯型電流傳感器，其無(wú)需使用磁芯即可進(jìn)行電流傳感。
全文摘要
電流檢測(cè)部分A包括附著于母線BU的磁屏蔽，附著于母線BV的磁屏蔽，以及附著于母線BW的磁屏蔽。在并行布置的母線BV、BU和BW上，電流傳感器SU、SV和SW被布置于沿著每一條母線的交替錯(cuò)位位置。所述磁屏蔽也被布置于沿著每一條母線的交替錯(cuò)位位置。所述磁屏蔽和所述電流傳感器的這種布置被稱為交錯(cuò)布置，從而可以避免來(lái)自鄰近母線的對(duì)電流傳感器的磁干擾。
文檔編號(hào)H02P6/16GK1761114SQ200510109250
公開(kāi)日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2005年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月15日
發(fā)明者冢本信夫 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車株式會(huì)社