專利名稱：消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電氣技術(shù)領(lǐng)域的裝置，具體是一種消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
目前消弧線圈系統(tǒng)的阻尼電阻起到限制串聯(lián)諧振的作用，在電網(wǎng)正常運(yùn)行時(shí)阻尼電阻必須接在回路中起到阻尼作用，單相接地故障發(fā)生時(shí)，阻尼電阻必須短接保護(hù)，否則不但增加了接地殘流，而且由于阻尼電阻的通流能力小被燒毀造成事故，所以阻尼電阻的保護(hù)對(duì)于電網(wǎng)的可靠運(yùn)行起到重要作用。傳統(tǒng)的阻尼電阻保護(hù)技術(shù)是通過(guò)接觸器或者真空開(kāi)關(guān)進(jìn)行保護(hù)，單相接地故障發(fā)生時(shí)，通過(guò)中性點(diǎn)電壓或者中點(diǎn)電流的升高觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作，控制接觸器或者真空開(kāi)關(guān)動(dòng)作將阻尼電阻短接。
傳統(tǒng)保護(hù)裝置由于電源供電的存在，使得阻尼電阻箱內(nèi)高壓部分和低壓部分沒(méi)有做到隔離，一旦保護(hù)不能夠及時(shí)動(dòng)作，高壓串到電源側(cè)將釀成較大的事故。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，使其保護(hù)速度快、不需要電源也不需要控制，通過(guò)自觸發(fā)方式啟動(dòng)保護(hù)動(dòng)作，沒(méi)有機(jī)械部分，可靠性極高。
本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型包括第一級(jí)保護(hù)可控硅T1、第二級(jí)保護(hù)可控硅T2、觸發(fā)電流控制電阻R1～R4、電流互感器TA、阻尼電阻R。阻尼電阻R連接在消弧線圈的未端X和地之間，第一級(jí)保護(hù)可控硅T1并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R1、R2連接在第一級(jí)保護(hù)可控硅T1觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；第二級(jí)保護(hù)可控硅T2并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R3、R4連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；電流互感器TA串聯(lián)在阻尼電阻R上。
所述的可控硅T1和T2可以是兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)組成或者是雙向可控硅組成。
所述的觸發(fā)電流控制電阻R1～R4，也可以是壓敏電阻，用于控制觸發(fā)可控硅啟動(dòng)電流。
所述的第二級(jí)保護(hù)可控硅T2，或者并聯(lián)在阻尼電阻R和電流互感器TA串聯(lián)后的兩端。
所述的觸發(fā)電流控制電阻R3、R4，或者連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R串聯(lián)電流互感器TA后的兩端。
所述的電流互感器TA，用于檢測(cè)電流和指示第一級(jí)可控硅T1保護(hù)故障，提供故障報(bào)警信號(hào)。
本實(shí)用新型采用消弧線圈阻尼電阻的一級(jí)可控硅保護(hù)或者兩級(jí)備用保護(hù)，不需要外界提供任何電源，利用阻尼電阻兩端電壓在電網(wǎng)單相接地故障時(shí)的升高進(jìn)行自啟動(dòng)觸發(fā)，并且觸發(fā)電阻的選擇確定了兩個(gè)不同的保護(hù)整定值，使第一級(jí)可控硅保護(hù)發(fā)生故障時(shí)立刻啟動(dòng)第二級(jí)可控硅保護(hù)動(dòng)作，并且通過(guò)串聯(lián)在阻尼電阻上的電流互感器TA提供故障報(bào)警信號(hào)。和傳統(tǒng)的消弧線圈阻尼電阻接觸器保護(hù)相比，不但動(dòng)作速度快，沒(méi)有機(jī)械動(dòng)作，而且不需要電壓引入，做到高、低壓完全隔離，可靠性和性價(jià)比都具有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，具有極高的應(yīng)用價(jià)值。本實(shí)用新型單獨(dú)用于消弧線圈阻尼電阻保護(hù)或者和傳統(tǒng)的機(jī)械保護(hù)裝置合并使用。


圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型包括第一級(jí)保護(hù)可控硅T1、第二級(jí)保護(hù)可控硅T2、觸發(fā)電流控制電阻R1～R4、電流互感器TA、阻尼電阻R。阻尼電阻R連接在消弧線圈的未端X和地之間，第一級(jí)保護(hù)可控硅T1并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R1、R2連接在第一級(jí)保護(hù)可控硅T1觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；第二級(jí)保護(hù)可控硅T2并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R3、R4連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；電流互感器TA串聯(lián)在阻尼電阻R上。
所述的可控硅T1和T2可以是兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)組成或者是雙向可控硅組成。所述的觸發(fā)電流控制電阻R1～R4，也可以是壓敏電阻，用于控制觸發(fā)可控硅啟動(dòng)電流。所述的第二級(jí)保護(hù)可控硅T2，或者并聯(lián)在阻尼電阻R和電流互感器TA串聯(lián)后的兩端。所述的觸發(fā)電流控制電阻R3、R4，或者連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R串聯(lián)電流互感器TA后的兩端。所述的電流互感器TA，用于檢測(cè)電流和指示第一級(jí)可控硅T1保護(hù)故障，提供故障報(bào)警信號(hào)。
電網(wǎng)正常運(yùn)行時(shí)，由于中性點(diǎn)電壓較低，阻尼電阻流過(guò)的電流較小，在阻尼電阻兩端產(chǎn)生的電壓降Ur較小，可控硅觸發(fā)電流近似等于Ur/R1，整定該電流在系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)不足以觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，此時(shí)阻尼電阻接在回路中起到阻尼作用，當(dāng)單相接地故障發(fā)生時(shí)，中性點(diǎn)電壓較高，選定的觸發(fā)電阻R1、R2使得在整定值U1時(shí)能夠觸發(fā)第一級(jí)可控硅T1導(dǎo)通，阻尼電阻被可控硅T1短接保護(hù)，可控硅動(dòng)作速度遠(yuǎn)高于接觸器保護(hù)的機(jī)械動(dòng)作速度，該實(shí)用新型巧妙利用阻尼電阻自身的電壓升高提供觸發(fā)電壓，不需要從變電站電源引入，系統(tǒng)安全可靠。由于沒(méi)有任何電源引入，因此和接觸器保護(hù)比較，真正做到高、低壓隔離，杜絕了造成事故的隱患。另外，本實(shí)用新型還有一套備用保護(hù)，如果某種原因使得第一級(jí)可控硅T1保護(hù)不能夠動(dòng)作，這時(shí)選定的觸發(fā)電阻R3、R4使得在整定值U2時(shí)觸發(fā)第二級(jí)可控硅T2進(jìn)行備用保護(hù)，同時(shí)由于第二級(jí)保護(hù)也同時(shí)短接了電流互感器TA，電流互感器TA沒(méi)有檢測(cè)到電流，將為第一級(jí)可控硅保護(hù)故障報(bào)警提供信號(hào)，同時(shí)第二級(jí)可控硅T2還對(duì)阻尼電阻進(jìn)行了保護(hù)，系統(tǒng)仍然能夠保障可靠運(yùn)行。
權(quán)利要求1.一種消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，包括電流互感器TA、阻尼電阻R，其特征在于，還包括第一級(jí)保護(hù)可控硅T1、第二級(jí)保護(hù)可控硅T2、觸發(fā)電流控制電阻R1～R4，阻尼電阻R連接在消弧線圈的未端X和地之間，第一級(jí)保護(hù)可控硅T1并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R1、R2連接在第一級(jí)保護(hù)可控硅T1觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；第二級(jí)保護(hù)可控硅T2并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R3、R4連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；電流互感器TA串聯(lián)在阻尼電阻R上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，其特征是，所述的可控硅T1和T2，是兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)組成或者是雙向可控硅組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，其特征是，所述的第二級(jí)保護(hù)可控硅T2，或者并聯(lián)在阻尼電阻R和電流互感器TA串聯(lián)后的兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，其特征是，所述的觸發(fā)電流控制電阻R1～R4，或者是壓敏電阻，用于控制觸發(fā)可控硅啟動(dòng)電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，其特征是，所述的觸發(fā)電流控制電阻R3、R4，或者連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R串聯(lián)電流互感器TA后的兩端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，其特征是，所述的電流互感器TA，用于檢測(cè)電流和指示第一級(jí)可控硅T1保護(hù)故障，提供故障報(bào)警信號(hào)。
專利摘要一種用于電氣技術(shù)領(lǐng)域的消弧線圈阻尼電阻可控硅保護(hù)裝置，包括第一級(jí)保護(hù)可控硅T1、第二級(jí)保護(hù)可控硅T2、觸發(fā)電流控制電阻R1～R4、電流互感器TA、阻尼電阻R，其特征在于，阻尼電阻R連接在消弧線圈的未端X和地之間，第一級(jí)保護(hù)可控硅T1并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R1、R2連接在第一級(jí)保護(hù)可控硅T1觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；第二級(jí)保護(hù)可控硅T2并聯(lián)在阻尼電阻R兩端，觸發(fā)電流控制電阻R3、R4連接在第二級(jí)保護(hù)可控硅T2觸發(fā)端和阻尼電阻R兩端；電流互感器TA串聯(lián)在阻尼電阻R上。本實(shí)用新型不但動(dòng)作速度快，沒(méi)有機(jī)械動(dòng)作，而且不需要電壓引入，做到高、低壓完全隔離，可靠性和性價(jià)比都具有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，具有極高的應(yīng)用價(jià)值。
文檔編號(hào)H02H3/16GK2814753SQ20052004383
公開(kāi)日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2005年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月28日
發(fā)明者楊小強(qiáng), 王建忠 申請(qǐng)人:上海思源電氣股份有限公司