專利名稱：沖擊高壓線路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種沖擊高壓線路，尤其是一種用于匝間沖擊測試儀的沖擊高壓線路。
背景技術(shù)：
目前匝間沖擊測試儀的高壓發(fā)生電路，一般采用二種方法，第一種方法是采用高壓變壓器，把工頻直接變換為所需的高壓電，通過調(diào)壓器進(jìn)行調(diào)正，再經(jīng)整流變成所需的直流電壓。第二種方法是采用半橋式脈沖寬度調(diào)制開關(guān)穩(wěn)壓電源電路，產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的直流高電壓，此高電壓直接用于沖擊測試。以上二種方法對產(chǎn)生穩(wěn)定的高電壓都有一定的困難，所以影響了測試精度。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中高電壓不穩(wěn)定的缺點而提供一種具有穩(wěn)定高電壓從而使匝間沖擊測試儀的測試精度有很大提高的沖擊高壓線路。
本實用新型的目的是按如下的方式來實現(xiàn)的本實用新型所述的沖擊高壓線路，包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發(fā)電路、可控硅輸出電路，半橋式直流高壓變換電路經(jīng)電阻R與電容C線連接，電容C的一端與可控硅輸出電路相連接并與分壓電路相連接，電容C的另一端與地相連接；分壓電路與比較電路和半橋直流高壓變換電路連接接，分壓電路由來自單片機(jī)的信號P1-P8控制，半橋式直流高壓變換電路與比較電路相聯(lián)接，比較電路與可編程邏輯器件相連接，可編程邏輯器件與觸發(fā)電路和半橋式直流高壓變換電路相連接，觸發(fā)電路與可控硅輸出電路相聯(lián)接。
本實用新型所述的沖擊高壓線路，其工作過程如下半橋式直流高壓變換產(chǎn)生直流高壓，直流高壓通過電阻R對電容C進(jìn)行充電，并通過分壓后反饋到半橋式直流高壓變換，通過單片機(jī)發(fā)出的P1～P8信號，對分壓電路進(jìn)行控制，改變電壓的分壓比，從而控制了電容C上的直流高電壓，當(dāng)單片機(jī)發(fā)出啟動信號Pc，信號經(jīng)編程邏輯器件，并發(fā)出脈沖信號關(guān)閉半橋式直流高壓變換，半橋式直流高壓變換停止工作，電容C上的電壓下降，經(jīng)分壓電路后的Vm也隨之下降，Ve是來自半橋式直流高壓變換中穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，與Vm一同到比較電路，當(dāng)Vm與Ve相同時，比較電路發(fā)出信號到可編程邏輯器件，此時可編程邏輯器件發(fā)出信號，通過觸發(fā)電路觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，并同時啟動AD取樣。
本實用新型的積極效果如下在上述工作中，由于觸發(fā)可控硅時的C上電壓的穩(wěn)定度是決定于Ve，并且是在半橋式直流高壓變換在停止工作時觸發(fā)的，此時噪聲很小，所以此電路大大的提高了測試儀的精度。


圖1是本實用新型電路方框圖。
圖2是本實用新型半橋式直流高壓變換電路示意圖。
圖3是本實用新型比較電路示意圖。
圖4是本實用新型可編程邏輯器件電路示意圖。
圖5是本實用新型分壓電路示意圖。
圖6是本實用新型觸發(fā)電路示意圖。
圖7A、圖7B是本實用新型可控硅輸出電路示意圖。
圖1中1為半橋式直流高壓變換電路 2為比較電路3為可編程邏輯器件分壓電路 4為分壓電路5為觸發(fā)電路 6為可控硅輸出電路具體實施方式
如圖1所示，本實用新型所述的沖擊高壓線路，包括半橋式直流高壓變換電路1、比較電路2、可編程邏輯器件3、分壓電路4、觸發(fā)電路5、可控硅輸出電路6，半橋式直流高壓變換電路1經(jīng)電阻R與電容C線連接，電容C的一端與可控硅輸出電路6相連接并與分壓電路4相連接，電容C的另一端與地相連接；分壓電路4與比較電路2和半橋直流高壓變換電路1連接接，分壓電路4由來自單片機(jī)的信號P1-P8控制，半橋式直流高壓變換電路1與比較電路2相聯(lián)接，比較電路2與可編程邏輯器件3相連接，可編程邏輯器件3與觸發(fā)電路5和半橋式直流高壓變換電路1相連接，觸發(fā)電路5與可控硅輸出電路6相聯(lián)接。
如圖2所示，所述的半橋式直流高壓變換電路由集成電路U2(SG3525)產(chǎn)生調(diào)寬脈沖，脈沖的寬度是根據(jù)基準(zhǔn)電壓Ve與輸出反饋電壓Vm決定的，使輸出電壓Vh在規(guī)定值內(nèi)，調(diào)寬脈沖經(jīng)耦合變壓器T1、功率管BG1、BG2到高壓變壓器T2，輸出高電壓經(jīng)電阻R9，對電容C11、C12進(jìn)行充電，充電電壓Vh經(jīng)分壓電路反饋到Inv、iN，其特征在于可編程邏輯器件3有一信號SPR到集成電路U2的S-DOWN端，可控制半橋式直流高壓變換工作或停止工作；Ve為一穩(wěn)定電壓，也可來自U2的Vre。
如圖3所示，所述的比較電路由IC21、IC22、IC23相互連接而成，其IC22作為比較器，其一組信號來于Vm，另一組信號來于Ve，Ve通過R12、R13的分壓到IC22。
如圖4所示，可編程邏輯電路是由GAL16V8D組成，主要作用是單片機(jī)發(fā)出觸發(fā)信號SCRi后，該電路發(fā)出SPR信號關(guān)閉半橋式直流高壓變換中的集成電路U2，當(dāng)收到來自比較電路的信號PB，該電路發(fā)出SCRO信號觸發(fā)可控硅，該電路同時啟動AD工作。
如圖5所示，所述的分壓電路，高電壓Vh經(jīng)R31、R32到由多組電阻并聯(lián)而成的電阻網(wǎng)上，產(chǎn)生分壓為Vm，MOS管GB3～GB10，可以控制每只并聯(lián)電阻的導(dǎo)通與截止，即改變總并聯(lián)電阻值，并聯(lián)電阻阻值為R18＝2R16、R20＝2R18、R22＝2R20、R24＝2R22、R26＝2R24、R28＝2R26、R30＝2R28，P1～P8信號來自單片機(jī)可控制總并聯(lián)電阻值，從而控制了Vh的電壓值。
如圖6所示，所述的觸發(fā)電路由推動集成塊IC51、電阻R33、電容C22、二極管D3、變壓器T3組成，觸發(fā)脈沖推動T3初級，當(dāng)有多組可控硅串聯(lián)時，次級由多組組成，分別推動可控硅。
如圖7A、圖7B所示，可控硅輸出電路，根據(jù)不同的測試由多只可控硅串聯(lián)或并聯(lián)組成，每只可控硅并上一只電阻，使其反向電壓均勻，經(jīng)二極管D4后到被測線圈，經(jīng)二極管D5后到一電感。
以上所述是本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型技術(shù)方案所做的改變，所產(chǎn)生的功能未超出本實用新型技術(shù)方案范圍時，均屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于匝間沖擊測試儀的沖擊高壓線路，其特征在于所述沖擊高壓線路包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發(fā)電路、可控硅輸出電路，半橋式直流高壓變換經(jīng)電阻R與電容C線連接，電容C一端與可控硅電路相連接并與分壓電路相連接，分壓電路與比較電路與半橋直流高壓變換連接，分壓電路由來自單片機(jī)的信號控制，比較電路與可編程邏輯器件相連，比較電路與分壓電路相聯(lián)接，可編程邏輯器件與觸發(fā)電路相連接，觸發(fā)電路與可控硅相聯(lián)接。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的沖擊高壓線路，其特征在于半橋式直流高壓變換電路中集成U2的S-DOWN端，與可編程邏輯器件信號線SPR相連接。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的沖擊高壓線路，其特征在于所述的比較電路由IC21、IC22、IC23相互連接而成。
4.根據(jù)權(quán)利1所述的沖擊高壓線路，其特征在于所述的分壓電路，由多組電阻R16、R18、R20、R22、R24、R26、R28、R30并聯(lián)組成，并串上電阻R31、R32，每只并聯(lián)電阻串有BG3～BG10。
5.根據(jù)權(quán)利4所述的沖擊高壓線路，其特征在于所述的BG3、BG4、BG5、BG6、BG7、BG8、BG9、BG10，均為VMOS晶體管，分別由來自單片機(jī)的信號P1～P8控制。
專利摘要本實用新型涉及一種沖擊高壓線路，尤其是一種用于匝間沖擊測試儀的沖擊高壓線路。所述沖擊高壓線路包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發(fā)電路、可控硅輸出電路，半橋式直流高壓變換經(jīng)電阻R與電容C線連接，電容C一端與可控硅電路相連接并與分壓電路相連接。分壓電路與比較電路與半橋直流高壓變換連接。分壓電路由來自單片機(jī)的信號控制。比較電路與可編程邏輯器件相連。比較電路與分壓電路相聯(lián)接。可編程邏輯器件與觸發(fā)電路相連接。觸發(fā)電路與可控硅相聯(lián)接。本實用新型具有穩(wěn)定高電壓，從而使匝間沖擊測試儀的測試精度有很大提高。
文檔編號H02M3/04GK2891471SQ200520044219
公開日2007年4月18日 申請日期2005年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月11日
發(fā)明者竺香松, 竺北康, 吳啟連, 徐新松 申請人:上海滬光電子控制設(shè)備廠