專(zhuān)利名稱(chēng)：開(kāi)關(guān)電路和控制斷路器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種開(kāi)關(guān)電路，特別涉及這種開(kāi)關(guān)電路在低壓設(shè)備的開(kāi)關(guān)裝 置中的應(yīng)用。此外，本發(fā)明還涉及一種控制至少一個(gè)斷路器的方法，所述斷 路器用于通斷負(fù)載，特別是電感性負(fù)載。
背景技術(shù)：
低壓設(shè)備中的理想開(kāi)關(guān)裝置是除正常通斷功能外，在使用斷路器的情況 下還能斷開(kāi)短路的開(kāi)關(guān)設(shè)備。由于短路隨時(shí)都有可能出現(xiàn)，需要盡快地對(duì)其 加以限制和/或斷開(kāi)，因此，如果不采取預(yù)先限制措施，下一次電流過(guò)零時(shí)就 無(wú)法有效斷開(kāi)短路。確切地說(shuō)是必須直接進(jìn)行至少一次的限流。
在機(jī)械式開(kāi)關(guān)設(shè)備中， 一般情況下是通過(guò)開(kāi)關(guān)電弧產(chǎn)生具有限流作用的 反電壓。在滅弧室采取相應(yīng)設(shè)計(jì)(冷卻)的情況下，電弧在下一次電流過(guò)零 時(shí)熄滅。在不具有機(jī)械式常開(kāi)觸點(diǎn)的電子開(kāi)關(guān)設(shè)備中，不存在這種開(kāi)關(guān)電弧。 只有在可以消耗掉儲(chǔ)存在電感中的能量的情況下，才能立即切斷電流。盡管 短路情況下負(fù)載的電感并不發(fā)生作用，但電源的電感中仍儲(chǔ)存有大量能量。 此時(shí)若迅速切斷電流，就會(huì)引起很高的過(guò)壓，從而導(dǎo)致斷路器受損。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種特別適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)電路和一種特別適合用來(lái)控 制至少一個(gè)斷路器的方法，其中，所述斷路器用于通斷負(fù)載。
根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電路，通過(guò)權(quán)利要求1的特征而實(shí)現(xiàn)。權(quán)利要求1的 從屬權(quán)利要求涉及的是有利的改進(jìn)方案和實(shí)施方案。
本發(fā)明基于這樣一種考慮盡管用變阻器(即隨電壓變化的電阻器)或 RC電路可以限制過(guò)壓，但通過(guò)所謂的"箝位"，即將功率半導(dǎo)體正好控制成 電壓仍低于最大極限值的狀態(tài)，也可達(dá)到限制過(guò)壓的目的。但在此情況下， 儲(chǔ)存在功率半導(dǎo)體中的能量會(huì)被轉(zhuǎn)化，成為功率半導(dǎo)體的額外負(fù)荷。
因此，本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)用于通斷負(fù)載的斷路器。 其中的"負(fù)載"主要指電感性負(fù)載，例如線圈、電動(dòng)機(jī)或?qū)Ь€電感。由于通也可有利地應(yīng)用于這類(lèi)負(fù)載。
開(kāi)關(guān)電路還具有一個(gè)電阻器，原則上最好為歐姆電阻器，因此，實(shí)際電 阻的寄生電感可忽略不計(jì)。
此外，開(kāi)關(guān)電路還具有一個(gè)晶閘管或一個(gè)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)。這些半 導(dǎo)體器件的特征在于，其必須借助柵極電壓觸發(fā)，被觸發(fā)后會(huì)自動(dòng)保持導(dǎo)通 狀態(tài)。
因此，開(kāi)關(guān)電路具有一種構(gòu)件，用于根據(jù)所述至少一個(gè)斷路器上的電壓 降對(duì)晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)進(jìn)行觸發(fā)。為此，所述構(gòu)件與斷路器以及 晶閘管的柵極或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的柵極有效相連。這種構(gòu)件優(yōu)選是與上 述柵極和斷路器相連的 一個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)電子元件。
在開(kāi)關(guān)電路中，電阻器和晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)以跨接所述至少
一個(gè)斷路器的連接方式連接。"跨接"指的是根據(jù)斷路器和晶閘管或三端 雙向可控硅開(kāi)關(guān)的特定開(kāi)關(guān)狀態(tài)，電流可流經(jīng)斷路器或晶閘管或三端雙向可 控硅開(kāi)關(guān)。
根據(jù)一種有利的實(shí)施方案，所述至少一個(gè)斷路器與電感性負(fù)載直接相 連。根據(jù)另一種有利建構(gòu)方案，開(kāi)關(guān)電路建構(gòu)成既可通斷交流電的正半波， 也可通斷交流電的負(fù)半波。
根據(jù)一種有利的進(jìn)一步的特征，所述斷路器與 一個(gè)控制邏輯電路相連。 舉例而言，控制邏輯電路可以是必要時(shí)均配有驅(qū)動(dòng)元件的門(mén)邏輯電路、樣丈控 制器或?qū)Ｓ瞄_(kāi)關(guān)電路(ASIC)。通過(guò)所述構(gòu)件而實(shí)現(xiàn)的晶閘管觸發(fā)或三端雙 向可控硅開(kāi)關(guān)觸發(fā)特定而言與控制邏輯電路及其控制信號(hào)無(wú)關(guān)。
為此，控制邏輯電路在短路情況下將斷開(kāi)斷路器。為此需在斷路器上施 加一個(gè)(例如)可使斷路器變成高電阻器件的電位。其中，短路情況是一種
偏離正常工作情況的故障情況，即流過(guò)斷路器的電流超過(guò)了允許的極限值。 為此，控制邏輯電路最好具有測(cè)量構(gòu)件，所述測(cè)量構(gòu)件用于測(cè)定流過(guò)斷路器 的短路電流。這種測(cè)量構(gòu)件(例如)可借助電阻器或斷路器內(nèi)阻上的電壓降 來(lái)檢測(cè)短路電 流。
斷路器合理地為一功率半導(dǎo)體。所述功率半導(dǎo)體的有利實(shí)施方案為場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(FET)或絕緣柵雙極晶體管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor。
根據(jù)一種優(yōu)選方案，電阻器與晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)串聯(lián)，因此， 電阻器與晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)直接導(dǎo)電相連。其中，可設(shè)置其他組 件，這些組件連接在電阻器或晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的端子上，特定 而言也連接在電阻器與晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)之間的連接上。
根據(jù)一種本發(fā)明的實(shí)施方案，所述構(gòu)件具有一個(gè)變阻器，所述變阻器與 晶閘管的柵極或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的柵極相連。這種隨電壓變化而發(fā)生變 化的變阻器在達(dá)到閾電壓之前一直是高電阻器件，而當(dāng)其上面的電壓超過(guò)閾 電壓后，其電阻明顯有所下降。其中，閾電壓特為所述短路情況而設(shè)定，因 此，正常工作電壓情況下，晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)不會(huì)被觸發(fā)。但當(dāng)
斷路器在短路情況下突然斷開(kāi)時(shí)，由電感引起的感應(yīng)電壓會(huì)引起一個(gè)電壓， 這個(gè)電壓既大于工作電壓，也大于閾電壓。在此情況下， 一個(gè)有效電流流過(guò) 上述壓敏變阻器，進(jìn)而流入晶閘管的柵極或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的柵極，從 而觸發(fā)晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)。
另一種有利實(shí)施方案是用雙向觸發(fā)二極管代替所述壓敏變阻器，所述雙 向觸發(fā)二極管與晶閘管的柵極或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的柵極相連。雙向觸發(fā) 二極管具有與所述壓敏變阻器相似的電氣特性，因而同樣具有觸發(fā)晶閘管的 柵極或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的柵極的功能。
根據(jù)一種優(yōu)選建構(gòu)方案，布置有至少兩個(gè)(例如)反向串聯(lián)或反向并聯(lián)的功率半導(dǎo)體，特別是兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET( Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor)或兩個(gè)絕緣柵雙極晶體管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor )。優(yōu)選情況是每個(gè)功率半導(dǎo)體的源極端 子(Source)和漏極端子(Drain)之間均連接有 一 個(gè)續(xù)流二極管 (Freilaufdiode )。這種續(xù)流二極管可以是外部二極管，也可由功率半導(dǎo)體的 p-n結(jié)(例如漏4及-體結(jié)，Drain-bulk)構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案，兩個(gè)二極管與斷路器和/或晶閘管相連，且 其相連方式使得當(dāng)晶閘管處于被觸發(fā)狀態(tài)時(shí)，電流從至少 一個(gè)二極管上流過(guò) 并且至少部分地從晶閘管上流過(guò)。這些二極管在交流電情況下具有整流作 用，因此，無(wú)論電流方向如何，短路電流都會(huì)從晶閘管上流過(guò)。
根據(jù)另一種優(yōu)選實(shí)施方案，所述電阻器的大小如此確定，使得電阻器上 的電壓降在電流最大的情況下小于所述至少一個(gè)斷路器的反向電壓。在此情 況下可以認(rèn)為，晶閘管或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(以及二極管)上的電壓降小 于電阻器上的電壓降?；蛘?，電壓降的總和起決定性作用，使其無(wú)法超過(guò)斷 路器的最大反向電壓。
本發(fā)明的另 一方面涉及上文所述的開(kāi)關(guān)電路在低壓設(shè)備的開(kāi)關(guān)裝置中 的應(yīng)用。這種低壓設(shè)備可具有(例如)三個(gè)這種類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電路，以便對(duì)三 相電流進(jìn)行控制。
根據(jù)本發(fā)明的方法，上述目的通過(guò)權(quán)利要求16的特征而達(dá)成。
所述方法用于對(duì)至少一個(gè)斷路器進(jìn)行控制，所述斷路器用于通斷電感性 負(fù)載。這種方法是先對(duì)流過(guò)斷路器的短路電流進(jìn)行檢測(cè)；隨后將所述至少 一個(gè)斷路器斷開(kāi)，從而通過(guò)斷路器上的電壓降觸發(fā)晶閘管或三端雙向可控硅 開(kāi)關(guān)，在下一次短路電流過(guò)零之前通過(guò)被觸發(fā)的晶閘管或被觸發(fā)的三端雙向 可控硅開(kāi)關(guān)跨接所述斷路器。


下面借助附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中
圖l為第一局部電路圖，表示帶有晶閘管的第一實(shí)施方案；以及
圖2為第二局部電路圖，表示帶有三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的第二實(shí)施方案。
具體實(shí)施例方式
相同組件在各附圖中均用相同參考符號(hào)表示。
圖1所示的實(shí)施例中示范性地顯示了一個(gè)電感性負(fù)載XL。其中，通過(guò)
兩個(gè)反向串聯(lián)的斷路器，形式為附圖中所示的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET ) Ml和M2,可對(duì)流過(guò)這個(gè)電感性負(fù)載XL的電流進(jìn)行通斷。電感 性負(fù)載XL與地線GND相連，MOSFET Ml與相線OC相連。如果存在多個(gè) (例如三個(gè))相線OC,可采用三個(gè)下文將要說(shuō)明的開(kāi)關(guān)電路，分別使每一電 流從相線OC經(jīng)過(guò)電感性負(fù)載Xt連接到地線GND。在本實(shí)施例中，流過(guò)電 感性負(fù)載Xt的電流為交流電(AC電源)，因而通過(guò)將兩個(gè)MOSFET Ml和 M2反向串聯(lián)，可在交流電的兩個(gè)電流方向上控制或切斷電流。為能對(duì) MOSFET Ml和M2進(jìn)行控制，MOSFET Ml和M2的柵極輸入端與控制邏 輯電^各1相連。
對(duì)于(例如)低壓設(shè)備中的開(kāi)關(guān)裝置而言，除正常通斷功能外，兩個(gè) MOSFET Ml和M2必須還能切斷短^^。圖1用 一閃電狀箭頭表示短^各。由 于短路在一個(gè)周期內(nèi)的任意時(shí)間點(diǎn)上都有可能出現(xiàn)，必須盡快地對(duì)其加以限 制和/或斷開(kāi)，因此，如果對(duì)短路電流不采取預(yù)先的限制措施，下一次電流過(guò) 零時(shí)就無(wú)法有效斷開(kāi)短路。
只有當(dāng)儲(chǔ)存在電感中的能量能被轉(zhuǎn)化的情況下，才能通過(guò)MOSFET Ml 和M2立即切斷電流。其中，電感性負(fù)載XL可理解為任何一種在短^4青況 下均能發(fā)生作用的電感，例如負(fù)載線圈的電感或電源(電網(wǎng))的電感，在本 實(shí)施例中均統(tǒng)一表示為電感性負(fù)載Xt。切斷電流的時(shí)刻，電感X^中仍儲(chǔ)存 有大量能量。若迅速切斷短路電流，就會(huì)引起很高的過(guò)壓，從而導(dǎo)致MOSFET Ml和/或M2受損。
借助于圖l所示的實(shí)施方案，可在電子開(kāi)關(guān)電路中先進(jìn)行有效限流，從 而在下一次電流過(guò)零時(shí)切斷相線OC與地線GND之間的電路。限流的實(shí)現(xiàn) 方式是主動(dòng)接入一個(gè)等效負(fù)載RL,以便對(duì)正常工作狀態(tài)下能發(fā)揮作用的 負(fù)載在短路情況下的"中止或停止"至少進(jìn)行部分補(bǔ)償。所述等效負(fù)載RL 必須能夠最長(zhǎng)在半個(gè)電網(wǎng)周期內(nèi)承載流經(jīng)其上的電流，即50Hz電網(wǎng)頻率情 況下最長(zhǎng)為10ms，因此，即使在電流強(qiáng)度有可能非常大的情況下，等效負(fù) 載RL仍只能吸收較少的能量。
圖1所示的MOSFETM1和M2分別具有一個(gè)內(nèi)置式或外置式續(xù)流二極 管DM1和DM2。如果兩個(gè)MOSFET Ml和M2均處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流就可通 過(guò)MOSFET Ml和M2以及電感性負(fù)載Xl從相幾OC流到中性線GND或第 二相線(未作圖示)中。而當(dāng)MOSFET Ml和M2處于被阻斷狀態(tài)時(shí)，電路 就會(huì)斷開(kāi)。
所述電路具有兩個(gè)二極管Dl和D2、 一個(gè)晶閘管Th、 一個(gè)等效負(fù)載RL 和一個(gè)用于晶閘管的觸發(fā)裝置，其具有元件V3和R1。這個(gè)電路整體而言可
以制成單個(gè)器件，也可通過(guò)所謂的"智能功率，，(smart power)解決方案集 成在半導(dǎo)體芯片上。
發(fā)生短路時(shí)，電流會(huì)在很短的時(shí)間內(nèi)上升到較高的值，因此，控制邏輯 電路1中的短路識(shí)別裝置會(huì)盡快斷開(kāi)兩個(gè)MOSFET Ml和M2。舉例而言， 可通過(guò)電流極限值檢測(cè)進(jìn)行短路識(shí)別，或者根據(jù)MOSFET Ml和/或M2上的 電壓升高進(jìn)行短路識(shí)別，該電壓升高是由于MOSFET Ml、 M2的飽和電流 被超過(guò)而引起的。
由于電流被迅速切斷以及電路中存在電感XL， MOSFET M1或M2中 的至少一個(gè)上會(huì)出現(xiàn)一個(gè)明顯大于通常工作電壓的高壓。這個(gè)高電壓一旦超 過(guò)觸發(fā)壓敏變阻器V3的閾電壓，觸發(fā)該壓敏變阻器V3就會(huì)變成低歐姆電 阻器，流過(guò)的電流就會(huì)觸發(fā)晶閘管Th。在此情況下，電流可進(jìn)一步流過(guò)電 阻器RL和其中一個(gè)二極管D1或D2，從而達(dá)到限制過(guò)電壓的目的。下一次 電流過(guò)零時(shí)，晶閘管Th會(huì)自動(dòng)切斷電流。
無(wú)論瞬時(shí)電源極性如何，通過(guò)兩個(gè)二4及管Dl和D2均可可靠地實(shí)現(xiàn)上 述功能。正半波(即相線OC連接在正電壓上)時(shí)，電流在保護(hù)電路激活的 情況下流過(guò)D1、 RL、 Th和續(xù)流二極管DM2;負(fù)半波時(shí)，電流流過(guò)D2、 RL、 Th和續(xù)流二極管D固。
晶閘管Th(與等效負(fù)載RL—樣)只需通較短時(shí)間的電。因此，可采用 相對(duì)較小、只需具有半個(gè)電網(wǎng)周期長(zhǎng)度的抗過(guò)載能力的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)元 件。電阻器RL的大小如此確定，使得電阻器RL在電流(此處指MOSFET Ml、 M2的飽和電流)最大的情況下所產(chǎn)生的電壓小于MOSFET Ml或M2 的反向電壓。
圖1所示的實(shí)施例中的電路可以不采用熔斷器(熔絲)，但卻能切斷短 路，因而無(wú)需觸發(fā)一個(gè)疊加斷路器。為此需設(shè)置一個(gè)針對(duì)短路電流而設(shè)計(jì)的 壓敏變阻器或針對(duì)短路電流而設(shè)計(jì)的RC元件。壓敏電阻器雖能吸收強(qiáng)度相 對(duì)較大的沖擊電流，但這種情況往往會(huì)受到限制。RC元件需要一個(gè)較大的 電容，從電感Xt中吸收能量。如果通過(guò)功率晶體管實(shí)現(xiàn)的"有源箝位"，即 將功率晶體管正好控制成電壓仍低于最大極限值的狀態(tài)，需要這些半導(dǎo)體采
取超尺寸設(shè)計(jì)。相反，主動(dòng)接入等效負(fù)載RL，則僅需要采用針對(duì)正常工作 狀態(tài)設(shè)計(jì)而成的MOSFET Ml和M2。
圖2所示的實(shí)施方式用三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)TR代替晶閘管，三端雙向 可控硅開(kāi)關(guān)TR與等效負(fù)載RL串聯(lián)，在被觸發(fā)的狀態(tài)下將兩個(gè)MOSFET Ml 和M2跨接。構(gòu)成三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)TR的觸發(fā)電路的是一個(gè)雙向觸發(fā)二 極管Di和一個(gè)(必要時(shí)才設(shè)置的)電阻器R1。其中，可用兩極的觸發(fā)電流 觸發(fā)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)TR。因此，發(fā)生短路時(shí)無(wú)論是何種瞬時(shí)電源極性， 原則上均可觸發(fā)三端雙向可控爿洼開(kāi)關(guān)TR。
權(quán)利要求
1.開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)用于通斷負(fù)載(XL)的斷路器(M1，M2)；一個(gè)電阻器(RL)；一個(gè)晶閘管(Th)或一個(gè)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)；以及復(fù)數(shù)個(gè)構(gòu)件(R1，Di，V3)，用于根據(jù)所述斷路器(M1，M2)上的電壓降對(duì)所述晶閘管(Th)或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)進(jìn)行觸發(fā)；其中，所述電阻器(RL)與所述晶閘管(Th)或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)以跨接所述至少一個(gè)斷路器(M1，M2)的連接方式彼此相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述斷路器(Ml, M2)與 控制邏輯電路(1 )相連。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述控制邏輯電路(l)建 構(gòu)成在短路情況下斷開(kāi)所述斷路器(Ml, M2)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述控制邏輯電路(1 )具 有測(cè)量構(gòu)件，所述測(cè)量構(gòu)件用于測(cè)定流過(guò)所述斷路器(Ml, M2)的短路電流o
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述斷路器是功率半導(dǎo)體 (Ml, M2)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述功率半導(dǎo)體是場(chǎng)效應(yīng) 晶 體管(Ml， M2)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述功率半導(dǎo)體是絕緣柵 雙極晶體管(IGBT )。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述電阻器(RL)與所述 晶閘管(Th)或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)串聯(lián)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述構(gòu)件包括變阻器(V3), 所述變阻器與所述晶閘管(Th)的柵極或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR) 的柵極相連。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述構(gòu)件包括一個(gè)雙向觸 發(fā)二極管(Di)，所述雙向觸發(fā)二極管與所述晶閘管(Th)的柵極或所述三 端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)的柵極相連。
11. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，設(shè)置有至少兩個(gè)功率半導(dǎo) 體(Ml, M2)，特別是兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET )或兩個(gè)絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT )。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，每個(gè)所述功率半導(dǎo)體(Ml, M2)的源極端子(Source)和漏極端子(Drain)之間均連接有一個(gè)續(xù)流二 極管(DM1， DM2)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，兩個(gè)二極管(Dl, D2) 與所述斷路器(Ml, M2)和/或所述晶閘管(Th)相連，且其相連方式使得 當(dāng)所述晶閘管(Th)處于被觸發(fā)狀態(tài)時(shí)， 一個(gè)電流從其中一個(gè)二極管(Dl， D2)上流過(guò)并至少部分地從所述晶閘管(Th)上流過(guò)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述電阻器(RL)的大小 如此確定，使得在最大電流的情況下所述電阻器(RL)上的電壓降小于至少 一個(gè)所述斷路器(Ml， M2)的反向電壓。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路在低壓設(shè)備的開(kāi)關(guān)裝置中的應(yīng)用。
16. —種控制方法，用于控制至少一個(gè)用來(lái)通斷負(fù)載(XL )的斷路器(Ml, M2),特別是功率半導(dǎo)體，其中，通過(guò)所述至少一個(gè)斷路器(Ml， M2)檢測(cè)短路電流，以及 將所述至少一個(gè)斷路器(Ml， M2)斷開(kāi)，從而通過(guò)所述斷路器(Ml, M2)上的電壓降觸發(fā)所述晶閘管(Th)或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)，使得 在所述短路電流下一次過(guò)零之前，被觸發(fā)的晶閘管(Th)或被觸發(fā)的三端雙 向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)跨接所述斷路器(Ml， M2)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種開(kāi)關(guān)電路，其具有至少一個(gè)用于通斷負(fù)載(X_L)的斷路器(M1，M2)、電阻器(RL)、晶閘管(Th)或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)和多個(gè)用于根據(jù)所述斷路器(M1，M2)上的電壓降對(duì)所述晶閘管(Th)或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)進(jìn)行觸發(fā)的構(gòu)件(R1，Di，V3)，其中，所述電阻器(RL)和所述晶閘管(Th)或所述三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)(TR)以跨接所述至少一個(gè)斷路器(M1，M2)的連接方式彼此相連。
文檔編號(hào)H02H9/04GK101199092SQ200580050134
公開(kāi)日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2005年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月13日
發(fā)明者于爾根·魯普, 克里斯琴·奧珀曼 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司