專利名稱：交流轉(zhuǎn)直流電源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種電源轉(zhuǎn)換器，特別是指一種電源轉(zhuǎn)換器的電源電路。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，其為習(xí)用電源供應(yīng)器的電路圖。如圖所示，電源供應(yīng)器用于將一線電壓(line voltage)VAC轉(zhuǎn)換為一調(diào)整電壓VZ。一整流電路10，其耦接于線電壓VAC并整流以產(chǎn)生一輸入電壓VIN。一電容11，其耦接于整流電路10而接收該輸入電壓VIN并耦接一電容15，以產(chǎn)生調(diào)整電壓VZ。一稽納二極體16，其耦接于電容15與接地端以用于調(diào)整。一電阻12，其用于對(duì)電容11放電。此種型式的電源供應(yīng)器已被廣泛應(yīng)用于家庭裝置，例如咖啡機(jī)、冷卻風(fēng)扇以及遙控器等。然而，此種形式的電源供應(yīng)器具有高功率損耗的缺點(diǎn)，特別是在輕負(fù)載與無(wú)負(fù)載狀態(tài)下。上述的電阻12與稽納二極體16會(huì)產(chǎn)生顯著的電源損耗，所以為了節(jié)省電源必須降低功率損耗。
因此，本發(fā)明即針對(duì)上述問(wèn)題而提供一種高效率的電源供應(yīng)器，以在輕負(fù)載與無(wú)負(fù)載狀態(tài)下可降低電源損耗，以有效解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種電源電路，其可降低功率損耗而節(jié)省電源，進(jìn)而提高效率。
本發(fā)明的電源電路，其包含有一輸入電晶體，輸入電晶體為一負(fù)臨界裝置并接收一電壓源；一第一電晶體，其串聯(lián)于輸入電晶體以提供一供應(yīng)電壓至電源電路的輸出端；一輸入偵測(cè)電路，其耦接于電壓源且依據(jù)電壓源的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一控制訊號(hào)；一第二電晶體，其耦接于輸入偵測(cè)電路并依據(jù)控制訊號(hào)截止輸入電晶體與第一電晶體；一輸出偵測(cè)電路，其耦接于供應(yīng)電壓并依據(jù)供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)與一第二致能訊號(hào)；一阻抗裝置，其耦接于輸入電晶體與第一電晶體，以提供偏壓而導(dǎo)通輸入電晶體與第一電晶體。第一致能訊號(hào)在供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止輸入電晶體與第一電晶體；第二致能訊號(hào)用于在供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止電源電路的輸出。
根據(jù)本發(fā)明所述的電源轉(zhuǎn)換器的電源電路，在輕負(fù)載與無(wú)負(fù)載狀態(tài)下可以降低電源損耗，節(jié)省電源，進(jìn)而提高效率。


圖1為傳統(tǒng)電源供應(yīng)器的電路圖；圖2為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的一較佳實(shí)施例的電路圖；圖3為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路的一較佳實(shí)施例的電路圖；圖4為本發(fā)明的供應(yīng)電路的輸出偵測(cè)電路的一較佳實(shí)施例的電路圖；
圖5為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路的另一較佳實(shí)施例的電路圖；圖6為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的另一較佳實(shí)施例的電路圖；圖7為本發(fā)明圖6的電源供應(yīng)器的輸入電壓的波形圖；圖8為本發(fā)明圖6的電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路的一較佳實(shí)施例的電路圖；圖9為本發(fā)明圖6的電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路的另一較佳實(shí)施例的電路圖；圖10為本發(fā)明的低壓降穩(wěn)壓器的一較佳實(shí)施例的電路圖。
圖號(hào)說(shuō)明10整流電路11電容12電阻15電容16稽納二極體 20供應(yīng)電路30供應(yīng)電路40分壓電路41電阻42電阻50電容55電容60輸入電晶體 65第二電晶體70阻抗裝置75輸入偵測(cè)電路80第一電晶體 100 輸出偵測(cè)電路110 稽納二極體 112 稽納二極體115 電阻116 電阻117 電阻120 電晶體125 電晶體 129 電晶體140 電晶體 150 稽納二極體
155電阻156 電阻165電晶體 170 電晶體300低壓降穩(wěn)壓器310 運(yùn)算放大器320傳輸元件325 電阻351電阻352 電阻DET偵測(cè)端 EN第二致能端GND接地端 IN輸入端VAC線電壓 VC供應(yīng)電壓VIN輸入電壓VO輸出電壓VREF參考電壓 VT臨界電壓VZ調(diào)整電壓 OUT 第二輸出端OV 第一致能端 SW第一輸出端SEN第二致能訊號(hào) SOV第一致能訊號(hào)具體實(shí)施方式
為使審查員對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效更有進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以較佳的實(shí)施例圖及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖2，其為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的電路圖。如圖所示，整流電路10，其耦接于一供應(yīng)電路20的一輸入端IN并接收線電壓VAC，以產(chǎn)生輸入電壓VIN。輸入電壓VIN為一電壓源且經(jīng)由整流電路10整流。供應(yīng)電路20將在一第一輸出端SW產(chǎn)生一供應(yīng)電壓VC，以及在一第二輸出端OUT產(chǎn)生一輸出電壓VO。供應(yīng)電路20的一接地端GND耦接至接地。一電容50，其耦接于第一輸出端SW。此外，更有一電容55耦接于第二輸出端OUT以保持能量。供應(yīng)電路20可為電源電路、電源供應(yīng)電路、電源調(diào)整電路或?yàn)殡娫磥?lái)源電路。
請(qǐng)參閱圖3，其為電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路20的一較佳實(shí)施例的電路圖。供應(yīng)電路20包含有一輸入電晶體60。輸入電晶體60耦接于輸入端IN而接收輸入電壓VIN，以提供該供應(yīng)電壓VC至第一輸出端SW。輸入電晶體60為一負(fù)臨界裝置，例如接面場(chǎng)效電晶體(JFET)。因此零偏壓將導(dǎo)通輸入電晶體60，此外僅可藉由一負(fù)偏壓截止輸入電晶體60。
一輸出偵測(cè)電路100，其耦接于第一輸出端SW，用于偵測(cè)供應(yīng)電壓VC，以依據(jù)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位而在輸出偵測(cè)電路100的一第一致能端OV產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)SOV。一阻抗裝置70，其耦接于輸入電晶體60，以提供偏壓至輸入電晶體60，進(jìn)而導(dǎo)通輸入電晶體60。阻抗裝置70可為電阻或?yàn)殡娋w。第一致能訊號(hào)SOV是用于在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止輸入電壓60。一低壓降(Low Drop-Out，LDO)穩(wěn)壓器300，其耦接于第二輸出端OUT并產(chǎn)生該輸出電壓VO。此外，輸出偵測(cè)電路100更依據(jù)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位，在輸出偵測(cè)電路100的一第二致能端EN產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)SEN。第二致能訊號(hào)SEN傳送至低壓降穩(wěn)壓器300，以在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，截止供應(yīng)電路20的輸出電壓VO。
請(qǐng)參閱圖4，其為輸出偵測(cè)電路100的一較佳實(shí)施例的電路圖。如圖所示，稽納二極體110、112是串聯(lián)?；{二極體112更耦接于第一輸出端SW，以偵測(cè)供應(yīng)電壓VC?；{二極體110另耦接于一電阻115，電阻115更耦接于一電晶體120。電阻115用于在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于稽納二極體110以及112的電壓時(shí)導(dǎo)通電晶體120。一電晶體125，其并聯(lián)于稽納二極體112。當(dāng)電晶體120導(dǎo)通時(shí)，電晶體125將短路稽納二極體112，以達(dá)到遲滯(hysteresis)的目的，以用于偵測(cè)供應(yīng)電壓VC是否過(guò)高?；{二極體110以及112的電壓決定該高輸出電壓準(zhǔn)位?；{二極體112的電壓則決定該遲滯目的的一遲滯準(zhǔn)位。當(dāng)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位低于遲滯準(zhǔn)位時(shí)，第一致能訊號(hào)SOV將導(dǎo)通輸入電晶體60。
一電晶體140，其耦接于電晶體120以及第一輸出端SW。電晶體140依據(jù)電晶體120的導(dǎo)通狀態(tài)而導(dǎo)通。一電阻116，其耦接于第一輸出端SW、電晶體125、140，進(jìn)而提供一偏壓至電晶體125、140。一電阻117，其耦接于電晶體140，以用于在電晶體120導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通一電晶體129。電晶體129更耦接于電晶體140。此外，電晶體129更耦接于輸入電晶體60，以在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于該高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，產(chǎn)生第一致能訊號(hào)SOV而截止輸入電晶體60。
一稽納二極體150，其亦耦接于第一輸出端SW以偵測(cè)供應(yīng)電壓VC。一電阻155，其耦接于稽納二極體150以及一電晶體165，一旦供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于該低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)則導(dǎo)通電晶體165。稽納二極體150的稽納電壓是決定該低輸出電壓準(zhǔn)位。一電阻156，其耦接于第一輸出端SW以及一電晶體170。電晶體170更耦接于第一輸出端SW以及電晶體165。電晶體170在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位低于低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)產(chǎn)生第二致能訊號(hào)SEN。
請(qǐng)參閱圖5，其為供應(yīng)電路20的另一較佳實(shí)施例的電路圖。如圖所示，此實(shí)施例的一第一電晶體80是串聯(lián)于輸入電晶體60，以提供該供應(yīng)電壓VC至第一輸出端SW。第一電晶體80為一正臨界裝置。阻抗裝置70耦接于輸入電晶體60以及第一電晶體80以提供偏壓，進(jìn)而導(dǎo)通輸入電晶體60以及第一電晶體80。當(dāng)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，第一致能訊號(hào)SOV截止輸入電晶體60以及第一電晶體80。第一電晶體80是被用來(lái)對(duì)供應(yīng)電路20提供保護(hù)。當(dāng)供應(yīng)電壓VC被短路時(shí)，第一電晶體80將截止以保護(hù)輸入電晶體60。
請(qǐng)參閱圖6，其為本發(fā)明的電源供應(yīng)器的另一較佳實(shí)施例的電路圖。此實(shí)施例耦接于整流電路10一供應(yīng)電路30的導(dǎo)通與截止是同步于線電壓VAC。此供應(yīng)電路30可為電源電路、電源供應(yīng)電路、電源調(diào)整電路或電源來(lái)源電路。供應(yīng)電路30僅能在輸入電壓VIN低于一輸入臨界電壓時(shí)被導(dǎo)通，如此可降低輸入電晶體60的切換損耗，以及增進(jìn)供應(yīng)電路30的效率。
請(qǐng)參閱圖7，其為輸入電壓VIN的波形圖。當(dāng)輸入電壓VIN低于一臨界電壓VT時(shí)，輸入電壓VIN的電源可以傳送至第一輸出端SW。其中臨界電壓VT是與輸入臨界電壓相關(guān)。供應(yīng)電路30包括有一偵測(cè)端DET，其經(jīng)由一分壓電路40而耦接輸入電壓VIN。分壓電路40耦接于輸入電壓VIN以及偵測(cè)端DET。分壓電路40包括有電阻41、42。電阻41、42是相互串聯(lián)。
請(qǐng)參閱圖8，其為圖6電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路30的一較佳實(shí)施例的電路圖。如圖所示，供應(yīng)電路30包含有輸入電晶體60，輸入電晶體60耦接于輸入端IN而接收輸入電壓VIN，以在第一輸出端SW提供該供應(yīng)電壓VC。上述的輸入電壓VIN為電壓源。一輸入偵測(cè)電路75，其一正輸入端耦接于供應(yīng)電路30的偵側(cè)端DET，以經(jīng)由分壓電路40偵測(cè)輸入電壓VIN，并且依據(jù)輸入電壓VIN的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一控制訊號(hào)?？刂朴嵦?hào)在輸入電壓VIN的電壓準(zhǔn)位高于臨界電壓VT時(shí)截止輸入電晶體60?？刂朴嵦?hào)是經(jīng)由耦接于輸入偵測(cè)電路75與輸入電晶體60之間的一第二電晶體65截止輸入電晶體60。輸入偵測(cè)電路75包括有該臨界電壓VT。臨界電壓VT與輸入臨界電壓相關(guān)。臨界電壓VT耦接于輸入偵測(cè)電路75的一負(fù)輸入端。
輸出偵測(cè)電路100，其耦接于第一輸出端SW以偵測(cè)供應(yīng)電壓VC，進(jìn)而依據(jù)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位而在第一致能端OV產(chǎn)生第一致能訊號(hào)SOV。此實(shí)施例的輸出偵測(cè)電路100的電路是可一圖4的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。阻抗裝置70耦接于輸入電晶體60，以提供偏壓，進(jìn)而導(dǎo)通輸入電晶體60。上述的第一致能訊號(hào)SOV是耦接于輸入電晶體60，以在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于該高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止輸入電晶體60。此外，輸出偵測(cè)電路100更在第二致能端EN產(chǎn)生第二致能訊號(hào)SEN。第二致能訊號(hào)SEN傳送至低壓降穩(wěn)壓器300，以在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位低于該低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止供應(yīng)電路30的輸出電壓VO。低壓降穩(wěn)壓器300耦接于第二輸出端OUT。
請(qǐng)參閱圖9，其為圖6電源供應(yīng)器的供應(yīng)電路30的另一較佳實(shí)施例的電路圖。如圖所示，供應(yīng)電路30包括有輸入電晶體60，其耦接于輸入端IN以接收輸入電壓VIN。第一電晶體80，其串聯(lián)于輸入電晶體60以提供該供應(yīng)電壓VC至第一輸出端SW。輸入偵測(cè)電路75，其正輸入端耦接于供應(yīng)電路30的偵測(cè)端DET，以偵測(cè)輸入電壓VIN進(jìn)而依據(jù)輸入電壓VIN的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生控制訊號(hào)。輸入偵測(cè)電路75包括有臨界電壓VT，其耦接于輸入偵測(cè)電路75的負(fù)輸入端。第二電晶體65，其耦接于輸入偵測(cè)電路75、輸入電晶體60以及第一電晶體80，以依據(jù)控制訊號(hào)截止輸入電晶體60與第一電晶體80。當(dāng)輸入電壓VIN的電壓準(zhǔn)位高于臨界電壓VT時(shí)，輸入電晶體60以及第一電晶體80將被截止。第一電晶體80與第二電晶體65為正臨界裝置。
輸出偵測(cè)電路100，其耦接于供應(yīng)電壓VC，以依據(jù)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生第一致能訊號(hào)SOV與第二致能訊號(hào)SEN。阻抗裝置70，其耦接于輸入電晶體60與第一電晶體80，以提供偏壓，進(jìn)而導(dǎo)通輸入電晶體60與第一電晶體80。第一致能訊號(hào)SOV傳送至輸入電晶體60與第一電晶體80，以在供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位高于該高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止輸入電晶體60以及第一電晶體80。第二致能訊號(hào)SEN傳送至低壓降穩(wěn)壓器300，以導(dǎo)通/截止供應(yīng)電路30的輸出電壓VO。當(dāng)供應(yīng)電壓VC的電壓準(zhǔn)位低于低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，輸出電壓VO將被截止。
請(qǐng)參閱圖10，其為本發(fā)明的低壓降穩(wěn)壓器300的電路圖。如圖所示，其包括有一運(yùn)算放大器310、一傳輸元件(passelement)320與電阻325、351、352。運(yùn)算放大器310，其包括有一參考電壓VREF。參考電壓VREF耦接于運(yùn)算放大器310的一負(fù)輸入端。電阻352，其耦接于運(yùn)算放大器310的一正輸入端。第二致能訊號(hào)SEN傳送至運(yùn)算放大器310，以提供電源至運(yùn)算放大器310讓運(yùn)算放大器310運(yùn)作。傳輸元件320，其耦接于運(yùn)算放大器310、第一輸出端SW以及第二輸出端OUT。一旦，第二致能訊號(hào)SEN禁能時(shí)，運(yùn)算放大器310與傳輸元件320亦隨之禁能。電阻351，其耦接于運(yùn)算放大器310的正輸入端、傳輸元件320以及第二輸出端OUT。電阻325，其耦接于傳輸元件320，傳輸元件320可為電晶體。
以上所述，僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，故舉凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電源電路，其特征在于，其包含有一輸入電晶體，耦接一電壓源；一第一電晶體，串聯(lián)于該輸入電晶體以提供一供應(yīng)電壓；一輸入偵測(cè)電路，耦接于該電壓源以依據(jù)該電壓源的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一控制訊號(hào)；一第二電晶體，耦接于該輸入偵測(cè)電路、該輸入電晶體與該第一電晶體，當(dāng)該電壓源的電壓準(zhǔn)位高于一臨界電壓時(shí)，該第二電晶體依據(jù)該控制訊號(hào)截止該輸入電晶體與該第一電晶體；一輸出偵測(cè)電路，耦接于該供應(yīng)電壓以依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)與一第二致能訊號(hào)；一阻抗裝置，耦接于該輸入電晶體與該第一電晶體，以提供偏壓而導(dǎo)通該輸入電晶體與該第一電晶體；其中，當(dāng)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，該第一致能訊號(hào)截止該輸入電晶體與該第一電晶體，該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)該第二致能訊號(hào)截止該電源電路的輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的電源電路，其特征在于，該輸入電晶體為一負(fù)臨界裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的電源電路，其特征在于，該第一電晶體與該第二電晶體為正臨界裝置。
4.如權(quán)利要求1所述的電源電路，其特征在于，該輸入偵測(cè)電路經(jīng)由一分壓電路耦接于該電壓源。
5.如權(quán)利要求1所述的電源電路，其特征在于，該阻抗裝置為一電阻或?yàn)橐浑娋w。
6.一種電源電路，其特征在于，其包含有一輸入電晶體，耦接一電壓源以提供一供應(yīng)電壓；一輸入偵測(cè)電路，耦接于該電壓源以依據(jù)該電壓源的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一控制訊號(hào)；一阻抗裝置，耦接于該輸入電晶體，以提供偏壓而導(dǎo)通該輸入電晶體；其中，當(dāng)該電壓源的電壓準(zhǔn)位高于一臨界電壓時(shí)，該控制訊號(hào)截止該輸入電晶體。
7.如權(quán)利要求6所述的電源電路，其特征在于，該輸入電晶體為一負(fù)臨界裝置。
8.如權(quán)利要求6所述的電源電路，其特征在于，該輸入偵測(cè)電路經(jīng)由一分壓電路耦接于該電壓源。
9.如權(quán)利要求6所述的電源電路，其特征在于，該輸入偵測(cè)電路更耦接于一第二電晶體，該第二電晶體耦接于該輸入電晶體，以依據(jù)該控制訊號(hào)截止該輸入電晶體。
10.如權(quán)利要求6所述的電源電路，其特征在于，更包含有一輸出偵測(cè)電路，該輸出偵測(cè)電路耦接于該供應(yīng)電壓以依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)，當(dāng)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，該第一致能訊號(hào)截止該輸入電晶體。
11.如權(quán)利要求10所述的電源電路，其特征在于，該輸出偵測(cè)電路更依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)，該第二致能訊號(hào)用于在該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止該電源電路的輸出。
12.一種電源電路，其特征在于，其包含有一輸入電晶體，耦接一電壓源；一第一電晶體，串聯(lián)于該輸入電晶體以提供一供應(yīng)電壓；一輸出偵測(cè)電路，耦接于該供應(yīng)電壓以依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)；一阻抗裝置，耦接于該輸入電晶體與該第一電晶體，以提供偏壓而導(dǎo)通該輸入電晶體與該第一電晶體；其中，當(dāng)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，該第一致能訊號(hào)截止該輸入電晶體與該第一電晶體。
13.如權(quán)利要求12所述的電源電路，其特征在于，該輸入電晶體為一負(fù)臨界裝置。
14.如權(quán)利要求12所述的電源電路，其特征在于，該輸出偵測(cè)電路更依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)，該第二致能訊號(hào)用于在該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止該電源電路的輸出。
15.如權(quán)利要求12所述的電源電路，其特征在于，該第一電晶體為一正臨界裝置。
16.一種供應(yīng)電路，其特征在于，其包含有一輸入電晶體，耦接一電壓源以提供一供應(yīng)電壓；一輸出偵測(cè)電路，耦接于該供應(yīng)電壓以依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)；一阻抗裝置，耦接于該輸入電晶體，以提供偏壓而導(dǎo)通該輸入電晶體；其中，當(dāng)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，該第一致能訊號(hào)截止該輸入電晶體。
17.如權(quán)利要求16所述的供應(yīng)電路，其特征在于，該輸入電晶體為一負(fù)臨界裝置。
18.如權(quán)利要求16所述的供應(yīng)電路，其特征在于，該輸出偵測(cè)電路更依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)，該第二致能訊號(hào)用于在該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止該供應(yīng)電路的輸出。
19.一種電源電路，其特征在于，其包含有一輸入電晶體，耦接一電壓源以提供一供應(yīng)電壓；一輸出偵測(cè)電路，耦接于該供應(yīng)電壓以依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)；其中，當(dāng)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)，該第一致能訊號(hào)截止該輸入電晶體。
20.如權(quán)利要求19所述的電源電路，其特征在于，該第一致能訊號(hào)在該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一遲滯準(zhǔn)位時(shí)導(dǎo)通該輸入電晶體。
21.如權(quán)利要求19所述的電源電路，其特征在于，該輸出偵測(cè)電路更依據(jù)該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)，該第二致能訊號(hào)在該供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)截止該電源電路的輸出。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種高效率的電源電路，其包含有一負(fù)臨界值的一輸入電晶體，輸入電晶體耦接一電壓源以提供一供應(yīng)電壓至電源電路的輸出端；一輸入偵測(cè)電路，其耦接于電壓源，且在電壓源的電壓準(zhǔn)位高于一臨界電壓時(shí)產(chǎn)生一控制訊號(hào)；一第二電晶體，耦接于輸入偵測(cè)電路并依據(jù)控制訊號(hào)截止輸入電晶體；一輸出偵測(cè)電路，其耦接于供應(yīng)電壓，并在供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位高于一高輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)產(chǎn)生一第一致能訊號(hào)，第一致能訊號(hào)用于截止輸入電晶體，輸出偵測(cè)電路在供應(yīng)電壓的電壓準(zhǔn)位低于一低輸出電壓準(zhǔn)位時(shí)產(chǎn)生一第二致能訊號(hào)，第二致能訊號(hào)用于截止電源電路的輸出。
文檔編號(hào)H02M7/04GK1908843SQ20061010971
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2006年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月7日
發(fā)明者楊大勇 申請(qǐng)人:崇貿(mào)科技股份有限公司