專利名稱:恒定電流電荷泵控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明大體涉及電子學(xué),尤其是涉及形成半導(dǎo)體器件的方法和結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
過(guò)去,半導(dǎo)體工業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)來(lái)形成DC/DC變換器, 該DC/DC變換器利用電荷泵電路來(lái)控制由變換器形成的輸出電壓。 這些變換器一般監(jiān)控輸出電壓的值并轉(zhuǎn)換電荷泵電路的模式,以便調(diào) 節(jié)輸出電壓的值。 一般來(lái)說(shuō),表示輸出電壓的值的反饋電壓與參考電 壓比較,且如果反饋電壓降到參考電壓的值之下,電荷泵電路的模式 將改變。在2002年6月25日授予Nork等人的美國(guó)專利號(hào)6,411,531 中公開(kāi)了這樣的DC/DC變換器的一個(gè)例子。這些現(xiàn)有的DC/DC變換 器的一個(gè)問(wèn)題是,參考電壓電路、比較器和其它閉環(huán)元件消耗的面積。 上述電路通常需要在形成電路的半導(dǎo)體管芯(die)上的大面積,從而增 加了變換器電路的成本。
因此,期望有一種利用較少的管芯面積并具有較低的成本的控制 器電路。
圖1簡(jiǎn)要示出包括根據(jù)本發(fā)明的電荷泵控制器的發(fā)光二極管
(LED)控制系統(tǒng)的一部分的實(shí)施方式;
圖2簡(jiǎn)要示出LED系統(tǒng)的一部分的實(shí)施方式,該LED系統(tǒng)是圖 1的LED系統(tǒng)的可選實(shí)施方式并包括作為根據(jù)本發(fā)明的圖1的電荷泵 控制器的可選實(shí)施方式的電荷泵控制器;以及
圖3簡(jiǎn)要示出包括根據(jù)本發(fā)明的圖1的電荷泵控制器的半導(dǎo)體器 件的放大平面圖。
為了說(shuō)明的簡(jiǎn)潔和清楚,附圖中的元件沒(méi)有必要按比例繪制,且 不同圖中相同的參考數(shù)字表示相同的元件。此外,為了描述的簡(jiǎn)單而 省略了公知的步驟和元件的說(shuō)明與詳述。如這里所使用的載流電極表 示器件的一個(gè)元件,如MOS晶體管的源極或漏極、或雙極晶體管的 集電極或發(fā)射極、或二極管的負(fù)極或正極,其承載通過(guò)該器件的電流; 而控制電極表示器件的一個(gè)元件,如MOS晶體管的柵極或雙極晶體 管的基極,其控制通過(guò)該器件的電流。雖然這些器件在這里被解釋為 某個(gè)N溝道或P溝道器件,但本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到, 依照本發(fā)明,互補(bǔ)器件也是可能的。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到, 這里使用的詞"在...的期間、在...同時(shí)、當(dāng)...的時(shí)候"不是表示一旦開(kāi)始 操作馬上就會(huì)出現(xiàn)反應(yīng)的準(zhǔn)確術(shù)語(yǔ),而是在被初始操作激起的反應(yīng)之 間可能有一些小而合理的延遲,如傳播延遲。
具體實(shí)施例方式
圖1簡(jiǎn)要示出發(fā)光二極管(LED)控制系統(tǒng)10的一部分的示例 性實(shí)施方式。系統(tǒng)10包括電荷泵控制器19,其將負(fù)載電流16的值控 制到基本恒定的值,而沒(méi)有調(diào)節(jié)由控制器19形成的輸出電壓的值。 系統(tǒng)10—般包括向控制器19供電的DC電壓源,例如電池ll。控制 器19在電壓輸入12和電壓返回13之間接收功率,并在輸出54上提 供電流16以及輸出電壓??刂破?9可被稱為DC/DC變換器。控制 器19在感測(cè)輸入55上接收表示電流16的值的感測(cè)信號(hào),并響應(yīng)性 地將電流16的值控制為基本恒定的,以便精確地控制由LED17發(fā)出的光的量。在優(yōu)選實(shí)施方式中,感測(cè)信號(hào)主要被理解為基本等于電流
16的值的電流并具有電壓。在其它實(shí)施方式中,感測(cè)信號(hào)可被理解為 電壓并可具有表示電流16的值的其它值。
控制器19 一般包括電流控制器30、開(kāi)關(guān)矩陣或開(kāi)關(guān)陣列25、振 蕩器26和模式控制邏輯27。開(kāi)關(guān)陣列25 —般包括連接到多個(gè)電容器 15的多個(gè)晶體管。開(kāi)關(guān)陣列25交替地給電容器15充電和放電,并將 電容器15連接在各種配置中以在輸出54上形成輸出電壓并提供電流 16。陣列25 —般配置電容器15以使輸出電壓形成為在輸入12和返 回13之間接收的電壓的值的倍數(shù)。電容器15通常在形成控制器30 或控制器19的半導(dǎo)體管芯的外部。振蕩器26提供在陣列25的工作 期間使用的時(shí)鐘信號(hào)。模式控制邏輯27接收在節(jié)點(diǎn)23形成的模式控 制信號(hào),并向陣列25提供控制陣列25工作的配置或狀態(tài)的信號(hào)。在 優(yōu)選實(shí)施方式中,陣列25配置成在至少l.OX、 1.3X、 1.5X或2.0X乘
法器模式中工作。能夠在這些不同的模式中工作的開(kāi)關(guān)陣列對(duì)本領(lǐng)域 的技術(shù)人員來(lái)講是公知的。
控制器30配置成響應(yīng)于基本等于第一值的在輸入55上的感測(cè)信 號(hào)的值而迫使節(jié)點(diǎn)23上的模式控制信號(hào)為第一狀態(tài),例如高,以及 響應(yīng)于小于所述第一值的感測(cè)信號(hào)的值而迫使模式控制信號(hào)為第二 狀態(tài),例如低。低模式控制信號(hào)使邏輯27改變控制信號(hào)并將陣列25 的工作狀態(tài)改變到下一較高的乘法器模式,以便增加輸出電壓的值, 使得電流16可被控制成保持基本恒定。如果在改變到陣列25的新的 乘法器模式之后,感測(cè)信號(hào)增加到基本等于第一值的值,則模式控制 信號(hào)變高且陣列25保持在新的乘法器模式中。
控制器30在輸入12和返回13之間接收用于操作控制器30的工 作電壓。控制器30包括提供第一參考電流的第一電流源40、提供第 二參考電流的第二電流源31、實(shí)現(xiàn)為晶體管36的輸出設(shè)備、實(shí)現(xiàn)為 晶體管35的參考設(shè)備、實(shí)現(xiàn)為晶體管21的開(kāi)關(guān)、下拉電阻器22、以 及電流鏡,該電流鏡包括實(shí)現(xiàn)為晶體管43的電流鏡輸入設(shè)備和實(shí)現(xiàn) 為晶體管34的電流鏡輸出設(shè)備。
7在工作中且如果電池11的電壓足以提供電流16,則陣列25設(shè) 置到乘法器模式例如1.0X乘法器模式,并提供電流16和基本等于電 池ll的值的輸出電壓。LED17使來(lái)自電池11的電壓下降一些,且電 池11的剩余電壓作為輸入電壓被施加到輸入55。控制器30還在輸入 55上接收電流16。電流源40和31形成基本等值的相應(yīng)的笫一和第 二參考電流41和32。因?yàn)榫w管43連接成二極管接法,所以晶體管 43工作在晶體管43的特征曲線的飽和區(qū)內(nèi),且電流41流經(jīng)晶體管 43以形成晶體管43的柵極到源極電壓(Vgs)。由于電流32和41 的基本相等的值以及晶體管43和34的電流鏡配置,電流32迫使晶 體管34的Vgs基本等于晶體管43的Vgs,因此,晶體管34的源極 電壓跟隨(follow)并基本等于晶體管43的源極電壓,而晶體管43的源 極電壓基本等于輸入55上的輸入電壓。這樣,晶體管34和43的電 流鏡在節(jié)點(diǎn)38上形成參考電壓,該參考電壓相對(duì)于返回13的電勢(shì)與 輸入55上的輸入電壓相對(duì)于返回13的電勢(shì)相同。這4吏晶體管35的 漏極到源極電壓(Vds)基本等于晶體管36的Vds。晶體管35和36 的柵極連接到晶體管34的漏極,因此,晶體管34和35的Vgs相等。 只要電池11的電壓大于LED17兩端的正向電壓降加上晶體管36的 Vds(sat),晶體管35的Vgs就近似處在晶體管35的閾值電壓,一 般小于約1.2伏。此低電壓也被施加到節(jié)點(diǎn)33,因而施加到晶體管21 的柵極。低柵極電壓使晶體管21導(dǎo)通,這將節(jié)點(diǎn)23基本拉到輸入12 的電壓。這向邏輯27施加邏輯高信號(hào)。高模式控制信號(hào)保持陣列工 作在當(dāng)前的乘法器模式中。
因?yàn)榫w管35和36的Vds和Vgs電壓基本相等,所述通過(guò)晶 體管36的電流被迫等于通過(guò)晶體管35的電流乘兩個(gè)晶體管之間的有 效面積(active area)比。在優(yōu)選實(shí)施方式中,有效面積比為1:1000, 且晶體管35和36起電流鏡的作用,即通過(guò)晶體管36的電流由晶體 管35控制為大約1000倍于流經(jīng)晶體管35的電流32的值。通過(guò)晶體 管36的電流等于電流41加上電流16。因?yàn)殡娏?1等于電流32,所 以電流16大約等于999倍的電流32的值。本領(lǐng)域的4支術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到,有效面積比可不同于1:1000,只要比率大于1:1。
因?yàn)榫w管35和36的Vds和Vgs基本相等,通過(guò)晶體管36的 電流的值基本與輸入55上的電壓的值無(wú)關(guān)。因?yàn)榫w管35和36的 柵極連接到晶體管34的漏極,所以晶體管35和36的Vgs可從大約 等于晶體管35的閾值電壓(VT)的低值自由地變化到近似為輸入12 上的輸入電壓減去電流源31的Vds (sat)所得值的上限。Vds (sat) 通常被認(rèn)為是為了承載需要流經(jīng)該設(shè)備的電流,該設(shè)備兩端所需的最 小電壓。因?yàn)榫w管35和36的Vgs可以在這樣的范圍內(nèi)自由地變化, 所以晶體管35和36的電流鏡可在工作在晶體管35和36的特征曲線 的飽和區(qū)與工作在這些特征曲線的線性區(qū)之間變化。例如,如果輸入 55上的輸入電壓低于晶體管36的Vds(sat),例如電池11的電壓低, 則晶體管35和36可工作在線性區(qū)內(nèi),且如果輸入55上的輸入電壓 高于晶體管36的Vds (sat),則晶體管35和36可工作在飽和區(qū)內(nèi)。 因此,即使輸入55上的電壓的值接近于零,控制器30仍可提供通過(guò) 輸入55的基本恒定的電流,而不用考慮晶體管35和36是否工作在 線性區(qū)還是或工作在飽和工作區(qū)內(nèi)。
當(dāng)系統(tǒng)10繼續(xù)工作時(shí),電流16最終使電池11的電壓降低。當(dāng) 電池ll的電壓降低時(shí),控制器30保持電流16的值基本恒定,因此 輸入55處的電壓降低。節(jié)點(diǎn)38上的參考電壓由于跟隨輸入電壓因此 也降低。因?yàn)閰⒖茧妷航档颓乙驗(yàn)殡娏?2保持恒定,晶體管35的 Vgs必須增加,這也增加了節(jié)點(diǎn)33上的電壓。增加節(jié)點(diǎn)33上的電壓 使施加到晶體管21的柵極電壓增加。如果電池11的電壓降得足夠低, 使輸入55上的電壓降低到小于電流控制器30的Vds (sat)的值,則 控制器30就不能將電流16控制到基本恒定的值,由此電流16的值 降低。當(dāng)節(jié)點(diǎn)33增加而超過(guò)晶體管21的閾值電壓時(shí),電流16也降 低到第一值,晶體管21截止,且電阻器22將節(jié)點(diǎn)23上的電壓基本 拉到返回13的電壓,從而迫使模式控制信號(hào)為低。控制器30的Vds (sat)通常被理解為為了承載需要流經(jīng)該設(shè)備的電流而在節(jié)點(diǎn)44所 需的最小電壓。如從上述描述中可看到的,控制器30的Vds (sat)小于晶體管35的Vds (sat),這提高了整個(gè)系統(tǒng)的效率。邏輯27接 收低模式控制信號(hào),并改變陣列25的工作狀態(tài)以工作在下一較高的 乘法器模式中。在此示例性解釋中,邏輯27改變控制信號(hào)以控制陣 列25從工作在l.OX乘法器模式中轉(zhuǎn)換并工作在1.3X乘法器模式中。 在此模式中,陣列25使輸出電壓形成為大約1.3倍于從電池11接收 的電壓的值。如果節(jié)點(diǎn)23上的模式控制信號(hào)保持低,則邏輯27可改 變控制信號(hào)以使陣列25工作在下一更高的乘法器模式中,例如1.5X 乘法器模式。 一般來(lái)說(shuō),來(lái)自輸出54的較高的電壓增加了電流16的 值以及在輸入55上接收的電壓的值,且相應(yīng)的電壓在節(jié)點(diǎn)38上形成。 在節(jié)點(diǎn)38上較高的電壓降低了晶體管35的Vgs和晶體管21的柵極 上的相應(yīng)的電壓,從而再次使晶體管21導(dǎo)通,從而迫使模式控制信 號(hào)為高。
如果電池11的電壓的值增加,例如電池被充電,則邏輯27配置 成改變陣列25的工作模式。在陣列25工作期間的某個(gè)時(shí)間,例如工 作在乘法器模式N (例如2X)中,邏輯27將陣列25的工作模式減 小到下一較低的乘法器模式,例如乘法器模式N-1 (例如1.3X)。如 果電池ll的電壓增加了,則模式控制信號(hào)可保持高,則邏輯27保持 陣列25工作在那個(gè)乘法器模式,即乘法器模式N-1 (例如1.3X)中。 如果模式控制信號(hào)變低,則邏輯27將工作模式增加到下一較高的乘 法器模式,例如乘法器模式N (例如2X)。邏輯27可以某個(gè)固定頻 率,例如每一毫秒(lmsec) —次,操作此模式減小算法。
本領(lǐng)域的4支術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到,目標(biāo)是配置電流源31和40以及晶 體管34-36和43,以便電流16保持基本恒定。然而,正如在本領(lǐng)域 中公知的,總是存在阻止電流為完全地恒定的微小變化。在本領(lǐng)域中 完全確認(rèn),最高至約10%的變化被認(rèn)為是偏離完全地恒定的理想目標(biāo) 的合理變化。
為了有助于實(shí)現(xiàn)控制器30的這項(xiàng)功能,晶體管43的漏極耦合成 從電流源40接收電流41。電流源40的第一端子耦合成從輸入12接 收輸入電壓,而第二端子通常被連接到晶體管43的柵極和漏極以及晶體管34的柵極。晶體管43的源極和晶體管36的漏極耦合成從輸 入55接收輸入電壓。輸入55連接到晶體管43的源極和晶體管36的 漏極。晶體管36的源極連接成接收在電壓返回13上的公共電壓。晶 體管35的源極連接到返回13。晶體管35的柵極連接到晶體管36的 柵極并連接成接收電流32。晶體管35的漏極連接到晶體管34的源極。 晶體管34的漏極通常被連接到電流源31的第一端子、晶體管21的 柵極和晶體管35的柵極。源31的第二端子連接到源40的第一端子。 晶體管21的源極連接到輸入12。晶體管21的漏極連接到電阻器22 的第一端子和邏輯27的模式控制輸入。電阻器22的第二端子連接到 返回13。
圖2簡(jiǎn)要示出發(fā)光二極管(LED)控制系統(tǒng)60的一部分的示例 性實(shí)施方式,其為在圖1的描述中說(shuō)明的系統(tǒng)10的可選實(shí)施方式。 系統(tǒng)60包括電荷泵控制器61,其為在圖1的描述中說(shuō)明的控制器19 的可選實(shí)施方式。控制器61包括比較器63,其形成在圖1的描述中 說(shuō)明的模式控制信號(hào)。比較器63接收來(lái)自輸入55的感測(cè)信號(hào)和來(lái)自 參考62的參考信號(hào)。比較器響應(yīng)于在輸入55上接收的大于第一值的 電壓而迫使模式控制信號(hào)高,并響應(yīng)于輸入55上的不大于第一值的 電壓而迫使模式控制信號(hào)低。因此,來(lái)自參考62的信號(hào)的值形成所 述第一值,且控制器61將負(fù)載電流16的值控制為基本恒定的值,而 不調(diào)節(jié)由控制器61形成的輸出電壓的值。
圖3簡(jiǎn)要示出在半導(dǎo)體管芯51上形成的半導(dǎo)體器件或集成電路 50的實(shí)施方式的一部分的放大平面圖??刂破?0或控制器61在管芯 51上形成。管芯51還可包括在圖3中為制圖簡(jiǎn)單而沒(méi)有示出的其它 電路??刂破?0或控制器61以及器件或集成電路50通過(guò)半導(dǎo)體制 造技術(shù)在管芯51上形成,這些技術(shù)對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)講是公知 的。
鑒于上述全部?jī)?nèi)容,顯然公開(kāi)的是一種新的器件和方法。連同其 它特征包括的是使用一種控制器,該控制器控制通過(guò)LED的負(fù)載電 流的值,而不調(diào)節(jié)由控制器形成的電壓的值??刂齐娏鞫豢刂齐妷罕阌谛纬奢^小的半導(dǎo)體管芯,從而減少控制器的成本。在一個(gè)實(shí)施方 式中,控制器配置成使用兩個(gè)電流源來(lái)形成通過(guò)第 一 電流鏡的電流,
并使用第一電流鏡來(lái)控制第二電流鏡的Vds。將第一電流鏡配置成工 作在飽和區(qū)內(nèi)有助于控制第二電流鏡的Vds。將第二電流鏡耦合成工 作在線性區(qū)或飽和區(qū)內(nèi)有助于允許電流源工作在輸入電壓的低值處, 該輸入電壓在電流源的電流輸出上被接收。此外,使晶體管35和36 形成有相同的Vds和Vgs便于晶體管35和36的電流鏡工作在線性或 飽和區(qū)內(nèi)。因此,對(duì)于小于第一值的電流16的值,控制器30將電流 16的值控制為基本恒定的,并形成控制信號(hào)以響應(yīng)于電流16的第一 值而設(shè)置矩陣25的工作模式。
雖然本發(fā)明的主題是用特定的優(yōu)選實(shí)施方式來(lái)描述的,但顯然對(duì) 半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)許多替換和變化是明顯的。例如,電阻器 22可為電流源或晶體管21和電阻器22可為模擬比較器或數(shù)字反相器 (inverter)。此外,為描述清楚而始終使用"連接"這個(gè)詞,但是, 其被規(guī)定為與詞"耦合"具有相同的含義。相應(yīng)地,"連接"應(yīng)被解釋為 包括直接連接或間接連接。
權(quán)利要求
1. 一種電荷泵控制器,包括開(kāi)關(guān)矩陣,其具有多個(gè)開(kāi)關(guān)配置模式,所述開(kāi)關(guān)矩陣被配置成接收輸入電壓并形成作為所述輸入電壓的倍數(shù)的輸出電壓,并被配置成向負(fù)載提供所述輸出電壓和負(fù)載電流;以及電流控制器,其被配置成接收表示所述負(fù)載電流的感測(cè)信號(hào),并響應(yīng)于所述負(fù)載電流的第一值而形成模式控制信號(hào),以設(shè)置所述開(kāi)關(guān)矩陣的工作模式。
2. 如權(quán)利要求1所述的電荷泵控制器,其中所述電流控制器包 括第 一參考電流發(fā)生器和第二參考電流發(fā)生器,所述第 一參考電流發(fā) 生器和所述第二參考電流發(fā)生器被配置成形成基本相等的第一參考 電流和第二參考電流。
3. 如權(quán)利要求2所述的電荷泵控制器,其中所述電流控制器被 配置成對(duì)于小于所述負(fù)載電流的所述第一值的所述負(fù)載電流的值,將 所述負(fù)載電流的值控制成與所述第一參考電流或所述第二參考電流 之一成比例。
4. 如權(quán)利要求1所述的電荷泵控制器,其中所述電流控制器不 具有被耦合為比較器的運(yùn)算放大器。
5. 如權(quán)利要求1所述的電荷泵控制器,其中所述電流控制器包括第一輸入設(shè)備,其被配置成接收第一參考電流, 第二輸入設(shè)備,其可操作地耦合成接收基本等于所述第一參考電流的第二參考電流,并響應(yīng)性地控制所述第一輸入設(shè)備以形成參考電壓。
6. 如權(quán)利要求5所述的電荷泵控制器,進(jìn)一步包括參考設(shè)備, 所述參考設(shè)備可操作地耦合成接收所述參考電壓和所述第 一參考電 流,并響應(yīng)性地控制輸出設(shè)備以形成與所述第 一參考電流成比例的輸 出電流。
7. 如權(quán)利要求6所述的電荷泵控制器,其中所述第一輸入設(shè)備 包括第一晶體管,所述第一晶體管具有耦合成接收所述第一參考電流 的笫一栽流電極、耦合成提供所述參考電壓的第二栽流電極、以及控 制電極。
8. 如權(quán)利要求7所述的電荷泵控制器,其中所述第二輸入設(shè)備 包括第二晶體管,所述第二晶體管具有耦合成接收所述第二參考電流 的第一載流電極、耦合成接收所述感測(cè)信號(hào)的第二載流電極、以及耦 合到所述第一晶體管的所述控制電極和所述第二晶體管的所述第一 載流電極的控制電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的電荷泵控制器,其中所述參考設(shè)備包括 第三晶體管,所述第三晶體管具有耦合成接收所述參考電壓的第 一載 流電極、耦合到所述第一晶體管的所述第一載流電極的控制電極、以 及第二載流電極,且其中所述輸出設(shè)備包括第四晶體管,所述第四晶 體管具有耦合成接收所述感測(cè)信號(hào)的第一載流電極、耦合到所述第三 晶體管的所述控制電極的控制電極、以及耦合到所述第三晶體管的所 述第二載流電極的第二載流電極。
10. 如權(quán)利要求l所述的電荷泵控制器,其中所述電流控制器被 配置成控制流經(jīng)發(fā)光二極管的負(fù)載電流。
11. 一種形成電流控制器的方法,包括配置所述電流控制器以接收表示負(fù)載電流的感測(cè)信號(hào),其中所述 感測(cè)信號(hào)具有第一電壓,并且所述電流控制器響應(yīng)性地控制所述負(fù)載 電流的值,而不將所述第一電壓調(diào)節(jié)到基本恒定的值。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法,進(jìn)一步包括配置所述電流控制 器以提供模式控制信號(hào),所述模式控制信號(hào)對(duì)于小于第一值的所述負(fù) 載電流的值具有第一狀態(tài),而對(duì)于基本等于所述第一值的所述負(fù)載電 流的值具有第二狀態(tài)。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法,進(jìn)一步包括耦合所述電流控制 器以控制開(kāi)關(guān)矩陣的模式,其中所述開(kāi)關(guān)矩陣具有多個(gè)開(kāi)關(guān)配置模 式,其中所述開(kāi)關(guān)矩陣被配置成接收輸入電壓并形成是所述輸入電壓的倍數(shù)的輸出電壓,并被配置成向負(fù)載提供所述負(fù)栽電流和輸出電 壓。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法,進(jìn)一步包括配置所述電流控制 器,以形成第 一參考電流和第二參考電流并將所述負(fù)栽電流控制成與 所述第 一參考電流或所述第二參考電流之一成比例。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法,進(jìn)一步包括耦合第一晶體管以 接收所述第 一參考電流并形成跟隨所述第 一 電壓的參考電壓。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法,進(jìn)一步包括耦合第二晶體管以 接收所述第二參考電流并接收所述感測(cè)信號(hào)和控制所述第一晶體管 以形成所述參考電壓。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法,進(jìn)一步包括耦合第三晶體管以 接收所述第一參考電流和所述參考電壓并響應(yīng)性地控制第四晶體管 以將所述負(fù)載電流控制到基本恒定的值。
全文摘要
電荷泵控制器(19)包括開(kāi)關(guān)矩陣(25),其具有多個(gè)開(kāi)關(guān)配置模式,開(kāi)關(guān)矩陣(25)配置成接收輸入電壓并形成作為輸入電壓的倍數(shù)的輸出電壓,以及配置成向負(fù)載(17)提供輸出電壓和負(fù)載電流(16);以及電流控制器(30),其配置成接收表示電流(16)的感測(cè)信號(hào)(44)并形成模式控制信號(hào)(23)以響應(yīng)于負(fù)載電流(16)的第一值而設(shè)置開(kāi)關(guān)矩陣的工作模式。
文檔編號(hào)H02M3/07GK101449452SQ200680054742
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月7日
發(fā)明者H·喬烏依 申請(qǐng)人:半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司