專利名稱::一種arcp軟開(kāi)關(guān)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電路,尤其是涉及一種ARCP軟開(kāi)關(guān)電路。
背景技術(shù):
:目前開(kāi)關(guān)電源發(fā)展趨勢(shì)為高頻小型化,高功率密度,高效率,低成本。而傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電路由于半導(dǎo)體器件處于硬開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),其損耗非常大,無(wú)法提高自身效率,從而使體積龐大,逐漸失去市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于受到半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展以及價(jià)格等方面因素的限制,軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)涑蔀榻^大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源廠商提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的選擇,關(guān)于軟開(kāi)關(guān)電路方面的研究已非常多,其中名稱為輔助諧振換流極(AuxiliaryResonantCommutatedPole,簡(jiǎn)稱ARCP)的軟開(kāi)關(guān)電路,其電路簡(jiǎn)單,使用較為廣泛,具體結(jié)構(gòu)如圖l所示。圖1中,+l/2Ud、-l/2Ud分別是以N點(diǎn)為參考點(diǎn)的直流電壓;SWpSW2是主功率開(kāi)關(guān)器件;D3、d是主功率開(kāi)關(guān)器件SW,內(nèi)部寄生或外加的續(xù)流二極管和電容;D4、C2是主功率開(kāi)關(guān)器件SW2內(nèi)部寄生或外加的續(xù)流二極管和電容;Li、C3為主功率輸出濾波電感、電容;SW3、SW4是為了實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件SWi、SW2零電壓開(kāi)通所增加的單向輔助開(kāi)關(guān)器件;L2是為實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件SW^SW2過(guò)零電壓開(kāi)通所增加的與SW3、SW4串連的諧振電感;L是主功率濾波電流,方向可以與圖中表示方向相同或相反;12是為SWpSW2實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)額外引進(jìn)的與^方向相同的諧振電流;13、U分別為通過(guò)SW^SW2的單向諧振電流;U。是工頻正弦波輸出電壓。如圖1所示,為降低主功率開(kāi)關(guān)器件SWpSW2的損耗,ARCP軟開(kāi)關(guān)電路設(shè)置了兩個(gè)單向輔助開(kāi)關(guān)器件SW3、SW4和諧振電感L2,同時(shí)在主功率開(kāi)關(guān)器件SW,、SW2兩端分別并聯(lián)相對(duì)其自身寄生電容較大的諧振電容C。C2。通過(guò)控制輔助開(kāi)關(guān)器件SW3、SW4的開(kāi)通與關(guān)斷,在諧振電感L2上形成諧振電流l2,通過(guò)諧振電感L2與諧振電容C3發(fā)生的諧振,實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件SW,與SW2零電壓開(kāi)通。同時(shí),由于在主功率開(kāi)關(guān)器件SWi和SW2兩端并聯(lián)容值相對(duì)自身寄生電容大得很多的諧振電容Q和C2,從而實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件的零電壓關(guān)斷。這樣,ARCP軟開(kāi)關(guān)電路能夠?qū)崿F(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件SW"SW2的零電壓開(kāi)通和零電壓關(guān)斷,從而大大降低了主功率器件的損耗。同時(shí)對(duì)于新增加的輔助開(kāi)關(guān)器件sw3、sw4,由于與其串連的諧振電感L2的存在,電流不會(huì)發(fā)生突變,從而實(shí)現(xiàn)零電流開(kāi)通,通過(guò)合理地控制輔助開(kāi)關(guān)器件SW3、SW4的開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間,可以實(shí)現(xiàn)輔助開(kāi)關(guān)器件SW3、SW4的零電流關(guān)斷,這樣對(duì)于新增加的輔助開(kāi)關(guān)器件SW3,SW4而言,其工作狀態(tài)屬于零電流開(kāi)通和零電流關(guān)斷,其開(kāi)關(guān)損耗非常小。傳統(tǒng)的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,正負(fù)直流電源士l/2Ud與主功率開(kāi)關(guān)器件SWt與SW2組成主功率半橋逆變電路通過(guò)SW!與SW2不斷開(kāi)通與關(guān)斷,在B點(diǎn)得到il/2Ud的高頻脈沖電壓,通過(guò)主功率濾波電路L,與C3,在C3兩端得到設(shè)計(jì)需要的工頻輸出電壓,同時(shí)在L,上形成了主功率濾波電流I"這時(shí),SW,與SW2屬于傳統(tǒng)硬開(kāi)關(guān)電路,其損耗非常大。為降低SW,與SW2的損耗,改進(jìn)后的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路增加了兩個(gè)單相開(kāi)關(guān)SW3,SW4和諧振電感L2,同時(shí)在SW,與SW2兩端并聯(lián)相對(duì)其自身寄生電容較大的諧振電容。通過(guò)控制SW3與SW4的開(kāi)通與關(guān)斷,在諧振電感L2上形成諧振電流l2,其電流在方向上與^保持一致,通過(guò)諧振電感L2與諧振電容C2,C3發(fā)生的諧振,實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)器件SWi與SW2零電壓開(kāi)通;同時(shí),由于在主功率開(kāi)關(guān)器件SWi和SW2兩端并聯(lián)容值相對(duì)自身寄生電容大得多的諧振電容,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)器件的零電壓關(guān)斷;因此,ARCP軟開(kāi)關(guān)電路能夠?qū)崿F(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)器件SW"SW2的零電壓開(kāi)通和零電壓關(guān)斷,從而大大降低了主功率管的損耗。同時(shí)對(duì)于新增加的諧振開(kāi)關(guān)SW3、SW4,由于與其串連的諧振電感L2的存在,電流不會(huì)發(fā)生突變,從而實(shí)現(xiàn)零電流開(kāi)通,通過(guò)合理有效的控制方式,可以實(shí)現(xiàn)SW3、SW4的零電流關(guān)斷,這樣對(duì)于新增加的輔助開(kāi)關(guān)器件SW3、SW4而言,其工作狀態(tài)屬于零電流開(kāi)通和零電流關(guān)斷,其開(kāi)關(guān)損耗非常小。上述分析表明,ARCP軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洳坏珜?shí)現(xiàn)了主功率開(kāi)關(guān)器件SWi與SW2零電壓開(kāi)關(guān),降低了其損耗,而且還實(shí)現(xiàn)了輔助管SW3、SW4的零電流開(kāi)關(guān),其開(kāi)關(guān)損耗非常小,基本可以忽略其開(kāi)關(guān)損耗。從而電路整體工作效率有非常明顯的提高,整機(jī)損耗大大降低,其體積也可以明顯縮小,從而提高產(chǎn)品整機(jī)競(jìng)爭(zhēng)力。但是,此電路存在明顯的缺陷,就是主功率開(kāi)關(guān)器件只能當(dāng)主功率濾波電流I,等于完全諧振電流值L,In二fTd—兀x(2xL2xd)a5lXUd+LJf才能實(shí)現(xiàn)完全的零電壓開(kāi)通,當(dāng)主功率濾波電流^大于或者小于In時(shí),開(kāi)關(guān)器件只能實(shí)現(xiàn)不完全零電壓開(kāi)通,具體分三種情況-(1)L<In主開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)"過(guò)諧振";(2)I1=In主開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)"完全諧振";(3)Ii〉In主開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)"欠諧振諧振"。由于ARCP軟開(kāi)關(guān)電路的主功率開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)通的條件為L(zhǎng)2xI!/Ud+7ix(2xL2xd)a5=Td,其中L2是諧振電感的電感值;I,是主功率濾波電流;Ud是直流輸入電壓;d是諧振電容容值;Td是上下主功率驅(qū)動(dòng)死區(qū);等式中的L2、Ud、d、Td這四個(gè)參數(shù)對(duì)于一個(gè)固定的電路是無(wú)法改變的,唯一可變化的就是主功率濾波電流Ip其電流值大小隨輸出負(fù)載和時(shí)間變化而不斷變化。因此,當(dāng)I產(chǎn)In時(shí),上述公式成立,有L2XVUd+7lX(2xL2Xd"5:Td,為完全諧振狀態(tài);當(dāng)I^L時(shí),L2xI!/Ud+兀x(2xL,C!)05<Td,為過(guò)諧振狀態(tài);當(dāng)h〉In時(shí),L^Ii/Ud+Trx(2xL,d)。'5〉Td,為欠諧振狀態(tài)。如圖2所示,I,二In完全諧振狀態(tài)時(shí),SW,導(dǎo)通時(shí)刻對(duì)應(yīng)兩端電壓Ud=0,無(wú)開(kāi)通損耗;如圖3所示,I一In過(guò)諧振狀態(tài)時(shí),SWi導(dǎo)通時(shí)刻對(duì)應(yīng)兩端電壓l^二Ux,開(kāi)通損耗為0.5xdxUx2xfw;如圖4所示,1^In欠諧振狀態(tài)時(shí),SWi導(dǎo)通時(shí)刻對(duì)應(yīng)兩端電壓Uu二Ux,開(kāi)通損耗0.5xQxl^xfw;其中,fw為主功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)頻率。從以上分析可知,由于主功輸出濾波電流L是正弦波,其電流值從零到最大值不斷變化,線路參數(shù)一旦選定,由諧振電感感值、諧振電容、死區(qū)時(shí)間等參數(shù)所確定的特定電流In=[Td—兀X(2XL2Xd)a5]XUd+L2為定值,當(dāng)不斷變化的電流I產(chǎn)In時(shí),主功率開(kāi)關(guān)管就可以實(shí)現(xiàn)完全諧振,當(dāng)I-In或I戶In時(shí),主功率開(kāi)關(guān)管對(duì)應(yīng)過(guò)諧振和欠諧振,這兩種狀態(tài)開(kāi)關(guān)損耗都非常大,即ARCP軟開(kāi)關(guān)電路只能針對(duì)某一個(gè)電流實(shí)現(xiàn)真正的零電壓軟開(kāi)通,而當(dāng)主功率濾波電流過(guò)大或過(guò)小的時(shí)候,都無(wú)法實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)通,其開(kāi)通損耗為0.5xdxU卩xfw,由于并聯(lián)的諧振電容Q非常大,通常在幾十納法幾百納法,而主功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)頻率通常在幾千赫茲幾十千赫茲范圍內(nèi),Ux通常在100伏400伏,因此,其對(duì)應(yīng)開(kāi)通損耗0.5xdxU/xfw相當(dāng)大,甚至?xí)^(guò)采用硬開(kāi)關(guān)器件的損耗,從而使得SWi損耗加大,電路工作效率下降,整機(jī)體積變大,整機(jī)可靠性也會(huì)下降,這與采用ARCP軟開(kāi)關(guān)的初衷相矛盾。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是降低ARCP軟開(kāi)關(guān)電路中的主功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通損耗,提供一種低損耗的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路。為解決此技術(shù)問(wèn)題,提出了一種ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,包括級(jí)聯(lián)的主功率半橋逆變電路和濾波電路,所述主功率半橋逆變電路包括依次串聯(lián)的正負(fù)直流電源、第一主功率開(kāi)關(guān)器件和第二主功率開(kāi)關(guān)器件;所述濾波電路包括依次串聯(lián)的濾波電感和濾波電容;在電源地和濾波電路之間還連接有相串聯(lián)的輔助開(kāi)關(guān)組和諧振電感,所述輔助開(kāi)關(guān)組包括并聯(lián)的單向第一輔助開(kāi)關(guān)器件和單向第二輔助開(kāi)關(guān)器件;所述諧振電感是軟磁芯的諧振電感。所述軟磁芯包括鐵硅鋁磁粉芯、坡莫合金磁粉芯、高磁通密度磁粉芯。優(yōu)選地,所述主功率開(kāi)關(guān)器件包括絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,簡(jiǎn)稱IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor,簡(jiǎn)稱MOSFET)、門極可關(guān)斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor,簡(jiǎn)稱GTO)、可控硅整流器(SiliconConrolledRectifier,簡(jiǎn)稱SCR)。優(yōu)選地,所述輔助開(kāi)關(guān)器件包括IGBT、MOSFET、GTO、SCR。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比的有益效果是本發(fā)明通過(guò)選用線性度較差即磁導(dǎo)率隨電流直流偏移量變化比較明顯的軟磁芯的諧振電感,使得主開(kāi)關(guān)管發(fā)生諧振時(shí)的主功率濾波電流可以不斷變化(諧振電感采用硬磁芯時(shí),主開(kāi)關(guān)管發(fā)生諧振時(shí)主功率濾波電流的值是固定值),原來(lái)無(wú)法變化的諧振電感值會(huì)隨著主功率濾波電流的不斷變化而變化,可以實(shí)現(xiàn)無(wú)論主功率濾波電流為何值,都會(huì)有相對(duì)應(yīng)的諧振電感值,使主開(kāi)關(guān)管時(shí)時(shí)刻刻實(shí)現(xiàn)完全諧振,消除了過(guò)諧振和欠諧振兩種工作狀態(tài),因此ARCP軟開(kāi)關(guān)電路零電壓開(kāi)通范圍擴(kuò)大了,其對(duì)于任何輸出電流值都能夠?qū)崿F(xiàn)完全軟開(kāi)關(guān),從而降低了損耗,提高了效率。圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式ARCP軟開(kāi)關(guān)電路結(jié)構(gòu)示意圖2是圖1電路完全諧振狀態(tài)時(shí)特性曲線圖3是圖1電路過(guò)諧振狀態(tài)時(shí)特性曲線圖4是圖1電路欠諧振狀態(tài)時(shí)特性曲線圖5是Magnetic公司出品的磁芯的磁特性曲線圖6是圖1電路采用磁導(dǎo)率為26p的硬磁芯的電路特性示意圖7是圖1電路采用磁導(dǎo)率為125p的軟磁芯的電路特性示意圖。具體實(shí)施例方式如圖1所示,+l/2Ud、"/2Ud分別是以N線為參考點(diǎn)的直流電壓;SWpSW2是主功率開(kāi)關(guān)管;D3、Q是主功率開(kāi)關(guān)管SW1內(nèi)部寄生或外加的續(xù)流二極管和電容;D4、C2是主功率開(kāi)關(guān)管SW2內(nèi)部寄生或外加的續(xù)流二極管和電容;L"C3為主功率輸出濾波電感、電容;SW3、SW4是為了實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)管SW"SW2零電壓開(kāi)通所增加的單向輔助開(kāi)關(guān)管;L2是為實(shí)現(xiàn)主功率開(kāi)關(guān)管SW"SW2過(guò)零電壓開(kāi)通所增加的與SW3、SW4串連的諧振電感;I,是主功率濾波電流,方向可以與圖中表示方向相同或相反;12是為SWpSW2實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)額外引進(jìn)的與^方向相同的諧振電流;13、14分別為通過(guò)SW,、SW2的單向諧振電流;U。是工頻正弦波輸出電壓。為降低SWi與SW2的損耗,ARCP軟開(kāi)關(guān)電路增加了兩個(gè)單相輔助開(kāi)關(guān)管SW3,SW4和諧振電感L2;在SW,與SW2兩端并聯(lián)相對(duì)其自身寄生電容大得多的諧振電容C,和C2,還包括分別與d和C2相并聯(lián)的續(xù)流二極管D3和D4。所述諧振電感L2為磁導(dǎo)率為125p的鐵硅鋁磁粉芯。性能檢測(cè)以美國(guó)Magnetic公司出品的磁芯為例,其磁芯特性曲線如圖5所示,所述圖的橫坐標(biāo)是奧斯特,縱坐標(biāo)為比值(01),圖中26p對(duì)應(yīng)的磁芯是硬磁芯,125p對(duì)應(yīng)的磁芯是軟磁芯。利用軟磁芯的特點(diǎn)當(dāng)電流Ii較大時(shí),電感感值L2會(huì)下降,而當(dāng)電流Ii較小時(shí),電感感值L2會(huì)上升,從而保持公式L2XVUd十7tx(2xL^d)"二Td中L2Xli保持定值,也就是利用電感值L2的變化來(lái)彌補(bǔ)L的變化,從而保證對(duì)于任何電流Ii都有關(guān)系式L2xI,/Ud+兀x(2xL2xd)"二Td成立,所以對(duì)于任何大小的電流Ip開(kāi)關(guān)管都能夠?qū)崿F(xiàn)零電壓開(kāi)通,都沒(méi)有開(kāi)通損耗,即使得0.5xdxUxfw中的Ux時(shí)刻為零。從而實(shí)現(xiàn)了大范圍的軟開(kāi)關(guān),降低了開(kāi)關(guān)管SW,的開(kāi)通損耗,提高了電路工作效率以及可靠性。表1為120KVA三進(jìn)三出不間斷電源(UninterruptiblePowerSystem,簡(jiǎn)稱UPS)分別采用硬磁芯和軟磁芯時(shí)整機(jī)效率的比較表,其中的硬磁芯和軟磁芯分別采用美國(guó)Magnetic公司出品的磁導(dǎo)率為26|i和125p的鐵硅鋁磁粉芯表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>從上述數(shù)據(jù)可以看到,由于采用了軟磁芯,消除了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通損耗,擴(kuò)大了軟開(kāi)關(guān)范圍,從而提高整機(jī)效率,使得ARCP軟開(kāi)關(guān)電路工作趨于完美,電路與整機(jī)可靠性大大提高,尤其是在整機(jī)效率方面,使得機(jī)器在市場(chǎng)中更有競(jìng)爭(zhēng)力。ARCP軟開(kāi)關(guān)電路的磁芯分別使用美國(guó)Magnetic公司出品的磁導(dǎo)率為26卜125p的鐵硅鋁磁粉芯,其特性曲線如圖6和圖7所示。其中曲線A和A2分別為主功率濾波電流11;B!和B2分別為諧振電流12;曲線d和C2分別對(duì)應(yīng)主功率開(kāi)關(guān)管SW,的驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形,對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō),是柵極與發(fā)射極之間的電壓Vge;對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō),是柵極與源極之間的電壓Vgs;曲線D!和D2分別對(duì)應(yīng)主功率開(kāi)關(guān)管SWi兩端電壓波形。對(duì)比圖6和圖7可知采用磁導(dǎo)率為26p的硬磁芯時(shí),SW,兩端的電壓在電流較小時(shí),存在嚴(yán)重過(guò)諧振,電壓明顯上翹,最大值甚至可達(dá)到300V,參見(jiàn)圖6中畫圈的部分,0.5xdxUxfw中的Ux較大,所以SWi存在較大的開(kāi)通損耗;相同條件下,采用125p的磁芯時(shí),SW,兩端的電壓在電流較小時(shí),可以實(shí)現(xiàn)完全諧振,導(dǎo)通壓降為零,參見(jiàn)圖7中畫圈的部分,即0.5xdxUx2xfw中的Ux二O,從而SWi無(wú)開(kāi)通損耗。磁芯,即諧振電感L2除了可以使用前面提到的磁導(dǎo)率為125p的鐵硅鋁粉芯以外,還可以選用其它的軟磁材料,同樣可以取得無(wú)開(kāi)通損耗的效果,比如,還可以使用以下所述軟磁材料之一1)美國(guó)MAGNETIC公司生產(chǎn)的磁導(dǎo)率為125u和90u的鐵硅鋁磁粉芯;2)美國(guó)MAGNETIC公司生產(chǎn)的磁導(dǎo)率為300u、200u、160u、125u的坡莫合金磁粉芯;3)美國(guó)MAGNETIC公司生產(chǎn)的磁導(dǎo)率為300u、200u、160u、125u的高磁通密度碎粉芯;4)日本ARNOLD公司生產(chǎn)的磁導(dǎo)率為125u和90u的鐵硅鋁磁粉芯;5)日本ARNOLD公司生產(chǎn)的磁導(dǎo)率為350u、300u、250u、205u、200u、173u、160u、147u、125u系列的坡莫合金磁粉芯;6)日本ARNOLD公司生產(chǎn)的的磁導(dǎo)率為160u、147u、125u的高磁通密度磁粉芯。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域:
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.一種ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,包括級(jí)聯(lián)的主功率半橋逆變電路和濾波電路,所述主功率半橋逆變電路包括依次串聯(lián)的正負(fù)直流電源、第一主功率開(kāi)關(guān)器件和第二主功率開(kāi)關(guān)器件;所述濾波電路包括依次串聯(lián)的濾波電感和濾波電容;在電源地和濾波電路之間還連接有相串聯(lián)的輔助開(kāi)關(guān)組和諧振電感,所述輔助開(kāi)關(guān)組包括相并聯(lián)的單向第一輔助開(kāi)關(guān)器件和第二輔助開(kāi)關(guān)器件;其特征是所述諧振電感是軟磁芯的諧振電感。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述軟磁芯為鐵硅鋁磁粉芯。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述軟磁芯為坡莫合金磁粉芯。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述軟磁芯為高磁通密度磁粉芯。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述第一主功率開(kāi)關(guān)器件與第二主功率開(kāi)關(guān)器件包括IGBT、MOSFET、GTO、SCR。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述第一輔助開(kāi)關(guān)器件與第二輔助開(kāi)關(guān)器件包括IGBT、MOSFET、GTO、SCR。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,其特征是所述第一輔助開(kāi)關(guān)器件與第二輔助開(kāi)關(guān)器件包括IGBT、MOSFET、GTO、SCR。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種ARCP軟開(kāi)關(guān)電路,包括依次級(jí)聯(lián)的主功率半橋逆變電路和濾波電路,所述主功率半橋逆變電路包括依次串聯(lián)的正負(fù)直流電源、第一主功率開(kāi)關(guān)器件和第二主功率開(kāi)關(guān)器件;所述濾波電路包括依次串聯(lián)的濾波電感和濾波電容;在電源地和濾波電路之間還連接有相串聯(lián)的輔助開(kāi)關(guān)組和諧振電感,所述輔助開(kāi)關(guān)組包括并聯(lián)的單向第一輔助開(kāi)關(guān)器件和第二輔助開(kāi)關(guān)器件;所述諧振電感是軟磁芯的諧振電感。本發(fā)明通過(guò)采用線性度較差即磁導(dǎo)率隨直流偏移量變化較明顯的軟磁芯的諧振電感,使ARCP軟開(kāi)關(guān)電路零電壓開(kāi)通的范圍擴(kuò)大,使其對(duì)于任何輸出電流都能夠?qū)崿F(xiàn)完全軟開(kāi)關(guān),改進(jìn)了ARCP軟開(kāi)關(guān)電路的工作特性、提高了整機(jī)的效率和可靠性。文檔編號(hào)H02M1/00GK101369771SQ20071014079公開(kāi)日2009年2月18日申請(qǐng)日期2007年8月17日優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日發(fā)明者張春濤,張曉飛,肖學(xué)禮申請(qǐng)人:力博特公司