專利名稱：Usb充電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系相關(guān)于一種升降壓轉(zhuǎn)換器，尤指一種箝制輸出電壓之 USB充電電路。
背景技術(shù)：
目前利用usb插槽的充電設(shè)備，其充電技術(shù)皆是采用線性調(diào)壓 器。線性調(diào)壓器可提供穩(wěn)定的輸出電壓，而且電路架構(gòu)簡單，成本較 低。不過，線性調(diào)壓器也有缺點，只能用在降低輸出電壓，輸出入電 壓間的電源轉(zhuǎn)換效率差。且，壓差部份的能量都會轉(zhuǎn)成熱能消散，增 加散熱量。若，熱能消散不易，散熱不良就會提升溫度，進(jìn)而讓電子 系統(tǒng)運作不穩(wěn)。及充電電流受限于輸入設(shè)備(USB插槽本身)，因此充 電時間長之問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之主要目的之一在于揭露一種可箝制輸出電壓的USB充 電電路，以改善先前技術(shù)中效率差，又有散熱不良問題，充電時間長 的缺點。
本發(fā)明系提供一種USB充電電路，包含有 一轉(zhuǎn)換器，包含有一晶體管；
一控制電路，耦接于該晶體管，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該晶體管； 一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間； 一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間； 一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分 壓，用來與一參考電壓比較；
一感測電阻，耦接于該第二節(jié)點與接地之間；以及 一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之間。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一單端初級電感轉(zhuǎn)換器(single
ended primary inductor converter, Sepic)。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
于一實施例中，該二極管系為一稽納二極管(zener diode)。
于一實施例中，該晶體管系為一 NMOS晶體管。
本發(fā)明之主要目的之一在于揭露另一種可箝制輸出電壓的USB 充電電路，以改善先前技術(shù)中效率差，又有散熱不良問題，充電時間 長的缺點。
本發(fā)明系提供另一種USB充電電路，包含有 一轉(zhuǎn)換器，包含有一第一晶體管；
一控制電路，耦接于該第一晶體管，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該第 一晶體管；
一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間； 一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間；
一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分 壓，用來與一參考電壓比較；
一感測電阻，耦接于該第二節(jié)點與一第三節(jié)點之間；
一截止電阻，耦接于該第三節(jié)點與接地之間；
一第一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之
間；
一第二二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與一第四節(jié)點之
間；
一第三電阻，耦接于該第四節(jié)點與接地之間；以及 一第二晶體管，具有一耦接于該第四節(jié)點之閘極(gate), —接地 之源極(Source)，以及一耦接于該第三節(jié)點之汲極(Drain)。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一單端初級電感轉(zhuǎn)換器(single
ended primary inductor converter, Sepic)。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
于一實施例中，該第一二極管系為一稽納二極管(zener diode)。
于一實施例中，該第二二極管系為一稽納二極管(zener diode)。
于一實施例中，該第一晶體管系為一 醒0S晶體管。
于一實施例中，該第二晶體管系為一 NMOS晶體管。
本發(fā)明之主要目的之一在于揭露再一種可箝制輸出電壓的USB 充電電路，以改善先前技術(shù)中效率差，又有散熱不良問題，充電時間 長的缺點。
本發(fā)明系提供再一種USB充電電路，包含有 一轉(zhuǎn)換器，包含有一第一晶體管；
一控制電路，耦接于該第一晶體管，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該第 一晶體管；
一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間； 一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間； 一第二晶體管，具有一耦接于一第四節(jié)點之閘極(gate), —耦接
于一第三節(jié)點之源極(Source)，以及一耦接于該第二節(jié)點之汲極
(Drain);
一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分 壓，用來與一參考電壓比較；
一感測電阻，耦接于該第三節(jié)點與接地之間； 一第五電阻，耦接于該第一節(jié)點與接地之間； 一第一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之
間；
一第二二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與一第四節(jié)點之
間；以及
一第四電阻，耦接于該第四節(jié)點與該第三節(jié)點之間。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一單端初級電感轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic)。
于一實施例中，該轉(zhuǎn)換器系為一降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
于一實施例中，該第一二極管系為一稽納二極管(zener diode)。 于一實施例中，該第二二極管系為一稽納二極管(zener diode)。 于一實施例中，該第一晶體管系為一 MOS晶體管。 于一實施例中，該第二晶體管系為一 NMOS晶體管。


第1圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中一 USB充電電路之示意圖。
第2圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中USB充電電路一應(yīng)用之示意圖。
第3圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中USB充電電路另一應(yīng)用之 示意圖。
第4圖為才艮據(jù)本發(fā)明之一第一實施例之Vout vs. Iout示意圖。 第5圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中一USB充電電路之示意圖。
第6圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中USB充電電路一應(yīng)用之示 意圖。
第7圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中USB充電電路另一應(yīng)用之 示意圖
第8圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例之Vout vs. Iout示意圖。 USB充電電路之示意圖。
第9圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中一 USB充電電路之示意圖。
第10圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中USB充電電路一應(yīng)用之
示意圖。
第11圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中USB充電電路另一應(yīng)用 之示意圖。
第12圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例之Vout vs. lout示意圖。
具體實施例方式
請參考第1圖，第1圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中一USB充 電電路之示意圖。USB充電電路包含一轉(zhuǎn)換器、 一控制芯片3、 一第 一電阻R1、 一第二電阻R2、 一感測電阻Rs以及一二極管D2。轉(zhuǎn)換 器包含一第一電感L1、 一第二電感L2、 一第一電容C1、 一第二電容 C2、 一二極管Dl以及一晶體管30。
轉(zhuǎn)換器系可為一 Sepic轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic),或一降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter) 。 二極管 D2系可為一稽納二極管(zener diode)。晶體管30系可為一 NM0S晶 體管。
晶體管30組設(shè)于控制芯片3內(nèi)。控制芯片3供給切換及輸出電 壓調(diào)整。控制芯片3包含一誤差放大電路60以及一控制電路90。晶 體管30耦接于控制電路90，用來做為一開關(guān)?？刂齐娐?0產(chǎn)生脈 寬調(diào)變(pulse width modulated)驅(qū)動訊號至晶體管30。
第一電阻Rl耦接于Sepic轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點NO與一第一節(jié)點 Nl之間。第二電阻R2耦接于第一節(jié)點Nl與一第二節(jié)點N2之間。誤 差放大電路60耦接接收一第一電阻Rl及第二電阻R2產(chǎn)生之分壓， 用來與一參考電壓Vref比較。感測電阻Rs耦接于第二節(jié)點N2與接 地之間?；{二極管D2耦接于轉(zhuǎn)換器之輸出節(jié)點NO與第一節(jié)點Nl 之間。
第一電感LI耦接于一輸入電壓Vin與晶體管30之間。請參考第 2圖，第2圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中USB充電電路一應(yīng)用之
示意圖。當(dāng)晶體管30導(dǎo)通，電流Il流經(jīng)第一電感Ll與晶體管30， 電流12自第一電容C1流經(jīng)第二電感L2與晶體管30。第一電感Ll 與第二電感L2被充電。
請參考第3圖，第3圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中USB充電 電路另一應(yīng)用之示意圖。當(dāng)晶體管30截止，第一電感Ll放電到第一 電容C1與第二電容C2。同樣，第二電感L2放電到第二電容C2。儲 存于第一電感Ll與第二電感L2之電能釋放，于負(fù)載IO產(chǎn)生節(jié)點電 壓Vo。輸出電壓Vout為Vo-Iou"Rs。
誤差放大電路60比較參考電壓Vref與第一電阻Rl及第二電阻 R2產(chǎn)生之輸出電壓Vout分壓。輸出電壓Vout為(Vref-Iout*Rs) * (1 + Rl/R2)。稽納二極管D2用來限制輸出電壓Vout在一不高于參考電壓 Vref及稽納崩潰電壓(breakdown voltage)總和之最高電壓。
請參考第4圖，第4圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例之Vout vs. Iout示意圖。電流Iout為零時，輸出電壓Vout等于節(jié)點電壓Vo。 隨著電流Iout的增加，輸出電壓Vout自轉(zhuǎn)折點開始，以線性方式往 下降，斜率為-Rs*(l+ Rl/R2)。
請參考第5圖，第5圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中一USB充 電電路之示意圖。USB充電電路包含一轉(zhuǎn)換器、 一控制芯片3、 一第 一電阻R1、 一第二電阻R2、 一第三電阻R3、 一感測電阻Rs、 一截止 電阻RQFF、 一第二晶體管40、 一第一二極管D2以及一第二二極管D3。 轉(zhuǎn)換器包含一第一電感Ll、 一第二電感L2、 一第一電容C1、 一第二 電容C2、 一二極管Dl以及一第一晶體管30。
轉(zhuǎn)換器系可為一 Sepic轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic),或一P爭壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。 第一二 極管D2、第二二極管D3系可為稽納二極管(zener diode)。第一晶 體管30、第二晶體管40系可為NM0S晶體管。
第一晶體管30組設(shè)于控制芯片3內(nèi)?？刂菩酒?供給切換及輸 出電壓調(diào)整?？刂菩酒?包含一誤差放大電路60以及一控制電路90。 第一晶體管30耦接于控制電路90,用來做為一開關(guān)?？刂齐娐?0 產(chǎn)生脈寬調(diào)變(pulse width modulated)驅(qū)動訊號至第一晶體管30。 電流lout流經(jīng)負(fù)載IO至節(jié)點A(第二節(jié)點N2)。
第一電阻R1耦接于Sepic轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點N0與一第一節(jié)點
Nl之間。第二電阻R2耦接于第一節(jié)點Nl與一第二節(jié)點N2之間。感 測電阻Rs耦接于第二節(jié)點N2與一第三節(jié)點N3之間。截止電阻R0FF 耦接于第三節(jié)點N3與接地之間。誤差放大電路60耦接接收第一電阻 Rl及第二電阻R2產(chǎn)生之分壓，用來與一參考電壓Vref比較。第一 稽納二極管D2耦接于轉(zhuǎn)換器之輸出節(jié)點NO與第一節(jié)點Nl之間。第 二稽納二極管D3耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點NO與一第四節(jié)點N4 之間。第三電阻R3耦接于該第四節(jié)點N4與接地之間。第二晶體管 40具有一耦接于該第四節(jié)點之閘極(gate)、 一接地之源極(Source) 以及一耦接于該第三節(jié)點之汲極(Drain)。
第二稽納二極管D3用來限制輸出電壓Vout之驅(qū)動能力。當(dāng)節(jié)點 電壓Vo小于其稽納崩潰電壓(breakdown voltage)與第二晶體管40 臨界(Threshold)電壓之總和，驅(qū)動電流將大大降低。當(dāng)輸出電壓 Vout大于第二稽納二極管D3崩潰電壓(breakdown voltage)與第二 晶體管40臨界(Threshold)電壓之總和，第二稽納二極管D3將導(dǎo)通， 電流Idz3流經(jīng)第二稽納二極管D3以及第三電阻R3。笫二晶體管40 導(dǎo)通，截止電阻R,因而短路。請參考第2圖及第3圖，Sepic轉(zhuǎn)換 器之說明。
請參考第6圖，第6圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中USB充電 電路一應(yīng)用之示意圖。當(dāng)節(jié)點電壓Vo大于第二稽納二極管D3崩潰電 壓，第二晶體管40短路截止電阻R,，電流lout流經(jīng)負(fù)載10以及感 測電阻Rs。節(jié)點A之電壓為Iout*Rs。輸出電壓Vout為 (Vref-Iout*Rs) *(1+ Rl/R2)。
請參考第7圖，第7圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例中USB充電 電路另一應(yīng)用之示意圖。當(dāng)節(jié)點電壓Vo小于第二稽納二極管D3崩潰 電壓，第二晶體管40截止及開路，電流lout流經(jīng)負(fù)栽10、感測電 阻Rs以及截止電阻R。FF。節(jié)點A之電壓為Iout*(Rs+R0FF)。輸出電 壓Vout為(Vref—lout* (Rs+R0FF))* (1+ Rl/R2)。
請參考第8圖，第8圖為根據(jù)本發(fā)明之一第二實施例之Vout vs. Iout示意圖。電流Iout為零時，輸出電壓Vout等于輸出節(jié)點NO電 壓Vo。輸出電壓Vout自轉(zhuǎn)折點開始，以線性方式往下降，斜率為 -Rs* (1+ Rl/R2)。當(dāng)輸出電壓Vout 4氐于(Vdz3+Vth40)-Iout*Rs，輸 出電壓Vout下降之斜率為-(Rs+R0FF)*(1+Rl/R2)。輸出電壓Vout
趨近于零。
請參考第9圖，第9圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中一USB充 電電路之示意圖。USB充電電路包含一轉(zhuǎn)換器、 一控制芯片3、 一第 一電阻R1、 一第二電阻R2、 一第二晶體管50、 一感測電阻Rs、 一第 四電阻R4、 一第五電阻RKP、 一第一二極管D2以及一笫二二極管D4。 轉(zhuǎn)換器包含一第一電感Ll、 一第二電感L2、 一第一電容C1、 一第二 電容C2、 一二極管Dl以及一第一晶體管30。
轉(zhuǎn)換器系可為一 Sepic轉(zhuǎn)換器(s ingle ended primary inductor converter, Sepic)，或一降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。 第一二 極管D2、第二二極管D4系可為稽納二極管(zener diode)。第一晶 體管30、第二晶體管50系可為NM0S晶體管。
第一晶體管30組設(shè)于控制芯片3內(nèi)。控制芯片3供給切換及輸 出電壓調(diào)整?？刂菩酒?包含一誤差放大電路60以及一控制電路90。 第一晶體管30耦接于控制電路90,用來做為一開關(guān)?？刂齐娐?0 產(chǎn)生脈寬調(diào)變(pulse width modulated)驅(qū)動訊號至第一晶體管30。 電流lout流經(jīng)負(fù)載10至節(jié)點B(第三節(jié)點N3)。
第一電阻Rl耦接于Sepic轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點NO與一第一節(jié)點 Nl之間。第二電阻R2耦接于第一節(jié)點Nl與一第二節(jié)點N2之間。誤 差放大電路60耦接接收一第一電阻Rl及第二電阻R2產(chǎn)生之分壓， 用來與一參考電壓Vref比較。感測電阻Rs耦接于第三節(jié)點N3與接 地之間。第一稽納二極管D2耦接于轉(zhuǎn)換器之輸出節(jié)點NO與該第一節(jié) 點Nl之間。第二稽納二極管D4耦接于轉(zhuǎn)換器之輸出節(jié)點NO與一第 四節(jié)點N4之間。第二晶體管50具有一耦接于第四節(jié)點N4之閘極 (gate)、 一耦接于第三節(jié)點N3之源極(Source),以及一耦接于第二 節(jié)點N2之汲極(Drain)。第五電阻IUp，耦接于第一節(jié)點Nl與接地 之間。第四電阻R4，耦接于第四節(jié)點N4與第三節(jié)點N3之間。
第二稽納二極管D4用來限制節(jié)點電壓Vo。當(dāng)輸出電壓Vout小 于第二稽納二極管D4崩潰電壓與第二晶體管50臨界(Threshold)電 壓之總和，節(jié)點電壓Vo被箝制。當(dāng)輸出電壓Vout大于第二稽納二極 管D4崩潰電壓與第二晶體管50臨界(Threshold)電壓之總和，第二 稽納二極管D4將導(dǎo)通，電流Idz4流經(jīng)第二稽納二極管D4以及第四 電阻R4。第二晶體管50導(dǎo)通，第五電阻Rw阻值太大，遠(yuǎn)超過(R2+Rs)，
而斷路。請參考第2圖及第3圖，Sepic轉(zhuǎn)換器之說明。
請參考第10圖，第10圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中USB充 電電路一應(yīng)用之示意圖。當(dāng)輸出電壓Vout大于第二稽納二極管D4崩 潰電壓與第二晶體管50臨界(Threshold)電壓之總和，第二晶體管 50導(dǎo)通，第五電阻Rkp斷路，電流lout流經(jīng)負(fù)載10以及感測電阻Rs。 節(jié)點B之電壓為Iout*Rs。輸出電壓Vout為(Vref-Iout*Rs) * (1 + Rl/R2)。
請參考第11圖，第11圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例中USB充 電電路另一應(yīng)用之示意圖。當(dāng)輸出電壓Vout小于第二稽納二極管D4 崩潰電壓與第二晶體管50臨界(Threshold)電壓之總和，第二晶體管 50截止及開路，電流lout流經(jīng)負(fù)栽10、感測電阻Rs到地。節(jié)點B 之電壓為Iout*Rs。誤差放大電路60比較參考電壓Vref與第一電阻 Rl及第五電阻Rw產(chǎn)生之節(jié)點電壓Vo分壓。節(jié)點電壓Vo箝制在 Vref* (1+R1/RKP)。輸出電壓Vout為Vref * (1+R1/RKP) -Iout*Rs。
請參考第12圖，第12圖為根據(jù)本發(fā)明之一第三實施例之Vout vs. Iout示意圖。電流Iout為零時，輸出電壓Vout等于輸出節(jié)點NO電 壓Vo。輸出電壓Vout自轉(zhuǎn)折點開始，以線性方式往下降，斜率為 -Rs*(l+ Rl/R2)。當(dāng)輸出電壓Vout寸氐于Vdz4+Vth50,輸出電壓為 Vref* (1+R1/RKP) -Iout*Rs。
由上可知，本發(fā)明提供數(shù)種可箝制輸出電壓的USB充電電路。透 過本發(fā)明所揭露之USB充電電路，不僅可以限制輸出電壓Vout之驅(qū) 動能力，降低驅(qū)動電流，而且可以應(yīng)用的范圍亦很廣泛。
以上所述僅為本發(fā)明之較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所 做之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。
主要組件符號說明
VIN 輸入電壓
FB 回授訊號
GND 接地
Vref 參考電壓
3 控制芯片Rl第一電阻
R2第二電阻
Rs感測電阻
D2稽納二極管
Ll第一電感
第二電感
Cl第一電容
C2第二電容
Dl二極管
30晶體管
60誤差放大電路
90控制電路
NO輸出節(jié)點
Nl第一節(jié)點
N2第二節(jié)點
Vo節(jié)點電壓
Vout輸出電壓
lout輸出電流
10負(fù)載
權(quán)利要求
1. 一種USB充電電路，包含有一轉(zhuǎn)換器，包含有一開關(guān)；一控制電路，耦接于該開關(guān)，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該開關(guān)；一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間；一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間；一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分壓，用來與一參考電壓比較；一感測電阻，耦接于該第二節(jié)點與接地之間；以及一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之間。
2. 如權(quán)利要求1所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一單 端初級電感轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic )。
3. 如權(quán)利要求1所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一降 壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
4. 如權(quán)利要求1所述之USB充電電路，其中該二極管系為一稽 納二極管(zener diode)。
5. 如權(quán)利要求1所述之USB充電電路，其中該開關(guān)系為一NMOS 晶體管。
6. —種USB充電電路，包含有 一轉(zhuǎn)換器，包含有一第一晶體管；一控制電路，耦接于該第一晶體管，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該第 一晶體管；一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間； 一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間； 一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分 壓，用來與一參考電壓比較；一感測電阻，耦接于該第二節(jié)點與一第三節(jié)點之間；一截止電阻，耦接于該第三節(jié)點與接地之間；一第一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之間；一第二二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與一第四節(jié)點之間；一第三電阻，耦接于該第四節(jié)點與接地之間；以及 一第二晶體管，具有一耦接于該第四節(jié)點之閘極(gate)， 一接地 之源極(Source),以及一耦接于該第三節(jié)點之汲極(Drain)。
7. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一單 端初級電感轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic )。
8. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一降 壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
9. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該第一二極管系為 一稽納二極管(zener diode)。
10. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該第二二極管系為 一稽納二極管(zener diode)。
11. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該第一晶體管系為 一 NM0S晶體管。
12. 如權(quán)利要求6所述之USB充電電路，其中該第二晶體管系為 一 NM0S晶體管。
13. —種USB充電電路，包含有 一轉(zhuǎn)換器，包含有一第一晶體管；一控制電路，耦接于該第一晶體管，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該第 一晶體管；一第一電阻，耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間； 一第二電阻，耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間； 一第二晶體管，具有一耦接于一第四節(jié)點之閘極(gate)， 一耦接于一第三節(jié)點之源極(Source),以及一耦接于該第二節(jié)點之汲極(Drain)5一誤差放大電路，耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分 壓，用來與一參考電壓比較；一感測電阻，耦接于該第三節(jié)點與接地之間； 一第五電阻，耦接于該第一節(jié)點與接地之間； 一第一二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之間；一第二二極管，耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與一第四節(jié)點之 間；以及一第四電阻，耦接于該第四節(jié)點與該第三節(jié)點之間。
14. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一 單端初級電感轉(zhuǎn)換器(single ended primary inductor converter, Sepic )
15. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該轉(zhuǎn)換器系為一 降壓式轉(zhuǎn)換器(Buck converter)。
16. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該第一二極管系 為一稽納二極管(zener diode)。
17. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該第二二極管系 為一稽納二極管(zener diode)。
18. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該第一晶體管系 為一 醒0S晶體管。
19. 如權(quán)利要求13所述之USB充電電路，其中該第二晶體管系 為一 NMOS晶體管。
全文摘要
一種USB充電電路包含有一轉(zhuǎn)換器、一控制電路、一第一電阻、一第二電阻、一誤差放大電路、一感測電阻以及一二極管。該轉(zhuǎn)換器包含有一開關(guān)。該控制電路耦接于該開關(guān)，用來產(chǎn)生一驅(qū)動訊號至該開關(guān)。該第一電阻耦接于該轉(zhuǎn)換器之一輸出節(jié)點與一第一節(jié)點之間。該第二電阻耦接于該第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間。該誤差放大電路耦接接收一該第一電阻及該第二電阻產(chǎn)生之分壓，用來與一參考電壓比較。該感測電阻耦接于該第二節(jié)點與接地之間。該二極管耦接于該轉(zhuǎn)換器之該輸出節(jié)點與該第一節(jié)點之間。
文檔編號H02J7/02GK101394104SQ200710301688
公開日2009年3月25日 申請日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者江永欣, 王仕元, 許育銘 申請人:廣鵬科技股份有限公司