專利名稱：屏蔽觸頭盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種觸頭盒，尤其是一種屏蔽觸頭盒。
背景技術(shù)：
普通觸頭盒內(nèi)部的母排的尖端，梅花觸頭，以及環(huán)氧樹脂內(nèi)部的尖角，加上嚴(yán)酷的環(huán)境 條件之間的電保累積，導(dǎo)致觸頭盒內(nèi)部、外部出現(xiàn)了電暈放電現(xiàn)象導(dǎo)致絕緣體表面有不同成 度的電暈腐蝕現(xiàn)象。A相觸頭盒內(nèi)的屏蔽套與B相觸頭盒屏蔽套之間的電壓差為40.5KV，常 常在接縫之間出現(xiàn)放電現(xiàn)象。主要是由于接縫之間存在一定的空氣間隙由于A、 B相觸頭盒 之間，使之接縫兩端也就存在一定的電壓差、而產(chǎn)生了放電。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種屏蔽觸頭盒。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案這種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒和
B相觸頭盒，所述A相觸頭盒內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套，B相觸頭盒內(nèi)設(shè)有B相屏蔽套，A相觸頭盒 和B相觸頭盒之間的接縫處設(shè)有半導(dǎo)體硅膠層。
所述的A相觸頭盒上的環(huán)氧樹脂層內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套，B相觸頭盒上的環(huán)氧樹脂層內(nèi)設(shè) 有B相屏蔽套。
所述的半導(dǎo)體硨膠層5的截面呈"
本實(shí)用新型有益的效果是1、觸頭盒內(nèi)部高電位與銅制屏蔽套連接埋設(shè)在絕緣體內(nèi)部 使得觸頭盒與屏蔽套形成電位。沒有放電現(xiàn)象。2、硅橡膠半導(dǎo)體材料嵌縫屏蔽，觸頭盒與 觸頭盒通過半導(dǎo)體材料距離為100mm左右，實(shí)際材料的絕緣性能擊穿電壓26KV/min。遠(yuǎn)遠(yuǎn) 大于使用要求，而且觸頭盒的爬電距離微微1200mm以上，絕對符合圖標(biāo)要求。解決了產(chǎn)品 內(nèi)外觸頭盒的電解。

圖1是本實(shí)用新型的觸頭盒相間結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的單個觸頭盒主視結(jié)構(gòu)示意附圖標(biāo)記A相觸頭盒l(wèi)， A相屏蔽套2， B相觸頭盒3， B相屏蔽套4，半導(dǎo)體硅膠層5，環(huán)氧樹脂層6。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明
如圖所示這種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒1和B相觸頭盒3，所述A相觸頭盒
1上的環(huán)氧樹脂層6內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套2， B相觸頭盒3上的環(huán)氧樹脂層6內(nèi)設(shè)有B相屏蔽套 4， A相觸頭盒1和B相觸頭盒3之間的接縫處設(shè)有半導(dǎo)體硅膠層5，半導(dǎo)體硅膠層5的截面 呈"L|"形。
工作原理1、將觸頭盒內(nèi)部高電位(母排、靜觸頭、梅花觸頭、導(dǎo)電桿)與銅制屏蔽 套連接埋設(shè)在絕緣體內(nèi)部使得觸頭盒與屏蔽套形成電位，沒有放電現(xiàn)象。2、觸頭盒相間采 用半導(dǎo)體硅橡膠材料嵌屏蔽技術(shù)。如圖所示A相觸頭盒內(nèi)的屏蔽套與B相觸頭盒屏蔽套之間 的電壓差為40.5KV，常常在接縫之間出現(xiàn)放電現(xiàn)象。硅橡膠半導(dǎo)體材料嵌縫屏蔽技術(shù)解決了 放電這一技術(shù)難題，觸頭盒與觸頭盒通過半導(dǎo)體材料距離為100mm左右，實(shí)際材料的絕緣 性能擊穿電壓26KV/min。遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于使用要求，而且觸頭盒的爬電距離微微1200mm以上， 絕對符合圖標(biāo)要求。解決了產(chǎn)品內(nèi)外觸頭盒的電解。
除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成 的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、一種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒(1)和B相觸頭盒(3)，其特征是所述A相觸頭盒(1)內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套(2)，B相觸頭盒(3)內(nèi)設(shè)有B相屏蔽套(4)，A相觸頭盒(1)和B相觸頭盒(3)之間的接縫處設(shè)有半導(dǎo)體硅膠層(5)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽觸頭盒，其特征是所述的A相觸頭盒(1)上的環(huán)氧樹 脂層(6)內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套(2)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽觸頭盒，其特征是所述的B相觸頭盒(3)上的環(huán)氧樹 脂層(6)內(nèi)設(shè)有B相屏蔽套(4)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽觸頭盒，其特征是所述的半導(dǎo)體硅膠層(5)的截面呈
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒和B相觸頭盒，所述A相觸頭盒內(nèi)設(shè)有A相屏蔽套，B相觸頭盒內(nèi)設(shè)有B相屏蔽套，A相觸頭盒和B相觸頭盒之間的接縫處設(shè)有半導(dǎo)體硅膠層。本實(shí)用新型有益的效果是1.觸頭盒內(nèi)部高電位與銅制屏蔽套連接埋設(shè)在絕緣體內(nèi)部使得觸頭盒與屏蔽套形成電位。沒有放電現(xiàn)象。2.硅橡膠半導(dǎo)體材料嵌縫屏蔽，觸頭盒與觸頭盒通過半導(dǎo)體材料距離為100mm左右，實(shí)際材料的絕緣性能擊穿電壓26KV/min。遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于使用要求，而且觸頭盒的爬電距離微微1200mm以上，絕對符合圖標(biāo)要求。解決了產(chǎn)品內(nèi)外觸頭盒的電解。
文檔編號H02G5/06GK201118167SQ20072019137
公開日2008年9月17日 申請日期2007年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月20日
發(fā)明者余金松, 吳偉春 申請人:寧波電業(yè)局;杭州曙光電器有限公司