專利名稱：：電源裝置和使用該電源裝置的微波產(chǎn)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及包括通過(guò)移相型的PWM控制進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作的開關(guān)電路的電源裝置和使用該電源裝置的微波產(chǎn)生裝置。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體器件、液晶顯示裝置的制造工序中，在半導(dǎo)體晶片、玻璃基板等被處理基板上實(shí)施蝕刻處理、成膜處理等的等離子體處理。因此，使用等離子體蝕刻裝置、等離子體CVD成膜裝置等等離子體處理裝置。作為等離子體處理裝置中的等離子體的產(chǎn)生方式，多使用以下方式向配置有平行平板電極的腔室內(nèi)供給處理氣體，向平行平板電極供給規(guī)定的電力，通過(guò)平行平板間的電容耦合而產(chǎn)生等離子體。但是，近來(lái)，作為能夠?qū)崿F(xiàn)高等離子體密度和低電子溫度的等離子體，利用了微波的方式不斷受到注目。作為利用微波的等離子體源，一般使用設(shè)置有磁控管的微波產(chǎn)生裝置。磁控管在作為陰極(cathode)的金屬線的周圍以同軸狀配置具有空腔諧振器的陽(yáng)極(anode)而構(gòu)成。在向這兩個(gè)電極之間施加直流電場(chǎng)的狀態(tài)下，加熱陰極，釋放出熱電子。通過(guò)調(diào)整施加在兩電極間的電場(chǎng)(電壓)，流動(dòng)的電流被控制。與此同時(shí)，通過(guò)在與該電場(chǎng)正交的方向施加的磁場(chǎng)，熱電子進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)而振蕩。作為其結(jié)果，產(chǎn)生微波。在將磁控管用于微波振蕩器的情況下，需要大容量的高電壓電源。大容量的直流電源的開關(guān)電路通常由使用了4個(gè)晶體管的全橋電路構(gòu)成。在此情況下，能夠使施加在構(gòu)成開關(guān)元件的晶體管(FET)上的電壓降低，此外，能夠根據(jù)變壓器匝數(shù)自由地設(shè)定電壓、電流。使用了這種開關(guān)電路的電源的功率控制，一般通過(guò)PWM(PulseWidthModulation:脈沖寬度調(diào)制)控制進(jìn)行。歷來(lái)，該控制通過(guò)調(diào)整晶體管的導(dǎo)通、斷幵(on、off)的時(shí)間(占空比dutycycle)而進(jìn)行。但是，當(dāng)所有晶體管斷開的時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，負(fù)載的線的電位變得不穩(wěn)定，開關(guān)損失增加。作為避免這種缺點(diǎn)的技術(shù)，己知有令各晶體管的柵極信號(hào)的占空比一定并通過(guò)改變相位(phase)來(lái)控制各晶體管的ON時(shí)間的移相型的PWM控制(例如，晶體管技術(shù)2004年6月號(hào)228-235頁(yè)(非專利文獻(xiàn)l))。通過(guò)進(jìn)行移相型的PWM控制，能夠容易地形成諧振電路，因此能夠進(jìn)行高效率的開關(guān)動(dòng)作。
發(fā)明內(nèi)容在進(jìn)行使用以上那樣的全橋電路的移相型的PWM控制的情況下，多使用開關(guān)效率高的MOS型晶體管。但是，當(dāng)斷開時(shí)間長(zhǎng)時(shí)，即，當(dāng)從該電路輸出并施加在負(fù)載上的電壓信號(hào)的占空比小時(shí)，在導(dǎo)通的晶體管的源極/漏極間的寄生電容部分不能充分地蓄積電荷。因此，在將其斷開后，當(dāng)令串聯(lián)連接在該晶體管上的其它晶體管導(dǎo)通時(shí)，大的輸入電流通過(guò)已斷開的晶體管的電容部分并流入處于導(dǎo)通狀態(tài)下的晶體管，于是，這些晶體管發(fā)熱，產(chǎn)生大的損失。另一方面，在施加在負(fù)載上的電壓信號(hào)的占空比大的情況下，要求更大的功率。但是，通常的移相控制，還存在效率下降、不能充分獲得功率的情況。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種電源裝置和使用該電源裝置的微波產(chǎn)生裝置，該電源裝置通過(guò)移相型的PWM控制使開關(guān)電路動(dòng)作，并且，發(fā)熱等損失的影響小、效率高。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種電源裝置和使用該電源裝置的微波產(chǎn)生裝置，該電源裝置通過(guò)移相型的PWM控制使開關(guān)電路動(dòng)作，并且，兼具高效率和高功率。進(jìn)一步，本發(fā)明的目的在于提供用于控制這種電源裝置的開關(guān)電路的計(jì)算機(jī)程序。本發(fā)明為一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。根據(jù)本發(fā)明，在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，由此，能夠在動(dòng)作中途充分地對(duì)例如開關(guān)晶體管的寄生電容進(jìn)行充電。由此，例如在開關(guān)晶體管中，能夠防止因充電電荷少而引起的沖擊電流的產(chǎn)生。因此，能夠抑制由沖擊電流引起的損失和晶體管的發(fā)熱等。此外，本發(fā)明為一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下不插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。根據(jù)本發(fā)明，在從開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，由此，在能夠動(dòng)作中途充分地對(duì)例如開關(guān)晶體管的寄生電容進(jìn)行充電。另一方面，在占空比在上述規(guī)定值以上的情況下不插入多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。由此，能夠降低高占空比區(qū)域中的開關(guān)損失，進(jìn)行更高效率的控制。此外，本發(fā)明為一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各幵關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各幵關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)提高，而在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)降低。根據(jù)本發(fā)明，在從開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)提高，在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)降低。由此，在低功率模式下能夠?qū)崿F(xiàn)良好的功率控制性能，并且，在高功率模式下能夠得到高效率。在此情況下，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。另外，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比小于上述規(guī)定值的情況下上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。此外，本發(fā)明為一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，另一方面，在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下不插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，并且，使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于上述占空比小于上述規(guī)定值的情況下的頻率。根據(jù)本發(fā)明，能夠進(jìn)行更細(xì)微的控制，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高的效率和高的功率控制性。在此情況下，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下，上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。進(jìn)一步，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比小于上述規(guī)定值的情況下，上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。此外，本發(fā)明為一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；幵關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于第一值的情況下在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)幵關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在上述占空比在上述第一值以上且比大于該第一值的第二值小的情況下不插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在上述占空比在上述第二值以上的情況下使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于上述占空比小于上述第二值的情況下的頻率。根據(jù)本發(fā)明，能夠進(jìn)行更細(xì)微的控制，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高的效率和高的功率控制性。在此情況下，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比在上述第二值以上的情況下，上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。進(jìn)一步，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比在上述第一值以上且小于上述第二值的情況下，上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。另外，上述控制部也可以進(jìn)行控制，使得在上述占空比小于上述第一值的情況下，上述占空比越大則上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。在以上的各發(fā)明中，優(yōu)選上述開關(guān)電路具有4個(gè)開關(guān)元件，它們構(gòu)成全橋電路。而且，優(yōu)選該4個(gè)開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的占空比相同。此外，例如，上述開關(guān)元件是MOSFET或IGBT。此外，能夠進(jìn)一步設(shè)置使從上述開關(guān)電路輸出的電壓上升的升壓變壓器。此外，本發(fā)明為一種微波產(chǎn)生裝置，其特征在于，包括具有上述任一特征的電源裝置；和由上述電源裝置供電而使微波振蕩的微波振蕩部。優(yōu)選上述微波振蕩部包括磁控管，該磁控管包括腔室，內(nèi)部被保持為真空；金屬線，被配置在上述腔室內(nèi)，且作為釋放出熱電子的陰極發(fā)揮作用；陽(yáng)極，在上述腔室內(nèi)與上述金屬線對(duì)置配置，且由上述電源裝置供電而在與上述金屬線之間形成電場(chǎng)；和磁場(chǎng)產(chǎn)生單元，在上述腔室的外側(cè)形成與上述電場(chǎng)正交的磁場(chǎng)。本發(fā)明為一種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述幵關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)的功能。本發(fā)明為一種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)在上述各開關(guān)元件中產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下，在上述幵關(guān)元件的導(dǎo)通、斷幵循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下，不插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)的功能。本發(fā)明為一種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置的方式，該電源裝置包括將交流電壓變換為直流電壓的交流/直流變換部；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)這上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下，使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)提高，而在上述占空比在上述規(guī)定值以上的情況下，使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)降低的功能。本發(fā)明為一種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)上述各開關(guān)元件各自的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于第一值的情況下，在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在上述占空比在第一值以上且比大于上述第一值的第二值小的情況下，不插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在上述占空比在上述第二值以上的情況下，使上述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于上述占空比小于上述第二值的情況下的頻率。圖1是表示包括搭載有本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高電壓電源的微波產(chǎn)生裝置的微波等離子體處理裝置的框圖。圖2是用于說(shuō)明圖1的微波等離子體處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概略圖。圖3A和圖3B是詳細(xì)表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高電壓電源的電路圖。圖4是表示作為圖1的微波等離子體處理裝置中的微波振蕩部的主要結(jié)構(gòu)部的磁控管的剖視圖。圖5是表示通常的移相型PWM控制中的各開關(guān)晶體管的柵極信號(hào)和變壓器初級(jí)側(cè)電壓波形的關(guān)系的一個(gè)例子的圖。圖6是示意地表示圖5的情況下的1個(gè)循環(huán)的開關(guān)動(dòng)作的圖。圖7是表示在實(shí)際的移相型的PWM控制中，使變壓器初級(jí)側(cè)電壓的占空比變化時(shí)的占空比為20%、50%、卯％的實(shí)際波形的圖。圖8是示意地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高電壓電源的開關(guān)電路中的1個(gè)循環(huán)的開關(guān)動(dòng)作的圖。圖9是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的示意圖。圖IO是表示在高的頻率下，在柵極信號(hào)的占空比小的情況下且在晶體管斷開時(shí)發(fā)生多次(高次)諧振時(shí)的柵極電壓、變壓器初級(jí)側(cè)電流、變壓器次級(jí)側(cè)電流的波形的圖。圖11是表示本發(fā)明的又一實(shí)施方式中的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的示例的示意圖。圖12是表示本發(fā)明的又一實(shí)施方式中的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的另一示例的示意圖。圖13是表示本發(fā)明的又一實(shí)施方式中的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的又一示例的示意圖。圖14A和圖14B是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式中的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的示意圖。圖15是表示本發(fā)明的又一其它實(shí)施方式中的開關(guān)電路的動(dòng)作狀態(tài)的示意圖。具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖l是表示包括搭載有本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高電壓電源(電源裝置)的微波產(chǎn)生裝置的微波等離子體處理裝置的框圖。圖2是用于說(shuō)明其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概略圖。如圖1所示，微波等離子體處理裝置IOO包括微波產(chǎn)生裝置l;微波傳送部2;等離子體處理部3;和作為控制以上各部分的上級(jí)控制部的整體控制部4。微波產(chǎn)生裝置1包括高電壓電源11和微波振蕩部12。如圖2所示，高電壓電源11用于將3相200V的交流電壓變換成直流電壓，并使之升壓，將規(guī)定的直流電壓提供給微波振蕩部12，該高電壓電源11包括安全電路13;AC/DC變換部14;開關(guān)電路15;高耐壓升壓變壓器16;整流電路17;和主要控制開關(guān)電路15的高電壓電源控制器18。AC/DC變換部14包括整流電路21和平滑電路22。而且，被AC/DC變換部14變換后的280V的直流電壓根據(jù)來(lái)自高電壓電源18的指令，通過(guò)開關(guān)電路15被開關(guān)(被接通、斷開)。而且，該直流電壓被高耐壓升壓變壓器16升壓至期望的電壓，經(jīng)整流電路17被提供給微波振蕩部12。向微波振蕩部12提供的高壓直流的電壓、電流被電壓、電流監(jiān)視器20監(jiān)視，其信息被送至高電壓電源控制器18。如圖2所示，微波振蕩部12包括使微波振蕩的磁控管23;向磁控管23的金屬線供給電壓的金屬線電源24;和微波振蕩部控制器25。磁控管23在被保持為真空的容器內(nèi)具有作為陰極(cathode)的金屬線26和陽(yáng)極(anode)27。當(dāng)電壓被施加在金屬線26上時(shí)，釋放出熱電子。通過(guò)從高電壓電源ll在兩電極間施加規(guī)定的電壓，流動(dòng)的電流被控制。此外，通過(guò)在與此時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)正交的方向上施加磁場(chǎng)，在熱電子中產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行振蕩。結(jié)果，磁控管23發(fā)出例如2.45GHz的微波。金屬線電源24包括對(duì)從200V的3相交流取出的200V的交流進(jìn)行降壓的高耐壓降壓變壓器28;AC/DC變換電路29;和開關(guān)電路30。由高耐壓降壓變壓器28和AC/DC變換電路29形成的7V的直流電壓根據(jù)來(lái)自微波振蕩部控制器25的指令由開關(guān)電路30控制，成為0-7V范圍的規(guī)定電壓并被施加在磁控管23的金屬線26上。而且，向金屬線26提供的直流的電壓、電流被電壓、電流監(jiān)視器31監(jiān)視，其信息被發(fā)送至微波振蕩控制器25。微波傳送部2用于將在微波產(chǎn)生裝置1中產(chǎn)生的微波傳導(dǎo)至等離子體處理部3，該微波傳送部2包括用于傳導(dǎo)在微波產(chǎn)生裝置1中產(chǎn)生的微波(iU波)的波導(dǎo)管32;用于將反射微波分開的隔離器33;檢測(cè)微波的功率的功率傳感器34;進(jìn)行阻抗調(diào)整的調(diào)諧器35;用于將所傳送的微波向等離子體處理部3發(fā)射的天線36;和控制微波傳送部2的各結(jié)構(gòu)部的傳送部控制器37。在天線36上形成有用于發(fā)射微波的縫隙。由功率傳感器34檢測(cè)的微波的功率由功率監(jiān)視器38監(jiān)視，其信號(hào)被發(fā)送至高電壓電源控制器18。等離子體處理部3包括被氣密構(gòu)成的腔室39;在腔室39內(nèi)載置被實(shí)施等離子體處理的被處理基板S的載置臺(tái)40;用于使從天線36發(fā)射的微波透過(guò)至腔室39內(nèi)的由電介質(zhì)材料構(gòu)成的頂板41;向腔室39內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部42;將來(lái)自氣體供給部42的氣體導(dǎo)入腔室39內(nèi)的氣體導(dǎo)入部件43;設(shè)置在腔室39的底部上的排氣口44;經(jīng)由排氣口44對(duì)腔室39內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣部45;和控制等離子體處理部3的各結(jié)構(gòu)部的處理部控制器46。通過(guò)向腔室39的被處理基板S的上方空間發(fā)射微波，在該空間內(nèi)形成處理氣體的等離子體。利用該等離子體，對(duì)被處理基板S實(shí)施氧化處理、蝕刻等規(guī)定的等離子體處理。整體控制部4包括對(duì)高電壓電源控制器18、微波振蕩部控制器25、傳送部控制器37、處理部控制器46進(jìn)行控制的由微處理器(計(jì)算機(jī))構(gòu)成的上級(jí)控制器47;存儲(chǔ)有在控制中所需的各種程序、處理?xiàng)l件這些所謂的處理方案等的存儲(chǔ)部48;和包括進(jìn)行高電壓電源的功率等的各種設(shè)定的設(shè)定部、顯示狀態(tài)和警報(bào)等的顯示部等的外部界面49。上述處理方案例如能夠存儲(chǔ)在CD-ROM、硬盤、軟盤、非易失性存儲(chǔ)器等能夠讀出的存儲(chǔ)介質(zhì)中。由整體控制部4、高電壓電源控制器18、微波振蕩部控制器25、傳送部控制器37、處理部控制器46構(gòu)成控制部。接著，對(duì)高電壓電源ll進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖3A和圖3B是詳細(xì)地表示高電壓電源11的電路圖。如圖3A所示，200V的3相交流首先經(jīng)安全電路13到達(dá)AC/DC變換部14。安全電路13包括電流斷路器50;噪聲濾波器51;和磁接觸器52。經(jīng)過(guò)安全電路13的電流通過(guò)整流電路21被變換成直流，其直流電流通過(guò)包括電容器22a的平滑電路22被平滑化，形成280V的直流。如圖3B所示，在開關(guān)電路15中，4個(gè)開關(guān)晶體管Q1、Q2、Q3、Q4構(gòu)成全橋電路(也稱為H橋)，通過(guò)高電壓電源控制器18進(jìn)行移相型的PWM控制。從高電壓電源控制器18向開關(guān)晶體管Q1、Q2、Q3、Q4輸入各自的相位(phase)已被控制的占空比為50%的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vgl、Vg2、Vg3、Vg4。這些柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)被合成，從開關(guān)電路15輸出脈沖狀電壓。該脈沖狀電壓作為變壓器初級(jí)側(cè)電壓被取出。在開關(guān)晶體管Q1Q4中，晶體管Q1、Q4是正輸出，晶體管Q2、Q3是負(fù)輸出。作為開關(guān)晶體管，從效率的觀點(diǎn)出發(fā)，能夠使用場(chǎng)效應(yīng)型晶體管，優(yōu)選使用MOS型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，優(yōu)選功率MOSFET。此外，還能夠使用與MOSFET相比為高耐壓且適用于高功率的IGBT(絕緣柵型雙極晶體管)。此外，作為開關(guān)電路15的負(fù)載的升壓變壓器16與從串聯(lián)連接的晶體管Ql和Q2之間以及晶體管Q3和Q4之間分別延伸出來(lái)的布線連接。此外，諧振電容器Cr/2以與各開關(guān)晶體管Q1Q4并聯(lián)的方式被插入，在從晶體管Ql和Q2之間至升壓變壓器16的布線上插入有諧振電感器Lr。此處，諧振電容器Cr/2是晶體管的寄生電容和與晶體管并列連接的追加電容器的合成電容，諧振電感器Lr是變壓器16的漏電感和與變壓器串聯(lián)連接的追加電感的合成電感。在升壓變壓器16中，280V被升壓至-8000V。即，0--8000V之間的電壓的直流電流被整流電路17整流后提供給磁控管23。接著，參照?qǐng)D4，對(duì)作為微波振蕩部12的主結(jié)構(gòu)部的磁控管23進(jìn)行說(shuō)明。在該磁控管23中，在保持為真空的例如金屬制的殼體61內(nèi)，配置有作為陰極的金屬線26;和與該金屬線26對(duì)置配置的陽(yáng)極27。實(shí)際上，金屬線26被成形為圓筒狀，陽(yáng)極27以圍繞其周圍的方式成形為同軸圓筒狀，但是，在圖4中，磁控管23的結(jié)構(gòu)僅被示意地記載。在陽(yáng)極27的與金屬線26對(duì)置的面上，設(shè)置有多個(gè)空腔諧振器62。殼體61的側(cè)面(圖中的上下面)66由非磁性材料形成，在其外側(cè)配置有永久磁鐵67。由此，在作為陰極的金屬線26與陽(yáng)極27之間的空間，能夠以與這兩個(gè)電極的對(duì)置方向正交的方式形成強(qiáng)磁場(chǎng)。此外，從金屬線電源24對(duì)金屬線26施加電壓，由此，熱電子被釋放出。此外，在作為陰極發(fā)揮作用的金屬線26與陽(yáng)極27之間，從高電壓電源11施加規(guī)定的電壓，由此，電流被控制。對(duì)于此時(shí)生成的電場(chǎng)，因?yàn)樯鲜龃艌?chǎng)在與該電場(chǎng)正交的方向上作用，所以通過(guò)該正交電磁場(chǎng)，從金屬線26釋放出的熱電子產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，熱電子在通過(guò)空腔諧振器62時(shí)發(fā)生諧振，結(jié)果，產(chǎn)生2.45GHz的微波。在陽(yáng)極27上連接隔著絕緣材料63貫通殼體61的天線引線64。在該天線引線64的前端部連接有天線65，產(chǎn)生的微波從該天線65被傳播到波導(dǎo)管32內(nèi)。接著，對(duì)以上述方式構(gòu)成的微波等離子體處理裝置中的處理動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。首先，在外部界面49的設(shè)定部進(jìn)行高電壓電源的功率等的各種設(shè)定。然后，從未圖示的搬入搬出口將被處理基板S搬入等離子體處理部3的腔室39內(nèi)。然后，從氣體供給部42經(jīng)氣體導(dǎo)入部件43將規(guī)定的處理氣體導(dǎo)入腔室39內(nèi)，通過(guò)微波產(chǎn)生裝置1產(chǎn)生微波，微波經(jīng)微波傳送部2被發(fā)射至腔室39內(nèi)。由此，處理氣體在腔室39內(nèi)被等離子體化，通過(guò)該微波等離子體進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。這時(shí)，利用微波產(chǎn)生裝置1的高電壓電源11的開關(guān)電路15，通過(guò)高電壓電源控制器18對(duì)產(chǎn)生的微波進(jìn)行控制。具體而言，高電壓電源控制器18根據(jù)來(lái)自外部界面49的設(shè)定信號(hào)，控制開關(guān)電路15的各開關(guān)晶體管的開關(guān)頻率和相位(phase)等，如上所述，根據(jù)移相型的PWM控制進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作。這時(shí)，來(lái)自電流電壓監(jiān)視器20的電流和電壓的信號(hào)、以及通過(guò)功率監(jiān)視器38被監(jiān)視并通過(guò)微波傳送部2的功率傳感器34被檢測(cè)出的功率的信號(hào)被反饋，開關(guān)電路15的各開關(guān)晶體管被控制，使得所設(shè)定的功率被供給。在通常的基于移相型的PWM控制的開關(guān)動(dòng)作中，開關(guān)晶體管Ql、Q2、Q3、Q4的柵極信號(hào)被固定為例如占空比為50%，它們的相位(phase)被改變。而且，通過(guò)插入適當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時(shí)間，升壓變壓器16初級(jí)側(cè)的電壓波形被控制為所期望的那樣。即，如果施加在變壓器16的初級(jí)側(cè)的電壓波形中的占空比小，則輸出變小，如果該占空比大則輸出變大。圖5示意地表示各開關(guān)晶體管的柵極信號(hào)和變壓器初級(jí)側(cè)電壓波形的例子。此外，圖6示意地表示圖5的情況下的1個(gè)循環(huán)的開關(guān)動(dòng)作。(在圖6中，為了簡(jiǎn)單，開關(guān)晶體管Q1Q4僅被記載為開閉開關(guān)，變壓器以箱表示。)圖5的(1)(8)的部分與圖6的(1)~(8)的狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)。此處，所謂死區(qū)時(shí)間，是圖5中的(2)(4)(6)(8)的狀態(tài)。在移相型的PWM控制中，也能夠省略它們。但是，在省略它們的情況下，例如晶體管從圖6的(1)切換為(3)。在此情況下，晶體管斷開時(shí)所需的時(shí)間多于導(dǎo)通時(shí)所需的時(shí)間。因此，存在短路電流瞬間流過(guò)Q3和Q4的可能性。因此，優(yōu)選設(shè)置死區(qū)時(shí)間。此外，圖7表示實(shí)際上使各開關(guān)晶體管Q1Q4移相，使變壓器初級(jí)側(cè)電壓的占空比變化的情況下的實(shí)際波形。在圖7中，表示占空比為20%、50%、90%的實(shí)際波形。在圖7中，以斜線部表示Ql和Q4均導(dǎo)通的時(shí)間以及Q2和Q3均導(dǎo)通的時(shí)間。在這樣的移相型的PWM控制中，如果使用MOS型晶體管作為開關(guān)晶體管，則當(dāng)斷開時(shí)間長(zhǎng)時(shí)，即，當(dāng)從該電路輸出并被施加在變壓器16上的電壓(輸出電壓)的占空比小時(shí)，在已導(dǎo)通的晶體管的源極/漏極間的寄生電容部分不能充分地蓄積電荷。例如，在圖6的情況下，在狀態(tài)(1)~(3)下開關(guān)晶體管Q2為導(dǎo)通狀態(tài)，但是當(dāng)占空比小時(shí)，在Q2的寄生電容中幾乎不蓄積電荷。在將其斷開后，當(dāng)使與該開關(guān)晶體管Q2串聯(lián)連接的開關(guān)晶體管Ql導(dǎo)通時(shí)(狀態(tài)(5))，大的沖擊電流通過(guò)已斷開的晶體管Q2的電容部分流入晶體管Ql，該晶體管發(fā)熱而產(chǎn)生大的損失。同樣的情況在狀態(tài)(1)時(shí)也發(fā)生。在此情況下，大的沖擊電流通過(guò)已斷開的晶體管Q1的電容部分流入晶體管Q2，產(chǎn)生大的損失。即，在來(lái)自開關(guān)電路15的輸出電壓的占空比小的情況下，在開關(guān)晶體管Ql和Q2中流動(dòng)大的電流，引起發(fā)熱而產(chǎn)生大的損失。因此，在本實(shí)施方式中，如圖8所示，在狀態(tài)(4)和(8)下，設(shè)置有所有的開關(guān)晶體管斷開的全部斷開時(shí)間。通過(guò)高電壓電源控制器18控制開關(guān)電路，使得能夠設(shè)置這樣的狀態(tài)。即，在狀態(tài)(4)下，使開關(guān)晶體管Q2、Q4臨時(shí)斷開，使所有的開關(guān)晶體管斷開，由此，電荷蓄積在開關(guān)晶體管Q2的寄生電容中。因此，在狀態(tài)(5)下，沒有流向晶體管Q1的沖擊電流。此外，在狀態(tài)(8)下，使開關(guān)晶體管Ql、Q3臨時(shí)斷開，使所有的開關(guān)晶體管斷開，由此，電荷蓄積在開關(guān)晶體管Q1的寄生電容中。因此，在狀態(tài)(1)下，沒有流向晶體管Q2的沖擊電流。通過(guò)以上的方式，能夠消除因開關(guān)晶體管Ql、Q2中的沖擊電流引起的損失。而且，在圖8中，省略與圖6的(4)、(8)相當(dāng)?shù)钠陂g，減少了晶體管的幵關(guān)的次數(shù)。因?yàn)槿绻w管進(jìn)行開關(guān)則必然在晶體管、開關(guān)電路中產(chǎn)生損失，所以優(yōu)選盡量減少1個(gè)循環(huán)(相當(dāng)于圖8的(1)~(8))中的開關(guān)次數(shù)。從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將所有晶體管被斷開的期間設(shè)置在電流流入負(fù)載的期間(1)、(5)之前。此處，針對(duì)沒有全部斷開時(shí)間的圖6的情況和設(shè)置有全部斷開時(shí)間的圖8的情況，使晶體管實(shí)際地動(dòng)作，進(jìn)行了比較實(shí)驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)中，來(lái)自開關(guān)電路15的輸出電壓的占空比被改變。測(cè)定安裝在散熱器上的晶體管的金屬殼的溫度，因?yàn)楫?dāng)溫度超過(guò)100。C時(shí)晶體管發(fā)生故障，所以在該溫度附近結(jié)束了實(shí)驗(yàn)。以下的表l表示結(jié)果。(表l)<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>如表1所示，能夠確認(rèn)，通過(guò)設(shè)置全部斷開時(shí)間，能夠抑制伴隨開關(guān)的晶體管的發(fā)熱。接著，對(duì)另一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在上述的實(shí)施方式中，設(shè)置了將所有的開關(guān)晶體管斷開的全部斷開時(shí)間。在此情況下，在每個(gè)循環(huán)中增加2次開關(guān)動(dòng)作。因此，在增大輸出電壓的占空比而供給大電力的情況下，由于開關(guān)損失，反而存在整個(gè)損失變大的可能性。因此，在本實(shí)施方式中，預(yù)先對(duì)開關(guān)晶體管Ql、Q2的開關(guān)動(dòng)作的效率特性進(jìn)行調(diào)査。然后，根據(jù)負(fù)載的狀況等，如圖9所示，通過(guò)高電壓電源控制器18切換2個(gè)模式的移相型控制。即，在輸出電壓的占空比小的區(qū)域，如上所述，進(jìn)行形成斷開所有的開關(guān)晶體管的定時(shí)的模式的移相型PWM控制，當(dāng)達(dá)到規(guī)定的占空比時(shí)，進(jìn)行通常的移相型PWM控制(圖6)。通過(guò)這樣的切換控制，能夠進(jìn)行損失更少的電源控制。接著，對(duì)又一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在上述開關(guān)電路15中，為了盡量維持高的效率，如上所述，插入諧振電容器Cr/2和諧振電感器Lr而構(gòu)成諧振電路。然后，為了降低變壓器的銅損從而減少整體的損失，各開關(guān)晶體管的開關(guān)頻率(柵極信號(hào)的頻率)被設(shè)定為例如10500kHz。但是，在這樣高的頻率下，當(dāng)來(lái)自開關(guān)電路15的輸出電壓的占空比小時(shí)，在晶體管斷開時(shí)，存在發(fā)生多次(高次)諧振的情況。圖IO表示此時(shí)的情況。在圖IO所示的情況下，即使柵極電壓正常，也在晶體管的斷開時(shí)在變壓器初級(jí)側(cè)流動(dòng)諧振電流。因此，在變壓器次級(jí)側(cè)也輸出電壓，不能進(jìn)行正常的移相型PWM控制。為了防止這種功率控制性的惡化，需要較低地設(shè)定諧振頻率。因?yàn)橹C振頻率fr為f產(chǎn)1/(2"(LrCr)1/2)，所以需要較大地設(shè)定Lr、Cr。但是，當(dāng)令Cr較大時(shí)，如上所述，在其未被充電時(shí)大的沖擊電流流入與其串聯(lián)連接的晶體管，引起發(fā)熱，從而不令人滿意。另一方面，當(dāng)增大Lr時(shí)，在來(lái)自開關(guān)電路15的輸出電壓的占空比大的大電力模式(高功率模式)下，由于與變壓器16串聯(lián)連接的諧振電感器的影響，存在不能得到足夠的功率的可能性。在這樣的大電力模式的情況下，通過(guò)使開關(guān)頻率降低，能夠使獲得的功率上升。即，由于阻抗根據(jù)頻率變化，因此如果使頻率降低則變得不易受到諧振電感器的影響，能夠得到更大的功率。因此，在本實(shí)施方式中，進(jìn)行控制，使得在需要重視效率的低占空比、例如不足50%的低功率模式的情況下，提高頻率，例如為50100kHz左右；而在需要重視功率的高占空比、例如50%以上的高功率模式的情況下，降低頻率，例如為150kHz左右。由此，即使在功率控制性成為問題的低功率模式下，也能夠不引起諧振地進(jìn)行動(dòng)作，在重視功率的高功率模式下，能夠通過(guò)使諧振電感器的感應(yīng)系數(shù)小而獲得高效率。在此情況下，如圖11所示，在某個(gè)占空比以上、例如50%以上使頻率下降至一定值，或如圖12所示，在功率小的低占空比下固定于高頻率，在某個(gè)占空比以上、例如50%以上的高功率模式下隨著占空比上升使頻率下降，或如圖13所示，即使在小于規(guī)定的占空比的區(qū)域，也隨著占空比變大而使頻率下降。通過(guò)這種方式，不盡量降低效率就能夠得到大的功率。接著，對(duì)其它實(shí)施方式迸行說(shuō)明。本實(shí)施方式是組合之前的實(shí)施方式而成的，例如，如圖MA和圖14B所示，在占空比小于規(guī)定值的低占空比下，進(jìn)行如上所述設(shè)定令所有的開關(guān)晶體管斷開的定時(shí)的控制，在規(guī)定的占空比以上的情況下，切換至通常的移相型控制，并使頻率下降。具體而言，可以如圖14A所示，在占空比為規(guī)定值以上的情況下，使頻率下降至一定值，也可以如圖14B所示，在占空比為規(guī)定值以上的情況下，根據(jù)占空比使頻率變化。此外，也可以在占空比小于規(guī)定值時(shí)，根據(jù)占空比使頻率變化。接著，對(duì)又一其它實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，如圖15所示，在低于第一占空比A的低占空比下，進(jìn)行設(shè)置令開關(guān)晶體管斷開的定時(shí)的控制；在第一占空比A以上且小于第二占空比B的中占空比下，迸行通常的移相型控制；在第二占空比B以上的高占空比下，進(jìn)行令頻率小于中占空比時(shí)的頻率的控制。由此，能夠進(jìn)行更精細(xì)的控制。關(guān)于本實(shí)施方式中的第二占空比以上的區(qū)域中的頻率的變化，在圖15的情況下雖然按照占空比使頻率變化，但是也可以使頻率下降至一定值。此外，在第一占空比以上且小于第二占空比的區(qū)域中，也可以控制為比小于第一占空比的區(qū)域中的頻率小的頻率。此外，在第一占空比以上且小于第二占空比的區(qū)域中，也可以隨著占空比變大而使頻率下降。在此情況下，在小于第一占空比的區(qū)域中，也可以隨著占空比變大而使頻率下降。而且，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。例如，在上述各實(shí)施方式中，將本發(fā)明應(yīng)用于微波產(chǎn)生裝置，但不限于此，也可以應(yīng)用于需要高電壓的其它用途的電源中。此外，在上述各實(shí)施方式中，作為開關(guān)電路，使用搭載有4個(gè)開關(guān)晶體管的全橋電路，但不限于此，例如也可以使用半橋電路。本發(fā)明適用于在微波等離子體處理裝置中使用的微波產(chǎn)生裝置等需要大電力的電源。權(quán)利要求1.一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，所述控制部使得在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。2.—種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使所述各幵關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，所述控制部使得在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下不插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。3.—種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，所述控制部使得在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)提高，而在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下使所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)降低。4.一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，所述控制部使得在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下不插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，并且，使所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于所述占空比小于所述規(guī)定值的情況下的頻率。5.如權(quán)利要求3或4所述的電源裝置，其特征在于所述控制部進(jìn)行控制，使得在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下，所述占空比越大則所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。6.如權(quán)利要求5所述的電源裝置，其特征在于所述控制部進(jìn)行控制，使得在所述占空比小于規(guī)定值的情況下，所述占空比越大則所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。7.—種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷幵循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；禾口控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，所述控制部使得在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于第一值的情況下在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷幵循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在所述占空比在所述第一值以上且比大于該第一值的第二值小的情況下不插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在所述占空比在所述第二值以上的情況下使所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于所述占空比小于所述第二值的情況下的頻率。8.如權(quán)利要求7所述的電源裝置，其特征在于所述控制部進(jìn)行控制，使得在所述占空比在所述第二值以上的情況下，所述占空比越大則所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。9.如權(quán)利要求8所述的電源裝置，其特征在于所述控制部進(jìn)行控制，使得在所述占空比在所述第一值以上且小于所述第二值的情況下，所述占空比越大則所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。10.如權(quán)利要求9所述的電源裝置，其特征在于所述控制部進(jìn)行控制，使得在所述占空小于所述第一值的情況下，所述占空比越大則所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率越低。11.如權(quán)利要求110中任一項(xiàng)所述的電源裝置，其特征在于所述開關(guān)電路具有4個(gè)開關(guān)元件，它們構(gòu)成全橋電路。12.如權(quán)利要求ll所述的電源裝置，其特征在于所述4個(gè)開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的占空比相同。13.如權(quán)利要求112中任一項(xiàng)所述的電源裝置，其特征在于所述開關(guān)元件是MOSFET或IGBT。14.如權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的電源裝置，其特征在于還包括使從所述開關(guān)電路輸出的電壓上升的升壓變壓器。15.—種微波產(chǎn)生裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求114中任一項(xiàng)所述的電源裝置；和由所述電源裝置供電而使得產(chǎn)生微波振蕩的微波振蕩部。16.如權(quán)利要求15所述的微波產(chǎn)生裝置，其特征在于所述微波振蕩部包括磁控管，該磁控管包括腔室，內(nèi)部被保持為真空；金屬線，被配置在所述腔室內(nèi)，且作為釋放出熱電子的陰極發(fā)揮作用；陽(yáng)極，在所述腔室內(nèi)與所述金屬線對(duì)置配置，且由所述電源裝置供電而在與所述金屬線之間形成電場(chǎng)；和磁場(chǎng)產(chǎn)生單元，在所述腔室的外側(cè)形成與所述電場(chǎng)正交的磁場(chǎng)。17.—種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于-該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)的功能。18.—種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能-進(jìn)行通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下，在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，而在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下，不插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)的功能。19.一種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能進(jìn)行通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于規(guī)定值的情況下，使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)提高，而在所述占空比在所述規(guī)定值以上的情況下，使所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率相對(duì)降低的功能。20.—種計(jì)算機(jī)程序，使計(jì)算機(jī)發(fā)揮作用以控制電源裝置，該電源裝置包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；和開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)所述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓，該計(jì)算機(jī)程序的特征在于該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)以下功能-進(jìn)行通過(guò)使所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度的移相型PWM控制的功能；和在從所述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的占空比小于第一值的情況下，在所述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在所述占空比在第一值以上且比大于所述第一值的第二值小的情況下，不插入所述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)，在所述占空比在所述第二值以上的情況下，使所述導(dǎo)通、斷開循環(huán)的頻率低于所述占空比小于所述第二值的情況下的頻率。全文摘要本發(fā)明提供一種電源裝置，其特征在于，包括交流/直流變換部，將交流電壓變換為直流電壓；開關(guān)電路，具有多個(gè)開關(guān)元件，在直流電壓被輸入時(shí)上述各開關(guān)元件產(chǎn)生導(dǎo)通、斷開循環(huán)，根據(jù)所述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開的組合輸出脈沖狀電壓；和控制部，進(jìn)行移相型PWM控制，所述移相型PWM控制通過(guò)使上述各開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)的相位變化來(lái)控制從上述開關(guān)電路輸出的脈沖狀電壓的脈沖寬度，其中，上述控制部使得在上述開關(guān)元件的導(dǎo)通、斷開循環(huán)中插入上述多個(gè)開關(guān)元件全部斷開的定時(shí)。文檔編號(hào)H02M7/48GK101529710SQ20078003987公開日2009年9月9日申請(qǐng)日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日發(fā)明者小畑雄治,河西繁,長(zhǎng)田勇輝申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社