專利名稱：：超薄板式加熱器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明為一種加熱器及其制作方法，尤其是一種用于對水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子磁軛進(jìn)行現(xiàn)場熱套即加熱的超薄板式加熱器及其制作方法。
背景技術(shù)：
：水電站機(jī)組在運(yùn)行時(shí)，其水輪發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)子磁軛會產(chǎn)生很大的離心力，且轉(zhuǎn)子直徑越大或者轉(zhuǎn)速越高，則產(chǎn)生的分離間隙就越大，這不僅會使機(jī)組產(chǎn)生擺動(dòng)與振動(dòng)，甚至還會使轉(zhuǎn)子支架立柱上的掛鉤因受沖擊而斷裂，造成重大事故，所以轉(zhuǎn)子組裝時(shí)，在磁軛疊裝后，必須對磁軛采取打鍵的方法，預(yù)先給磁軛和轉(zhuǎn)子支架施加一預(yù)緊力，使磁軛與轉(zhuǎn)子支架的徑向緊量滿足機(jī)組運(yùn)行的要求。對磁軛打鍵一般分兩步進(jìn)行先在自然溫度狀態(tài)下打鍵，謂之冷打鍵，然后在熱狀態(tài)即設(shè)定的較高溫度下打鍵，謂之熱打鍵。在熱打鍵時(shí)，目前都采用銅損法、外掛式加熱法、管狀加熱法等對磁軛進(jìn)行加熱，但這些方法普遍存在加熱不均，容易變形、消耗能源等弊病。為響應(yīng)國家節(jié)能減排的號召，我國東方電氣集團(tuán)有限公司研制出了目前最先進(jìn)的新型水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子,該轉(zhuǎn)子為了節(jié)能，取消了原有環(huán)狀空氣流動(dòng)槽，將磁軛分成23段的方式，只留下無數(shù)個(gè)只有幾毫米寬的空氣流動(dòng)槽。由于新型轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)完全不同，且磁軛疊片方式為前所未有，故已有的熱套技術(shù)雖有弊病，卻也不能適用。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，是要為新型高效節(jié)能水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子提供一種給轉(zhuǎn)子磁軛加熱時(shí)具有加熱時(shí)間短、能耗低、磁軛各部份加熱溫度均勻的超薄板式加熱器及其制作方法。為解決以上技術(shù)問題所要采用的技術(shù)方案是這樣的本發(fā)明包括引出導(dǎo)線，其特征是該加熱器設(shè)有長寬與水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子空氣流動(dòng)槽相匹配的長方形薄板式外殼，靠外殼的兩側(cè)面于縱向設(shè)有兩片薄型硅晶片，在兩硅晶片之間，于縱向中心線兩側(cè)平行對稱設(shè)有兩片薄型發(fā)熱體。本發(fā)明的制作方法，其特征是超薄板式加熱器外殼分別由上板和下板組成，并在上板的四周設(shè)置折邊。制作生產(chǎn)流程如下-首先按設(shè)定尺寸將上、下板及薄型硅晶片、發(fā)熱體一一裁剪好一然后在下板上方依次鋪設(shè)薄型硅晶片、發(fā)熱體、薄型硅晶片一在發(fā)熱體一端接出引出導(dǎo)線一蓋上上蓋板一將折邊折好一沿著中心線均布設(shè)置的鉚接孔逐一將上、下板相對鉚接一對成品外形尺寸進(jìn)行檢查一包裝、入庫，并做到5個(gè)方面的厚度控制辦法(1)超薄板式加熱器總厚度控制范圍為4.24.8毫米；(2)外殼上、下板厚度各為0.51.0毫米；(3)發(fā)熱體厚度0.71.0毫米；(4)硅晶片厚度0.40.7毫米；(5)為了便于折邊，靠下板的硅晶片寬度略比上板的硅晶片小45、由于采用以上技術(shù)方案，其效果是顯而易見的1、加熱器絕緣性能好，強(qiáng)度高，不易彎曲。2、應(yīng)用本發(fā)明給新型轉(zhuǎn)子磁軛加熱時(shí)，具有加熱速度快、加熱均勻、能耗低、磁軛各部分溫度變化均勻等特點(diǎn)。3、結(jié)構(gòu)簡單，使用靈便，在加熱時(shí)，可靈活地將本加熱器一片一片插入新型水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子只有幾毫米寬的空氣流動(dòng)槽內(nèi)。圖l為本發(fā)明橫斷面結(jié)構(gòu)圖。圖2為圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)圖。圖3為圖1中外殼1的上板平面圖。圖4為圖1中外殼1的下板平面圖。圖中1、外殼2、硅晶片3、發(fā)熱體4、鉚接孔5、引出導(dǎo)線6、出線孔7、折邊線8、上板9、下板具體實(shí)施方式本發(fā)明為一種超薄板式加熱器及其制作方法。該加熱器包括引出導(dǎo)線5，特征是加熱器設(shè)有長、寬與水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子空氣流動(dòng)槽相匹配的長方形薄板式外殼l，靠外殼的兩側(cè)面于縱向設(shè)有兩片薄型硅晶片2，在兩硅晶片之間，于縱向中心線兩側(cè)，平行對稱設(shè)置兩片薄型發(fā)熱體3。另外，為了增加強(qiáng)度，在長方形薄板式外殼l的縱向中心線上，還均布設(shè)置鉚接孔4。本發(fā)明的制作方法是超薄板式加熱器外殼分別由上板8和下板9組成，并在上板8的四周設(shè)置折邊。制作生產(chǎn)流程是這樣的首先按設(shè)定尺寸將上、下板及薄型硅晶片2、發(fā)熱體3—一裁剪好—然后在下板上方依次鋪設(shè)薄型硅晶片2、發(fā)熱體3、薄型硅晶片2—在發(fā)熱體一端接出引出導(dǎo)線5—蓋上上蓋板8—將折邊折好一沿著中心線均布設(shè)置的鉚接孔4逐一將上、下板相對鉚接一對成品外形尺寸進(jìn)行檢查一包裝、入庫一并做到5個(gè)方面的厚度控制辦法a)超薄板式加熱器總厚度控制范圍為4.24.8毫米；(2)外殼上、下板厚度各為0.51.0毫米；(3)發(fā)熱體厚度0.71.0毫米；(4)硅晶片厚度0.40.7毫米；(5)為了便于折邊，靠下板9的硅晶片2，其寬度略比上板8的硅晶片2小45毫米。在應(yīng)用本發(fā)明時(shí)，只要將本加熱器一片一片插入水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的空氣流動(dòng)槽內(nèi)，然后接線至溫控設(shè)備，再在整臺轉(zhuǎn)子四周布置保溫材料，然后將測溫點(diǎn)布置在轉(zhuǎn)子的四周。當(dāng)準(zhǔn)備工作完成后，便進(jìn)行開機(jī)加熱至溫度工藝要求，然后自動(dòng)停機(jī)。應(yīng)用本發(fā)明不但加熱速度快，而且加熱均勻，能耗低，請看以下對比表<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權(quán)利要求1、一種超薄板式加熱器，其包括引出導(dǎo)線(5)，特征是該加熱器設(shè)有長、寬與水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子空氣流動(dòng)槽相匹配的長方形薄板式外殼(1)，靠外殼的兩側(cè)面于縱向設(shè)有兩片薄型硅晶片(2)，在兩硅晶片之間，于縱向中心線兩側(cè)，平行對稱設(shè)置有兩片薄型發(fā)熱體(3)。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的加熱器，其特征是在長方形薄板式外殼(1)的縱向中心線上，還均布設(shè)有鉚接孔(4)。3、一種超薄板式加熱器的制作方法，其特征是超薄板式加熱器外殼分別由上板(8)和下板(9)組成，并在上板(8)的四周設(shè)置折邊，其制作生產(chǎn)流程如下首先按設(shè)定尺寸將上、下板及薄型硅晶片(2)、發(fā)熱體(3)—一裁剪好一然后在下板上方依次鋪設(shè)薄型硅晶片(2)、發(fā)熱體(3)、薄型硅晶片(2)—在發(fā)熱體一端接出引出導(dǎo)線(5)—蓋上上蓋板(8)—將折邊折好一沿著中心線均布設(shè)置的鉚接孔(4)逐一將上、下板相對鉚接一對成品外形尺寸進(jìn)行檢査一包裝、入庫，并做到5個(gè)方面的厚度控制辦法(1)超薄板式加熱器總厚度控制范圍為4.24.8毫米；(2)外殼上、下板厚度各為0.51.0毫米；(3)發(fā)熱體厚度0.71.0毫米；(4)硅晶片厚度0.40.7毫米；(5)為了便于折邊，靠下板(9)的硅晶片(2)，其寬度略比靠上板(8)的硅晶片(2)小45毫米。全文摘要本發(fā)明為一種用于對水輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子磁軛進(jìn)行現(xiàn)場熱套即加熱的超薄板式加熱器及其制作方法。該加熱器設(shè)有長方形薄板式外殼，靠外殼的兩側(cè)面于縱向設(shè)有兩片薄型硅晶片，在兩硅晶片之間，于縱向中心線兩側(cè)，平行對稱設(shè)有兩片薄型發(fā)熱體。本發(fā)明制作中，其外殼分上板和下板組成，并在上板的四周設(shè)置折邊。首先按設(shè)定尺寸將上、下板及薄型硅晶片、發(fā)熱體一一裁剪好，然后在下板上方依次鋪設(shè)硅晶片、發(fā)熱體、硅晶片，在發(fā)熱體一端接出引出導(dǎo)線，蓋上上蓋板并折好折邊，沿中心線均布設(shè)置的鉚接孔逐一將上下板相對鉚接。對加熱器的總厚度及外殼、發(fā)熱體、硅晶片的厚度，按一定范圍進(jìn)行控制。文檔編號H02K15/02GK101336014SQ20081002288公開日2008年12月31日申請日期2008年7月31日優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日發(fā)明者周桂根,朱恩華,達(dá)馬申請人:江蘇億能電氣有限公司