專利名稱：切換式調(diào)整電路及雙線圈馬達(dá)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種用于雙線圈馬達(dá)裝置的電路，特別是關(guān)于可防止電路 運(yùn)作時而發(fā)生錯誤功能的切換式調(diào)整電路。
背景技術(shù)：
許多的電子產(chǎn)品中，由于電路運(yùn)作時受到電流的熱效應(yīng)而產(chǎn)生大量的熱， 此時，便需要一風(fēng)扇馬達(dá)以輔助電子產(chǎn)品在電路運(yùn)作時供散熱之用。常用以 控制風(fēng)扇馬達(dá)的其中之一裝置便是使用雙線圈馬達(dá)裝置，如圖l所示，是雙 線圈馬達(dá)裝置1的示意圖，其運(yùn)作是將雙線圈馬達(dá)裝置1的定子11上所纏繞
的雙線圈13中的其中之一通以電流后，由于線圈與轉(zhuǎn)子之間的磁力作用而帶 動風(fēng)扇15轉(zhuǎn)動，其中對于同一定子11上的雙線圈13的纏繞方式為其中的 一線圈13a為由上而下以順時針方式螺旋纏繞，另一線圈13b為由上而下以 逆時針方式螺旋纏繞，如圖2所示。
請參考圖3,為一種用以驅(qū)動雙線圈馬達(dá)裝置1的風(fēng)扇15轉(zhuǎn)動的一電路， 當(dāng)轉(zhuǎn)動偵測器35偵測到一轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動位置時，發(fā)出 一信號35a經(jīng)由驅(qū)動電 路33a后，輸出偵測信號34a至柵控切換元件31a的柵極311a (或發(fā)出一信 號35b經(jīng)由驅(qū)動電路33b后，輸出偵測信號34b至柵控切換元件31b的柵極 311b), —般而言，柵控切換元件多為一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
(N-typeMOSFET),以下將以此為例說明。為方便說明現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容，在 此，以雙線圈中一線圈13b受到另一線圈13a的磁通量變化為說例；當(dāng)線圈 13b感應(yīng)出一負(fù)電壓的瞬時，該負(fù)電壓所對應(yīng)的一感應(yīng)電流便由柵控切換元 件的漏極313b流往線圏13b,當(dāng)該負(fù)電壓超過寄生二極管317b的臨界電壓 時，將使寄生二極管317b順向偏壓而導(dǎo)通，電荷載子便流入至柵控切換元件 31b的P型基板內(nèi)，使得在P型基板內(nèi)流竄的電荷載子影響電路的正常工作，
因此柵控切換元件31b電路便發(fā)生錯誤功能，更甚者，將導(dǎo)致互補(bǔ)性金氧半 導(dǎo)體閂鎖效應(yīng)(CMOS Latch-up),造成驅(qū)動電路永久損毀。反之，若是線圈13a 受到線圈13b的磁通量發(fā)生變化時，亦具有相同的問題發(fā)生，在此就不多加贅述。
請一并參考圖4，其繪示柵控切換元件31a或31b的剖面示意圖。由于柵 控切換元件31a、 31b具有相同的結(jié)構(gòu)，以下將以柵控切換元件31b為例說明。 當(dāng)柵控切換元件3lb的柵極3lib被關(guān)閉時，漏極313b與源極315b之間無法 導(dǎo)通電流。由于柵控切換元件31b的基板60本身存在著一寄生二極管 (parasitic diode) 317b,該寄生二極管317b的一端與漏極313b電性連接， 而另一端與漏極315b電性連接。然而，當(dāng)線圈13b因互感而于漏極313b產(chǎn) 生該負(fù)電壓，導(dǎo)致寄生二極管317b的順向偏壓超過臨界電壓時，將導(dǎo)通寄生 二極管317b。倘若流經(jīng)寄生二極管317b的電流所攜帶的電荷載子數(shù)目過多 或能量過高，將使過多的電子于基板60內(nèi)流竄，造成電路運(yùn)作時而發(fā)生錯誤， 影響整體電路效能。
針對上述缺點(diǎn)，半導(dǎo)體工業(yè)已提出一套解決方案且廣泛-陂采用，該套解 決方案即為N-type MOSFET 31的P型基板內(nèi)設(shè)計一保護(hù)環(huán)(guard ring ),用 以捕捉或收集注入至P型基板的電荷載子以避免閂鎖效應(yīng)(latch-up )的發(fā)生， 進(jìn)而防止電路發(fā)生錯誤的功能。然而，當(dāng)注入至P型基板的電荷載子能量過 高或數(shù)目過多的時候，保護(hù)環(huán)仍無法完全地捕捉或收集電荷載子而避免閂鎖 效應(yīng)的發(fā)生。
有鑒于此，如何防止因寄生元件導(dǎo)通而產(chǎn)生的電荷流竄現(xiàn)象，而降低整 體電路的運(yùn)作效能，乃為業(yè)界亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種切換式調(diào)整電路，包含一柵控切換元件及 一驅(qū)動電路，該切換式調(diào)整電路用于一雙線圈馬達(dá)裝置，該雙線圈馬達(dá)裝置 包含一第一線圈、 一第二線圏，交替地導(dǎo)通電流，及一供電源(supplyrail), 該雙線圈馬達(dá)裝置產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號代表未導(dǎo)通電流的該第二線圈的一感 應(yīng)電壓。藉此，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號超過一參考值時，該驅(qū)動電路導(dǎo)通(turnon) 該柵控切換元件，以防止該柵控切換元件于電路運(yùn)作時而發(fā)生錯誤功能。
為達(dá)上述目的，柵控切換元件的一柵極與驅(qū)動電路耦合，柵控切換元件 的另二電極分別耦合至第二線圈及供電源；驅(qū)動電路用以偵測該雙線圈馬達(dá) 裝置的一轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動位置以產(chǎn)生一偵測信號，并因應(yīng)該偵測信號及感應(yīng)電 壓信號切換該柵控切換元件，當(dāng)該驅(qū)動電路因應(yīng)該偵測信號而關(guān)閉(turn off)該柵控切換元件，且該感應(yīng)電壓信號超過一參考值時，該驅(qū)動電路導(dǎo)通(turn on)該棚-控切換元件。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種雙線圈馬達(dá)裝置，包含一轉(zhuǎn)子及一定子， 該轉(zhuǎn)子相對于該定子轉(zhuǎn)動； 一第一線圈及一第二線圈，交替地導(dǎo)通電流，其 中第二線圈未導(dǎo)通電流且第一線圈導(dǎo)通電流時，在第二線圈產(chǎn)生一感應(yīng)電壓
信號； 一柵控切換元件，具有三極，其中兩極分別耦合至第二線圈以及一供 電源；以及一驅(qū)動電路，與柵控切換元件的一柵極耦合以偵測轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動 位置以產(chǎn)生一偵測信號，并因應(yīng)該偵測信號以及該感應(yīng)電壓信號切換該柵控 切換元件。更詳細(xì)說來，當(dāng)?shù)诙€圈產(chǎn)生感應(yīng)電壓信號，且感應(yīng)電壓信號超 過一參考值，因應(yīng)該偵測信號及感應(yīng)電壓信號超過該參考值而導(dǎo)通柵控切換
元件。如此，可防止第一、二線圈交替導(dǎo)通電流之際因互感而可能造成電路 運(yùn)作時所發(fā)生的錯誤，影響雙線圈馬達(dá)裝置的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動。
在參閱圖式及隨后描述的實施方式后，本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員便可了 解本發(fā)明的其他目的，以及本發(fā)明的技術(shù)手段及實施方式。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的雙線圈馬達(dá)裝置的示意圖； 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的雙線圈纏繞方式的示意圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動風(fēng)扇馬達(dá)轉(zhuǎn)動的示意圖； 圖4為柵控切換元件的剖面示意圖5繪示一雙線圈馬達(dá)裝置的切換式調(diào)整電路示意圖；以及 圖6繪示切換式調(diào)整電路運(yùn)作時，柵控切換元件的漏極與源極兩端的電 壓差變化波形圖。
主要元件符號說明 1雙線圈馬達(dá)裝置 13雙線圈 13b第二線圈
31a、 31b N-typeMOSFET
313b漏極
317b寄生二極管
11定子
13a第一線圈
15風(fēng)扇
311a、 3lib 柵極
315b源極
33a、 33b驅(qū)動電路35轉(zhuǎn)動偵測器
35a、 35b信號
40a、 40b 切換式調(diào)整電路 403a、 403b供電源
407a、 407b輸出信號
41 la、 411b柵極
415a、 415b源極
43a、 43b 線圈
47a、 47b 比較器
49a、 49b 驅(qū)動電^各
60 基板
wl 正峰^直電壓
34a、 34b偵測信號 4雙線圈馬達(dá)裝置
401a、 401b感應(yīng)電壓信號 405a、 405b偵測信號
41a、 41b 柵控切換元件
413a、 413b漏極'
417a、 417b寄生二極管
45a、 45b 轉(zhuǎn)動偵測器
491a、 491b控制器 601 通道
w2
負(fù)電壓
具體實施例方式
以下將透過實施例來解釋本發(fā)明內(nèi)容，然而，本發(fā)明的實施例并非用以 限制本發(fā)明需在如實施例所述的任何特定的環(huán)境、應(yīng)用或特殊方式方能實施。 因此，關(guān)于實施例的說明僅為闡釋本發(fā)明的目的，而非用以限制本發(fā)明。需 說明者，以下實施例及圖式中，與本發(fā)明非直接相關(guān)的元件已省略而未繪示。
本發(fā)明的一較佳實施例如圖5所示，主要繪示一雙線圈馬達(dá)裝置4的切 換式調(diào)整電路40a、 40b,其各包含柵控切換元件41a、 41b及驅(qū)動電路49a、 49b,其中切換式調(diào)整電路40a、 40b不i侖其內(nèi)的各元件連結(jié)、作用及欲達(dá)成 的功效均相同。切換式調(diào)整電路40a、 40b用以耦合至一第一線圈43a及一第 二線圈43b,而雙線圈馬達(dá)裝置4主要除了包含上述的第 一線圈43a與第二線 圈43b外，尚包含一轉(zhuǎn)子以及一定子。第一線圈43a與第二線圈43b以相反 纏繞方向設(shè)置雙線圈馬達(dá)裝置4的相同位置，在本實施例中設(shè)置于定子的相 同位置，例如二者分別為由上而下以順時針方式螺旋纏繞，以及由上而下以 逆時針方式螺旋纏繞。圖5中第一線圈43a與第二線圈43b分別繪示于不同 處，是為說明電路運(yùn)作目的。第一線圈43a及第二線圈43b分別接收一供電 源(supply rail) 403a及一供電源403b后，交替地導(dǎo)通電流。轉(zhuǎn)子則相對于該定子轉(zhuǎn)動。需特別注意者，本發(fā)明的切換式調(diào)整電路是針對具繞設(shè)于相同
位置的雙線圏的馬達(dá)裝置；于其他類似實施例中，第一線圈與第二線圈亦可
繞設(shè)于轉(zhuǎn)子上，交替地導(dǎo)通電流，故亦可適用本發(fā)明。
承上所述，當(dāng)供電源403a提供電流至第一線圈43a時，第二線圈43b將 因互感而于其上獲得一感應(yīng)電壓信號401b，其代表未導(dǎo)通電流的線圈的一感 應(yīng)電壓。為能更清楚地說明本發(fā)明，以下茲以切換式調(diào)整電路40b中的第二 線圈43b未導(dǎo)通電流，且受到第一線圈43a導(dǎo)通電流的互感影響為舉例。切 換式調(diào)整電路40a的連結(jié)、作用及欲達(dá)成的功效均與切換式調(diào)整電路40b相 同，因此不加以贅述；同時切換式調(diào)整電路40a及40b中，具有相同數(shù)字標(biāo) 號的元件即為相同，例如柵控切換元件41a與柵控切換元件41b相同，合先 敘明。
柵控切換元件41b耦合至第二線圈43b以及供電源403b,在本實施例中 供電源403b即為接地端，亦即切換式調(diào)整電路40b的最低電位。為更清楚說 明切換式調(diào)整電路40b的運(yùn)作，在本實施例中，以柵控切換元件41b為一 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-type MOSFET)舉例說明。柵控切換 元件41b具有一柵極411b、 一漏極413b及一源極415b。柵極411b耦合至驅(qū) 動電路49b,漏極413b耦合至第二線圈43b,源極415耦合至供電源403b。
驅(qū)動電路49b包含一轉(zhuǎn)動偵測器45b、 一比較器47b以及一控制器491b。 轉(zhuǎn)動偵測器45b因應(yīng)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)動，產(chǎn)生一偵測信號405b。由于轉(zhuǎn)子一般而言 具有磁性，故實施時，轉(zhuǎn)動偵測器45b可為一磁場偵測器，用以偵測雙線圈 馬達(dá)裝置4的轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動位置而產(chǎn)生一偵測信號405b,而驅(qū)動電路49b即 因應(yīng)該偵測信號405b以及感應(yīng)電壓信號401b切換柵控切換元件41b。詳細(xì) 而言，驅(qū)動電路49a切換柵控切換元件41a,當(dāng)柵控切換元件41a關(guān)閉時，將 使感應(yīng)電壓信號401b因互感產(chǎn)生變化。當(dāng)感應(yīng)電壓信號401b超過一參考值 時，驅(qū)動電路49b即導(dǎo)通柵控元件41b,以避免寄生二極管417b導(dǎo)通。
承上所述，驅(qū)動電路49b的比較器47b用以比較感應(yīng)電壓信號401b與參 考值，當(dāng)感應(yīng)電壓信號401b超過該參考值時，比較器47b產(chǎn)生一輸出信號 407b,當(dāng)控制器491b接收到輸出信號407b時，即產(chǎn)生一驅(qū)動信號至柵控切 換元件41b,以導(dǎo)通^H空切換元件41b，即導(dǎo)通N-type MOSFET。需特別注 意者，上述的參考值作為比較器47b的參考，故參考值的數(shù)值并不局限任何 特定的值，亦非用以限定本發(fā)明的范圍。本實施例中較佳的參考值為一零電位，而比較器47b為一負(fù)壓比較器，借著比較器47b于感應(yīng)電壓信號401b為 一負(fù)壓時產(chǎn)生輸出信號407b，適可使驅(qū)動電路49b導(dǎo)通柵控切換元件41b。 于其他實施例中，比較器47b不限定為負(fù)壓比較器，例如可為一正壓比較器， 熟知電路技術(shù)者，可自行理解正壓比較器的運(yùn)作，在此不再贅述。同理，本 實施例中比較器47a亦為一負(fù)壓比較器。關(guān)于比較器47a、 47b如何根據(jù)參考 值而產(chǎn)生輸出信號407b的細(xì)節(jié)部份，請參考后文。
請一并參閱圖6，其繪示切換式調(diào)整電路40a、 40b運(yùn)作時，柵控切換元 件41a的漏極413a與源極415a兩端的電壓差變化，以及柵控切換元件41b 的漏極413b與源極415b兩端的電壓差變化。圖5中的虛線波形501為跨接 第一線圈13a的柵控切換元件41a的漏極413a與源極415a兩端的電壓變化 情形，而實線波形502為跨接第二線圈13b的柵控切換元件41b的漏極413b 與源極415b兩端的電壓變化情形。承上所述，當(dāng)與第一線圈43a耦合的柵控 切換元件41a將要關(guān)閉時，其漏極413a與源極415a兩端跨壓發(fā)生正峰值 (peak)電壓wl,此時第二線圈因互感產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號401b，意即，于 柵控切換元件41b的漏極413b與源極415b兩端跨壓產(chǎn)生負(fù)電壓w2。
承上所述，比較器47b根據(jù)負(fù)電壓w2而產(chǎn)生輸出信號407b，以使驅(qū)動 電路49b導(dǎo)通柵控切換元件41b。同理，比較器47a的運(yùn)作原理亦同，在此不 多加贅述。當(dāng)柵控切換元件41a的正峰值電壓wl隨時間而衰減時，柵控切換 元件41b的負(fù)電壓w2亦逐漸回復(fù)至零電位，此時第二線圈43b導(dǎo)通電流， 于柵控切換元件41b關(guān)閉時，第一線圈因互感產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號401a,如 同前述。如此^f更完成交替第一、二線圈43a、 43b的導(dǎo)通電流。
在本實施例中以比較器47b偵測柵控切換元件41b的漏極413b與源極 415b兩端的電壓變化。當(dāng)漏極413b與源極415b的電位差為負(fù)電壓時，比較 器47b便產(chǎn)生輸出信號407b以使驅(qū)動電路49b令柵控切換元件41b的柵極 411b導(dǎo)通。更詳細(xì)來說，由于寄生二極管417b兩極所能承受的電位差大小 實質(zhì)上為0.6至0.7伏特，因此設(shè)定比較器47b時，其偵測漏極413b與源極 415b兩端的電位差大小的設(shè)定可小于0.6至0.7伏特，通常電位差大小設(shè)為 0.1至0.2伏特，適可使比較器47b偵測到漏極413b與源極415b的電位差為 0.1至0.2伏特時，產(chǎn)生輸出信號407b以使驅(qū)動電路49b令柵控切換元件41b 的柵極411b導(dǎo)通。因此，該電流自源極415經(jīng)過柵控切換元件41b的一通道 601而流往漏極413a方向，使負(fù)電壓w2回復(fù)至零電位。如此一來，電荷載子藉由棚-控切換元件41b的通道，自源極415b流往漏極413b,可以解決寄 生二極管導(dǎo)通而使基板內(nèi)產(chǎn)生電荷流竄現(xiàn)象的問題。
綜上所述，本發(fā)明提供一種切換式調(diào)整電路并用于一種雙線圈馬達(dá)裝置， 使雙線圈馬達(dá)裝置中的第一線圈與第二線圈因交替切換電流導(dǎo)通而產(chǎn)生負(fù)電 壓時，防止寄生二極管導(dǎo)通而使基板內(nèi)產(chǎn)生電荷流竄現(xiàn)象。 上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施方式，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征， 并非用來限制本發(fā)明的范疇。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均等性 的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)以申請專利范圍為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種切換式調(diào)整電路，用于一雙線圈馬達(dá)裝置，該雙線圈馬達(dá)裝置包含一第一線圈、一第二線圈，以相反纏繞方向設(shè)置于該雙線圈馬達(dá)裝置的相同位置，交替地導(dǎo)通電流、及一供電源(supply rail)，該雙線圈馬達(dá)裝置產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號代表未導(dǎo)通電流的該第二線圈的一感應(yīng)電壓，該切換式調(diào)整電路包含一柵控切換元件，具有一柵極，該柵控切換元件耦合至該第二線圈以及該供電源；以及一驅(qū)動電路，耦合至該柵極，偵測該雙線圈馬達(dá)裝置的一轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動位置以產(chǎn)生一偵測信號，并因應(yīng)該偵測信號以及該感應(yīng)電壓信號切換該柵控切換元件；其中，當(dāng)該驅(qū)動電路因應(yīng)該偵測信號而關(guān)閉(turn off)該柵控切換元件，且該感應(yīng)電壓信號超過一參考值時，該驅(qū)動電路導(dǎo)通(turn on)該柵控切換元件。
2、 如權(quán)利要求1所述的切換式調(diào)整電路，其中該驅(qū)動電路包含一比較器， 用以比較該感應(yīng)電壓信號及該參考值，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號超過該參考值時， 該比較器產(chǎn)生一輸出信號，適可使該驅(qū)動電路導(dǎo)通該柵控切換元件。
3、 如權(quán)利要求1所述的切換式調(diào)整電路，其中該柵控切換元件是一 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-typeMOSFET)，具有一柵極、 一漏極、 及一源極，該漏極連接至該第二線圈，該源極連接至該供電源，該驅(qū)動電路 耦合至該柵極，以因應(yīng)該偵測信號以及該感應(yīng)電壓信號切換該N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
4、 如權(quán)利要求3所述的切換式調(diào)整電路，其中該驅(qū)動電路包含一負(fù)壓比 較器，該參考值是一零電位，該負(fù)壓比較器用以比較該感應(yīng)電壓信號及該零 電位，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號低于該零電位時，該負(fù)壓比較器產(chǎn)生一輸出信號， 適可使該驅(qū)動電路導(dǎo)通該N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
5、 如權(quán)利要求1所述的切換式調(diào)整電路，其中該驅(qū)動電路更包含一轉(zhuǎn)動 偵測器，用以偵測該雙線圈馬達(dá)裝置的該轉(zhuǎn)子的該轉(zhuǎn)動位置以產(chǎn)生該偵測信
6、 如權(quán)利要求5所述的切換式調(diào)整電路，其中該轉(zhuǎn)動偵測器是一磁場偵測器，用以偵測該雙線圈馬達(dá)裝置的該轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動時的一^t場變化，以產(chǎn)生該 偵測信號。
7、 一種雙線圈馬達(dá)裝置，包含 一轉(zhuǎn)子及一定子，該轉(zhuǎn)子相對于該定子轉(zhuǎn)動；一第一線圈及一第二線圈，以相反纏繞方向設(shè)置于該雙線圈馬達(dá)裝置， 交替地導(dǎo)通電流，于該第二線圈未導(dǎo)通電流且該第一線圈導(dǎo)通電流時，該第 二線圈產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號；一供電源(supply rail);一柵控切換元件，具有一柵極，該柵控切換元件耦合至該第二線圈以及 該供電源；以及一驅(qū)動電路，耦合至該柵極，偵測該轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動位置以產(chǎn)生一偵測信 號，并因應(yīng)該偵測信號以及該感應(yīng)電壓信號切換該柵控切換元件；其中，當(dāng)該第二線圈產(chǎn)生該感應(yīng)電壓信號，且該感應(yīng)電壓信號超過一參 考值時，該驅(qū)動電路導(dǎo)通(turnon)該柵控切換元件。
8、 如權(quán)利要求7所述的雙線圈馬達(dá)裝置，其中該驅(qū)動電路包含一比較器， 用以比較該感應(yīng)電壓信號及該參考值，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號超過一參考值時， 該比較器產(chǎn)生一輸出信號，適可使該驅(qū)動電路導(dǎo)通該柵控切換元件。
9、 如權(quán)利要求7所述的雙線圈馬達(dá)裝置，其中該柵控切換元件是一 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-typeMOSFET),具有一柵極、 一漏極、 及一源極，該漏極連接至該第二線圈，該源極連接至該供電源，該驅(qū)動電路 耦合至該柵極，以因應(yīng)該偵測信號以及該感應(yīng)電壓信號切換該N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
10、 如權(quán)利要求9所述的雙線圈馬達(dá)裝置，其中該驅(qū)動電路包含一負(fù)壓 比較器，該參考值是一零電位，該負(fù)壓比較器用以比較該感應(yīng)電壓信號及該 零電位，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號低于該零電位時，該負(fù)壓比較器產(chǎn)生一輸出信號， 適可使該驅(qū)動電路導(dǎo)通該N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
11、 如權(quán)利要求7所述的雙線圈馬達(dá)裝置，其中該驅(qū)動電路包含一轉(zhuǎn)動 偵測器，用以偵測該轉(zhuǎn)子的該轉(zhuǎn)動位置以產(chǎn)生該偵測信號。
12、 如權(quán)利要求11所述的雙線圈馬達(dá)裝置，其中該轉(zhuǎn)動偵測器是一磁場 偵測器，用以偵測該轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動時的一磁場變化，以產(chǎn)生該偵測信號。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種用于一雙線圈馬達(dá)裝置的切換式調(diào)整電路，包含一柵控切換元件及一驅(qū)動電路。當(dāng)雙線圈中的其中的一線圈產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號超過一參考值時，該驅(qū)動電路產(chǎn)生一輸出信號，以導(dǎo)通該柵控切換元件。藉此，可防止柵控切換元件的寄生二極管導(dǎo)通，對整體電路造成損害。
文檔編號H02P7/28GK101567656SQ20081009423
公開日2009年10月28日 申請日期2008年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月23日
發(fā)明者林登財, 陳炫全 申請人:遠(yuǎn)翔科技股份有限公司