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開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路和利用該開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的調(diào)節(jié)器的制作方法

文檔序號:7337698閱讀:353來源:國知局
專利名稱:開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路和利用該開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,具體地,涉及一種用于產(chǎn)生 電功率的調(diào)節(jié)器或類似裝置中的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED)常常用于液晶顯示器的背光。液晶顯示器的 背光有多個(gè)亮度設(shè)定,背光可調(diào)節(jié)至每個(gè)亮度設(shè)定。例如通過改變流 過LED的電流量進(jìn)行亮度的切換。通過恒壓電源產(chǎn)生用于饋送電流通過 LED的電壓。通常,開關(guān)調(diào)節(jié)器是公知的配置為產(chǎn)生恒壓的電路。開關(guān)調(diào)節(jié)器 利用開關(guān)元件,間斷地饋送電流通過連接到負(fù)載的線圈,開關(guān)元件例 如MOS晶體管,其導(dǎo)通性由開關(guān)脈沖控制。這種開關(guān)調(diào)節(jié)器能夠通過 線圈的自感電動(dòng)勢產(chǎn)生輸出電壓,并通過二極管和電容器整流。但是,在這種開關(guān)調(diào)節(jié)器中,功率效率隨負(fù)載的波動(dòng)而波動(dòng)。曰 本未審査專利申請公開No. 2003-319643公開了一種方法,通過控制用于控制流過線圈的電流的晶體管的開關(guān)頻率來防止這種開關(guān)調(diào)節(jié)器中 功率效率的劣化。此外,日本未審査專利申請公開No. 6-303766(Milton) 和No. 2005-218166公開了通過單觸發(fā)脈沖發(fā)生器產(chǎn)生開關(guān)脈沖來改善 功率效率的技術(shù)。圖6示出Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié)器。在Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié) 器中,當(dāng)比較VFB與基準(zhǔn)電壓的比較器674的輸出為"低"電平并且恒 定截止周期單觸發(fā)電路625的輸出為"低"電平時(shí),N溝道晶體管617 導(dǎo)通。NMOS晶體管617通過恒定截止周期單觸發(fā)電路625以單觸發(fā)脈沖驅(qū)動(dòng)。在這種情形下,利用單觸發(fā)脈沖作為開關(guān)脈沖來控制輸出電壓, 輸出電壓V。ut與對應(yīng)于單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度的時(shí)間T。n之間的關(guān)系由 以下方程式表示。<formula>formula see original document page 6</formula>(1)<formula>formula see original document page 6</formula>(2)根據(jù)方程式(2)解出T。n, T。n由方程式(3)表示,<formula>formula see original document page 6</formula>將方程式(3)代入方程式(1),推出方程式(4)和(5)<formula>formula see original document page 6</formula>(4)<formula>formula see original document page 6</formula>(5)其中,T。n為導(dǎo)通時(shí)間,T。ff為截止時(shí)間,1。ut為負(fù)載電流,ILpeak為 流過電感器元件的峰值電流,L為電感器元件的電抗。由方程式(5)可以看出,截止時(shí)間越短,輸出電壓值變得越小,而截止時(shí)間越長,輸出電壓值變得越大。圖7A和圖7B示出用作開關(guān)脈沖的單觸發(fā)脈沖與開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓以及流過負(fù)載的負(fù)載電流之 間的關(guān)系。當(dāng)流過負(fù)載的電流量小的時(shí)候,因?yàn)檫B接到輸出端的電容 器的放電慢,所以輸出電壓V。ut的下降變慢(參見圖7B)。另一方面,當(dāng)流過負(fù)載的電流量大的時(shí)候,輸出電壓V。ut的下降變快(參見圖7A)。因此,假定單觸發(fā)脈沖具有恒定的脈沖寬度,則當(dāng)負(fù)載電流大的時(shí)候, 截止時(shí)間變短,輸出電壓變小。另一方面,當(dāng)負(fù)載電流小的時(shí)候,截 止時(shí)間變長,輸出電壓變大。在這種方式下,如果以恒定的脈沖寬度進(jìn)行開關(guān),則當(dāng)負(fù)載電流 小的時(shí)候,輸出電壓的紋波變大。輸出電壓的較大紋波會(huì)產(chǎn)生問題, 因?yàn)樗黾恿肆鬟^負(fù)載的平均電流且平均負(fù)載電流值超過了所期望的 負(fù)載電流值。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例, 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路包括負(fù)載電 流設(shè)定部,基于負(fù)載電流設(shè)定信號來確定流過負(fù)載的電流量,所述負(fù) 載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負(fù)載電流設(shè)定部,所述負(fù)載電流設(shè) 定信號指定流過所述負(fù)載的電流量;以及脈沖產(chǎn)生部,輸出電壓供應(yīng)脈沖,所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述負(fù)載供應(yīng)電壓,所述電壓供應(yīng)脈 沖的脈沖寬度基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來確定。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例, 一種調(diào)節(jié)器包括負(fù)載電流設(shè)定部,基于負(fù)載電流設(shè)定信號來確定流過負(fù)載的電流量,所述負(fù)載電流設(shè)定部連接到輸出端;電壓輸出部,基于脈沖產(chǎn)生電路的輸出來產(chǎn)生電壓; 以及脈沖產(chǎn)生電路,向所述電壓輸出部輸出脈沖信號,所述脈沖信號 的脈沖寬度基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來確定。通過改變脈沖寬度,能夠減小輸出電壓的紋波,從而防止比期望 值更大的電流流過負(fù)載。即使當(dāng)負(fù)載電流小的時(shí)候,也允許近似等于或接近期望電流值的 電流流過負(fù)載。


通過下面結(jié)合附圖對一些優(yōu)選實(shí)施例所進(jìn)行的描述,本發(fā)明的上述和其它目的、優(yōu)點(diǎn)以及特征將更加明顯,附圖中圖l為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)調(diào)節(jié)器的視圖; 圖2A和圖2B為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負(fù)載的電流的視圖;圖3為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖; 圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖; 圖5為示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖;圖6為示出Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié)器的視圖;以及 圖7A和圖7B為示出當(dāng)通過單觸發(fā)脈沖來驅(qū)動(dòng)開關(guān)調(diào)節(jié)器時(shí),開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負(fù)載的電流的視圖。
具體實(shí)施方式
下面將參照示例性實(shí)施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識 到,利用本發(fā)明的教導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)很多可選實(shí)施例,并且本發(fā)明不限于 這些為了解釋的目的而示出的實(shí)施例。下面參照

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。圖1示出根據(jù)本發(fā)明第 一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10和利用開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10的開關(guān) 調(diào)節(jié)器100。開關(guān)調(diào)節(jié)器100包括開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10、線圈101、輸出開關(guān) 元件(NMOS晶體管)102、 二極管103和電容器104。負(fù)載105連接 到開關(guān)調(diào)節(jié)器100的輸出端V。ut。向輸入端Vin提供預(yù)定的輸入電壓。線圈101和NMOS晶體管102 串聯(lián)連接在輸入端Vin與地電位GND之間,NMOS晶體管102是開關(guān) 元件。線圈101與NMOS晶體管102之間的節(jié)點(diǎn)通過二極管103連接 到輸出端V。w。平滑電容器104連接到輸出端V。ut,負(fù)載105與平滑電 容器104并聯(lián)地連接到輸出端V。ut。該負(fù)載105可由發(fā)光二極管(LED) 構(gòu)成,在本實(shí)施例中例如用于液晶顯示器的背光。根據(jù)本實(shí)施例的開關(guān)調(diào)節(jié)器100利用自感電動(dòng)勢產(chǎn)生電壓,以饋 送電流通過線圈101,自感電動(dòng)勢通過將脈沖電壓施加到NMOS晶體 管102的柵極而感應(yīng)得到。輸出電壓經(jīng)二極管103和電容器104平滑 后供應(yīng)給負(fù)載105。產(chǎn)生施加到負(fù)載的電壓的這一部分對應(yīng)于電壓輸出 部。開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路(電壓供應(yīng)脈沖產(chǎn)生電路)IO是向NMOS晶體 管102的柵極供應(yīng)脈沖電壓的電路,并建立流過負(fù)載105的電流。根 據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO包括負(fù)載電流設(shè)定端1、 負(fù)載電流設(shè)定部2、比較器3、單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4、輸出驅(qū)動(dòng)器5、 開關(guān)脈沖輸出端6以及負(fù)載連接端7。本實(shí)施例中,開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路 10由半導(dǎo)體集成電路構(gòu)成,且形成在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上。指定流過負(fù)載的電流量的外部信號被供應(yīng)給負(fù)載電流設(shè)定端1。 例如,通過用戶觀察液晶面板屏幕并控制連接到負(fù)載電流設(shè)定端1的 開關(guān)以增加或減少液晶面板屏幕的背光的亮度,來供應(yīng)該負(fù)載電流設(shè) 定信號。或者,通過微型計(jì)算機(jī)的輸出來改變供應(yīng)給負(fù)載電流設(shè)定端1 的輸入信號,所述微型計(jì)算機(jī)檢測用戶開關(guān)的轉(zhuǎn)換。負(fù)載電流設(shè)定部2 通過負(fù)載連接端7連接到負(fù)載105,并建立流過負(fù)載105的電流量。本 實(shí)施例中,從開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO的外部供應(yīng)指定LED亮度的信號。 與流過負(fù)載105的電流成比例的反饋電壓Vb被輸入到比較器3的反相輸入端,基準(zhǔn)電壓Vref被輸入到非反相輸入端。當(dāng)反饋電壓Vb等于或小于基準(zhǔn)電壓V^時(shí),比較器3輸出"高"電平。單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于比較器3輸出的"高"電平而產(chǎn)生單觸發(fā)脈沖。根據(jù)本實(shí)施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于負(fù)載電流設(shè)定端1所供應(yīng)的負(fù)載電流設(shè)定信號來改變所產(chǎn)生的單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度。下面將說明單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4的細(xì)節(jié)。輸出驅(qū)動(dòng)器5從開關(guān)脈沖輸出端6輸出單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4所產(chǎn) 生的單觸發(fā)脈沖,作為驅(qū)動(dòng)NMOS晶體管102所必需的電壓。根據(jù)本實(shí)施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于外部負(fù)載電流設(shè)定信號 來產(chǎn)生具有不同脈沖寬度的單觸發(fā)脈沖來驅(qū)動(dòng)NMOS晶體管102。圖 2A和圖2B示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的 開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負(fù)載的電流。當(dāng)信號表明例如LED的亮 度降低(即負(fù)載電流減少)時(shí),根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn) 生電路IO輸出具有第一脈沖寬度的脈沖作為單觸發(fā)脈沖(圖2B);而 當(dāng)信號表明LED的亮度增加(即負(fù)載電流增加)時(shí),開關(guān)脈沖產(chǎn)生電 路10輸出脈沖寬度比第一脈沖寬度更寬的脈沖作為單觸發(fā)脈沖(圖 2A)。根據(jù)本實(shí)施例,當(dāng)負(fù)載電流小的時(shí)候,開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10縮短 了NMOS晶體管102處于導(dǎo)通狀態(tài)的周期。因此,它降低了輸出電壓, 并縮短了反饋電壓Vb下降到基準(zhǔn)電壓V^或下降到低于基準(zhǔn)電壓Vref 所需要的時(shí)間。因此,它還縮短了到下一個(gè)導(dǎo)通NMOS晶體管102的 單觸發(fā)脈沖的間隔,從而能夠減小紋波,并將平均負(fù)載電流降低到期 望的電流值。圖3是示出根據(jù)本實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10的更詳細(xì)的電路 圖。圖3中,與圖1中相同的部件采用相同的標(biāo)記,并省略這些部件 的說明。根據(jù)本實(shí)施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4包括RS觸發(fā)器41、電 流源42-44、 PMOS晶體管45和46、 NMOS晶體管47、電容器48以及驅(qū)動(dòng)器49。當(dāng)RS觸發(fā)器41的置位端連接到比較器3的輸出時(shí),基于積累在 電容器48上的電荷來將驅(qū)動(dòng)器49所產(chǎn)生的邏輯值提供給復(fù)位端。該 觸發(fā)器的正輸出Q被輸出到輸出驅(qū)動(dòng)器5,以驅(qū)動(dòng)NMOS晶體管102。 電流源42-44連接在電源電壓VDD與電容器48的一個(gè)電極之間。PMOS 晶體管45連接在電流源42與電容器48的該電極之間,PMOS晶體管 46連接在電流源43與電容器48的該電極之間?;谕獠康碾娏髦翟O(shè) 定信號的邏輯值被輸入到PMOS晶體管45和46的柵極。PMOS晶體 管45和46用作開關(guān)以控制各電容器的一個(gè)電極與電流源之間的連接。NMOS晶體管47連接在電容器的一個(gè)電極與地電位之間,RS觸 發(fā)器的負(fù)輸出/Q被提供給柵極。同時(shí),負(fù)載電流設(shè)定部2由可變電阻器構(gòu)成。在圖3所示的電路 中,它包括電阻器21-23和NMOS晶體管24、 25。電阻器21-23的一 端通過負(fù)載連接端7連接到負(fù)載105,另一端連接到地電位。NMOS 晶體管24連接在電阻器21與地電位之間,NMOS晶體管25連接在電 阻器22與地電位之間?;陔娏髦翟O(shè)定信號的邏輯值被輸入到NMOS 晶體管24、 25的柵極。下面詳細(xì)說明圖3所示開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的操作。在根據(jù)本實(shí)施 例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10中,提供2位邏輯信號作為負(fù)載電流設(shè)定信 號。首先,將提供"00"作為負(fù)載電流設(shè)定信號的情形作為示例進(jìn)行 說明。當(dāng)提供"00"作為負(fù)載電流設(shè)定信號時(shí),負(fù)載電流設(shè)定部2中 的NMOS晶體管24、 25變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。由于沒有電流流過電阻器21 和22,所以流過負(fù)載105的電流對應(yīng)于最小電流。當(dāng)輸出端的電壓下降,反饋電壓Vb變?yōu)榈扔诨蛐∮诨鶞?zhǔn)電壓Vref 時(shí),"高"電平信號被輸入到RS觸發(fā)器41的置位端,輸出Q和/Q分別變?yōu)?高"電平和"低"電平。由于單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4中的NM0S 晶體管47轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài),而PMOS晶體管45、 46處于導(dǎo)通狀態(tài), 所以電容器48被三個(gè)電流源42、 43、 44充電。當(dāng)電容器48的充電推 進(jìn)并且電壓升高到一定電壓時(shí),驅(qū)動(dòng)器49向RS觸發(fā)器41的復(fù)位端輸 出"高"電平信號。當(dāng)"高"電平信號被輸入到復(fù)位端時(shí),RS觸發(fā)器 41的輸出Q轉(zhuǎn)換為"低"電平。從當(dāng)"高"電平信號通過反饋電壓Vb 被輸入到置位端時(shí)到當(dāng)"高"電平信號通過電容器的充電被輸入到復(fù) 位端時(shí)的時(shí)間量對應(yīng)于圖2A和圖2B所示的信號脈沖寬度。
如上所述,當(dāng)負(fù)載電流被設(shè)定為小的值時(shí),通過三個(gè)電流源進(jìn)行 充電,因此充電變得更快且脈沖寬度變得更窄。
另一方面,當(dāng)提供"11"作為負(fù)載電流設(shè)定信號時(shí),負(fù)載電流設(shè) 定部2中的NMOS晶體管24、 25變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),而單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部 4中的PMOS晶體管45、 46變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在這種情形下,負(fù)載電流 對應(yīng)于最大電流值。類似于前面的情形,當(dāng)反饋電壓Vb下降時(shí),"高" 電平被輸入到置位端,電容器48充電。但是,當(dāng)提供"ll"作為負(fù)載 電流設(shè)定信號時(shí),PMOS晶體管45、 46為截止?fàn)顟B(tài),電容器僅通過電 流源44充電。因此,假定每個(gè)電流源42-44能夠饋送相同的電流量, 則供應(yīng)給電容器的電流是前面輸入"00"情形下的電流的三分之一。 因此,"高"電平被輸入到復(fù)位端之前的時(shí)間量變得更大,從而單觸 發(fā)脈沖的脈沖寬度變得更寬。
在這種方式下,本實(shí)施例中產(chǎn)生開關(guān)脈沖的方式是使得開關(guān)調(diào)節(jié) 器的開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的周期基于外部負(fù)載電流設(shè)定信號而被縮 短。例如,在液晶顯示器中使用LED背光的情形下,用戶在液晶顯示 器的使用過程中可有意地改變它們的亮度。在連接像LED這樣的元件 作為負(fù)載的情形下,當(dāng)基于表明負(fù)載電流量的信號而改變負(fù)載電流時(shí), 能夠防止由于輸出電壓的增加而造成紋波的增大,并通過改變開關(guān)脈 沖的脈沖寬度,將流過例如LED這樣的負(fù)載的電流控制到期望的電流值。
第二實(shí)施例
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10。圖4中, 與圖3中相同的部件采用相同的標(biāo)記,并省略對這些部件的說明。
圖4所示的電路與圖3所示的電路區(qū)別在于,在電路中設(shè)置了多 個(gè)電容器48和連接到電容器的NMOS晶體管45N、 46N。當(dāng)負(fù)載電流 大的時(shí)候,NMOS晶體管45N、 46N變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),使得三個(gè)電容器 得以連接。因此,充電時(shí)間變得更長,脈沖寬度變得更寬。同時(shí),當(dāng) 負(fù)載電流小的時(shí)候,NMOS晶體管45N、 46N變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài),因此能 夠?qū)⒚}沖寬度設(shè)定為更窄的寬度。
其它實(shí)施例
圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10。圖5中, 與圖3中相同的部件采用相同的標(biāo)記,并省略對這些部件的說明。圖4 所示的電路與前述電路的區(qū)別在于,它用比較器49C作為單觸發(fā)脈沖 產(chǎn)生部4中驅(qū)動(dòng)器49的替代,電容器48的一端的電壓被施加到比較 器49C的非反相輸入端,可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部V^連接到反相輸入端。 圖5中的可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部Vva是能夠基于負(fù)載電流設(shè)定信號而改變 基準(zhǔn)電壓的電壓產(chǎn)生部。利用這種結(jié)構(gòu),通過在負(fù)載電流小的時(shí)候?qū)?可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部Vva的輸出電壓設(shè)定為較小的值、而在負(fù)載電流大 的時(shí)候?qū)⒖勺兓鶞?zhǔn)電壓產(chǎn)生部V^的輸出電壓設(shè)定為較大的值,能夠以 與其它實(shí)施例類似的方式改變單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度。
雖然利用一定的實(shí)施例說明了本發(fā)明,但是應(yīng)當(dāng)理解,在不脫離 本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可對這些實(shí)施例做出各種修改。例如, 負(fù)載電流設(shè)定部2可使用可變電流源來代替可變電阻器,可變電流源 配置為輸出具有不同電流值的電流。此外,能夠基于負(fù)載電流設(shè)定信 號來改變脈沖寬度的其它電路可用作單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4的替代。此外,雖然本實(shí)施例中向線圈饋送電流的NMOS晶體管102形成為與開 關(guān)脈沖產(chǎn)生電路分離的分立器件,但是該晶體管也可以形成為半導(dǎo)體 集成電路的一部分且與開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO集成在單個(gè)芯片上。
顯然,本發(fā)明不限于上述實(shí)施例,在不脫離本發(fā)明的范圍和精神 的情況下,可以對其進(jìn)行修改和變化。
權(quán)利要求
1. 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,包括負(fù)載電流設(shè)定部,基于負(fù)載電流設(shè)定信號來確定流過負(fù)載的電流 量,所述負(fù)載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負(fù)載電流設(shè)定部,所述 負(fù)載電流設(shè)定信號指定流過所述負(fù)載的電流量;以及脈沖產(chǎn)生部,輸出電壓供應(yīng)脈沖,所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述 負(fù)載供應(yīng)電壓,所述電壓供應(yīng)脈沖的脈沖寬度基于所述負(fù)載電流設(shè)定 信號來確定。
2. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器,并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負(fù)載電流設(shè)定信 號來改變所述電容器中充電的電流值。
3. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器,并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負(fù)載電流設(shè)定信 號來改變所述電容器的電容值。
4. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器和比較器,所述比較器用于比較所述電容器的一端的電 壓與基準(zhǔn)電壓,并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負(fù)載電流設(shè)定信 號來改變所述基準(zhǔn)電壓。
5. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中.-所述負(fù)載電流設(shè)定部為可變電阻器,所述可變電阻器的電阻基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來改變。
6. 如權(quán)利要求2所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中 所述負(fù)載電流設(shè)定部為可變電阻器,所述可變電阻器的電阻基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來改變。
7. 如權(quán)利要求3所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中 所述負(fù)載電流設(shè)定部為可變電阻器,所述可變電阻器的電阻基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來改變。
8. 如權(quán)利要求4所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中所述負(fù)載電流設(shè)定部為可變電阻器,所述可變電阻器的電阻基于 所述負(fù)載電流設(shè)定信號來改變。
9. 如權(quán)利要求2所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述脈沖產(chǎn)生 部包括多個(gè)電流源;以及開關(guān),基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來控制所述多個(gè)電流源的至少 一個(gè)與所述電容器的一個(gè)電極之間的連接。
10. —種調(diào)節(jié)器,包括負(fù)載電流設(shè)定部,基于負(fù)載電流設(shè)定信號來確定流過負(fù)載的電流量,所述負(fù)載電流設(shè)定部連接到輸出端;電壓輸出部,基于脈沖產(chǎn)生電路的輸出來產(chǎn)生電壓;以及 脈沖產(chǎn)生電路,向所述電壓輸出部輸出脈沖信號,所述脈沖信號的脈沖寬度基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來確定。
11. 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,用于控制開關(guān)調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié)電壓, 所述開關(guān)調(diào)節(jié)器具有輸出開關(guān)元件和連接到負(fù)載的輸出端,所述開關(guān) 脈沖產(chǎn)生電路包括負(fù)載電流設(shè)定部,響應(yīng)于負(fù)載電流設(shè)定信號來設(shè)定流過所述負(fù)載的電流量;脈沖產(chǎn)生部,為所述輸出開關(guān)元件提供開關(guān)脈沖以控制所述調(diào)節(jié) 電壓,所述開關(guān)脈沖的脈沖寬度響應(yīng)于所述負(fù)載電流設(shè)定信號。
12. 如權(quán)利要求ll所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,流過所述負(fù) 載的電流量變得越大,導(dǎo)通所述輸出開關(guān)元件的所述開關(guān)脈沖的脈沖 寬度變得越長。
13. 如權(quán)利要求ll所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述脈沖產(chǎn)生部包括控制信號和單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路以及比較器,所述單觸發(fā)脈 沖產(chǎn)生電路產(chǎn)生單觸發(fā)脈沖信號作為所述開關(guān)脈沖,所述比較器比較 反饋電壓與基準(zhǔn)電壓以觸發(fā)所述單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路,并且所述單觸 發(fā)脈沖信號的脈沖寬度響應(yīng)于所述負(fù)載電流設(shè)定信號來變化。
14. 如權(quán)利要求13所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,其中,所述單觸發(fā) 脈沖產(chǎn)生電路包括電容器和給所述電容器充電的多個(gè)電流源,響應(yīng)于 所述負(fù)載電流設(shè)定信號來選擇所述電流源的至少一個(gè)以確定所述單觸 發(fā)脈沖信號的脈沖寬度。
全文摘要
一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路,包括負(fù)載電流設(shè)定部,基于負(fù)載電流設(shè)定信號而確定流過負(fù)載的電流量,所述負(fù)載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負(fù)載電流設(shè)定部,所述負(fù)載電流設(shè)定信號指定流過所述負(fù)載的電流量;以及脈沖產(chǎn)生部,輸出電壓供應(yīng)脈沖,所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述負(fù)載供應(yīng)電壓,所述電壓供應(yīng)脈沖的脈沖寬度基于所述負(fù)載電流設(shè)定信號而確定。
文檔編號H02M3/156GK101312326SQ20081010882
公開日2008年11月26日 申請日期2008年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月25日
發(fā)明者西形泰榮 申請人:恩益禧電子股份有限公司
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